【課題】長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減できることが可能なＴＦＴ基板及び反射型ＴＦＴ基板並びにそれらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】反射型ＴＦＴ基板１ａは、ガラス基板１０と、上面がゲート絶縁膜３０に覆われ、かつ、側面が層間絶縁膜５０に覆われることにより絶縁されたゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート電極２３上のゲート絶縁膜３０上に形成されたｎ型酸化物半導体層４０と、ｎ型酸化物半導体層４０上に、チャンネル部４４によって隔てられて形成された反射金属層６０ａと、チャンネル部４４を保護するチャンネルガード５００とを備えた構成としてある。 （もっと読む）

【課題】大気プラズマ処理を利用して、配線基板の配線補修を容易に行える方法を提供する。
【解決手段】回路基板の補修すべき配線欠損部分に金属微粒子を供給する。供給された金属微粒子に、プラズマ生成用ガスとして酸化ガスを用いた大気プラズマ発生装置からのプラズマガスを吹き付ける。このプラズマガスの吹き付けによって、金属微粒子にアニーリング処理を施し、該金属微粒子を配線に一体化する。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層に対し、良好なオーミック接触を得ることができる半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、酸化亜鉛系材料を用いたｐ型半導体層１０３と、ｐ型半導体層１０３上に形成されたｐ側電極１０５とを備える。ｐ型半導体層１０３とｐ側電極１０５との界面（中間層１０４）には、主要な構成元素として５Ｂ族元素が含まれる。 （もっと読む）

【課題】本願発明は、従来のスクリーン印刷やめっき方法とは異なる方法によって、電子部品のバンプ等の導電部を簡易かつ効率的に形成可能とする技術を提供する。
【解決手段】 本願発明は、開口部を有するレジストで被覆された基材を、粒子を分散させた懸濁液に浸漬し、懸濁液中の粒子を開口部に堆積させる方法であって、懸濁液は、分散させた粒子が沈降して開口部に堆積するような粘性を有し、基材を該懸濁液に浸漬して、粒子を開口部に堆積させることを特徴とする粒子堆積方法に関する。よって、本願発明では、基板の開口部に比較的短時間で均一に粒子を堆積させることが可能となる。また、レジスト上に残留した余剰な粒子についても簡易的に取り除くことができるため、電子部品において所望の形状を備えたバンプ等の導電部を形成することが可能となる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板上に形成されたデバイスに高品質コンタクトレベル接続部を形成するプロセスを提供する。一実施形態において、基板上に物質を堆積させるための方法であって、基板を酸化物エッチング緩衝液にさらして、前処理プロセスで水素化シリコン層を形成するステップと、基板上に金属シリサイド層を堆積させるステップと、金属シリサイド層上に第一金属層（例えば、タングステン）を堆積させるステップと、を含む前記方法が提供される。酸化物エッチング緩衝液は、フッ化水素とアルカノールアミン化合物、例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、又はトリエタノールを含有することができる。金属シリサイド層は、コバルド、ニッケル、又はタングステンを含有することができ、無電解堆積プロセスによって堆積させることができる。一例において、基板は、溶媒と金属錯体化合物を含有する無電解堆積溶液にさらされる。 （もっと読む）

【課題】 自己整合的に基板のコンタクト部をユニバーサルコンタクトホール内に形成することができる半導体装置の製造方法及びこの製造方法により形成された半導体装置を提供する。
【解決手段】 層間絶縁膜９にソース領域３が露出されたユニバーサルコンタクトホール７を開口し、ユニバーサルコンタクトホール７から半導体基板１００に第１導電型（Ｐ型）不純物を注入してユニバーサルコンタクトホール７の底面中央に露出するソース領域３を基板領域と同じ導電型の第１導電型領域５にする。ユニバーサルコンタクト１３はユニバーサルコンタクトホール７底面周縁部に露出するソース領域３に電気的に接続されている。基板領域とソース領域のコンタクトの位置関係が一定となりソース領域における電流の不均衡が解消される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にＣｕ合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とＣｕ配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が０．１５μｍ以下で、該最小幅に対する深さの比［深さ／最小幅比］が１以上である凹部の表面に、Ｔｉを０．５〜３原子％とＮを０．４〜２．０原子％含有するＣｕ合金を形成した後、２００℃以上、５０ＭＰａ以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Ｃｕ合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。 （もっと読む）

