【課題】電界効果トランジスタにおいて、フィールドプレート終端での高電界の集中を緩和し、もって高耐圧半導体装置として利用可能とする。
【解決手段】本電界効果トランジスタ３０は、ＧａＮ系エピタキシャル基板３２の電子走行層上に、ゲート電極３８を挟んで配置されたソース電極３４及びドレイン電極３６を備え、ゲート電極３８の上部に、ドレイン電極３６側及びソース電極３４側に庇状に突き出したフィールドプレート４０が形成され、基板３２の表面層とフィールドプレート４０との間に誘電体膜４６が形成され、誘電体膜４６は、フィールドプレート４０のドレイン電極３６側及びソース電極３４側の終端面と面一状態となるように切れ込み、ドレイン電極３６側の下端からドレイン電極３６に接続するようにドレイン電極３６に向かって延びており、且つ、ソース電極３４側の下端からソース電極３４に接続するようにソース電極３４に向かって延びている。 （もっと読む）

【課題】有機トランジスタの大電流および高速スイッチングを達成するために、ゲート絶縁体材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、溶液から有機半導体層３を堆積させる工程、および溶液から低誘電率絶縁材料の層を堆積させて、その低誘電率絶縁材料が有機半導体層３と接触するようにゲート絶縁体２の少なくとも一部を形成する工程を含む有機トランジスタを形成する。低誘電率絶縁材料の比誘電率が１．１から３．０未満までである。 （もっと読む）

【課題】基板の表面粗度によらず膜表面が平坦であり、信頼性が高く、製造コストを低減させた薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性のプラスチック基板１０上に、ゲート電極１１、ゲート絶縁層１２、半導体活性層１３、ソース電極１４、及びドレイン電極１５を順次形成するボトムゲート型薄膜トランジスタ１の製造方法である。ゲート絶縁層１２は、プラスチック基板１０上に下部層１２ａと該下部層１２ａ上に積層された少なくとも一層以上の上部層１２ｂとがこの順で形成されてなり、下部層１２ａは、炭素含有酸化シリコンを含む材料からなり、下部層１２ａの炭素濃度が、１５atm％以上４０atm％以下となるように真空紫外光ＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁性が高く、かつ均一な膜厚を有するゲート絶縁膜を効率よく形成することができる電界効果型トランジスタの製造方法、及び該電界効果型トランジスタの製造方法により製造され、安定した特性を有する高性能な電界効果型トランジスタの提供。
【解決手段】前記第一の基材上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、第二の基材上にゲート絶縁膜形成用樹脂溶液を塗布し、ゲート絶縁膜を形成する塗布工程と、前記ゲート絶縁膜表面の流動性が消失するまで乾燥する乾燥工程と、前記ゲート電極と、前記ゲート絶縁膜表面とを接触させて接触体を形成する接触工程と、前記接触体に対し、ゲート絶縁膜形成用樹脂のガラス転移温度以上の熱を加える加熱工程と、前記接触体から前記第二の基材を剥離し、第一の基材上にゲート絶縁膜を形成する剥離工程とを少なくとも含む電界効果型トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】第１のＭＩＳトランジスタの閾値電圧が高くなることを防止する。
【解決手段】半導体装置は、第１，第２のＭＩＳトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２を備えている。第１，第２のＭＩＳトランジスタは、第１，第２の活性領域１０ａ，１０ｂ上に形成され、第１，第２の高誘電率膜１３ａ，１３ｂを有する第１，第２のゲート絶縁膜１３Ａ，１４Ｂと、第１，第２のゲート絶縁膜上に形成された第１，第２のゲート電極１８Ａ，１８Ｂとを備えている。第１のゲート絶縁膜１３Ａと第２のゲート絶縁膜１４Ｂとは、第１の素子分離領域１１Ｌ上において分離されている。第１の素子分離領域１１Ｌを挟んで対向する第１の活性領域１０ａの一端と第２の活性領域１０ｂの一端との距離をｓとし、第１の活性領域１０ａの一端から第１の素子分離領域１１Ｌ上に位置する第１のゲート絶縁膜１３Ａの一端までの突き出し量をｄ１としたとき、ｄ１＜０．５ｓの関係式が成り立っている。 （もっと読む）

