【課題】 ＨＢＴとＦＥＴを１チップに集積化する際、ＨＢＴのエミッタキャップ層をＦＥＴのチャネル層としており、ＦＥＴのピンチオフ性が悪く相互インダクタンスｇｍが低い。また、複数回のイオン注入、アニール、ベースペデスタルの形成、さらには２回のエピタキシャル成長を行うなど製造工程が複雑であった。
【解決手段】 ＨＢＴのエミッタ層とＦＥＴのチャネル層を、同一のｎ型ＩｎＧａＰ層とする。また、ＨＢＴのベース層であるｐ＋型ＧａＡｓ層を、ＦＥＴのｐ型バッファ層として利用する。これにより、ＦＥＴのピンチオフ性が良好となり相互インダクタンスｇｍを高めることができる。またエピタキシャル成長が１回で、イオン注入、アニール工程も不要のため製造工程も簡素化でき、ウエハコストも低減できる。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性に優れた半導体材料を使用可能で、生産性に優れた半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】リン化インジウム材料に高濃度のシリコンをドーピングしたサブコレクタ層１２上にパッシベーション層１４が形成される。パッシベーション層１４の一部をエッチングにより除去して接触領域を露出させる。露出させた接触領域にエネルギー照射を行い、エネルギー照射を行った部分に低抵抗のオーム接触金属５１を堆積する。その後、フォトレジスト２１、２２を、フォトレジスト２２上に堆積した金属５１と共に除去する。エネルギー照射としては、不活性材料を使用したスパッタリング処理、化学的に活性を有するイオンを使用したスパッタリング処理、イオンミリング、及びプラズマエッチングのうちのいずれかを利用できる。 （もっと読む）

【課題】 高性能な半導体装置を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１上に素子分離膜３に周囲を囲まれた活性領域２ａを設ける。活性領域２ａの上に、ベース層として機能するＳｉＧｅ合金層４およびエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を設ける。ＳｉＧｅ合金層４およびｎ型拡散層５は、シリコン酸化膜からなる側壁膜６で囲われる。ｎ型拡散層５の上の多結晶シリコン膜７およびシリサイド膜８は、ｎ型拡散層５、側壁膜６、及び素子分離膜３にまたがって設けられる。尚、多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられる。そして層間絶縁膜１０を設けて平坦化した後、素子分離膜３の上のシリサイド膜８に接続するように、エミッタ層（ｎ型拡散層５）につながるエミッタ引き出し電極２１を形成する。ここで、エミッタ引き出し電極２１は、一方の素子分離膜３の上から活性領域２ａの上を通って反対側の素子分離膜３の上にまで連続して設けられた多結晶シリコン膜７の両側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】低ベース抵抗、低容量であり、また寄生的な損失が低減されているバイポーラトランジスタの殊に簡単かつ廉価な製造方法を提供する。
【解決手段】基板の表面領域をドープし、第１のドーピング部を有するアクティブなエミッタ領域を形成し、少なくとも１つのキャビティを基板内に形成し、少なくとも１つのキャビティの表面に誘電性絶縁層を被着し、第２のドーピング部を有する関連するベース領域を、少なくとも１つのキャビティ内に形成して、誘電性絶縁層により基板から電気的に絶縁されているベース端子領域を設け、かつベース領域を、形成されているアクティブなエミッタ領域上に少なくとも部分的に形成して、基板と電気的に接続されているベース区域を設け、第３のドーピング部を有するコレクタ領域を、形成されたベース区域上に形成して、形成されたベース区域と電気的に接続されているコレクタを設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスパッケージの小型化に寄与する電極構造を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００は、第一および反対側の第二主表面ならびに主表面に導電的に結合している側面を有する半導体基板と、第一主表面近傍の半導体基板にあり回路接触端子１０４ａを備えた回路領域と、第一主表面上の回路接触端子１０４ａから半導体基板の側面の上へ伸び、半導体基板の側面上に、露出された接触領域１０８ａ〜１０８ｃを設ける金属領域１０６ａ〜１０６ｃと、金属領域１０６と半導体基板との間に配置された絶縁層１１０とを備えており、絶縁層は回路接触端子１０４ａを金属領域１０６に電気的に接続するための開口部を備えている。 （もっと読む）

【課題】 雑音特性を劣化を抑制して高周波特性の向上を可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】 基体層２３、基体層２３上の基体層２３より幅の狭い中間層２２、及び中間層２２上の中間層２２より幅の狭い頭部２１を備える第１導電型（ｎ型）のコレクタ領域２と、頭部２１の上面に配置された第２導電型（ｐ型）のベース領域３と、ベース領域３の上部の一部に配置された第１導電型（ｎ型）のエミッタ領域４と、基体層２３の上面から頭部２１の側面まで達する絶縁領域５と、絶縁領域５の上面にベース領域３の側面と接して配置されたベース電極６とを備える。 （もっと読む）

【課題】性能を向上する新規なバイポーラデバイスを提供する。
【解決手段】本発明は、バイポーラデバイス30を開示する。エミッタ33が半導体基板に形成される。コレクタ34が、エミッタ33から横方向に空間を置いて基板に設けられる。ゲート端子38は基板上に形成され、エミッタ33とコレクタ34間の空間を規定する。外部ベース35は、エミッタ33またはコレクタ34の何れか一方から所定の距離を隔てて、基板上に形成される。外部ベース35は、エミッタ33またはコレクタ34の何れか一方から所定の距離を有して基板上に形成され、基板に設けた分離構造31で周囲を囲まれた穴によって活性領域32を規定し、この活性領域32に、ベース35，エミッタ33，コレクタ34およびゲート端子38が配置される。 （もっと読む）

