【課題】 カーボンナノチューブ配線を用いた集積回路の修正配線形成方法を提供する。
【解決手段】 電子ビーム化学気相成長法で配線修正が必要なところに成長の触媒となる金属を含む微粒子10を堆積し、炭化水素系ガスやエタノールを原料とした化学気相成長法でカーボンナノチューブ配線11を成長させる。配線修正が必要なところへの触媒金属の供給は走査マイクロピペットプローブ顕微鏡による電気化学反応による析出または集束イオンビーム化学気相成長法でも行うことができる。 （もっと読む）

【課題】低コストの表面処理方法を提供して、電子装置の試作等に要するコストを削減する。
【解決手段】エネルギービーム照射手段４１２と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を内部に備える真空処理室４０２と、ガス供給手段と、ガス排気手段と、基板１０を保持可能な基板保持手段４１８と、を備え、基板保持手段４１８で保持された基板１０上に液材を供給する液材供給手段４２２とを備える液材供給室４０４と、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を連絡する搬送路と、上記通路を開閉するゲートバルブと、真空処理室４０２と液材供給室４０４との間を基板１０を搬送可能な搬送手段４３６と、上記真空処理室および上記液材処理室の少なくともどちらか一方に連通する基板搬入口４３８と、を備えることを特徴とする電子装置の製造装置。 （もっと読む）

【課題】 安定したパターン形成を可能にする、導電性パターン形成方法の提供。
【解決手段】
ａ） 金属微粒子、この金属微粒子を分散媒体中で分散状態に維持する分散剤、光酸発生剤及び分散媒体を含む感光性パターン形成用組成物を用意する段階、
ｂ） 前記感光性パターン形成用組成物を基材上に塗布、乾燥して、基材上に前記組成物からなる膜を形成する段階、
ｃ） 段階ｂ）で得られた膜に放射線を照射して潜像を得る段階、
ｄ） 段階ｃ）で得られた潜像を含む膜を熱処理する段階、及び
ｅ） 段階ｄ）からの熱処理した膜を現像液で処理してパターンを得る段階、
を含む、導電性パターン形成方法。 （もっと読む）

薄膜蒸着装置、特に薄膜蒸着装置に薄膜を形成する金属材料を供給する原料ガス供給装置、及び薄膜蒸着の後、残留ガスを処理する残留ガス処理処置を開示する。薄膜蒸着装置の原料ガス供給装置は、薄膜蒸着対象体と所定の離隔間隔で配置され、薄膜を蒸着する薄膜蒸着用チャンバーに金属材料を搬送するための搬送ガスを供給する搬送ガス供給部；前記金属材料を保存し、前記金属材料を昇華させて前記搬送ガスと混合させる原料ガス発生部；及び前記搬送ガス供給部と原料ガス発生部を連結し、搬送ガスと原料ガスを前記薄膜蒸着用チャンバーに移送し、搬送ガスまたは原料ガスを金属材料の昇華点以上に維持するためのヒーターが形成されている搬送ガス注入ライン；を含む。
（もっと読む）

【課題】原料として有機酸銅を用いることにより、微細な凹部を埋め込みつつ銅の薄膜を膜厚の制御性良く、しかも高い成膜レートで堆積させることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜装置２０において、排気可能になされた処理容器２２と、被処理体を載置するための載置台２４と、被処理体を加熱するための加熱手段２６と、処理容器に設けられて、処理容器内へガスを導入するためのガス導入部５６と、ガス導入部へ気体の有機酸銅を供給する原料ガス供給手段６８と、装置全体の動作を制御する装置制御部１００とを備え、被処理体の表面に薄膜として銅膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、電子ビームに露出された後に少なくとも１つの金属材料に分解されることが可能な前駆体材料（１５０、２５０、３５０、４５０）からトランジスタゲート（１６０、２６０、３６０、４６０）を製造するマイクロエレクトロニクス法に関する。本発明は、特に、マルチチャネル、ＦｉｎＦＥＴ、懸架型チャネルトランジスタ、またはＳＯＮもしくはＧＡＡタイプのトランジスタに適合する。
（もっと読む）

【課題】熱処理を行わずに、金属を含有した連続膜を形成する金属含有膜の形成方法を提供する。
【解決手段】水素化アルミニウムリチウムとシクロペンタシランとを含有する液体１２をセル１１内に充填し、液体１２とセル１１の内壁面１１ａとを接触させる。次いで、セル１１の外壁面１１ｂの一領域１１ｂ’にスポットＵＶ照射器１４を密着させて紫外線Ｖを照射することで、領域１１ｂ’の裏面側となる内壁面１１ａの一領域１１ａ’にシリコン膜２１ａと金属膜２１ｂとが順次積層された金属含有膜２１を形成する。 （もっと読む）

