【課題】エロージョンの発生及び研磨残渣の発生がない金属からなる配線又はプラグを形成できるようにする。
【解決手段】半導体基板１上の層間絶縁膜３にコンタクトホール３ａを形成する。続いて、層間絶縁膜３上に金属を含む化合物及び第１の還元性ガスを供給することにより、コンタクトホール３ａを含む層間絶縁膜３の上に第１のシード層５を形成する。続いて、第１のシード層５上に金属を含む化合物及び第２の還元性ガスを供給することにより、第１のシード層５の上に第２のシード層６を形成する。続いて、第２のシード層６の上に、金属をコンタクトホール３ａを埋め込むように形成する。続いて、ＣＭＰ法により、層間絶縁膜３のコンタクトホール３ａを除く上面に残存する金属、第２のシード層６及び第１のシード層５を除去することにより、コンタクトホール３ａにプラグ７Ａを形成する。 （もっと読む）

ＩＶ族金属含有前駆体と、ＩＶ族金属含有膜｛窒化物、酸化物および金属）の高い処理温度での堆積におけるその使用とを開示している。金属中心に結合したシクロペンタジエニル配位子およびイミド配位子の使用は熱安定性を確保し、広範な堆積温度ウィンドウおよび不純物の低い混入を可能にする。ＩＶ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）含有膜の堆積は、熱および／またはプラズマ強化ＣＶＤ、ＡＬＤおよびパルスＣＶＤによって行うことができる。 （もっと読む）

【課題】低温にて膜表面が滑らかであって緻密な抵抗率の低い金属膜を、ＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質とし、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供する。
【解決手段】無機原料である少なくとも1種の金属化合物と、前記金属化合物に対して反応性を有する反応ガスを交互に複数回処理室に供給して、前記処理室内に載置された基板に第1の金属膜を形成する交互供給工程と、無機原料である少なくとも1種の金属化合物と、前記金属化合物に対して反応性を有する反応ガスを互いに混合するよう同時に1回前記処理室に供給して、前記処理室内に載置された基板に第２の金属膜を形成する同時供給工程と、を有し、前記交互供給工程及び前記同時供給工程の少なくとも一方の後に、前記反応ガス及び不活性ガスの少なくとも一方を用いて前記第1の金属膜及び前記第２の金属膜の少なくとも一方を改質する改質工程を行う半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

プラズマ強化原子層堆積（ＰＥＡＬＤ）またはプラズマ強化化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）による銅含有膜の堆積のためのビス−ケトイミナート銅前駆体の使用方法を開示している。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部２を有する絶縁層１２２が表面に形成された被処理体Ｗに第１の金属を含む薄膜を形成する成膜方法において、絶縁層の表面に親水化処理を施して親水性の表面にする親水化工程と、親水化処理の行われた絶縁層の表面に第１の金属を含む第１の金属含有原料を用いて成膜処理を施すことにより第１の金属を含む薄膜を形成する薄膜形成工程とを有する。これにより、比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第１の金属を含む薄膜、例えばＭｎＯｘを効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】比誘電率の低い絶縁層の表面にＭｎ等の第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する際に、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させることにより上記第２金属含有膜を効率的に形成する。
【解決手段】底面に金属層３が露出する凹部２を有する絶縁層１が表面に形成された被処理体に対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属を含む第１金属含有膜を形成する第１金属含有膜形成工程と、前記第１金属含有膜形成工程の後に行われ、前記凹部に埋め込まれる埋め込み金属に対してバリヤ性を有する第２の金属を含む第２金属含有膜を形成する第２金属含有膜形成工程とを有する。これにより、下地膜としてＲｕ等の第１の金属を含む第１金属含有膜を介在させて上記第２金属含有膜を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】クリーニングを原因とする腐食を防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室内に複数の原料を供給して基板の表面に膜を形成する膜形成工程と、前記処理室内にフッ素を含むクリーニングガスを供給して前記処理室内をクリーニングするクリーニング工程と、を有し、前記クリーニング工程は、前記処理室内を第１の温度で所定時間加熱する第１の加熱工程と、前記第１の温度から第２の温度まで昇温する昇温工程と、前記処理室内を前記第２の温度で所定時間加熱する第２の加熱工程と、を含み、前記第１の温度及び前記第２の温度は５００℃から７００℃のそれぞれ所定温度である。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面に形成されている凹部の内径や幅が小さくても、薄膜の成膜時のステップカバレジを向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器２２内へ凹部を有する絶縁層が表面に形成された被処理体Ｗを収容すると共に処理容器内へチタンを含む原料ガスと還元ガスとを供給してプラズマＣＶＤ法によりガスを反応させて被処理体に対してチタンを含む薄膜を形成する成膜方法において、反応が原料ガスの反応律速の反応状態となるように原料ガスと還元ガスの各流量を設定するように構成する。これにより、被処理体の表面に形成されている凹部の内径や幅が小さくなったり、凹部のアスペクト比が大きくなっても、薄膜の成膜時のステップカバレジを向上させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】より低温でかつ高成膜速度で成膜することができる金属窒化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内に被処理基板であるウエハを搬入し、チャンバ内を真空に保持した状態とし、ウエハを加熱しつつ、チャンバ内にＴｉＣｌ_４ガスとＭＭＨガスとを交互的に供給してウエハ上にＴｉＮ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】高縦横比の特徴部のボイドなしの充填方法を提供する。
【解決手段】種々の実施例に於いて、この方法は低温化学蒸着工程によるタングステンでの特徴部の充填に関する。或る実施例に於いて、工程温度は特徴部充填の化学蒸着の間約３５０°Ｃ以下に維持される。この低温化学蒸着タングステン充填により、標準の化学蒸着充填と同様は薄膜抵抗を達成する一方、高縦横比の特徴部への向上された充填と下地層へとのフッ素移動への向上されたバリヤが得られる。発明は更に低抵抗を有するタングステンフィルムの堆積方法に関する。種々の実施例に於いて、この方法ではタングステンバルク層の堆積及び／或は低温化学蒸着によるバルク層の堆積の前に堆積された核形成層に低温低抵抗処理を実施し、その後高温化学蒸着を実施する。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕとの密着性を良好とすることが可能な酸化マンガン膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 酸化物１０２上にマンガンを含むガスを供給し、酸化物１０２上に酸化マンガン膜１０３を形成する酸化マンガン膜１０３の形成方法であって、酸化マンガン膜１０３を形成する際の成膜温度を、１００℃以上４００℃未満とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法による金属薄膜形成に適したコバルト錯体及びそれを用いたコバルト含有薄膜の製造。
【解決手段】一般式（I）


