【課題】Ｃｕ系合金配線膜と半導体層との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても優れた低接触抵抗を発揮し得、さらに密着性に優れた配線構造を提供する。
【解決手段】本発明の配線構造は、基板の上に、基板側から順に、半導体層と、Ｃｕ合金層とを備えた配線構造であって、前記半導体層と前記Ｃｕ合金層との間に、基板側から順に、窒素、炭素、フッ素、および酸素よりなる群から選択される少なくとも一種の元素を含有する（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層と、ＣｕおよびＳｉを含むＣｕ−Ｓｉ拡散層との積層構造を含んでおり、前記（Ｎ、Ｃ、Ｆ、Ｏ）層を構成する窒素、炭素、フッ素および酸素のいずれかの元素は前記半導体層のＳｉと結合しており、前記Ｃｕ合金層は、Ｃｕ−Ｘ合金層（第一層）と第二層とを含む積層構造である。 （もっと読む）

【課題】セルフリミッティングな表面反応を阻害していた、余分な堆積種を除去する工程を設けた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の原料ガスと、第２の原料ガスと、を反応炉内に交互に供給することにより基体の上に薄膜を形成する工程を備え、前記第１の原料ガスを供給した後であって前記第２の原料ガスを供給する前と、前記第２の原料ガスを供給した後であって前記第１の原料ガスを供給する前と、の少なくともいずれかにおいて、前記基体の表面にプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極と第１のコンタクトプラグとが接触する接触幅を充分に確保する。
【解決手段】半導体基板１０の上に、エッチングストッパー膜１７、第１の層間絶縁膜１８及び第２の層間絶縁膜１９を順次形成する。次に、第１，第２の層間絶縁膜１８，１９を貫通し、且つ、エッチングストッパー膜１７を露出する第１のホール２３を形成する。次に、酸素ガスを含むプラズマを用いたプラズマ処理により、第２の層間絶縁膜１９における第１のホール２３の側壁に露出する部分を変質して、第１の変質層２５を形成する。次に、第１の変質層２５を除去して、第２のホール２７を形成する。次に、エッチングストッパー膜１７における第２のホール２７に露出する部分を除去して、第１のコンタクトホール２９を形成する。次に、第１のコンタクトホール２９に、第１のコンタクトプラグ３２Ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。
【解決手段】低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。本処理により、堆積されるタングステン成膜の抵抗率が低減される。ある実施形態では、核生成層の成膜は、水素を利用せずに、ホウ素ベースの化学作用により行われる。またある実施形態では、処理は、核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のサイクルに曝す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 液体原料を用いてＳｉ以外の金属膜を安定して成長させる。
【解決手段】 基板上に形成された第１の金属膜の表面を水酸基で終端する第１の前処理を行う工程と、第１の前処理後の第１の金属膜に対して水素含有ガスを供給して第２の前処理を行う工程と、第２の前処理後の第１の金属膜上に第２の金属膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】貫通孔となるべきアスペクト比が２０以上の深孔を埋め込む貫通電極金属としては、埋め込み特性が良好なタングステンが使用されることが多いが、通常のドライエッチングによる深孔は、ボッシュプロセスによるものに比べて寸法の大きなものとなる。この比較的大きな深孔を埋め込むためには、必然的にウエハの表面に成膜すべきタングステン膜の膜厚も厚くなり、その結果、ウエハの反りが、プロセスを正常に実行できる限界を超える程度にまで増加する。また、このような問題が許容できる限度内である場合にも、タングステン膜を堆積する際に、ウエハの周辺で下地膜の剥がれが発生する等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、貫通ビアを形成するための非貫通孔をタングステン部材で埋め込むに当たり、ウエハの周辺部において、下地のバリアメタル膜の外延部より内側に、タングステン部材の外延部を位置させるように成膜を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】膜厚の面内均一性を向上させると共に、反応効率を向上させて成膜速度も高くすることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】有機金属化合物の原料ガスを用いて被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜装置において、真空排気が可能になされた処理容器２２と、加熱ヒータ３４が設けらた載置台２８と、載置台に対向させて設けられており、原料ガスの分解を促進させる分解促進ガスを導入させるために載置台上の被処理体に対向するように配置された複数の分解促進ガス導入口８０Ａと原料ガスを導入させるために複数の分解促進ガス導入口が形成された領域を囲むようにして配置された原料ガス導入口８０Ｂとを有するガス導入手段８０とを備える。これにより膜厚の面内均一性を向上させると共に、反応効率を向上させて成膜速度も高くする。 （もっと読む）

