【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、ガラス基板との密着性に優れた、表示装置用Ｃｕ合金膜を提供する。
【解決手段】基板上にて、ガラス基板と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、Ｔｉ、ＡｌおよびＭｇよりなる群から選択される１種以上を合計で０．１〜１０．０原子％含有することを特徴とする。本発明は、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が薄膜トランジスタに用いられている点に特徴を有する表示装置も含むものである。該表示装置としては、該薄膜トランジスタがボトムゲート型構造を有するものであって、前記表示装置用Ｃｕ合金膜が、該薄膜トランジスタのゲート電極および走査線に用いられ、ガラス基板に直接接触されている態様が好ましい。 （もっと読む）

【課題】１回のインクジェット吐出により基板上に、分離された複数の薄膜を成膜可能な有機薄膜トランジスタの製造方法を提供し、該製造方法によりＯｆｆ電流が低く、且つ、平均移動度が良好な有機薄膜トランジスタを提供し、且つ、該トランジスタを具備する表示装置を提供する。
【解決手段】基板上に、導電層、絶縁層、有機半導体層の少なくとも一層をインクジェットプロセスで成膜する工程を有する有機薄膜トランジスタの製造方法において、
該導電層、該絶縁層及び該有機半導体層の少なくとも一層を成膜する際、１回のインクジェット吐出によって、該基板上に、分離された複数の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 電気抵抗のさらなる低減化と基板表面に対する銅薄膜の密着性の確保との両方を高いレベルで達成することができ、かつスパッタリングプロセスで用いられる金属ターゲット材のコスト削減やそれを用いたスパッタリングプロセスを中心として全体的な製造プロセスのコスト低減を達成することを可能とした、銅配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の銅配線基板の製造方法は、ガラスまたは石英からなる基板１の表面２に、例えばＡｒガスのような不活性ガスのプラズマ４を照射することで、その表面２に改質を施して、その基板１の表面２自体における純Ｃｕに対する密着性を向上させ、その基板１の表面２の直上に、銅薄膜３をスパッタリングによって形成することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系の化合物半導体層のＮ原子面上に比較的簡単に低抵抗な電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、導電型がｎ型であるＧａＮ基板２およびｎ−ＧａＮエピタキシャル層３と、オーミック電極６とを備える。オーミック電極６はＧａＮ基板２のＮ原子面９に接触して形成される。オーミック電極６においてＮ原子面９に接している接触電極層６ａの主成分はＮｉ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｔｅ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔからなる群から選択される１つである。 （もっと読む）

【課題】 フィールドプレート構造により逆方向耐電圧の向上したショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】 主表面を有する窒化ガリウム系化合物のエピタキシャル層と、 前記主表面上に形成され、開口部が形成されている窒化絶縁層と、前記開口部の内部に、前記主表面に接触するように形成されたショットキー電極と、前記ショットキー電極に電気的に接続するとともに、前記窒化絶縁層に重なるように形成された、フィールドプレート電極と、を備え、前記窒化絶縁層と前記エピタキシャル層との界面での固定電荷密度が、１．２×１０^１２ｃｍ^−２未満である。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低い溶液法を使用でき、さらに、有機半導体層への影響が少なく機械的強度や熱的安定性に優れた電極を備える有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層１４と、有機半導体層１４にゲート絶縁層１３を介して形成されたゲート電極１２と、有機半導体層１４に接して対向する位置に形成されている炭素材料からなるソース電極１５及びドレイン電極１６とを備える有機トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】ゲートオーバーラップ幅が小さく高速応答が可能で低消費電力のＴＦＴを低コストで実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に形成されるゲート電極１２と、ゲート電極１２を覆うように形成されるゲート絶縁膜１３と、基板１１上であってゲート電極１２の近傍にめっきにより形成されるソース電極１４と、基板１１上であってゲート電極１２の近傍に、ソース電極１４とゲート電極１２を挟んで反対側に位置するようにめっきにより形成されるドレイン電極１５と、ソース電極１４、ドレイン電極１５及びゲート絶縁膜１３を覆うように形成される半導体膜１６とを有する半導体装置１０において、基板１１は、めっき触媒を含有し、ソース電極１４及びドレイン電極１５は、めっき触媒に直接接触して形成されていることを特徴とする半導体装置１０。 （もっと読む）

