本発明は、表面のパターン処理の方法、および制御された析出成長物を用いたビアの製造、ならびにそのような本発明による方法によって調製されたパターン化された基板に関する。本発明による方法は、上部に材料をパターン化する必要のある、少なくとも一つの表面を有する基板を提供するステップであって、前記表面は、異なる表面特性を有する少なくとも第1および第2の表面領域を有し、前記第1の領域には、さらに保護析出成長物が設置されるステップと、少なくとも前記第2の表面領域に、少なくとも一つの材料を設置するステップであって、前記設置された材料は、前記第1の表面領域には実質的に設置されないか、前記第1の表面領域に設置される場合、前記設置された材料は、前記第1の表面領域から選択的に除去されるステップと、を有する。
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【課題】本発明は、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層との間のオーミックコンタクトを可能にしながら、優れた接触抵抗特性を有する、有機薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。また、前記有機薄膜トランジスタを含む平板表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例による有機薄膜トランジスタは、基板上に形成されたソース電極及びドレイン電極、有機半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極を含み、ソース電極及びドレイン電極と有機半導体層との間に伝導性高分子物質を含むキャリア中継膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 基板に段差や表面特性の異なる部分がある場合であっても、形成されるパターンに断線等を生じさせないパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】 まず、段差部９や表面特性の異なる部分の境界部Ｂ（段差部９等という）を除く基板の表面に液滴を配置し、この段差部９等の前後に第１の膜パターン７１ａを形成する。続いて、段差部９等に液滴７２を配置して、前後の第１の膜パターン７１ａに跨る第２の膜パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】フェムト秒レーザーを用いて薄膜を蝕刻することによって工程の単純化及び生産性の向上が図られる薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成する段階と、この薄膜上部にパターン形状が定義されたマスクを整列する段階と、このマスクに定義されたパターン形状を有するように前面にフェムト秒レーザーを照射して薄膜を選択的に除去する段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を簡素化することできると共に、工程数を増加させずに特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁性ダイヤモンド基板１上にギャップ層２を形成し、その両側に導電性ダイヤモンド層３ａ及び３ｂを形成する。その後、ギャップ層２を溶解除去し、基板１並びに導電性ダイヤモンド層３ａ及び３ｂの一部を覆うように高抵抗ダイヤモンド層４を形成する。次に、高抵抗ダイヤモンド層４上にゲート絶縁膜５を形成し、ゲート電極形成予定領域とソース電極形成予定領域との間及びゲート電極形成予定領域とドレイン電極形成予定領域との間に保護膜６ａ及び６ｂを形成する。そして、これらを覆うように金属電極層７を形成した後、この金属電極層７におけるソース電極８、ドレイン電極９及びゲート電極１０となる部分以外の部分を収束イオンビームにより除去する。 （もっと読む）

【課題】略規則性をもって配列されたチャネル形成領域構成微粒子と有機半導体分子との結合を有するチャネル形成領域を備えた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】電界効果型トランジスタは、ソース／ドレイン電極１４、チャネル形成領域１５、ゲート絶縁層１３及びゲート電極１２を備え、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４間に位置する支持体１１の部分とチャネル形成領域１５との間には、下地層３０が形成され、下地層３０は電気的絶縁材料から成る下地層構成微粒子３１が略規則性をもって配列されて成り、チャネル形成領域１５は、導体又は半導体から成るチャネル形成領域構成微粒子２１と、該チャネル形成領域構成微粒子２１と結合した有機半導体分子２２とによって構成された導電路２０を有し、下地層３０の微粒子配列状態に基づき、チャネル形成領域構成微粒子２１が略規則性をもって配列されている。 （もっと読む）

【課題】 ダマシン構造のゲート電極を備えたＭＩＳ型ＦＥＴにおいて、高い電流駆動能力と低消費電力とを有するＭＩＳ型ＦＥＴの製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１の表面部にソース／ドレイン拡散層（１４，１５）を形成し、その表面にシリサイド層１７を形成する。そして、ゲート側壁（１２，１３）で区画されたゲート開口溝２０底部のシリコン基板１表面に、５５０℃以下の温度で界面層２１を形成し、ゲート開口溝２０内、界面層２１および層間絶縁膜１９を被覆するようにＨｉｇｈ−ｋ膜２２を堆積させ、酸化性雰囲気中５５０℃以下の温度での熱処理を施す。そして、全面を被覆する導電体膜２３およびメタル膜２４を形成した後、ＣＭＰ法により層間絶縁膜１９上の不要部分を研磨除去しダマシン構造のメタルゲート電極を備えたＭＩＳ型ＦＥＴを形成する。 （もっと読む）

