【課題】本発明は、光の取り出し性が良好で明るく、ボンディング時の電極剥がれを無くすることができる半導体発光素子の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、基板１１上にｎ型半導体層１３、発光層１４およびｐ型半導体層１５が積層され、ｐ型半導体層１５上に透光性正極１６が積層されるとともに、該透光性正極１６に正極ボンディングパッド１７が設けられ、前記ｎ型半導体層１３上に負極ボンディングパッド１８が設けられた半導体発光素子１を製造することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、太陽電池用電極の製造方法およびその電気化学的析出装置を提供している。本発明の太陽電池用電極の製造方法は、金属または金属合金の電気化学的析出プロセスを用いて太陽電池用電極を製造する方法である。本発明の方法は、光電変換効率の向上と生産コストの低減が可能であるとともに、反応時間が短く、工業廃水の処理が容易である等の利点を有する。
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【課題】本発明はオフ電流が低く、オンオフ比の大きい有機半導体トランジスタを比較的に低いコストで提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、基板上に配置された複数の電極(105)と、上記電極の相互間に配置された有機半導体層(108)と、上記有機半導体層の両側にそれぞれ配置された第１及び第２のゲート電極(102,110)と、上記有機半導体層と上記第１及び第２のゲート電極との相互間に配置されるゲート絶縁層(103,109)とを含み、上記第１及び第２のゲート電極は互いに接続され、両ゲート電極のうち少なくとも一方の電極が印刷法によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】下地層に対する導電層の密着性を向上させる。
【解決手段】基板Ｐ上に下地層形成材料を含む第１液状体を塗布する工程と、塗布した第１液状体を加熱処理して下地層Ｆ１を形成する工程と、下地層Ｆ１上に金属微粒子を含む第２液状体を塗布する工程と、塗布した第２液状体を加熱処理して導電層Ｆ２を形成する工程とを有する。下地層Ｆ１が未硬化状態となる条件で第１液状体を加熱処理した後に、第２液状体を塗布する。 （もっと読む）

第１の電流電極領域（３２）、第２の電流電極領域（３４）、およびチャネル領域（３７）を含む半導体構造の形成方法であって、チャネル領域（３７）は第１の電流電極領域（３２）と第２の電流電極領域（３４）との間に配置され、チャネル領域（３７）は半導体構造のフィン構造（３６）内に配置され、チャネル領域内のキャリア輸送は概して第１の電流電極領域（３２）と第２の電流電極領域（３４）との間で水平方向に行われる方法。該方法は、第１の接点（６６）を形成することを含み、第１の接点（６６）を形成することは、半導体構造の第１の部分を除去して、第１の電流電極領域（３２）に開口部（５４）を形成すること、開口部に接点材料（６６）を形成することを含む。
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【課題】金属カルボニル前駆体を用いて基板上に形成される金属薄膜のＣＯ中毒を抑制する方法及び装置を提供する。
【解決手段】金属薄膜８４０、８６０は、薄膜堆積システム１、１００の基板ホルダー２０、１２０上に載せられた基板２５、１２５上に形成される。基板ホルダー２０、１２０は、基板ホルダー２０、１２０の周辺端部に位置付けられて基板２５、１２５の周辺端部を取り囲む防御リング２１、１２４を有する。防御リング２１、１２４は基板２５、１２５の周辺端部でのＣＯ副生成物の生成を抑制する。 （もっと読む）

【課題】日陰損失および電気的損失を低減させる後面電極型太陽電池を提供する。
【解決手段】第１部分および第２部分が設けられた半導体基板と、半導体基板の前面に形成され、第１部分において半導体基板の後面まで延長されるエミッタ部と、エミッタ部と電気的に連結し、半導体基板の後面側に形成される第１電極と、半導体基板と電気的に連結し、半導体基板の後面側に形成される第２電極とを備え、第１部分の厚さは、第２部分の厚さよりも薄い太陽電池が提供される。 （もっと読む）