【課題】接合リーク電流の低減が図られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に所定の深さのトレンチが形成され、そのトレンチ５内に分離酸化膜６が形成される。不純物イオンを注入することにより、分離酸化膜６の表面に、分離酸化膜６のエッチング特性とは異なるエッチング特性を有する改質層７が形成される。半導体基板の領域に、トランジスタ等の所定の半導体素子が形成される。半導体基板１上に、エッチングストッパ膜１０および層間絶縁膜１６が形成される。その層間絶縁膜１６およびエッチングストッパ膜に、金属シリサイド９の表面を露出するコンタクトホール１６ａ，１６ｂが形成される。コンタクトホール１６ａ，１６ｂ内にプラグ１８ａ，１８ｂが形成される。 （もっと読む）

【課題】インクジェットにより短時間に配線の形成が可能な積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上において導電性材料により形成された導電層とを有し、導電層は、インクジェットヘッドにより導電性材料を含む液体を吐出することにより形成されるものであって、インクジェットヘッドの副走査方向に延びたパターンの導電層となる高表面エネルギー領域には、前記インクジェットヘッドの主走査方向に延設された高表面エネルギー領域の液滴供給領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、障壁層上にコバルト層を堆積させた後、コバルト層上に銅または銅合金などの導電材料を堆積させるプロセスを提供する。一実施形態では、基板表面上に材料を堆積させる方法であって、基板上に障壁層を形成するステップと、気相成長プロセス（たとえば、ＣＶＤまたはＡＬＤ）中に基板をジコバルトヘキサカルボニルブチルアセチレン（ＣＣＴＢＡ）および水素に露出させて障壁層上にコバルト層を形成するステップと、コバルト層を覆うように導電材料を堆積させるステップとを含む方法が提供される。いくつかの例では、障壁層および／またはコバルト層は、熱プロセス、インサイチュプラズマプロセス、または遠隔プラズマプロセスなどの処理プロセス中にガスまたは試薬に露出させることができる。
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【課題】触媒付与処理を行った後、配線表面における異状粒状金属の発生及び配線表面のめっき膜のラフネス悪化を防止しつつ、コバルト合金膜等のめっき膜を配線の表面に選択的に形成できるようにする。
【解決手段】絶縁膜に設けた配線用凹部内に金属を埋込んで形成した埋込み配線を有する基板を用意し、基板表面を触媒付与液に接触させて配線表面に触媒を付与し、触媒付与後の基板表面に洗浄液を供給しつつ該表面を物理的に洗浄し、しかる後、基板表面に無電解めっきを行って配線表面にめっき膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】冷電子放出源や有機ＥＬ等の素子へＣ１２Ａ７エレクトライドを応用するために
、大気中でも界面が劣化することが少ない、オーミック表面を形成すること。
【解決手段】１２ＣａＯ・７Ａｌ_２Ｏ_３エレクトライドを導電性素子材料として、その表
面に金属を蒸着してオーミック接合を形成する方法において、該素子材料表面をリン酸処
理して改質した後、該素子材料表面に金属を蒸着することによって、該素子材料表面と該
金属との界面の接触抵抗を０．５Ω・ｃｍ^２未満とすることを特徴とするＣ１２Ａ７エレ
クトライドからなる導電性素子材料表面に対するオーミック接合形成方法。 （もっと読む）