【課題】 水素終端技術を用いて高い変換効率を有する太陽電池を量産することができる太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の極性を有するシリコン基板の一方の面上に第１の電極を形成する工程と、第１の電極の形成後にシリコン基板の他方の面に水素プラズマを照射する工程と、水素プラズマの照射後にシリコン基板の他方の面上に第２の電極を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法である。ここで、第２の電極の形成時におけるシリコン基板の温度が、第１の電極の形成時におけるシリコン基板の温度よりも低いことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜に形成された凹部に埋め込んだ銅配線の表面をパラジウム置換めっきするにあたり、銅配線の表面がエッチングされることを抑え、良好な電気特性を長期に亘り維持可能な半導体装置を製造すること。
【解決手段】 絶縁膜例えばＳｉＯＣ膜２１をエッチングすることにより形成した凹部２００に銅を埋め込んで銅配線２５を形成した後、カルボキシル基を有する有機酸溶液にパラジウムを溶かしてなる置換めっき液を用いて前記凹部２００に埋め込まれた銅配線２５の表面をパラジウム置換めっきする。そしてパラジウム膜２６が形成された銅配線２５の表面に無電解めっき液を用いて密着層２７を形成する構成とする。この場合、有機酸を選択したことにより、パラジウム置換めっき時に銅配線２５がエッチングさせることを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】 直接描画プロセスを用いて、オン電流や動作速度の高い半導体素子を備えた表示装置を得ることを目的とする。
【解決手段】 ゲート電極を覆うように絶縁膜を形成し、絶縁膜表面の少なくともゲート電極又は配線の一部と重なる領域に有機溶剤を塗布し、絶縁膜表面に、有機溶剤が塗布され且つ残存する領域から有機溶剤が塗布されない領域にわたり、導電性の微粒子が有機溶媒に分散した流動体を液滴吐出法により吐出させた後、流動体を焼成して硬化させることによってソース及びドレイン電極を形成し、ソース及びドレイン電極間に挟まれた湾曲部において絶縁膜と接すると共にソース及びドレイン電極と接するように半導体膜を形成する。有機溶剤は、絶縁膜表面における流動体のぬれ性を高めるために塗布され、湾曲部を介して隣り合う、ソース及びドレイン電極それぞれの端部は、一方は凹状に湾曲し他方は凸状に湾曲して形成される。 （もっと読む）

【課題】同一の半導体基板上に、２種類以上のゲート絶縁膜及びゲート電極を有するＭＩＳ型トランジスタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の第１のＮＭＩＳトランジスタ形成領域AreaAには、ハフニウム酸化膜のような金属酸化膜からなるゲート絶縁膜２１ａとタングステン膜のような金属膜からなるゲート電極２２ａを有する第１のＮＭＩＳトランジスタを形成する。また、半導体基板１１の第２のＮＭＩＳトランジスタ形成領域AreaCには、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜１３とポリシリコン膜のような半導体材料からなるゲート電極１４ｃを有する第２のＮＭＩＳトランジスタを形成する。ゲート電極２２ａは、ゲート電極１４ｃと同時に形成した第１のダミーゲート電極１４ａを除去して設けられたゲート電極形成用開口２０ａ内に金属膜を埋め込んで形成されたダマシン構造を有する。 （もっと読む）

【課題】 配線及びコンタクトを微細化しながら活性領域の増大を抑制して、配線と活性領域とのコンタクトを良好に保つ。
【解決手段】 半導体装置では、配線Ｍ１乃至Ｍ３がＹ方向に平行して設けられ、配線直下に活性領域ＳＤＧが設けられ、配線Ｍ２が第１のコンタクトＣ１及び第２のコンタクトＣ２を介して活性領域ＳＤＧと接続されている。第１のコンタクトＣ１は、配線Ｍ２よりも幅の広い活性領域ＳＤＧ内に、第１のコンタクトと活性領域との余裕Ｚだけ内側に設けられ、開口部にコンタクトプラグ６が埋設されている。配線Ｍ２内に設けられた第２のコンタクトＣ２は、第１のコンタクトＣ１上に第１のコンタクトＣ１と接して設けられ、Ｘ方向の寸法Ｘ１が第１のコンタクトＣ１及び配線Ｍ２よりも第２のコンタクトと配線の余裕Ｗの２倍分だけ小さく、且つＹ方向の寸法Ｙ１が第１のコンタクトＣ１よりも大きく、活性領域ＳＤＧの外側まで設けられている。 （もっと読む）