（式中、Ｘは、一般式（ＩＩ）


で示されるβ-ジケトナト基を配位子として有するコバルト錯体。） （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造において、金属膜の酸化による高抵抗化を防止し、生産性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板２００を収容し、基板２００の温度が第１処理温度となるように設定された処理室２０１内に、酸素を用いることなく熱分解にて金属含有膜を形成できる有機金属原料ガスを供給して、基板２００上に金属含有膜を形成する工程と、金属含有膜が形成された基板２００を収容し、基板２００の温度が第２処理温度となるように設定された処理室２０１内で、水素含有ガス雰囲気下、もしくは、到達真空雰囲気下で金属含有膜を熱処理する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】融点の高い（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムまたはビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムを用いたルテニウム含有膜の製造方法を提供する。
【解決手段】（シクロペンタジエニル）（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムまたはビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムの有機溶媒溶液を原料として用いて、ルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕの濡れ性が良好なＣＶＤ−Ｒｕ膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】有機金属化合物を含む成膜原料を用いてＣＶＤにより基板上にＲｕ膜を成膜する工程と、前記Ｒｕ膜が成膜された基板に対し、水素含有雰囲気でのアニールを行う工程とによりＣＶＤ−Ｒｕ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、Ｒｕ膜上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１の壁部の温度を、副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧が成膜処理時のチャンバー１内の圧力と等しくなる温度以上で成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの分解温度未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を高い成膜速度で成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】Ｃｕ膜を成膜するＣｕ膜の成膜方法は、相対的に高い第１の温度に保持された、成膜下地膜としてのＲｕ膜を有するウエハに、Ｃｕ錯体からなる成膜原料を供給してウエハ上にＣｕの初期核を生成する工程と、相対的に低い第２の温度に保持されたウエハに、Ｃｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣｕの初期核が生成したウエハ上にＣｕを堆積させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】表面にＣＶＤ−Ｒｕ膜を成膜したウエハを準備する。酸素雰囲気にさらすことによりＲｕ膜表面を酸化処理し、次に水素プラズマによる還元処理をし、清浄化する。清浄化されたＲｕ膜表面にＣｕ錯体からなる成膜原料を供給してＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスとして現実的な成膜温度と成膜レートを有し、成膜中にＣｕ膜表面マイグレーションの減少が生じてＣｕが凝集し、島状に成長することを防止したＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜原料である１価のアミジネート銅に対し、還元剤として１価のアミジネート銅に対する還元能力が高いカルボン酸を用い、低温でかつ実用的な成膜レートでＣＶＤ−Ｃｕ膜を成膜する。また、このように低温でかつ実用的な成膜レートでＣｕ膜を成膜できるため、Ｃｕの凝集が生じ難く、表面性状が良好なＣｕ膜となる。 （もっと読む）