【課題】カーボン膜の抵抗率を低減することができる電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１が載置されたチャンバ４内に炭素を含有する原料ガスを供給する。基板１１の周囲からチャンバ４内のアノード１に向けて電子を放出させてチャンバ４内にプラズマ１４を発生させ、基板１１上にグラファイト、グラフェン等のカーボン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高い反応性をもつガス（ラジカル）を利用できるようにラジカル発生装置を用いて、いかなる元素の薄膜の成長をも容易に行うことができる方法を提供する。
【解決手段】複数のサイクルを含むシーケンシャル気相成長法による、基板上へのＡｌ_２Ｏ_３薄膜の成長方法において、それぞれのサイクルは、ガス状のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）にパーツを接触させること、ガス状のＴＭＡの供給を停止すること、チャンバからガス状のＴＭＡを除去すること、及び原子状酸素にパーツを接触させることを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体処理システム（３２０）の前駆物質を生成する装置を提供する。
【解決手段】装置は、側壁（４０２）、上部、底部を有するキャニスタ（３００）を含んでいる。キャニスタ（３００）は、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）を有する内容積（４３８）を画成している。一実施形態においては、装置は、更に、キャニスタ（３００）を部分的に取り囲んでいるヒータ（４３０）を含んでいる。ヒータ（４３０）によって、上の領域（４１８）と下の領域（４３４）間に温度勾配が生じる。また、精製ペンタキス(ジメチルアミド)タンタルから原子層堆積によってバリヤ層、例えば、窒化タンタルバリヤ層を形成する方法も特許請求される。 （もっと読む）

【課題】従来の電界効果型トランジスタでは、ソース領域およびドレイン領域に形成する高濃度不純物のイオン注入工程により半導体基板表面がアモルファス化されるため、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、活性化熱処理により結晶欠陥を誘発し、電界効果型トランジスタの信頼性を低下させる問題があった。
【解決手段】本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に高濃度不純物を含有する導電性膜を設ける。高濃度不純物のイオン注入を行う必要がないことから、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することがない。これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド膜と銅コンタクトプラグ本体との間の拡散バリア層として、薄膜の酸化マンガンで構成された拡散バリア層を用いてはいるものの、金属シリサイド膜への銅原子の拡散、侵入を確実に抑止することができるようにする。
【解決手段】本発明のコンタクトプラグ１０は、半導体装置の絶縁膜４に設けられたコンタクトホール５に形成され、コンタクトホール５の底部に形成された金属シリサイド膜３と、コンタクトホール５内で金属シリサイド膜３上に形成され、非晶質でシリコンを含む第１の酸化マンガン膜６ａと、その第１の酸化マンガン膜６ａ上に形成され、微結晶を含む非晶質の第２の酸化マンガン膜６ｂと、その第２の酸化マンガン膜６ｂ上に、コンタクトホール５を埋め込むように形成された銅プラグ層７と、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性の優れたシリコン膜を形成する成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基体上にジシラン及びトリシランの少なくともいずれかを用いて第１温度で第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記基体及び前記第１膜を、水素を含む雰囲気中において、前記第１温度から、前記第１温度よりも高い第２温度に向けて昇温する昇温工程と、前記昇温の後に、前記第１膜の上に、シランを用いて前記第２温度で第２膜を形成する第２膜形成工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレッジが良好で、原料を安定的に供給すると共に原料の劣化を生じさせずに実用的かつ安価に良質な金属膜を形成することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】２価のカルボン酸金属塩と一酸化炭素又はアンモニアとを反応させて１価のカルボン酸金属塩ガスを生成する工程と、基板１上に１価のカルボン酸金属塩ガスを供給して１価のカルボン酸金属塩膜２を堆積させる工程と、１価のカルボン酸金属塩膜２が堆積した基板１にエネルギーを与えて１価のカルボン酸金属塩膜２を分解し、金属膜３を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 各膜の組成が異なる積層膜を、極めて効率よく、しかも酸化等の不都合が生じることなく形成することができる積層膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 処理室内に基板１を配置し、処理室に、少なくとも、金属カルボニルを含有する原料を含む成膜原料を導入し、ＣＶＤにより基板１上に金属カルボニル中の金属を含む複数の膜６ａ、６ｂを含む積層膜を形成する積層膜の形成方法であって、上記積層膜に含まれる膜は、同一処理室内で、原料種および／または成膜条件を異ならせて連続成膜され、上記膜の組成が異なる積層膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰを伴うダマシン法を用いた配線や電極の形成は、製造工程が煩雑であり高コスト化している。表示装置等の大型基板に配線形成を行うには平坦性等の高精度が要求されて好適せず、また研磨による配線材料の除去・廃棄量が多いという課題がある。
【解決手段】表示装置の形成方法は、基板上に下地絶縁層を設け、その層上に配線パターンに沿った第１の銅拡散防止層を設ける。次に、その第１の銅拡散防止層上面に第１の銅拡散防止層の幅より僅かに狭い銅配線層を積層し、銅配線層の全表面を覆うように、第２の金属拡散防止層を設ける方法である。 （もっと読む）