【課題】試作段階において、クラックや剥離のない高信頼度な低抵抗配線を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】まず、ＦＩＢによって所定のＬＳＩ配線１１上の絶縁膜１２を加工除去し、ＬＳＩ配線１１の表面を露出する接続穴１３を形成する。続いて、第１のＣＶＤガス雰囲気中でＦＩＢを照射することによって接続穴１３に例えばＷ（タングステン）を埋め込み、ＬＳＩ配線１１と電気的に接続されるコンタクト３を形成する。続いて、ＤＭＡｕ−ＴｆａｃまたはＨｆａｃＣｕ−ｔｍｖｓの第２のＣＶＤガス４雰囲気中でレーザ光５を重畳走査することによって、コンタクト３と電気的に低抵抗で接続されるＡｕまたはＣｕからなる導電性膜６を形成する。 （もっと読む）

【課題】 プロセス全体に要するコストや時間を軽減させ、微粒子をナノオーダで選択的に堆積させつつ、高精度なパターニングを実現する。
【解決手段】 少なくとも微粒子を基板表面に堆積させて構成した薄膜の作製方法において、ナノメータサイズの核をいわゆる起点として照射される光により微粒子の堆積が誘起されることに着目し、ナノメータサイズの核が予め形成された基板表面へ微粒子を堆積させると共に光を照射させ、この照射する光の波長を制御することにより微粒子を選択的に堆積させる。 （もっと読む）

半導体基板（１）の上に金属ケイ化物層（１２，１３，１４，１８，１９）を形成する方法であって、半導体基板（１）は少なくともドーパント領域（５）を含み；ドーパント領域（５）は極浅接合領域を含み；同方法は第１のステップとしてドーパント領域（５）を形成する少なくとも１つの不純物注入処理（IB dopant）を含み；同方法は第２のステップとしてドーパント領域（５）の上に金属ケイ化物層（１２，１３，１８，１９）を形成する少なくとも１つの金属注入処理（IB metal）を含み、さらに同方法は第１および第２のステップより後に実行される第３のステップとしてドーパント領域（５）を活性化し同時に金属ケイ化物層（１２，１３，１４，１８，１９）を形成する低温アニール処理を含む。
（もっと読む）

【課題】 導電膜の修正において、修正箇所周辺における導電膜の連続性を確保する。
【解決手段】 下地層５の表面に形成された第１の導電膜６の端部を緩斜面状に整形する工程と、この緩斜面と下地層５の露出部とに渡って第２の導電膜１０を形成する工程とによって修正を行う。 （もっと読む）

【課題】 多品種の製品を少量生産するのに適した半導体装置及びその製造方法、半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜１０１上にパッド１０２を形成する工程と、前記パッド及び前記絶縁膜の上にパッシベーション膜１０３を形成する工程と、前記パッシベーション膜に、前記パッド上に位置する開口部１０４を形成する工程と、前記開口部内及び前記パッシベーション膜上にバリア金属層１０５を形成する工程と、前記パッドの上方に位置する前記バリア金属層に、金属ガスを供給しながら電子線を照射することにより、前記バリア金属層上にバンプ１５を形成する工程と、前記バンプをマスクとして前記バリア金属層をエッチングすることにより、該バリア金属層を除去する工程と、を具備するものである。 （もっと読む）

【課題】多光子吸収過程を利用した成膜が可能であり、また成膜後の膜質が良好な光気相化学成長法及び光気相化学成長装置を提供する。
【解決手段】原料ガス雰囲気中において、パルス幅が１ｐｓ以下のパルスレーザ光を、開口数ＮＡが０．７を超える対物レンズ１４を用いて被成膜体１３上に照射して、成膜を行う。 （もっと読む）

ｎｍオーダの空中配線を作製することができる製造方法およびその製造装置を提供する。コンピュータパターン描画装置（９）にあらかじめ記憶された３次元位置データとビームの照射位置、照射方向、照射時間に基づきビームを照射し、ビーム励起反応を利用してＣＶＤプロセスにより空中配線（３）を作製する。
（もっと読む）

【課題】 電子ビーム誘起蒸着法を用いてナノ構造を作成する際に途中でナノ構造物を傾けることなく電子ビームの入射軸方向の制御を行うことができることを含め、ナノ構造作成の自由度を高め、応用範囲を広げることのできる新規な、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法を提供する。
【解決手段】 この出願の発明の電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法は、原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子ビームを材料上の所望位置に向かって照射する電子ビーム誘起蒸着法によりナノ構造を作成する方法において、電子ビームの焦点位置を、電子ビームの照射面に対して高さ方向に制御することにより、電子ビームの入射軸方向の制御を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

レーザによりパターン化された基板上に金属を無電解メッキする方法。基板上に熱画像形成層および触媒層がともに被着される。レーザ・ビームで露光すると、熱画像形成層において十分なレベルの放射が熱に変換され、それによって、隣接する触媒層の露光領域が不活性になる。次いで、レーザによりパターン化された基板を反応溶液に暴露し、それによって、触媒層の非露光領域上で金属被膜の成長が開始される。
（もっと読む）