【課題】成膜原料としてコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを用いて、低温でかつ表面状態および膜中不純物が残存しにくい、膜質の良好なＣｏ膜、Ｎｉ膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを収容し、処理容器内にコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを気相状態で導入して、基板上にＣｏ膜またはＮｉ膜を成膜する。また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体。 （もっと読む）

【課題】成膜原料として用いるＣｏ_２（ＣＯ）_８を気相供給する際に、その分解を極力抑制して不純物の少ないＣｏ膜を再現性よく成膜することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置は、チャンバー１と、チャンバー内でウエハＷを加熱するためのヒーター５と、チャンバー１外に配置された、成膜原料としてコバルトカルボニルを収容する成膜原料容器３１と、成膜原料容器３１から気体状のコバルトカルボニルをチャンバー１に供給するための配管４３と、チャンバー１内を減圧排気する排気機構２３と、成膜原料容器３１から配管４３を介してチャンバー１に気体状のコバルトカルボニルを供給するための手段３８と、原料容器３１および配管４３の温度をコバルトカルボニルの分解開始温度未満に制御する温度コントローラ６０と、原料容器３１内にＣＯガスを供給する手段３７とを具備する。 （もっと読む）

【課題】窒素を含有する金属化合物を成膜原料として形成された金属膜をアニールして下地のシリコン部分との反応により金属シリサイド膜を形成する際に、短時間で金属シリサイド膜を形成することができる金属シリサイド膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】金属シリサイド膜の形成方法は、表面にシリコン部分を有する基板を準備する工程（ステップ１）と、窒素を含有する金属化合物を成膜原料として用いたＣＶＤによりシリコン部分の表面に金属膜を成膜する工程（ステップ２）と、その後、基板に水素ガス雰囲気でアニールを施して金属膜とシリコン部分との反応により金属シリサイドを形成する工程（ステップ３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】原料溶液を気化して反応室に供給する気化器を備えた溶液気化型のＣＶＤ装置及びＣＶＤ装置の操作方法に関する技術であって、装置の休止中に原料溶液が配管に漏れ出す等して気化器のノズル詰まりが生じるのを防止し、原料溶液の安定供給とメンテナンスの低減を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】原料溶液を噴霧用ガスと合流させてから気化器５０に導入する溶液気化型のＣＶＤ装置１００において、原料溶液輸送管３０における原料溶液供給部１０との連結点及び溶媒供給部２０との連結点より下流側であって、ガス輸送管４０との合流点より上流側にストップバルブＶＥを設け、このストップバルブＶＥより上流を溶媒で充填可能とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜であっても銅（Ｃｕ）原子の金属シリサイド膜などへの拡散を充分に安定して抑止でき、尚且つ、小さな接触抵抗をもたらす比抵抗の小さな銅（Ｃｕ）からコンタクトプラグを形成できるようにする。
【解決手段】 本発明のコンタクトプラグ１００は、半導体装置の絶縁膜１０４に設けられたコンタクトホール１０５に形成され、コンタクトホール１０５の底部に形成された金属シリサイド膜１０３と、コンタクトホール１０５内で金属シリサイド膜１０３上に形成された酸化マンガン膜１０６と、酸化マンガン膜１０６上に、コンタクトホール１０５を埋め込むように形成された銅プラグ層１０７と、を備え、酸化マンガン膜は非晶質からなる膜である、ことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率が低い導電性膜を、速い成膜速度で形成する半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することである。
【解決手段】 ２種類以上の原料を処理室内に同時に供給し、処理室内に載置された基板上に膜を形成する半導体装置の製造方法であって、少なくとも１種の原料を第１の供給量で処理室内に供給する第１の原料供給工程と、この少なくとも１種の原料を第１の供給量とは異なる第２の供給量で処理室内に供給する第２の原料供給工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子及びその形成方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の形成方法は、基板上に半導体構造物及び絶縁パターンを形成し、絶縁パターンの一面によって定義される側壁と半導体構造物の底によって定義される底を有するオープニングを形成し、オープニングを満たす第１金属膜を形成し、第１金属膜を湿式エッチングしてオープニングの側壁を少なくとも一部露出させ、第１金属膜上に第２金属膜を選択的に形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを大面積の基板上に高速に形成する化学気相成長装置等を提供する。
【解決手段】化学気相成長装置１０１において、ノズル１０２は、炭素源ガスを供給し、ヘッド１０３は、表面に触媒を配置した基板１０６の一部を覆うスカート１２３を有し、ノズル１０２から供給された炭素源ガスを基板１０６の対向する領域に供給し、移動部１０４は、基板１０６に対してヘッド１０３を所定の方向へ所定の速度で相対的に移動させ、加熱部１０５は、基板１０６に対してヘッド１０３が移動される間、基板１０６の表面のうち、ヘッド１０３に対向し、かつ、触媒が配置された導電性部材を加熱する。 （もっと読む）

【課題】
微細化したＭＯＳトランジスタを含む半導体装置において、リーク／ショートの可能性を抑制する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、活性領域上に、ゲート絶縁膜とシリコン膜とを形成し、シリコン膜上方にゲート電極用レジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして、シリコン膜を厚さの途中までエッチングしてレジストパターン下方に凸部を残し、レジストパターンを除去した後シリコン膜を覆うダミー膜を形成し、ダミー膜を異方性エッチングして、凸部の側壁にダミー膜を残存させつつ、平坦面上のダミー膜を除去し、ダミー膜をマスクとして、シリコン膜の残りの厚さをエッチングしてゲート電極を形成し、ゲート電極両側の半導体基板に、ソース／ドレイン領域を形成し、シリコン領域にシリサイドを形成する。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する。
【解決手段】部分的に製造された半導体基板上の高アスペクト比のフィーチャーをタングステン含有材料で充填する方法が提供される。ある実施形態においては、当該方法は高アスペクト比のフィーチャーにタングステン含有材料を部分的に充填する工程とフィーチャー空洞から部分的に充填された材料を選択的に除去する工程とを有する。これらの方法を用いて処理された基板においては、高アスペクト比のフィーチャーに充填されたタングステン含有材料のステップカバレッジが改善され、シームの大きさが低減する。 （もっと読む）

