【課題】半導体基板上の金属電極と半導体基板の界面に、現像残渣のない半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板上に、金属電極が設けられた半導体装置であって、金属電極は、半導体基板の上面視において、細線部と、細線部の電極の長手方向の両端に太線部と、細線部から太線部へ向けて線幅が漸増する線幅漸増部とからなり、細線部の側面と線幅漸増部の側面の境界領域に、曲率を有す円弧が付けられた形状であることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタや縦型ＦＥＴ等の縦型デバイスを、絶縁膜マスクを用いた選択成長による、ボトムアップ構造にするすることで、精密な制御を要求される工程を削減できる製造方法を提供する。
【解決手段】導電性基板２０の第１主表面上に、第１絶縁膜３２、金属膜４２及び第２絶縁膜５２を順次に形成する。次に、第１絶縁膜、金属膜及び第２絶縁膜の、中央領域の部分を除去することにより、導電性基板を露出する成長用開口部７０を形成する。次に、成長用開口部内に、半導体成長部８２，８４を形成する。次に、第２絶縁膜の、中央領域の周囲の周辺領域内に設けられた引出電極領域の部分７２を除去することにより、金属膜を露出する引出電極用開口部を形成する。次に、引出電極用開口部内７２に、引出電極９０を形成する。次に、半導体成長部上及び導電性基板の第２主表面上にオーミック電極９２を形成する。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度を向上でき、動作不良品を低減できる、横型の電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート配線４３は、基部４４と、基部４４から突出する複数の指状部４５と、隣接する指状部４５の先端部４６を接続する接続部４７と、を有する。ゲート配線４３の指状部４５は、ソース配線２３の指状部２５とドレイン配線３３の指状部３５と、の間に配置されている。ゲート配線４３の基部４４は、ソース配線２３の基部２４とドレイン配線３３の指状部３５との間に配置され、かつ、ソース配線２３の指状部２５との間に絶縁膜を介在させて指状部２５と交差している。 （もっと読む）

【課題】動作不良や動作速度の低下の発生を従来よりも抑制できるナノワイヤトランジスタ及びその製造方法を提案する。
【解決手段】窒素が導入されたニッケルからなるニッケル層28をナノワイヤ５の周辺に形成して熱処理することにより、ナノワイヤ５に形成されたソース15及びドレイン16をシリサイド化させつつ、窒素によりゲート電極被覆領域ER1までシリサイド化されることを抑制できることから、従来よりもゲート電極被覆領域ER1にチャネル17を確保でき、かくして動作不良や動作速度の低下の発生を従来よりも抑制できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い信頼性を有するオーミック電極を備えた化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体層と、この窒化物半導体層上に設けられたオーミック電極と、を備え、前記オーミック電極は、前記窒化物半導体層との間で金属窒化物を形成する金属を含む第１電極層と、前記第１電極層上に設けられた、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２電極層と、前記第２電極層の外面を被覆し、かつタングステン（Ｗ）を含む第３電極層と、前記第３電極層の外面を被覆し、かつ金（Ａｕ）を含む第４電極層と、を有することを特徴とする化合物半導体装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】製造が容易で、かつ高い耐圧を確保しながら低損失化を図ることができる半導体装置を提供すること、およびその半導体装置を製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置としてのショットキーダイオード１０は、半導体からなる基板１１と、基板１１上に形成されたｎ型層１２とを備えている。ｎ型層１２は基板１１側の表面である第１の面１２Ａとは反対側の表面である第２の面１２Ｂから第１の面１２Ａに向けて延びるように形成された溝１３を有している。溝１３の底部である底壁１３Ａに接触する位置には絶縁体としての酸化物層１４が配置されており、かつ溝１３の側壁１３Ｂに接触するようにｎ型層１２とショットキー接触可能な金属膜１５が溝１３を埋めるように形成されている。さらに、ｎ型層１２の第２の面１２Ｂに接触するようにアノード電極１６が配置されている。 （もっと読む）

【課題】実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。
【解決手段】発光ダイオード又はレーザーダイオードにおいてオーミック接触を形成するための薄膜電極において、ｐ型窒化ガリウム層上に積層され、Ｎｉ−Ｘ固溶体を含有する第１電極層と、前記第１電極層上に積層され、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｃ、Ｃｕ、及びＩｒからなる群から選択される少なくとも１種以上の元素を含有する第２電極層と、を含むことを特徴とする、薄膜電極である。 （もっと読む）