【課題】不純物高濃度層２と不純物低濃度層４が積層されており、不純物低濃度層４内に欠陥６ａ，６ｂ等が形成されている半導体基板５から、リーク電流が流れにくいショットキーダイオード１５を製造する。
【解決手段】 不純物低濃度層４に欠陥６ａ，６ｂが存在する部位にのみ、絶縁層８ａ，８ｂを形成し、その上にショットキー電極１２を形成する。欠陥６ａ，６ｂを除去しないことから簡単な製造工程を採用できる。絶縁層８ａ，８ｂで絶縁することから、欠陥６ａ，６ｂがあってもリーク電流が流れない。特性のすぐれたショットキーダイオード１５を安価に製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板上にゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、ゲートスタックのＶ_Ｔ値を容易に調整することができる方法を提供する。
【解決手段】ゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法は、第１の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物であるゲート誘電体層を半導体基板上に形成するステップと、第２の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物である誘電体Ｖ_Ｔ調整層を形成するステップと、ゲート誘電体層およびＶ_Ｔ調整層の上にゲート電極を形成するステップと、を含み、前記ゲートスタックの実効仕事関数が、誘電体Ｖ_Ｔ調整層の厚さおよび組成を調整することによって所望の値に調整され、第２の電気陰性度が、第１の電気陰性度およびＡｌ_２Ｏ_３のいずれよりも高い。 （もっと読む）

システム及び方法が、電圧切り換え可能な誘電体材料に１つ以上の材料を付着させることを含む。特定の態様では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、導電バックプレーン上に配置される。いくつかの実施形態では、電圧切り換え可能な誘電体材料が、付着に関する特性電圧が相違する複数の領域を含む。いくつかの実施形態は、マスキングを含み、取り除くことが可能なコンタクトマスクの使用を含むことができる。特定の実施形態は、電気グラフトを含む。いくつかの実施形態は、２つの層の間に配置される中間層を含む。 （もっと読む）

【課題】基板とめっき層との密着性に優れた積層体、その製造方法、積層体を備える薄膜トランジスタ、積層体を備えるプリント配線基板を提供する。
【解決手段】
積層体１では、基板２上にシリカ層３および有機層４を介し、めっき層５が形成されている。シリカ層３はポリシラザンを前駆体として形成されているので、基板２との密着性が良好で、上面に無数の微細な凹凸が存在するシリカ層３が形成される。有機層４は、シリカ層３の上面の凹凸によって発現するアンカー効果により、シリカ層３と強固に結合する。また、有機層４の上面には、シリカ層３の上面の無数の微細な凹凸を反映して凹凸が形成されるので、めっき層５と有機層４とは、化学的もしくは電気的な結合に加え、アンカー効果により強固に結合される。よって、シリカ層３および有機層４を介して基板２上に形成されるめっき層５の基板２に対する密着性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 金属膜やＨｉｇｈ−ｋ膜の膜質の劣化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 第１の薄膜２上に、第１の薄膜２とは異なる第２の薄膜３を形成し、第２の薄膜３上に、第２の薄膜３とは異なる膜からなる犠牲膜５を形成し、犠牲膜５をエッチングにより所望の間隔を持つパターンに加工し、犠牲膜パターンを形成し、シリコン含有プリカーサー、酸素含有ガスを基板上に間欠的に供給して、犠牲膜パターンにシリコン酸化膜６を被覆し、シリコン酸化膜６をエッチングにより犠牲膜５の側壁上に側壁スペーサー６ａを形成し、犠牲膜５を除去し、側壁スペーサー６ａをマスクとして用いて第１の薄膜２および第２の薄膜３を加工する。 （もっと読む）

【課題】半導体を高濃度の硝酸の蒸気および／または溶液に接触させる処理で、短時間に、前記半導体表面に高品質の二酸化シリコン膜の生成を実現する。
【解決手段】被処理用シリコンを濃度７０ｗｔ％の硝酸の加熱溶液から発生させた蒸気中で数秒、および／またはその加熱硝酸溶液で１０分程度接触させて、前記シリコンの表面に膜厚約１．３９ｎｍの酸化膜を形成した。この被膜は、リーク電流性能が（１Ｖ印加時）０．６Ａ／ｃｍ^２であり、同膜厚換算のオキシナイトライド膜の以下のレベルを実現できた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、一つの実施形態において半導体デバイスを形成する方法を提供する。
【解決手段】該方法は、第一導電型領域および第二導電型領域を包含する基板を用意するステップと、基板の第一導電型領域および第二導電型領域の上のゲート誘電体とＨｉｇｈ−ｋの該ゲート誘電体上を覆う第一金属ゲート導体を包含するゲート・スタックを形成するステップと、第一金属ゲート導体の第一導電型領域中に所在する部分を除去して、第一導電型領域中に所在するゲート誘電体を露出するステップと、基板に対し窒素ベース・プラズマを印加するステップであって、窒素ベース・プラズマは、第一導電型領域中に所在するゲート誘電体を窒化し、第二導電型領域中に所在する第一金属ゲート導体を窒化する、該印加するステップと、少なくとも第一導電型領域中に所在するゲート誘電体上を覆う第二金属ゲート導体を形成するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 絶縁ゲート電界効果トランジスタ（１１０，１１４又は１２２）のゲート誘電体層（５００，５６６又は７００）は、垂直濃度分布を有する窒素を含有している。
【解決手段】 該垂直濃度分布は、上側に位置しているゲート電極（５０２，５６８又は７０２）内のボロンが該ゲート誘電体層を介して下側のチャンネルゾーン（４８４，５５４又は６８４）内に著しく浸透することを防止し同時に該ゲート誘電体層から下側に存在する半導体ボディ内への窒素の移動を回避するために特別に調整されている。該チャンネルゾーン内の不所望のボロンから及び該半導体ボディにおける不所望の窒素から発生する場合がある損傷は実質的に回避される。 （もっと読む）