【課題】 本願発明は、基材上の導電性を有しない部分や、基材内の配置関係により通電を行うことが困難な部分であっても、電気泳動により基材上の開口部に粒子を堆積させることができる方法を提供する。
【解決手段】 本願発明は、基材１上に絶縁層７を被覆し、絶縁層７に粒子を堆積させるための開口部８を形成した後、該基材を粒子の分散している懸濁液に浸漬し、電圧を印加して電気泳動により粒子を開口部８に堆積させる粒子堆積方法において、電気泳動の際に給電を行う電極シード層６を、基材１と絶縁層７との間に形成することを特徴とする粒子堆積方法に関する。また、本願発明の電極シード層６は、基材１に形成した剥離層５上に形成することが好ましい。 （もっと読む）

本発明は、導電または絶縁基板上に成長されるナノ構造体およびそれを作る方法を提供する。請求項の方法によって成長されるナノ構造体は、電子装置における相互接続および／または熱の散逸体に適切である。
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ここで記述の本発明の実施形態は、一般的に、コバルトシリサイド層、金属コバルト層、他のコバルト含有材料を形成する方法および装置を提供する。一実施形態では、基板上にコバルトシリサイド含有材料を形成する方法を提供し、この方法では、シリコン含有面をさらすために、基板に少なくとも１つの前洗浄プロセスを施し、シリコン含面上にコバルトシリサイド材料を堆積し、コバルトシリサイド材料上に金属コバルト材料を堆積し、基板上に金属接触材料を堆積する。別の実施形態では、方法は、シリコン含有面をさらすために基板を少なくとも１つの前洗浄プロセスにさらし、シリコン含有面上にコバルトシリサイド材料を堆積し、基板にアニールプロセスを施し、コバルトシリサイド材料上にバリア材料を堆積し、バリア材料上に金属接触材料を堆積する。 （もっと読む）

【課題】リセス量の制御が容易で，かつリセス時にダメージを受けにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置が，半導体基板上に配置され，開口を有し，かつＳｉおよびＧｅを含む層と，この開口に対応して配置されるゲートとを有する。 （もっと読む）

抑制剤としてポリ（アルキレン−ビグアニド）塩を含む銅電着のための電解質。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩によって起こされた抑制は、銅表面の促進剤濃度によって条件付けられる。ポリ（アルキレン−ビグアニド）塩の界面活性特性は、カソードと電解質とが接触している間に、電解質／大気界面を電解質／銅界面に即座に変換することを可能にする。本発明による電解質は、平滑で光沢のある電着物を得るため、およびマイクロエレクトロニクスで有用なサブミクロンスケールの凹部を有する表面上に銅を堆積するために適している。 （もっと読む）

【課題】発光出力が大きく、かつ、廉価で生産性の良好な、半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光層となる活性層８と、活性層８の両側に形成した電極層５，７と、を有する半導体発光素子１であって、電極層５，７の少なくとも一方は透明電極層５であり、透明電極層５の少なくとも一方の面がテクスチュア形状を有する。透明電極層５のテクスチュア粒径が、λ／（４×ｎ）以上（ここで、λは半導体発光素子１の発光強度が最大となる波長であり、ｎは透明電極層５の屈折率）よりも大きければ、半導体発光素子１の発光を素子表面側に効率よく出射でき、発光出力を増大させることができる。 （もっと読む）

【課題】高温、長時間の加熱を行わなくても済む導電性パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】銀微粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物のパターンをＴＦＴアレイ基板２の表面に形成し、水素ラジカルを含む雰囲気下でこのパターンを加熱して、銀微粒子を焼結させるので、焼結の際、この水素ラジカルと銀微粒子の表面の酸化膜とを反応させることができ、酸化膜を還元することができる。酸化膜を還元させることによって、銀微粒子の表面から酸化膜を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小さなトレンチ中で拡大されたＣｕ結晶粒を得るための方法に関する。更には、半導体装置に使用される狭いトレンチおよび／またはビア中に電気化学的に堆積された銅中で、拡大された銅結晶粒を形成する方法、またはスーパー第２結晶粒成長を誘起する方法に関する。
【解決手段】再結晶した電気化学的に堆積された銅（ＥＣＤ−Ｃｕ）により充填された、少なくとも１つのトレンチおよび／または少なくとも１つのビアを含む半導体装置において、再結晶したＥＣＤ−Ｃｕの少なくとも８０％、８５％、９０％、９１％、または９２％が、[１００]方位で、少なくとも１０ミクロンの寸法を有する銅結晶粒からなる。 （もっと読む）

