【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板の製造方法であって、基板にゲート金属層薄膜を堆積し、ゲート電極とゲート・ラインとのパターンが含まれたパターンを形成するステップ１と、前記ステップ１を完成した基板にゲート絶縁層薄膜と、半導体層薄膜と、ＴＦＴチャネル部分の半導体層がエッチングされることを防止する阻止層薄膜とを堆積し、ゲート絶縁層と、半導体層と、阻止層とのパターンが含まれたパターンを形成するステップ２と、前記ステップ２を完成した基板にオーミック接触層薄膜と、透明導電層薄膜と、ソース・ドレイン金属層薄膜と、パッシベーション層薄膜とを堆積し、オーミック接触層と、画素電極と、データ・ラインと、ソース電極と、ドレイン電極と、パッシベーション層とのパターンが含まれたパターンを形成するステップ３と、を備える。 （もっと読む）

【課題】コバルト前駆体の保存安定性に優れ、長期保存後に化学気相成長法に供した場合であっても昇華残存物の少ないコバルト前駆体組成物及びコバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長法によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記組成物は、コバルトカルボニル錯体及び溶媒を含有する組成物であって、前記溶媒に溶存する一酸化炭素の濃度が０．００１〜１重量％であることを特徴とする。上記方法は、上記のコバルトカルボニル錯体組成物に由来するコバルトカルボニル錯体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルトカルボニル錯体をコバルトに変換することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所望の仕事関数を得ると共にトランジスタの駆動力を劣化させない構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１の上に形成された界面層５と、界面層５の上に形成された高誘電率ゲート絶縁膜６と、高誘電率ゲート絶縁膜６上に形成されたゲート電極とを備える。高誘電率ゲート絶縁膜６はランタンを含有し、高誘電率ゲート絶縁膜６におけるゲート電極との界面に含まれているランタンの濃度は、高誘電率ゲート絶縁膜における界面層との界面に含まれているランタンの濃度よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】抵抗率が低く、表面粗度が低く反射率が高いタングステンを、ＣＶＤ法により基板上の間隙または凹状特徴部分に充填する方法を提供する。
【解決手段】基板に設けられた凹状部分を部分的に充填するタングステンバルクを堆積した後で、堆積されたタングステンの上部分を除去する。上部分の除去は、活性化されたフッ素種に基板を暴露することによって行われる。堆積されたタングステン粒子のうち急峻で突出している突起の頂点を選択的に除去することによって、除去処理は、凹状部分の側壁に沿ってタングステンを研磨することになる。堆積−除去のサイクルを複数回実行して、凹状部分を埋める。このようにして凹状部分が充填されると、ＣＭＰにおいてコアリング（ｃｏｒｉｎｇ）が発生しにくくなる。 （もっと読む）

【課題】Ｉon／Ｉoffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。
【解決手段】表面が絶縁性を有する基板１１の表面上に形成されたゲート電極１２と、前記基板１１上に形成されていて前記ゲート電極１２を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜１３上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極１４、１５と、前記ソース・ドレイン電極１４、１５の表面に形成された炭素薄膜１６、１７と、前記ゲート絶縁膜１３上に形成されていて前記炭素薄膜１６、１７が形成された前記ソース・ドレイン電極１４、１５を被覆する有機半導体層１８を有する有機半導体装置１である。 （もっと読む）

【課題】 高い耐圧と低いオン抵抗を兼ね備えた縦型の半導体装置を提供する。
【解決手段】 縦型のパワーＭＯＳ１００は、第２導電型のボディ領域１４と第１導電型のドリフト領域４とトレンチ１１と第２導電型の不純物含有領域６とゲート電極１２と浮遊電極８を備えている。不純物含有領域６は、トレンチ１１の底面１１ａを囲む範囲に配置されている。不純物含有領域６の中心Ｄ２は、ドリフト領域４の中間深さＤ３より深い位置に配置されている。ゲート電極１２は、トレンチ１１内に配置されており、壁面が絶縁膜２２で被覆されており、ボディ領域１４の底面１４ａより深い位置まで伸びている。浮遊電極８は、トレンチ１１内のゲート電極１２より深い位置に配置されており、壁面が絶縁膜２２で被覆されている。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層と窒化シリコン膜の界面に自然酸化膜が残存していると、窒化シリコン膜の成膜後の種々の加熱工程（例えば種々の絶縁膜や導体膜の成膜工程のように半導体基板の加熱を伴う工程）において、金属シリサイド層表面にある自然酸化膜の酸素に起因して、金属シリサイド層が部分的に異常成長してしまう。
