【課題】高温動作において配線の金属材料と半導体領域に接続する電極との反応が生じにくく、かつ、高温動作において歪みが生じにくい電力用半導体装置を実現する。
【解決手段】第１金属層１４は、ゲート電極９とソース電極１１との上に形成され、かつ、Ｐｔ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａのうち少なくとも１種を含んでいる。第２金属層１５は、第１金属層１４上に形成され、かつ、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｕのうち少なくとも１種を含んでいる。層間絶縁膜１０は、ｐ型ＳｉＣ領域１３およびゲート絶縁膜８またはゲート電極９の表面上であってソース電極１１が形成された領域以外の領域において形成されている。第１金属層１４および第２金属層１５は、層間絶縁膜１０上に延在している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の高集積化を図り、単位面積あたりの記憶容量を増加させる。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板に設けられた第１のトランジスタと、第１のトランジスタ上に設けられた第２のトランジスタとを有する。また、第２のトランジスタの半導体層は、半導体層の上側で配線と接し、下側で第１のトランジスタのゲート電極と接する。このような構造とすることにより、配線及び第１のトランジスタのゲート電極を、第２のトランジスタのソース電極及びドレイン電極として機能させることができる。これにより、半導体装置の占有面積を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程でニッケル含有シリサイドを形成する。
【解決手段】シリコン基板を用いた場合であって、ゲート絶縁膜、ゲート電極、ゲート電極側面のサイドウォールを形成し、不純物イオンをドープしてソース領域及びドレイン領域を形成し、表面酸化膜を除去し、シリコン基板を４５０℃以上に加熱しながら、ニッケル含有膜を１０ｎｍ〜１００ｎｍの膜厚で形成することにより、ソース領域、ドレイン領域、及びゲート電極上にニッケル含有シリサイドを形成することができる。その後、未反応のニッケルを除去する。 （もっと読む）

【課題】リーク電流を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法は、炭化珪素基板１を準備する工程と、炭化珪素基板１上に活性層７を形成する工程と、活性層７上にゲート酸化膜９１を形成する工程と、ゲート酸化膜９１上にゲート電極９３を形成する工程と、活性層７上にソースコンタクト電極９２を形成する工程と、ソースコンタクト電極９２上にソース配線９５を形成する工程とを備える。ソース配線９５を形成する工程は、ソースコンタクト電極９２上に導電体膜を形成する工程と、導電体膜を反応性イオンエッチングによりエッチングすることにより導電体膜を加工する工程とを含む。そして、ＭＯＳＦＥＴ１００の製造方法は、導電体膜を加工する工程よりも後に、炭化珪素基板１を５０℃以上の温度に加熱するアニールを実施する工程をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】ｐ形ＧａＮ層に応用した場合に望ましい光学及び電気特性を呈する透光性接触部を形成する方法の提供。
【解決手段】オプトエレクトロニクス素子（１０）のｐ形ＧａＮ層（２０、３０）の表面上に、金属酸化物からなる透光性接触部を成膜技術によって形成する。透光性接触部は、所望の金属を成膜前又は成膜中に酸化して形成する。金属酸化物は、ＮｉＯ、ＩＩ属金属酸化物、遷移金属酸化物等から選択されて成る。透光性接触部には、更に貴金属が添加され得る。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を小さくでき、応答速度低下を抑制することが可能なＴＦＴを提供する。
【解決手段】基材１１０上に配設した有機半導体層１５０と、有機半導体層１５０と接触し、対向してチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、有機半導体層１５０と絶縁層１６０を介して設けられるゲート電極１４０と、ソース電極１２０と導電接続するソース電極配線部１２５と、ドレイン電極１３０と導電接続するドレイン電極配線部１３５と、ゲート電極１４０と導電接続するゲート電極配線部１４５と、からなるＴＦＴ１００であって、積層方向からみて、有機半導体層１５０が、ゲート電極１４０を含み、ゲート電極１４０が、ソース電極１２０とドレイン電極１３０とチャネル領域とからなる領域を含み、有機半導体層１５０の周縁でソース電極配線部１２５とドレイン電極配線部１３５との間にはゲート電極配線部１４５が配される。 （もっと読む）

【課題】電流電圧特性を維持しつつ、アノード電極６の剥離に対する機械的強度を向上させる。
【解決手段】異種材料接合型ダイオードは、半導体基体１と、半導体基体１の上に形成された第１導電型のドリフト領域２と、ドリフト領域２の主表面に接合された、ドリフト領域２とは異なる種類の材料からなるアノード電極６と、半導体基体１に接続されたカソード電極７とを備える。ドリフト領域２とアノード電極６との接合によりダイオードが形成されている。アノード電極６の主表面のうち、ドリフト領域２に接している側の主表面に、嵌合構造（３、Ｇ１）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高性能の窒化ガリウム系トランジスタを製造するための、誘電体膜付の半導体エ
ピタキシャル結晶基板を提供すること。
【解決手段】下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、
及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長
炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積
層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層の表面におけるダングリングボンドを確実に低減させて閾値電圧の変動を抑えて安定化させ、高いトランジスタ特性を得ることができる信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】電極溝２Ｃの内壁面を含む化合物半導体層２の表面は、電極溝２Ｃを形成する際のドライエッチングによるエッチング残渣物１２ａ及び変質物１２ｂが除去されて、化合物半導体がフッ素（Ｆ）で終端されており、この電極溝２Ｃをゲート絶縁膜６を介してゲートメタルで埋め込み、或いは電極溝２Ｃを直接的にゲートメタルで埋め込んで、ゲート電極７が形成される。 （もっと読む）

