【課題】大きな基板上に形成された薄膜を下側にして上側からレーザ加工する際に、基板の下面が他の部材に接触しない状態で基板の撓みを防止する。
【解決手段】基板２の一方の面に形成された被加工層３にビームを照射して加工するビーム加工装置である。気体を噴出することにより基板を平らに浮かせた状態に支持する気体浮上機構１０と、基板２の一方の面に形成された被加工層３にビームを照射し、被加工層３を加工するビーム照射手段５０とを備える。気体浮上機構１０上に基板２と当該基板２の被加工層３が形成された一方の面を下にして配置する。そして、基板２の他方の面の上側からビーム照射手段５０により基板２を介してビームを被加工層３に照射することにより、当該被加工層３に加工を施す。 （もっと読む）

【課題】大きな基板上に形成された薄膜を下側にして上側からレーザ加工する際に、基板が撓んでいても加工途中に焦点位置を制御せずに高い加工精度での加工を可能とする。
【解決手段】ガラス基板２の一方の面に形成された被加工層３にビームを照射して加工するビーム加工装置である。ビーム照射手段５０の対物光学装置５１は、ベッセルビームを照射するための軸状集光用光学素子５２として円錐形状レンズを備える。ベッセルビームは、軸状集光ビームであり、ビームの径、特に、中心の強度のピークとなる部分の径が円錐形状レンズからの距離が近い範囲では大きく変化しない。したがって、対物光学装置５１に対するビーム照射位置が基板の撓みにより変化しても、それをベッセルビームの焦点深度の範囲内として、加工中に焦点位置を変更するような制御しなくても、高い精度での加工を可能とする。 （もっと読む）

【課題】 導電性パターン部と非導電性パターン部との色相、光線透過率、ヘイズ値の差異を少なくし、導電性パターン部と非導電性パターン部とが明確に視認されることのない導電性パターン被覆体の製造方法および導電性パターン被覆体を提供するものである。
【解決手段】 導電性極細繊維を凝集又は絡み合うことなく分散配置して交差させ、当該交差した部分で互いに電気的に接触させてなる導電性繊維膜を形成する工程と、前記導電性繊維膜の所望の位置にレーザー光線を照射して、前記導電性極細繊維の一部を断線または消失させることにより導電性パターン部を形成する工程と、前記導電性極細繊維を基材表面に固定する工程を、少なくとも備えた導電性パターン被覆体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、熱パターンの適用により、金属酸化物前駆体からの酸化物半導体への転換を、容易にかつ効率よく行うことのできる新しい酸化物半導体を活性層に用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供することにある。
【解決手段】マイクロ波（周波数０．３〜５０ＧＨｚ）を吸収して発熱する発熱源パターンを有する基体と、薄膜を有する基板を接合させ、これにマイクロ波を照射することにより、該発熱源パターンを発熱させ、発熱源パターンに接する基板上の薄膜を発熱源パターン様に熱変換することを特徴とする薄膜の変換方法。 （もっと読む）

【課題】密着性ガードリングを有する積層構造体及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に形成された導電層と、導電層を覆うように形成された絶縁層を有し、基板上に形成された濡れ性変化層において、導電層が複数形成される回路形成領域の周囲を囲むように、高表面エネルギー領域が形成され、高表面エネルギー領域上に絶縁層を形成することにより、濡れ性変化層と絶縁層との間に密着性ガードリング領域が形成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】耐熱性が低い基材上に、ばらつきが少なく、電気抵抗がほぼ均一で、かつ、低抵抗化を実現した配線を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基材上に配置された金属粒子を含む塗布膜に電流を流すことにより前記塗布膜を焼成し、前記金属粒子から形成された配線を得る配線の製造方法が提供される。この製造方法では、前記金属粒子が、金、銀、白金、銅、鉄、パラジウム、スズ、ニッケル、アルミニウム、ジルコニウム、チタンおよびタングステンの金属群から選択された１種の金属、または、前記金属群から選択された２種以上の合金であるのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】電気特性が優れた薄膜トランジスタ、及びそれを有する表示装置、ならびにそれらを作製する方法を提案する。
【解決手段】ゲート電極上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成され、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜と、ドナーとなる不純物元素を含む微結晶半導体膜上に形成される一対のバッファ層と、一対のバッファ層上に形成される一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜と、一導電型を付与する不純物元素が添加された一対の半導体膜上に形成される配線とを有し、微結晶半導体膜におけるドナーとなる不純物元素の濃度は、ゲート絶縁膜側から前記バッファ層にかけて減少し、バッファ層は、ＳＩＭＳの検出限界より多くのドナーとなる不純物元素を含まない薄膜トランジスタである。 （もっと読む）

