【課題】本発明は、しきい値のずれが生じにくく、高速動作が可能な逆スタガ型ＴＦＴを有する表示装置の作製方法を提供する。また、スイッチング特性が高く、コントラストがすぐれた表示が可能な表示装置の作製方法を提供する。更には、少ない原料でコスト削減が可能であり、且つ歩留まりが高い表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、耐熱性の高い材料でゲート電極を形成した後、非晶質半導体膜の結晶化を促進する触媒元素を有する層、非晶質半導体膜、及びドナー型元素又は希ガス元素を有する層を形成し加熱して、非晶質半導体膜を結晶化すると共に触媒元素を結晶性半導体膜から除いた後、該結晶性半導体膜の一部を用いて半導体領域を形成し、該半導体領域に電気的に接するソース電極及びドレイン電極を形成し、ゲート電極に接続するゲート配線を形成して、逆スタガ型ＴＦＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】ゲート端部で発生するピエゾ電荷を低減するために、ゲート端部にかかる応力を低減することができる層間膜を備える半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ半導体基板１０の上側表面１１上に、下層保護膜３２と、第１オーミック電極４６ａ及び第２オーミック電極４６ｂと、制御電極４８と、上層保護膜３４とを備えて構成される。上層保護膜は、第１オーミック電極、第２オーミック電極及び制御電極を被覆するように下層保護膜上に形成されていて、熱により発生する応力ベクトルが下層保護膜と相反する。 （もっと読む）

【課題】その後の加工プロセスとの整合性を有し、かつ、表面のダメージをより簡便にかつ効率良く修復する事ができる表面疎水化法、ならびに表面のダメージの修復に使用可能な表面疎水化用組成物、及び前記表面疎水化方法によって、表面疎水化処理が施された層を含む半導体装置及びその製造方法、を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２０をエッチングして形成された凹部２２の内壁２２ａの表面に、（Ａ）官能基を有するシラン化合物と、（Ｂ）有機溶媒と、（Ｃ）安定化剤とを含む膜を形成し、前記膜中に含まれるシラン化合物と、前記凹部内壁表面にエッチングで生成されたシラノール基を反応させることによって、前記凹部内壁表面に疎水性膜２４を形成した後、凹部内に導電性膜２６を充填する。 （もっと読む）

【課題】 黒鉛の発生を充分に回避しながら、ｎ型ＳｉＣ基板に対して良好なオーミック接触を得ることができるＳｉＣ半導体装置およびＳｉＣ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ基板１の電極形成領域上に、第１層２ａ_１を形成し、第１層２ａ_１上に第２層２ｂ_１を形成し、第１層２ａ_１及び第２層２ｂ_１に対してアニールを施すことにより、前記電極形成領域上に電極を形成するＳｉＣ半導体装置１０Ａの製造方法であって、前記第１層２ａ_１は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｔｉのいずれかと、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｔｉのうちの２つ以上からなる合金と、のうちの一つで形成し、前記第２層２ｂ_１は、Ｓｉで形成することを特徴とする。 （もっと読む）

プラズマによりパターン形成された窒化層を形成するために窒化層をエッチングすることからなる半導体構造体を製造する方法。窒化層は半導体の基板上にあり、フォトレジスト層は窒化層上にあり、プラズマは、少なくとも圧力１０ミリトルでＣＦ₄及びＣＨＦ₃のガス混合物から形成される。 （もっと読む）