【課題】
駆動電圧を低下させても、書き込み／消去動作後の電荷保持状態での電荷デトラップによる閾値電圧変動を抑制させることによって書き込み／消去、読み出し、および記憶保持において十分な性能を有し信頼性の高い不揮発性半導体メモリ装置を提供すること。
【解決手段】
本発明は、ｎ型半導体領域１１に設けられたｐ型ソース・ドレイン領域１２と、前記ｐ型ソース・ドレイン領域間１２に設けられた高誘電率材料の電荷蓄積層１３と、前記電荷蓄積層１３上に設けられた、ｎ型Ｓｉ、金属系導電性材料及び、ＳｉとＧｅの少なくとも一方を含むｐ型半導体材料から選択される制御ゲート電極１４とを具備することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置である。 （もっと読む）

【解決手段】配線構造を有する半導体装置に形成された配線の表面に保護膜を選択的に形成する無電解めっき液であり、該無電解めっき液が、コバルトイオン、コバルトとは異なる第２の金属のイオン、キレート剤、還元剤、下記式で表される化合物、および、特定構造を有する水酸化テトラアルキルアンモニウムを含有する。


Ｒ¹〜Ｒ⁴は、水素原子、アルキル基、Ｒ⁵、Ｒ⁶は、オキシアルキレン単位の連鎖からなるポリオキシアルキレン基であって繰返し数の和は２〜５０である。
【効果】銅配線上に高い選択率で均一に拡散防止能を有する保護膜を形成できる。 （もっと読む）

【課題】 バリアメタル膜をスパッタエッチングしても、配線の信頼性を低下させない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の上に、絶縁材料からなる層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜に、その底面まで達するビアホールを形成する。ビアホール内の下側の一部に、埋め込み部材を充填する。層間絶縁膜の厚さ方向の途中まで達し、平面視においてビアホールに連続する配線溝を形成する。このとき、層間絶縁膜のエッチングレートが埋め込み部材のエッチングレートよりも速い条件で、ビアホール内に残っている埋め込み部材の上面と、配線溝の底面との高さの差が、ビアホールの平面形状の最大寸法の１／２以下になるように配線溝を形成する。ビアホール内の埋め込み部材を除去する。ビアホール及び配線溝内に導電部材を充填する。 （もっと読む）

成膜システム（1）内の基板（25）の粒子コンタミネーションが抑制される方法およびシステムが提供される。成膜システムは、1または2以上の粒子拡散器（47）を有し、これらは、膜前駆体粒子の流通を防止し、または一部防止するように構成され、あるいは膜前駆体粒子を分解し、または部分的に分解するように構成される。粒子拡散器は、膜前駆体蒸発システム（50）、蒸気供給システム（40）、蒸気分配システム（30）、またはこれらの2以上の内部に導入されても良い。
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【課題】電極または金属配線と所望の絶縁膜とを密着でき、所望の低リーク電流特性および高耐圧特性を得ることができること。
【解決手段】この発明にかかるＨＥＭＴ１００は、基板１の上部に形成された化合物半導体層の電子供給層５の上部に、ソース電極６とゲート電極７とドレイン電極８と絶縁膜９，１０とを有する。ソース電極６、ゲート電極７、およびドレイン電極８と絶縁膜１０との各接合界面には窒化物系の接合膜１１ａ，１１ｄ，１１ｃが形成され、ゲート電極７と絶縁膜９との接合界面には窒化物系の接合膜１１ｂが形成される。接合膜１１ａ，１１ｄ，１１ｃは、ソース電極６、ゲート電極７、およびドレイン電極８と絶縁膜１０とをそれぞれ接合する。接合膜１１ｂは、ゲート電極７と絶縁膜９とを接合する。 （もっと読む）