【解決手段】本願発明においては、集積回路を構成する電界効果トランジスタのソース・ドレイン上のニッケル・シリサイド等の金属シリサイド膜の上面に対して、不活性ガスを主要な成分とするガス雰囲気中において、実質的にノン・バイアス（低バイアスを含む）のプラズマ処理を施した後、コンタクト・プロセスのエッチング・ストップ膜となる窒化シリコン膜を成膜することにより、金属シリサイド膜の不所望な削れを生じることなく、金属シリサイド膜の上面の自然酸化膜を除去することができる。
を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】微細化に対応でき、Ｈｉｇｈ−ｋゲート絶縁膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、ｐ型層１０３上に設けられた第１のゲート絶縁膜１１５、ＴｉＮからなる第１のゲート電極１１６と、及び不純物を含む半導体からなる第１の上部ゲート電極１１７を有するＮチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０６と、ｎ型層１０２上に設けられた第２のゲート絶縁膜１０９、ＴｉＮ結晶からなり、（１１１）配向／（２００）配向が１．５以上となるＴｉＮ層を少なくとも一部に含む第２のゲート電極１１０、及び不純物を含む半導体からなる第２の上部ゲート電極１１１を有するＰチャネル型ＭＯＳトランジスタ１０５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】有機チタン化合物を気化させた原料ガスと、これに反応する添加ガスとを反応容器内に供給し、化学蒸着法により、加熱した基体の表面上に窒化チタン薄膜を作製する薄膜形成方法において、基体（例えば、ＣＭＯＳ基板などの半導体基板）の温度を各種機能性材料の耐熱温度である１５０℃乃至２３０℃の低温領域にした場合において、実用的な成膜速度が得られ、被覆性も良好な化学蒸着法による薄膜形成方法に用いる薄膜形成装置を提案する。
【解決手段】基体を１５０℃乃至２３０℃の温度範囲に加熱し、添加ガスの分圧Ｐ_{added gas}を、有機チタン化合物を気化させた原料ガスの分圧Ｐ_{organometallic gas}に対し、１０≦Ｐ_{added gas}／Ｐ_{organometallic gas}の範囲に設定する薄膜形成装置とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤによりＴｉ膜を成膜する際に、より低抵抗でかつ抵抗のばらつきが小さいＴｉ膜を成膜することができ、プラズマダメージを小さくすることができるＴｉ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバ内にシリコンウエハを配置し、ＴｉＣｌ_４ガスおよびＨ_２ガスを含む処理ガスを導入しつつチャンバ内にプラズマを生成し、そのプラズマにより処理ガスの反応を促進してシリコンウエハ上にＴｉ膜を成膜するにあたり、チャンバ内にシリコンウエハが配置された状態でＴｉＣｌ_４ガスを導入した後、チャンバ内にプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】装置構成を複雑にせずに、成膜初期の核形成が短時間でなされ、表面平滑性およびステップカバレッジが良好な膜を得ることができる成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜方法は、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内の基板温度が処理容器内に導入される際の原料ガスの温度よりも低い段階で処理容器内に原料ガスを導入し、基板表面に原料ガスを集積させる工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度まで上昇させる過程で、基板上に膜形成のための核付を行う工程と、原料ガスの導入を継続しつつ基板温度を成膜温度に保持して基板上に所定の膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】追従性が高く良好なステップ・カバレージ及び低い抵抗率を有する窒化チタン障壁層を形成する方法を提供する。
【解決手段】部分的に製作された電子デバイスに窒化チタン障壁層を形成する方法であって、前記部分的に製作された電子デバイスの上に第１の温度で、第１の抵抗率を有する第１の窒化チタンサブレーヤ４０を堆積させる工程と、前記第１の窒化チタンサブレーヤの上に第２の温度で、第２の抵抗率を有する第２の窒化チタンサブレーヤ４２を堆積させる工程とを備えており、前記第２の温度は前記第１の温度よりも高く、第２の抵抗率は第１の抵抗率よりも低いことを特徴とする窒化チタン障壁層の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 低抵抗で且つ高密度なルテニウム含有薄膜を提供する。
【解決手段】 化学気相蒸着法により形成したルテニウム含有薄膜を加熱処理して、膜密度が１０．５〜１２．２ｇ／ｃｍ^３で、且つ比抵抗値が８〜１００μΩｃｍであるルテニウム含有薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】比表面積の大きな多孔質体であって、良好な電気化学特性が期待できる導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜及び導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】