【課題】 容量素子配置のためのスペースを確保しつつ、半導体装置の微細化を可能とする。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成された誘電体膜と誘電体膜上に形成された上部電極とを備える容量素子において、下部電極は、基板上に形成されるトランジスタのゲート電極と同時に形成され、電極を共有する。また、上部電極は、基板上に形成されるコンタクトプラグと同時に形成され、コンタクトプラグを構成する材料と同一の材料で構成される。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の表面の荒れを防ぐ半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板１１上に層間絶縁膜１２を形成し、層間絶縁膜１２上にレジスト膜１４を形成し、レジスト膜１４にパターンを形成し、レジスト膜１４のパターン上面に表面膜１６を形成し、層間絶縁膜１２をエッチングする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅を含む導電性コア領域と界面領域とを有する導電性材料及び該導電性材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】銅と、０．００１原子百分率から０．６原子百分率までの、イリジウム、オスミウム、及びレニウムから選択された１つ又はそれ以上の金属とを含む導電性コア領域、及び界面領域を備える導電性材料である。界面領域は、少なくとも８０原子百分率又はそれ以上の１つ又はそれ以上の金属を含む。界面領域は、銅と、イリジウム、オスミウム、及びレニウムから選択された１つ又はそれ以上の金属とを含むシード層を形成し、その上に銅からなる導電性層を形成し、導電性層を研磨して、研磨された銅の表面材料を構成し、シード層から研磨された表面への１つ又はそれ以上の金属のマイグレーションを引き起こすのに十分な温度で該研磨された銅の表面材料をアニールして形成される。 （もっと読む）

本発明は、半導体構成に関連して電気的接続を形成する方法を含む。その上に導電線路を有し、導電線路に隣接して少なくとも２つの拡散領域を有する半導体基板が設けられる。パターン化されるエッチ・ストップが拡散領域の上に形成される。パターン化されるエッチ・ストップは、開口を貫通して延びる１対の開口を有し、開口は導電線路の軸に実質的に平行に一列に並んでいる。絶縁材料がエッチ・ストップ上に形成される。絶縁材料は、絶縁材料内にトレンチを形成し且つ開口をエッチ・ストップから拡散領域まで延ばすために、エッチングに対して露出される。トレンチの少なくとも一部分は開口の直上にあり、線路の軸に沿って延びる。導電材料が開口内とトレンチ内に形成される。
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半導体基板（１０２）に集積回路の形成方法（９００）を提供する。半導体基板（１０２）上にゲート絶縁膜（１０４）が形成され、このゲート絶縁膜（１０４）上にゲート（１０６）が形成される。半導体基板（１０２）にソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）が形成される。低出力プラズマ化学気相成長法プロセスを使用して、ゲート（１０６）の周りに側壁スペーサ（４０２）を形成する。ソース／ドレイン接合部（３０４）（３０６）およびゲート（１０６）に、シリサイド（６０４）（６０６）（６０８）を形成し、半導体基板（１０２）上に層間絶縁層（７０２）をたい積する。その後、層間絶縁層（７０２）中にシリサイド（６０４）（６０６）（６０８）へのコンタクト（８０２）（８０４）（８０６）が形成される。
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集積回路を形成するための方法（６００）は、第１半導体基板（２０２）上の半導体デバイス（３１７）表面上の誘電材（３２２）における第１深さに第１開口部（２２８）、（３３８）、（４０２）をエッチングし、第１半導体基板（２０２）表面上の誘電材（３２２）において第２深さに第２開口部（２３０）、（３４０）、（４０４）をエッチングする。第１開口部（２２８）、（３３８）、（４０２）、及び第２開口部（２３０）、（３４０）、（４０４）は、エッチングラグに起因してほぼ同時に第１及び第２深さにエッチングするためにそれぞれ異なってサイズされる。第１開口部（２２８）、（３３８）、（４０２）、及び第２開口部（２３０）、（３４０）、（４０４）は、導電材で充填される。
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【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第１の保護金属層１７０と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層１７２と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成された第２の保護金属層１７４とがこの順で積層された電極５３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＣｕ膜１０３Ｃと、厚みが０〜１５ｎｍのＴｉ膜との反応によりＡｌ₃ Ｔｉ層１０３ＤをＡｌＣｕ膜とＴｉＮ膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつＡｌ₃ Ｔｉ層形成時に発生する引張り応力を低減し、ＥＭ耐性を向上させる。その後のＦＳＧ膜１０４ＡをＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を４５０℃以下にすることにより、ＦＳＧとＡｌＣｕの熱膨張率差に起因するＡｌＣｕ膜の残留引張り応力の発生を低減し、ＳＭ耐性及びＥＭ耐性を向上させる。さらに、ＦＳＧ膜の上にＳｉＯＮ膜を設けることにより、ＦＳＧ膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 （もっと読む）