【課題】銅拡散防止能力に優れ、且つ、銅配線との密着性が良好なバリアメタル膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第４の層間絶縁膜１６の上面とビアホール１６ａの内面に、希ガスと窒素ガスとの混合ガスを使用する反応性スパッタ法により、チタン族元素の窒化物よりなるバリアメタル膜１８を形成する工程を有し、バリアメタル膜１８を形成する工程が第１スパッタ工程と第２スパッタ工程とを含み、該第２スパッタ工程において、上記混合ガス中における窒素ガスの流量比を第１スパッタ工程におけるよりも低くする共に、第１スパッタ工程で形成されたビアホール１６ａ底部のバリアメタル膜１８を薄膜化する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】気相原料分散システムにおけるパーティクル汚染を低減する方法およびシステムを提供する。
【解決手段】気相原料分散システム３０は、膜前駆体の気相原料を成膜システム１のプロセスチャンバ１０へ導入するよう構成される複数の開口を備える気相原料分散ヘッド３４と、ハウジングとを備える。ハウジングと気相原料分散ヘッド３４により、膜前駆体蒸発システム５０と結合され、蒸発システム５０からの膜前駆体５２の気相原料を受けてこの気相原料を複数の開口を通してプロセスチャンバ１０へ分散するよう構成されるプレナム３２が形成される。パーティクル汚染を低減するため、気相原料分散システム３０は、プレナム３２の圧力と成膜システムの圧力との差または比を低減するよう構成される。たとえば、プレナム３２の圧力は、プロセス空間３３の圧力の２倍未満、または、プロセス空間３３の圧力よりも５０ｍＴｏｒｒ、３０ｍＴｏｒｒもしくは２０ｍＴｏｒｒ低い。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化に伴うショートチャネル効果やリーク電流の低減を可能とする。
【解決手段】ｐ型シリコン基板１０１の主平面上に形成されたエピタキシャルＳｉ層と、少なくともエピタキシャル層に形成されたチャネル領域と、該チャネル領域上にゲート絶縁膜１０６を介して形成されたゲート電極１０７とを含むトランジスタ構造を有し、このトランジスタ構造同士は互いに素子分離絶縁膜１０５を挟んで形成される半導体であって、チャネル領域の下部のパンチスルー・ストッパ層１０２にはチャネル領域よりも高濃度の不純物が含まれ、かつソース・ドレイン拡散層１０８は素子分離絶縁膜１０５上には延在しない。 （もっと読む）

ガリウム砒素装置（１１）は、ＧａＡｓ基板（１４）およびターゲット装置のパッド（１６）との電気的な接地接点を作るための銅の接触層（２１）を有する。銅の接触層は、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）層などの拡散バリヤ層（２３）を介してＧａＡｓ基板から分離される。酸化効果を減じるために、有機はんだ付け性保護剤が露出した銅をコーティングしてもよい。銅の接触層を堆積させるに先立って金または銅のシード層が堆積してもよい。銅の接触層（２１）がコンタクトパッド（１６）に直接はんだ付け（１８）され、コンタクトパッドがあふれた接着剤の領域を必要とせずに、比較的小さく作られ得ることを示唆する。
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【課題】精度の高いパターンニングを可能にする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタ素子の製造方法において、ゲート絶縁層を形成する工程の後に、ゲート絶縁層の一部を、圧接部材をゲート絶縁層に接触させることにより、変形あるいは変質させる工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｎ型ＭＩＳＦＥＴのソース・ドレインのコンタクト抵抗を低減することを可能にする。
【解決手段】ｐ型半導体基板１，３と、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜５と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極６と、第１ゲート電極の両側の半導体基板に設けられたｎ型拡散層１０と、このｎ型拡散層上に形成され真空仕事関数が４．６ｅＶ以上である第１金属元素を主成分とするシリサイド層１８_２と、ｎ型拡散層とシリサイド層との界面に形成された、スカンジウム族元素及びランタノイドの群から選択された少なくとも一種類の第２金属元素を含む層２０_２とを有するソース・ドレイン領域と、を備え、前記第２金属元素を含む層は、最大面密度が１ｘ１０^１４ｃｍ^−２以上である偏析層を含み、前記偏析層は１ｘ１０^１４ｃｍ^−２以上の面密度を有する領域の厚さが１ｎｍより薄い。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体と成膜原料とを含む処理流体を耐圧容器内に供給して基板に対して成膜を行うにあたり、耐圧容器の熱伝導率が小さいことに基づく、ステージヒータの温度安定性の課題を解決し、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる技術を提供する。
【解決手段】装置本体２の上蓋２１と耐圧枠材２０とウエハＷを載置する載置台３とにより、内部に成膜処理空間Ｆが形成された耐圧容器を構成する。この耐圧容器には、ウエハＷがその上に載置され、発熱体が設けられたステージヒータ４と、このステージヒータ４の下方側に設けられた、前記耐圧容器の材質の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する断熱層５１と、この断熱層５１と耐圧容器の底面部をなす載置台本体３１との間に介在するように、耐圧容器の外部との間で熱の授受が行われる温度調整部が設けられた温度調整層５３とを設ける。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で特性が安定し動作効率の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及びこの製造方法で製造された有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板の上に少なくともソース電極とゲート電極とドレイン電極と絶縁層と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、基板の上にソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つとゲート電極とを同時に形成するための電極形成工程を含む。 （もっと読む）