本発明の導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜は、導電性ダイヤモンドの中空ファイバーが三次元的に絡み合って形成されているため、大きな比表面積を有し、また、貫通した中空体である中空ファイバーにより構成されるので、電解液等の流体の通過も容易であるため、高い電気化学的特性を得ることができる。かかる本発明の導電性ダイヤモンド中空ファイバー膜は、耐熱性のある繊維が三次元的に絡み合って形成される多孔質基材に導電性ダイヤモンドナノ粒子分散溶液を塗布し、多孔質基材にダイヤモンドナノ粒子を固定し、化学気相成長法により、多孔質基材の表層部（表面及びその内部）に導電性ダイヤモンド膜を合成した後、導電性ダイヤモンド膜から多孔質基材を除去することにより得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 シームを形成せず、トレンチ近傍に高い圧縮応力を生じさせることなく、トレンチ内に酸化シリコンを充填することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 トレンチ３０内に酸化シリコン２２が充填された構造を有する半導体装置の製造方法であって、半導体基板５０の表面にトレンチ３０を形成する工程と、トレンチ３０の中心部に隙間５８が形成されるようにトレンチ３０の内面に酸化シリコン層５６を形成する工程と、前記隙間５８にポリシリコン５９を充填する工程と、半導体基板５０を酸化雰囲気下で熱処理して、充填したポリシリコン５９の全体を酸化シリコンに変化させる工程、を有する。 （もっと読む）

【課題】コバルト前駆体の使用効率の高い、化学気相成長によるコバルト膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】上記方法は、オクタカルボニルジコバルトを含むコバルト前駆体を昇華して基体上に供給し、該基体上で該コバルト前駆体をコバルトに変換して基体表面上にコバルト膜を形成する方法において、コバルト前駆体を炭素数５〜８の脂肪族炭化水素、炭素数５〜８の脂環族炭化水素及び炭素数６〜８の芳香族炭化水素よりなる群から選択される少なくとも一種の溶媒に溶解した溶液を準備し、上記基体上に供給されるコバルト前駆体は上記溶液に由来するコバルト前駆体の昇華物であり、そしてコバルト膜形成後のコバルト前駆体の残存率が１２重量％以下であることを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】金属を含む原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行ってスループットを向上させることが可能な処理ガス供給系を提供する。
【解決手段】金属を含む原料ガスを用いて被処理体Ｗに成膜処理を施すための処理容器１４に向けて原料ガスを供給するための原料ガス供給手段７０を有する処理ガス供給系５６において、原料ガス供給手段７０は、処理容器１４に向けて原料ガスを流すための原料ガス通路８８と、原料ガス通路の途中に設けられてピストン運動によって原料ガスを昇圧する昇圧器９０と、昇圧器９０よりも下流側に設けられた供給用開閉弁９２とを備える。これにより、原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】ガスの切り替えの応答性を向上させることが可能なガス導入機構及びこれを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜装置２２の処理容器２４内へ必要な複数種類のガスを導入するためのガス導入機構６２において、処理容器２４に取り付けられるガス導入機構本体６４と、ガス導入機構本体６４に設けられて、複数種類の各ガスを供給するガス通路に接続された複数のガス室６６Ａ〜６６Ｃと、各ガス室６６Ａ〜６６Ｃと処理容器２４内とを連通するようにそれぞれ設けられたガス噴出口６８Ａ〜６８Ｃと、各ガス室６６Ａ〜６６Ｃ内に設けられてガス噴出口６８Ａ〜６８Ｃを開閉する可動蓋７０Ａ〜７０Ｃと、可動蓋７０Ａ〜７０Ｃを駆動する蓋駆動部７２Ａ〜７２Ｃと、蓋駆動部７２Ａ〜７２Ｃを制御する可動蓋制御部７４とを備える。これにより、ガスの切り替えの応答性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤによって形成される窒化チタン障壁層を基板の端縁部を含む半導体表面の上に蒸着させ、その際に、基板の端縁部に蒸着された窒化チタン障壁層の部分の厚さを、蒸着された残りの窒化チタン障壁層の厚さに比較して増大させないようにする、プロセス及び装置を提供する。
【解決手段】基板２の端縁部６に蒸着される窒化チタンの量を抑制するが、そのような蒸着を完全には阻止しないようにする。１又はそれ以上の蒸着抑制ガス６４を、端縁部に向かうプロセスガスの流れ方向とは実質的に反対の方向に、端縁部に向けて流す。これにより、端縁部に蒸着される窒化チタンの量が減少される。蒸着抑制ガスは、基板の下の基板支持台４０に形成された複数の孔５２を通って流れる。これらの孔は、支持台の頂部付近で円周方向に隔置された開口５４を有している。蒸着抑制ガスは、開口を通って、基板の上面の下方の端縁部の付近から出る。 （もっと読む）