【課題】 電界効果トランジスタの製造において、フォトリソグラフィーによって電極を形成するとゲート電極とソース／ドレイン電極間に位置ずれが生じる。
【解決手段】 頂上部のみが分離するように斜面上に活性層と絶縁層を形成する工程と、谷部および前記頂上部に電極を形成する工程を少なくとも含むことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 十分なエレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、絶縁材料からなる第１の層間絶縁膜が形成されている。第１の層間絶縁膜をビアホールが貫通する。ビアホール内に、銅または銅を主成分とする合金からなる導電プラグが充填されている。第１の層間絶縁膜の上に、絶縁材料からなる第２の層間絶縁膜が形成されている。第２の層間絶縁膜に、導電プラグ上を通過して導電プラグの上面を露出させる配線溝が形成されている。配線溝内に、銅または銅を主成分とする合金からなる配線が充填されている。導電プラグ中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計が、配線中の炭素、酸素、窒素、硫黄、及び塩素の原子濃度の合計よりも低い。 （もっと読む）

【課題】
透明性と導電性を兼ね備えたＩＴＯ透明伝導膜を、塗布法、特にインクジェット印刷法により形成するのに適した透明伝導膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】
透明伝導膜形成用塗布液を、ＡｃＡｃＩｎ、錫化合物、セルロース誘導体、アルキルフェノ−ル及び／又はアルケニルフェノール、二塩基酸エステル及び／又は酢酸ベンジル、ジエチレングリコール誘導体を含み、ＡｃＡｃＩｎと錫化合物との合計含有量を１〜３０重量％、セルロース誘導体の含有量を５重量％以下の組成とすることで、インクジェット印刷に適した低粘性の透明伝導膜形成用塗布液を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】粘稠性を有する液状やペースト状等の流動性物質を、付着対象となる基材の表面に対し所定の位置に正確に、かつ予め設定した一定量を所定の形状に正確に付着させることができる付着方法を提供する。
【解決手段】基材表面における付着位置及び形状に対応する孔５を明けたシート状物３を用い、このシート状物３を付着すべき基材の表面に貼り付け、この状態で導電性インク６等の流動性物質を孔５にしごくようにして詰め入れて保持させ、その後、流動性物質を基材表面に残してシート状物３を除去することにより、流動性物質を基材表面の所定の位置に付着させる。 （もっと読む）

【課題】 周辺回路の分離酸化膜上にエッチング残渣を発生させることなく、高いカップリング比を有するメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置を製造する。
【解決手段】 上面が基板１表面よりも高い分離酸化膜６を基板１に形成する。次に、分離酸化膜６間の基板１上にシリコン酸化膜７を形成する。そして、分離酸化膜６間のシリコン酸化膜７上にポリシリコン膜８を自己整合的に形成する。周辺回路を覆うレジストパターン９を形成した後、メモリセルにおける分離酸化膜６を所定の膜厚だけエッチングする。基板１全面にＯＮＯ膜を形成し、メモリセルを覆う第２レジストパターンを形成した後、周辺回路におけるＯＮＯ膜とポリシリコン膜８とシリコン酸化膜７とを除去する。 （もっと読む）

【課題】 ナノインプリント法を用いることでコストを抑えることができる、半導体装置の作製方法の提案を課題とする。
【解決手段】 本発明は、島状の半導体膜上にゲート絶縁膜と、導電膜と、レジストとを順に形成し、パターンが形成されたモールドをレジストに押し付けた状態でレジストの硬化を行なうことで、パターンをレジストに転写し、導電膜の一部が露出するまでパターンが転写されたレジストの表面をアッシングし、アッシングされたレジストをマスクとして用い、導電膜をエッチングすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 機械的強度に優れると共に、低抵抗であって且つ絶縁膜に対する密着性の高いバリアメタル膜を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板（１）上に形成された絶縁膜（６）と、絶縁膜（６）中に形成された埋め込み金属配線（１０）と、絶縁膜（６）と金属配線（１０）との間に形成されたバリアメタル膜（Ａ１）とを備えた半導体装置において、バリアメタル膜（Ａ１）は、絶縁膜（６）が存在している側から金属配線（１０）が存在している側へ向かって順に積層されている金属酸化物膜（７）、金属化合物膜（８）及び金属膜（９）よりなる。金属化合物膜（８）の弾性率は、金属酸化物膜（７）の弾性率よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）