【課題】電気特性及び信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置、及び該半導体
装置を量産高く作製する方法を提案することを課題とする。
【解決手段】半導体層としてＩｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体膜を用い、半導体
層とソース電極層及びドレイン電極層との間に金属酸化物層でなるバッファ層が設けられ
た逆スタガ型（ボトムゲート構造）の薄膜トランジスタを含むことを要旨とする。ソース
電極層及びドレイン電極層と半導体層との間に、バッファ層として金属酸化物層を意図的
に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 （もっと読む）

【課題】ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板に第１の側面に反対される第２の側面を有して突出した壁体）を形成し、壁体の第１の側面の一部を選択的に開口する開口部を有する片側コンタクトマスクを形成した後、開口部に露出した第１の側面部分に互いに拡散度が異なる不純物を拡散させて第１の不純物層及び該第１の不純物層を覆う第２の不純物層を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パターン転写方法及びパターン転写装置、これを適用したフレキシブルディスプレイパネル、フレキシブル太陽電池、電子本、薄膜トランジスター、電磁波遮蔽シート、フレキシブル印刷回路基板を提供する。
【解決手段】本発明によるパターン転写方法は、基板上にパターン物質を形成する第１段階と、パターン物質を固相状態に硬化させる第２段階と、硬化された固相状態のパターン物質にレーザー光を照射して、パターン物質をパターニングする第３段階と、パターニングされた固相状態のパターン物質と柔軟基板をお互いに突き合わせて加圧して、パターン物質から柔軟基板方向に、または柔軟基板からパターン物質方向にレーザー光を照射して、パターン物質と柔軟基板を突き合わせた部位で発生する柔軟基板の粘性力によって、パターン物質を柔軟基板に転写する第４段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、トランジスタ特性の再現性が高く、高速でパワーの大きい電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板１１と、前記ダイヤモンド基板１１の一面１１ａ側に離間して形成された第２の電極１３及び第３の電極１４と、２つの電極１３、１４の間に離間して形成された第１の電極１５と、を有する電界効果トランジスタであって、第１の電極１５とダイヤモンド基板１１との間にＩＩＩ族窒化物半導体層１２が設けられ、ダイヤモンド基板１１とＩＩＩ族窒化物半導体層１２との界面１７の近傍領域に正孔伝導チャネル領域１６が形成されている電界効果トランジスタ１０を用いることによって前記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】作製工程を大幅に削減し、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供する。消費電力が少なく、信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】ゲート配線上の一部を含む半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行うことで、フォトリソグラフィ工程を削減する。これにより露出したゲート配線の一部を絶縁層で覆い、これに液晶層の間隔を維持するスペーサを兼ねさせる。フォトリソグラフィ工程を削減することにより、低コストで生産性の良い液晶表示装置を提供することができる。また、半導体層に酸化物半導体を用いることで、消費電力が低減され、信頼性の高い液晶表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製する方法を提供する。
【解決手段】剥離層を介して基板上に素子領域を形成する際に、半導体層のエッチングと、画素電極とドレイン電極を接続するためのコンタクトホールの形成を、同一のフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程で行う。更に素子領域を基板から剥離して、じん性の高い第１の支持体に設け、第１の支持体及びじん性の高い第２の支持体で液晶素子を挟持することで、薄く、軽量であり且つ破壊が生じにくい発光表示装置を、作製工程を大幅に削減して低コストで作製できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。ドレイン（１７）に向かって延びている端部を備えるｐ導電型領域（１４）をソースの下に設ける。このｐ導電型領域（１４）をｎ導電型チャネル領域（１８）から隔ててソース（１３）に電気的に結合させる。 （もっと読む）

【課題】触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散性を制御して、欠陥の無いグラファイト膜を形成することができるグラフェン構造を含むグラファイト膜による配線パターンの形成方法の提供。
【解決手段】触媒層の凝集を抑制し、また炭素の拡散速度を適切に速度に調節することができる合金層又は積層体からなる触媒層を利用して、グラフェン構造を有するグラファイト膜で構成された配線パターンの形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作型の半導体素子を複雑な工程を経ることなく作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の作製方法が、下地基板の上に、少なくともＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成する工程と、チャネル層の上に、少なくともＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を形成する工程と、障壁層の表面の、ソース電極およびドレイン電極の形成予定個所に対し、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、障壁層の表面の、ゲート電極の形成予定個所に対し、アルゴンプラズマ処理または酸素プラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理工程を経たゲート電極の形成予定個所にゲート電極を形成する工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】金属半導体化合物電極の界面抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態によればｎ型半導体上に硫黄を含有する硫黄含有膜を堆積し、硫黄含有膜上に第１の金属を含有する第１の金属膜を堆積し、熱処理によりｎ型半導体と第１の金属膜を反応させて金属半導体化合物膜を形成するとともに、ｎ型半導体と金属半導体化合物膜との界面に硫黄を導入することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体装置において、ゲートリーク電流を抑制する。
【解決手段】化合物半導体装置２０は、基板２１と、前記基板上方に形成された窒化物半導体よりなるキャリア走行層２２を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上方に形成されたゲート電極２６、ソース電極２７Ａ、ドレイン電極２７Ｂと、前記半導体積層構造上方であって、ゲート電極とソース電極の間、及び、ゲート電極とドレイン電極との間に形成された絶縁膜２８と、前記絶縁膜のうち、ゲート電極とソース電極の間、及びゲート電極とドレイン電極の間に形成された開口と、前記開口に埋め込まれたアルミナ膜２９と、を備える。 （もっと読む）