【課題】ＳＲＡＭ回路の動作速度を向上させる。
【解決手段】駆動ＭＩＳＦＥＴと転送ＭＩＳＦＥＴとそれらの上部に形成された縦型ＭＩＳＦＥＴとでメモリセルを構成したＳＲＡＭにおいて、周辺回路を構成するＭＩＳＦＥＴ間の電気的接続を、メモリセルの縦型ＭＩＳＦＥＴ（ＳＶ_１、ＳＶ_２）よりも下部に形成されるプラグ２８および中間導電層４６、４７で行うとともに、縦型ＭＩＳＦＥＴ（ＳＶ_１、ＳＶ_２）よりも上部に形成されるプラグ、第１および第２金属配線層を用いて行うことにより、配線の自由度を向上でき、高集積化できる。また、ＭＩＳＦＥＴ間の接続抵抗を低減でき、回路の動作スピードを向上できる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法を用いて良質なルテニウム薄膜を形成させるためには、低温で薄膜を形成させることが必要であり、熱に対して高い反応性を有するルテニウム化合物が望まれていた。
【解決手段】（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウム及び（２，４−ジメチルペンタジエニル）（エチルシクロペンタジエニル）ルテニウムに対して０．１〜１００重量％のビス（２，４−ジメチルペンタジエニル）ルテニウムを含有するルテニウム錯体混合物を原料として用い、ＣＶＤ法等によりルテニウム含有膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】 金属膜の酸化に起因する特性劣化を最小限に抑えることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給し排気して化学的蒸着法により基板上に金属膜を形成する工程と、処理容器内にアルミニウム原子を含む原料ガスと窒素原子を含むガスとを供給し排気して化学的蒸着法により金属膜上に窒化アルミニウム膜を形成する工程と、金属膜および窒化アルミニウム膜形成後の基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、金属膜を形成する工程と窒化アルミニウム膜を形成する工程は、処理容器内を非酸素雰囲気に保った状態で連続的に行われる。 （もっと読む）

【課題】低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に隣接して設けられた金属膜と、を有し、金属膜は、第１の金属膜と第２の金属膜との積層構造を有しており、第１の金属膜は第２の金属膜よりも耐酸化性が高い物質で構成され、第２の金属膜は４．８ｅＶよりも高い仕事関数を有する第１の金属膜とは異なる物質で構成され、第１の金属膜は第２の金属膜と絶縁膜との間に設けられている。 （もっと読む）