【課題】半導体または誘電体と、金属との界面において、接合する金属の実効仕事関数を最適化することを可能にするとともに、抵抗を可及的に低くすることを可能にする。
【解決手段】半導体膜４ａと、半導体膜上に形成された酸化膜６ｂと、酸化膜上に形成された金属膜１２ａと、を備え、酸化膜がＴｉ酸化膜であって、酸化膜に、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の厚さが異なるトランジスタを有する半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】シリコン基板１上に高耐圧絶縁膜ＩＨ１を形成した後、高耐圧絶縁膜ＩＨ１の表面を削って膜厚を薄くし、高耐圧絶縁膜ＩＨ１と隣接するようにして中耐圧絶縁膜ＩＭ１を形成する。高耐圧絶縁膜ＩＨ１は、熱酸化法によって、シリコン基板１の主面より内側から外側に至るようにして形成し、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は高耐圧絶縁膜ＩＨ１より薄くなるようにして形成する。高耐圧絶縁膜ＩＨ１は高耐圧ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜として、中耐圧絶縁膜ＩＭ１は中耐圧ＭＩＳトランジスタのゲート絶縁膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】高耐圧に対応しつつ小型化を容易に行い、昇圧及び降圧回路等の種々の用途に使用することができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成された第１のウエル及び第２のウエルと、第１のウエルに形成された複数の高耐圧ＭＯＳトランジスタと、第２のウエルに形成された低耐圧ＭＯＳトランジスタと、を有し、複数の高耐圧ＭＯＳトランジスタが、低耐圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも厚いゲート絶縁膜を備える第１の高耐圧ＭＯＳトランジスタと、第１の高耐圧ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄いゲート絶縁膜を備える第２の高耐圧ＭＯＳトランジスタと、からなること。 （もっと読む）

【課題】本発明は、裏面コンタクト電極と拡散層とのコンタクト抵抗が低減して、半導体装置の動作速度の向上を図ることを可能にする。
【解決手段】基板１０の表面側に形成された拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎと、前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎの表面に形成されていて前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎよりも抵抗が低い低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎと、前記基板１０の裏面側より前記基板１０を貫通して前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎを通して前記低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎに接続された裏面コンタクト電極６３Ｐ、６４Ｐ、６３Ｎ、６４Ｎを有する。 （もっと読む）

【課題】従来の電界効果型トランジスタでは、ソース領域およびドレイン領域に形成する高濃度不純物のイオン注入工程によりアモルファス化される半導体基板表面が、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、活性化熱処理により結晶欠陥を誘発し、電界効果型トランジスタの信頼性を著しく低下させる問題があった。
【解決手段】本発明の電界効果型トランジスタは、ソース領域およびドレイン領域を構成する部分の上部に緩衝膜を設けることで、高濃度不純物のイオン注入を行っても、この領域の半導体基板表面がアモルファス化することを防ぐことができる。これにより、低濃度不純物拡散領域と高濃度不純物拡散領域との境界部において、再結晶化による結晶欠陥の発生を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】優れた電気伝導特性を安定して示すカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを再現性よく製造することができる方法を提供すること。
【解決手段】まず、ＬＯＣＯＳ法によりシリコン基板のコンタクト領域に酸化シリコン膜を形成する。次いで、シリコン基板のチャネル領域に、コンタクト領域の酸化シリコン膜よりも薄い絶縁膜を形成する。次いで、シリコン基板上にチャネルとなるカーボンナノチューブを配置した後、カーボンナノチューブを保護膜で被覆する。最後に、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれ形成して、ソース電極およびドレイン電極をそれぞれカーボンナノチューブに電気的に接続させる。このようにして製造された電界効果トランジスタは、チャネルとなるカーボンナノチューブが汚染されていないため、優れた電気伝導特性を安定して示す。 （もっと読む）

【課題】容易に製造することができ、トランジスタの性能を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にゲート絶縁膜２及びゲート電極３が形成されている。半導体基板１の表面の、平面視でゲート電極３を挟む位置に２個の不純物拡散層４が形成されている。２個の不純物拡散層４の表面に、ゲート絶縁膜２と半導体基板１との界面より低くなった掘り込み部６が設けられている。更に、半導体基板１のゲート絶縁膜２下の領域（チャネル）に応力を付加する応力付加膜が、少なくとも掘り込み部６内に位置している。 （もっと読む）