【課題】簡易な版を用いて、高精細なパターンを有する電子装置を製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電子装置の製造方法は、版１０の平坦な面に液体層３０ａを形成する工程と、凹凸パターンが形成された基板２０を準備する工程と、基板２０の凹凸パターンと版１０の液体層３０ａとを接触させた後、基板２０と版１０とを分離し、液体層３０ａを凹凸パターンの凸部に転写する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】マイクロコンタクトプリント法において、版のパターンサイズよりも細いパターンを形成することのできる、電子装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる電子装置の製造方法は、凸部２２を有する版２０を形成する第１工程と、凸部２２の上に液体層を形成する第２工程と、液体層の一部を除去して凸部２２の上面の一部を露出させる第３工程と、液体層３０を基板４０に転写する第４工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】液組成物塗膜の状態を安定させて、微細で精密なパターンを再現性よく安定して形成することが可能なパターン形成方法および電子素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１版１０上に液組成物を塗布することで、導電性膜Ｄを形成するとともに、第１版１０を加熱する第１工程と、表面側に凹凸パターン形状を有する第２版２０を、第１版１０の導電性膜Ｄの形成面側に押圧し、第２版２０の凸部２０ａの頂面に、導電性膜Ｄの不要なパターンを転写して除去することで、第１版１０上に導電性パターンＤ’を形成する第２工程と、第１版１０の導電性パターンＤ’の形成面側を、被転写基板の表面に押圧することで、被転写基板の表面に導電性パターンＤ’を転写する第３工程とを有し、上記液組成物は、加熱された第１版１０の表面温度において１３３Ｐａ以下の蒸気圧を示す溶媒を含有してなることを特徴とするパターン形成方法および電子素子の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスおよびコンポーネントに用いる基板上に、機能材料のパターンを形成する方法を提供する。本方法は、レリーフ構造を有するスタンプを用いて、マスキング材料を基板に転写させて、基板上に開口領域のパターンを形成する。機能材料は、少なくとも開口領域において基板に適用される。接着材料と基板の反対側の外側表面との接触および基板からの接着剤の分離により、基板上に機能材料のパターンが形成される。本方法は、電子デバイスおよびコンポーネントのマイクロ回路の製造に好適である。
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【課題】高スループットで高連続処理性を有し、さらには離型性が極めて良好であって、モールドの破損が生じにくく、低コストで加工が可能な微細形状転写を可能にする。
【解決手段】所定のパターン形状で凹部１ａと凸部１ｂとが形成されたモールド１の前記凸部１ｂと、加工対象膜２を有する基板３とを密着させ、モールド１側からレーザ光４を照射してモールド１の前記凹部１ａにおける加工対象膜２を昇華させて除去し、モールド１を基板３から離す。この状態でモールド１の凹部１ａに対応した加工対象膜２ａは除去され、また除去された加工対象膜２の残骸物５はモールド１の凹部１ａに一部が堆積する。一方、モールド１の凸部１ｂに対応した加工対象膜２ｂは残る。これにより所定のモールドパターンを加工対象膜２に転写することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、より確実に半導体材料層また電極や配線パターン、特に、高精度なパターニングが要求されるソース、ドレイン電極のパターンを形成する方法を提供することにあり、更に電極パターンと共に移動度が高い半導体チャネルを高精度、再現性よく形成する方法を提供することにある。
【解決手段】基板上にパターン化された導電層を形成する導電パターン形成方法において、基板に対する導電層の接着性を高める接着層を基板表面上にパターン化する工程、
前記接着層が形成された表面、及び接着層が形成されていない基板表面の一部に導電層を形成する工程、前記接着層が形成されていない基板表面上に形成された導電層のみを除去する工程、からなることを特徴とする、導電パターン形成方法。 （もっと読む）