【課題】発光効率と信頼性の向上
【解決手段】第２半導体層１０８上の全面に、透明導電膜１０を形成し、形成された透明導電膜の上に、フォトレジストを塗布し、第１半導体層１０４の電極形成部１６の上部のフォトレジストが除去される際に、除去される部分の輪郭部において、残されたフォトレジストの厚さが除去される部分に向かって次第に薄くなるようにフォトレジストを除去する。残されたフォトレジストをマスクとして、透明導電膜をウエットエッチングして、第２半導体層の一部を露出させる。残されたフォトレジスト及び透明導電膜をマスクとして、ドライエッチングして、第１半導体層の電極形成部を露出させる。残されたフォトレジストをマスクとして、透明導電膜のドライエッチングで露出した部分をウエットエッチングし、残されたフォトレジストを除去する。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】第１のゲート電極と、第１のゲート電極とチャネル領域を挟んで対向する第２のゲート電極とを有するデュアルゲート型の薄膜トランジスタのチャネル領域の形成方法において、結晶粒の間に非晶質半導体が充填される微結晶半導体膜を形成する第１の条件で第１の微結晶半導体膜を形成した後、結晶成長を促進させる第２の条件で、第１の微結晶半導体膜上に第２の微結晶半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】オフ領域におけるゲート電圧−ドレイン電流特性（Ｖｇ−Ｉｄ特性）の劣化を抑制した薄膜トランジスタを備えたトランジスタ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴＦＴに設けられるチャネル保護層１５の下層に形成された半導体層１４のうち、ソース、ドレイン電極１７間に側壁部が露出する領域（及びその近傍領域）が、酸素プラズマ処理により酸化処理されている。これにより、当該領域に酸化膜２０が形成され、非導体化又は高抵抗化する。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体装置のソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を形成するいずれの領域においても、残渣のない良好な半導体／金属界面が得られるようにする。
【解決手段】化合物半導体装置の製造方法を、基板１上に化合物半導体積層構造４を形成する工程と、化合物半導体積層構造上に金属膜５Ａ〜５Ｃを形成する工程と、金属膜上にソース電極７及びドレイン電極８を形成する工程と、金属膜の一部を酸化又は窒化して、金属酸化物膜又は金属窒化物膜５ＣＸを形成する工程と、金属酸化物膜又は金属窒化物膜上にゲート電極９を形成する工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が少なくて高耐圧のヘテロ接合型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ヘテロ接合型電界効果トランジスタは、絶縁性基板上に順次積層されたＡｌＮバッファ層、ＡｌＧａＮ組成傾斜層、ＧａＮチャネル層、およびＡｌＧａＮ障壁層を含み、ＡｌＧａＮ組成傾斜層はその下面から上面に向かってＡｌ濃度が低減されており、ＡｌＧａＮ障壁層はＡｌＧａＮ組成傾斜層の上面におけるＡｌ濃度よりも１５％以上大きなＡｌ濃度を有しており、ＡｌＧａＮ組成傾斜層中において自発分極およびピエゾ効果によって得られる擬似的なｐ型シートキャリア濃度が３ｘ１０^１２ｃｍ^−２以上４ｘ１０^１２ｃｍ^−２以下である。 （もっと読む）