【課題】プラグの上面の形状を工夫することにより、半導体装置の電気的特性において、信頼性の向上を図ることができる技術を提供する。
【解決手段】本願発明におけるプラグＰＬＧは、上面がコンタクト層間絶縁膜ＣＩＬの表面（上面）よりも突出した上に凸のドーム形状をしている。つまり、プラグＰＬＧは、上面が上に凸のドーム形状となっており、コンタクト層間絶縁膜ＣＩＬの上面の高さよりもバリア導体膜ＢＦ１の上端部の高さが高く、かつ、タングステン膜ＷＦの上端部の高さはバリア導体膜ＢＦ１の上端部の高さよりも高くなっている。 （もっと読む）

【課題】 金属前駆体を用いて形成される金属含有膜を半導体装置の内部構造体に利用しても、金属汚染の発生を抑制することが可能な成膜方法を提供すること。
【解決手段】 基板の裏面を疎水化処理する工程（ステップ１）と、裏面が疎水化処理された基板の表面上に、π電子を含む金属前駆体を用いたＣＶＤ法を用いて、金属含有膜を形成する工程（ステップ２）と、を備える。 （もっと読む）

コバルト含有薄膜を蒸着工程により形成する方法が提供される。該方法は、構造が式（Ｉ）に対応する少なくとも１種の前駆体を使用することを含み；式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立にＣ_２〜Ｃ_８アルキルであり；ｘはゼロ、１又は２であり；並びにｙはゼロ又は１であり；ｘ及びｙの両方が同時にゼロであることはできない。

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【課題】銅配線とアルミニウム配線との間のバリアを形成するための新規な技術を含む半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に形成された銅配線上に、絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜に凹部を形成し、凹部の底に前記銅配線を露出させる工程と、凹部の底に露出した銅配線上に、２５０℃〜３５０℃の範囲の成膜温度で、フッ化タングステンの供給期間と供給停止期間とを交互に繰り返して、ＣＶＤでタングステン膜を選択的に成膜する工程と、タングステン膜上方に、アルミニウム配線を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】微細化されても、ｐチャネルトランジスタのチャネル領域には圧縮歪を、ｎチャネルトランジスタのチャネル領域には引っ張り歪をそれぞれ効果的に印加できる新しい歪技術を提供する。
【解決手段】ｐチャネルトランジスタ１０５のゲート電極は、引っ張り内部応力を持つｐチャネルメタル電極１１０を有する。ｎチャネルトランジスタ１０６のゲート電極は、圧縮内部応力を持つｎチャネルメタル電極１１６を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に付着する堆積物を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器４内で、有機金属原料ガスを用いて被処理体Ｗの表面に薄膜を形成するようにした成膜装置において、処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に疎水層を設けるように構成する。これにより、処理容器内の雰囲気に晒されている部材の表面に付着する堆積物を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 セルフリミットを発生させるような金属酸化物であっても、その膜厚を制御することが可能となる金属酸化物膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地の温度が金属酸化物膜の成膜温度に達する前に、金属原料ガスを下地の表面に供給する工程（１）と、下地の温度を成膜温度以上とし、下地の表面に供給された金属原料ガスと下地の表面の残留水分とを反応させて、下地上に金属酸化物膜を形成する工程（２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 キャップ膜、もしくはバリア膜として使用することが可能な膜を、形成するか形成しないかを選択することが可能となる成膜方法を提供すること。
【解決手段】 銅を使用している配線と絶縁膜とが表面に露出している基板に対してマンガン含有膜を成膜する成膜方法であって、銅を使用している配線上に、マンガン化合物を用いたＣＶＤ法を用いてマンガン含有膜を形成する工程（ステップ２）を備える。 （もっと読む）

【課題】金属窒化膜に隣接する他の膜の特性を劣化させない温度範囲において、金属窒化膜中の塩素原子や酸素原子の残留量を低減し、金属窒化膜の耐酸化性を改善する。
【解決手段】酸素原子、塩素原子及び金属原子を含有する薄膜が形成された基板が搬入される処理室と、処理室内で基板を支持して加熱する基板支持部と、処理室内に窒素原子含有ガス及び水素原子含有ガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気するガス排気部と、処理室内に供給された窒素原子含有ガス及び水素含有ガスを励起させるプラズマ生成部と、基板支持部、ガス供給部及びプラズマ生成部を制御する制御部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を有する半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】シリコン基板１上に第１配線用絶縁膜ＩＭ１を形成し、第１配線用絶縁膜ＩＭ１に配線溝ＴＭ１を形成する。その後、配線溝ＴＭ１に銅を主体とする導体膜を埋め込むことで配線ＭＷ１を形成する。続いて、配線ＭＷ１上にキャップ導体膜ＭＣ１を形成した後、キャップ導体膜ＭＣ１に表面研磨を施す。特に、キャップ導体膜ＭＣ１はＡＬＤ法によって配線ＭＷ１上に選択的に形成する。 （もっと読む）