【課題】めっき層の形成速度を著しく向上させることができると共に、被めっき材のめっき領域のみに、ムラなく、均一に精度よくめっき層を選択的に形成することができる無電解めっき方法を提供する。
【解決手段】被めっき材の非めっき領域に有機錯化剤を付着させ、前記被めっき材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき材のめっき領域にめっき層を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法を提示する。また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板上に第１の層を形成し、第１の層上に光吸収層を形成し、光吸収層上に透光性を有する層を形成し、透光性を有する層側から光吸収層に選択的にレーザビームを照射する。光吸収層がレーザビームのエネルギーを吸収することで、光吸収層内における気体の放出、光吸収層の昇華または蒸発等により、光吸収層の一部および光吸収層に接する透光性を有する層の一部を除去する。残存する透光性を有する層または光吸収層をマスクとして用いて、第１の層をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層を所望の場所で所望の形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束を同時に方向制御して水平方向に形成し、そのカーボンナノチューブ束を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に形成された絶縁膜２と、絶縁膜２の上表面に沿って延びているカーボンナノチューブ束４と、絶縁膜２に形成された開口部と、開口部内に露出する基板１の一部の領域であって開口部の側壁寄りに形成された触媒層３とを有し、絶縁膜２の上表面に沿って延びているカーボンナノチューブ束４は屈曲し、その一端が触媒層３と接触し、かつそのカーボンナノチューブ束４はチャネルを構成している。 （もっと読む）

本発明は、電子ビームに露出された後に少なくとも１つの金属材料に分解されることが可能な前駆体材料（１５０、２５０、３５０、４５０）からトランジスタゲート（１６０、２６０、３６０、４６０）を製造するマイクロエレクトロニクス法に関する。本発明は、特に、マルチチャネル、ＦｉｎＦＥＴ、懸架型チャネルトランジスタ、またはＳＯＮもしくはＧＡＡタイプのトランジスタに適合する。
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導電層または層スタックを圧縮性層または層スタック上に形成し、エンボス加工工具に接触させる方法により、デバイスを製作する。エンボス加工工具の隆起部分によって圧縮性層またはスタックが圧縮され、導電層またはスタックが圧縮性層またはスタックに埋め込まれる。
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金層(20)が金酸化物マスク(30)でパターニングされる。前記マスクは、酸によってパターニングされ、好適にはマイクロコンタクトプリントによってパターニングされる。金酸化物マスク(30)は、金層(20)用のアルカリエッチング溶液中で安定である。金酸化物マスク(30)は、再曝露可能な金パッド(20)を形成するように維持されて良い。
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【課題】孔径、孔の密度が自由に制御でき、安価で簡便であり、有機化合物半導体にも適用が可能な低温で製造される、多孔薄膜堆積基板を提供する。さらには、この方法により得られた多孔薄膜堆積基板を利用して、均一で十分に小さいゲート孔を有し、動作電圧が低く、周波数特性にすぐれ、スイッチング特性が良好なスイッチング素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に静電荷を有する基板表面上に、前記基板表面の静電荷と逆の表面静電荷を付与した微粒子を設置させ、該微粒子設置基板上に少なくとも１層の薄膜を堆積した後、該微粒子を除去し、前記基板上に微細多孔を形成することを特徴とする多孔薄膜堆積基板。
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