【課題】回路構成の設計自由度の高いＭＥＭＳ及びＭＥＭＳの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の一方の面側に設けられる第１半導体部２１と、基板１０の一方の面側に設けられる振動子３１と、を備えるＭＥＭＳにおいて、第１半導体部２１の側面側に設けられ、かつ基板表面に対して略垂直な第１面２１ａと、振動子３１の側面側に設けられ、かつ基板表面に平行な方向において第１面２１ａと対向する第２面３１ａが設けられると共に、第２面３１ａ側の表層部分は第１面２１ａ側をゲート電極として電圧が印加された際にチャネルとなることで、第１半導体部２１における第１面２１ａを含む部分と振動子３１における第２面３１ａを含む部分とで電界効果トランジスタが構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタを高い歩留まりで製造する製造方法を提供する。
【解決手段】基板上又は基板上における絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を形成する電極形成工程と、有機半導体インクが供給された際、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上における前記有機半導体インクの接触角を前記基板上又は前記絶縁膜上における接触角よりも高くする電極処理工程と、形成された前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に前記有機半導体インクを供給することにより有機半導体層を形成する半導体層形成工程と、を有し、前記ソース電極と前記ドレイン電極とにより形成されるチャネルのチャネル幅をＷ、前記有機半導体インクが供給される際の液滴の液滴径をφ、前記液滴が供給される位置の誤差である着弾位置誤差幅をＸとした場合、Ｗ＞φ＋Ｘを満たしていることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】製造工程において高温で短時間のアニールを可能にすることにより、イオン注入の工程が不要なＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ／Ａｌ_ｙＧａ_１−ｙＮヘテロ接合のオーミック電極を備える電子デバイスを提供する。
【解決手段】
電子デバイスは、ワイドバンドギャップ化合物半導体層と、前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層上に形成されるオーミック電極とを含む電子デバイスであって、前記ワイドバンドギャップ化合物半導体層は、Ｉｎ_ｉＡｌ_ｊＧａ_ｋＮ（ｉ＋ｊ＋ｋ＝１，０≦ｉ≦１，０＜ｊ≦１，０≦ｋ＜１）からなる化合物半導体バリア層とＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０＜ｙ≦１）からなる化合物半導体チャネル層からなり、前記オーミック電極は、前記化合物半導体バリア層上に密着層が積層され、前記密着層上にオーミック層が積層されて形成された電極であり、前記密着層はＺｒからなるようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化物の一部領域又は全領域の比抵抗を低下させることにより、簡易な工程で多様な電子素子を作製できる電子素子基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも最表層の一部が比抵抗１×１０^９Ω・ｃｍ以下の酸化物からなる基板における前記酸化物の一部領域又は全領域に対し、前記基板の電位よりも高い電位を印加することにより、前記一部領域又は前記全領域の比抵抗を低下させる低抵抗化処理工程を有する電子素子基板の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、テトラチアフルバレン誘導体と電子受容性化合物とを積層させるだけで、簡便かつ高電気伝導度を有する積層膜を提供する。
【解決手段】一般式(Ｉ)で表されるテトラチアフルバレン誘導体と電子受容性化合物の積層膜


（式（Ｉ）中、Xは炭素原子または硫黄原子または窒素原子から選択される原子であり同一でも異なっていても良い。Xに炭素原子及び窒素原子が選択される場合においてＲ_１〜Ｒ₁₆は水素原子、ハロゲン原子、置換および無置換のアルキル基またはアルコシキ基またはチオアルコキシ基から選択される基であり同一でも異なっていても良い。）。 （もっと読む）

【課題】複雑な工程を経ることなく、テトラチアフルバレン誘導体と電子受容性化合物とを積層させるだけで、簡便かつ高電気伝導度を有する積層膜を提供する。
【解決手段】一般式(Ｉ)で表されるテトラチアフルバレン誘導体と電子受容性化合物の積層膜


（式（Ｉ）中、Xは炭素原子または硫黄原子または窒素原子から選択される原子であり同一でも異なっていても良い。Xに炭素原子及び窒素原子が選択される場合においてＲ_１〜Ｒ₁₆は水素原子、ハロゲン原子、置換および無置換のアルキル基またはアルコシキ基またはチオアルコキシ基から選択される基であり同一でも異なっていても良い。）。 （もっと読む）

【課題】耐電圧、耐熱性、耐放射線性、及び高速性が優れ、かつ、チャネル領域を短くでき、素子の応答性が高いダイヤモンド半導体素子を高精度で製造できる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のダイヤモンド半導体領域１の表面上に、絶縁膜２と多層金属電極層３と犠牲層４とを積層し、犠牲層４上に、局所的にレジスト５をパターン形成する。多層金属電極層３の最上層は、Ｐｔ又はＰｔ合金により形成する。そして、レジスト５をマスクとして第１の犠牲層、多層金属電極層及び絶縁膜をエッチングした後、レジスト５を除去して、第１のダイヤモンド半導体領域１上に絶縁膜２と金属電極層３と第１の犠牲層４との積層体をパターン形成する。その後、第１のダイヤモンド半導体領域１上に、不純物の高濃度ドープ層７を形成する。その後、犠牲層４をエッチング除去し、高濃度ドープ層７上に金属電極８を形成する。 （もっと読む）