【課題】例えばルテニウム膜をシード層として該ルテニウム膜の表面にダイレクトめっきを行うのに先立って、たとえ３００ｍｍウェーハ等の大型の高抵抗基板であっても、ルテニウム膜表面の不動態層を確実に除去することで、その後のめっき時におけるターミナルエフェクトを改善し、しかも、めっき膜の膜質を改善し、微細配線パターンの内部にボイドのないめっき膜を埋込むことができる電解処理装置及び電解方法を提供する。
【解決手段】貴金属または高融点金属からなるシード層を有する基板Ｗの該シード層と対向する位置に配置されるアノード５２と、電解液６２で満たされた基板Ｗとアノード５２との間に、内部に電解液を含浸させて配置される多孔質体４６と、シード層表面の電場を制御してシード層表面に形成された不動態層を電解処理により電気化学的に除去する制御部５８を有する。 （もっと読む）

【課題】インクジェット方式により緻密な配線の形成される積層構造体を提供する。
【解決手段】基板と、基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された導電層と、を有し、高表面エネルギー領域は、導電層による電気配線が形成される第１の領域と、第１の領域と接続されており、第１の領域よりも幅が狭く、第１の領域に導電材料を含む溶液を供給するための第２の領域とにより構成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】オーミック接触と、低い接触抵抗と、密着強度の大きい表面を有するＮｉシリサイド膜をアニールなしに形成することのできる炭化珪素半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣ基板１を真空中で最表面から所定の深さまでエッチングし、続いて、組成をＮｉ_ｘＳｉ_１−ｘで表した場合、０．３＜ｘ＜０．７となるようなＮｉとＳｉの比率で、ＮｉとＳｉを前記ＳｉＣ基板１のエッチング面上に堆積してＮｉシリサイド膜５を成膜する工程を有する炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】酸化層の前堆積を行うことなく、導体または半導体材料上に高密度のカーボンナノチューブマットを製造する方法を提供する。
【解決手段】拡散バリア５２０、拡散バリア上にアモルファスシリコン層５３０、アモルファスシリコン層上に金属層を含む触媒複合体を導体または半導体基板５１０上に堆積させる。次いで前記金属層に酸化処理を行い、最後に、酸化処理された金属層からカーボンナノチューブマット５８０を成長させる。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造における硼窒化ジルコニウム膜と下地膜との間の密着性を向上させることにより半導体装置の信頼性を向上させた半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１メタルキャップ膜ＭＣ１と第２メタルキャップ膜ＭＣ２とが成膜される際に、まず基板Ｓの表面に水素ラジカルが供給されて、表面処理である微粒子のエッチング処理や未結合手への末端処理、さらには酸化層の還元処理が実行される。そして、この表面処理が基板Ｓに施された後、基板Ｓの表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４と励起状態の窒素とが供給されて、第１メタルキャップ膜ＭＣ１及び第２メタルキャップ膜ＭＣ２である硼窒化ジルコニウム膜が成膜される。 （もっと読む）

【目的】膜切れの無い均一なシード膜を形成する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０４）と、開口部内に光触媒膜を形成する工程（Ｓ１１０）と、Ｃｕを含有する溶液に光触媒膜を浸漬させた状態で光触媒膜に紫外線を照射する工程（Ｓ１１２）と、開口部内に電解めっき法によりＣｕを埋め込む工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】
凹状のドレイン及びソース構造のトランジスタ（１５０）における非共形的金属シリサイド層（１５６）は、歪誘起メカニズム、ドレイン／ソース抵抗等に関して高い性能を提供することができる。このために場合によっては、シリサイド化プロセスに先立ちアモルファス化注入プロセスが実行されてよい一方で、他の場合には高融点金属（１５６）の異方的な堆積が用いられてよい。 （もっと読む）

【課題】高い電流密度を持つカーボンナノチューブを利用した半導体素子の配線形成方法、およびその方法により製造される超高集積度の半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子の電極１２０表面を前処理して活性化させる段階と、電極の活性化した表面１２２上に絶縁層１３０を形成した後、電極の活性化した表面の一部を露出させるために絶縁層を貫通するコンタクトホール１３２を形成する段階と、コンタクトホールを通じて電極の活性化した表面に炭素が含まれているガスを供給して前記電極の活性化した表面からカーボンナノチューブ１４０を成長させて配線を形成する段階と、を具備する半導体素子の配線形成方法およびその方法により製造された半導体素子。 （もっと読む）