【解決手段】電気めっき液中に凹陥部又は貫通孔を有する被めっき物を、アノード周囲のめっき液を連続的にエア攪拌すると共に、このエア攪拌により生じたエア気泡が被めっき物周囲に移行して該周囲のめっき液に巻き込まれないように上記アノードと被めっき物との配置を設定して、被めっき物周囲のめっき液を、エア気泡を随伴させることなく噴流攪拌及び／又は機械攪拌しながら電気めっきする。
【効果】ビアホールやスルーホールなどを有する被めっき物に対する電気めっきにおいて、エア攪拌によってめっき液中に分散される気泡が被めっき物に付着、保持されることを防止でき、その結果、ボイド等のめっき不良の発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】下地層に対する導電層の密着性を向上させる。
【解決手段】基板Ｐ上に下地層Ｆ１を形成する工程と、金属微粒子及び分散安定剤を含む溶液を下地層Ｆ１上に塗布する工程と、塗布した溶液を加熱処理して導電層Ｆ２を形成する工程とを有する。塗布した溶液中の下地層Ｆ１との界面近傍における分散安定剤の量に基づいて、加熱処理を開始するまでの時間を設定する。 （もっと読む）

チャネル領域(32)の上に横たわるマルチゲート構造体を含み、層(42)によって互いに間隔が隔てられた第2のゲート電極(24)と第1のゲート電極(52)とを更に備えた電子デバイス(10)と、該電子デバイスを形成するためのプロセスを開示する。マルチゲート構造体(52,24)は、第1及び第2の部分を備えた側壁スペーサ構造(62)を有する。第1及び第2のゲート電極は異なる伝導型を有する。電子デバイスはまた、チャネル領域の上に横たわる第1の伝導型の第1のゲート電極と、第1のゲート電極とチャネル領域(32)との間に横たわる第2の伝導型の第2のゲート電極と、第1のゲート電極と基板(18)との間に横たわる電荷を蓄積することができる第1の層(42)とを含む。
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【課題】本発明は、転写法により生産性の高い酸化物半導体電極の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】長尺の耐熱基板上に多孔質層形成用層を形成する多孔質層形成用層形成工程と、上記多孔質層形成用層を連続的に焼成することにより、上記多孔質層形成用層を多孔質体からなる多孔質層とする焼成工程と、上記多孔質層が加熱された状態で、上記多孔質層上に金属化合物を含む電極層形成用塗工液を連続的に付与することにより、上記多孔質層上に電極層を形成する電極層形成工程と、上記電極層上に、樹脂材料からなる接着層と、基材とがこの順で積層されるように、上記電極層上に上記接着層と上記基材とを連続的に貼り合わせる、貼り合わせ工程と、上記耐熱基板を連続的に剥離する、耐熱基板剥離工程とを有する酸化物半導体電極の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】高堆積レートで膜の均一性の良好な堆積システムを提供する。
【解決手段】供給ガスとして金属カルボニル先駆体（５２）及びＣＯを利用する堆積プロセスの初期化方法及びシステムについて説明する。プロセスチャンバ（１０）内での堆積プロセス前、気化系（５０）を介して先駆体を排気系へ輸送する、ＣＯを有する供給ガスの流れが確立される一方でプロセスチャンバ（１０）を通過する。ＣＯガス及び蒸気先駆体が排気系へ流れる間、たとえば不活性ガス、ＣＯ又はこれらを混合させたガスのようなパージガスが、プロセスチャンバ（１０）に導入されて良い。一旦安定したＣＯガス及び先駆体蒸気の流れが確立されると、ＣＯガス及び先駆体蒸気は、プロセスチャンバ（１０）に導入され、安定した基板上への金属層の堆積が実現する。 （もっと読む）