【課題】 ヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて、ベース面積ないしはベース・コレクタメサ面積の縮小化を図って高速性を高めることができるようにする。
【解決手段】 ベースメサないしはベース・コレクタメサ４の上面に、ベース電極とエミッタメサとが平面的に配置形成されて、エミッタメサ７上のエミッタ電極８の周縁部８ｅとベースメサないしはベース・コレクタメサ４の周縁部４ｅを自己整合する構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高周波数帯で動作する半導体装置の特性の向上、ならびに信頼性の向上に関するものである。
【解決手段】半導体基板の表面側にキャリア走行層として積層された、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層を用いて形成した単数もしくは複数のバイポーラトランジスタと、前記キャリア走行層の直下に設けられた絶縁層と、さらに前記絶縁層の直下に設けられた導電層と、前記導電層に到達するように形成された非貫通のバイアホールと、トランジスタの何れかの端子と電気的に接続された状態に半導体基板の表面に形成された金属配線層と、バイアホールの側壁及び底面に形成された金属配線層とを備えた構造とする。 （もっと読む）

【課題】 インダクタが形成されたＲＦ回路とデジタル回路とを同一チップ上に搭載できるようにする。【解決手段】 シリコン基板１上の素子分離膜２によって分離された領域内にＭＯＳＦＥＴ３が形成されている。ＲＦ回路領域１００には、第１の層間絶縁膜４を貫いてシリコン基板内部に到達する、低誘電率絶縁物が埋設された低誘電率絶縁体ロッド８が複数配置されている。ＲＦ回路領域１００上の層間絶縁膜内には多層配線を利用したインダクタ４０が形成されている。インダクタの磁心及びその周囲には、高透磁率材料と低誘電率材料とが混合された複合材料が埋め込まれた高透磁率分離領域１９が形成されている。
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【課題】 単一の有機半導体層にＰ型として動作する電極と、Ｎ型として動作する電極を併せ持つ高性能の有機半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】 有機半導体層４０に対して電子と正孔を効率よく注入することができる電極を、それぞれ電子供与性分子材料と電子受容性分子材料の組み合わせからなり電子を効率よく注入できる導電性電荷移動錯体と、これとは構成分子の組み合わせが異なり正孔を効率よく注入することができる導電性電荷移動錯体で構成した少なくとも二種の電極２、３、４、５を備えた有機半導体装置によって解決される。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物半導体層とオーミック電極との間のコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 III族窒化物半導体層(12)と、III族窒化物半導体層(12)とオーミック接触するオーミック電極(15)とを有し、III族窒化物半導体層(12)はＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮで表される半導体からなり、オーミック電極(15)は、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ及びＳｒから選ばれる少なくとも１種を含む第１電極層(13)を有する半導体装置(1)とする。 （もっと読む）

バイポーラトランジスタ１２０は、基板１と、前記基板１の上に形成され、シリコンからなるシリコンバッファ層１０９と、前記シリコンバッファ層１０９の上に形成され、シリコンと少なくともゲルマニウムを含み、前記シリコンに対する前記ゲルマニウムの成分の組成比が厚み方向に変化する組成比傾斜ベース層１１１と、を有する真性ベース領域１１と、前記基板１の上に前記シリコンバッファ層１０９と並んで形成され、シリコンからなる外部ベース形成層１１３を有する外部ベース領域１２と、を備え、前記外部ベース形成層１１３の厚みが、４０ｎｍ以上である。
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【課題】エミッタ端子及びベース端子が同一な高さを有する高速バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】高速バイポーラトランジスタは、ベースのためのシリコン−ゲルマニウム膜（２５ａ）をコレクタのための半導体膜（１９）上に形成し、エミッタ端子及びコレクタ端子のための接触窓を有する層間絶縁膜（２７）（２９）を形成し開口する。ポリシリコンを蒸着した後ベース、エミッタ接触窓（３５ｂ）（３５ａ）内にポリシリコンを充填し、イオン注入熱処理工程により、エミッタ拡散部（３６）を形成する。その後、平坦化処理により、同一高さをもつポリシリコンエミッタ端子及びポリシリコンベース端子を形成する。更に、エミッタ及びベース接触窓と、金属配線との間に安定的なシリサイド膜を形成でき、低抵抗なエミッタ、ベース接触窓を持つバイポーラトランジスタを形成できる。 （もっと読む）

【課題】 電力利得および高周波出力特性が向上した通信機器用バイポーラトランジスタを提供する。
【解決手段】 真性ベース領域とベース電極２０Ｂとを接続する外部ベース層１１の平面形状をＵ字状にする。そして、基板１の主面に平行な面内において、コレクタ電極２０Ｃの長辺とエミッタ電極２０Ｅの長辺とを平行に配置し、コレクタ電極２０Ｃとエミッタ電極２０Ｅとを交互に並んで配列する。一方、ベース電極２０Ｂは、コレクタ電極２０Ｃおよびエミッタ電極２０Ｅのそれぞれの一端部を結ぶ直線の外側に配置し、ベース電極２０Ｂの長辺をコレクタ電極２０Ｃおよびエミッタ電極２０Ｅのそれぞれの長辺と直交するように配向する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層間の接合の端面におけるリーク電流を抑え、かつ、水分の侵入や放熱不足の問題を解消できるパッシベーション膜を備えたヘテロ接合半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 半絶縁性基板１の上にメサ構造に加工した半導体層２〜６を形成する。エミッタメサおよびベース・コレクタメサの端部に凹部１１および１２を形成し、これらの凹部にそれぞれ絶縁性有機膜１３および１４を形成して、エミッタ層５の端面とベース層４との界面、およびベース層４とコレクタ層３との界面を絶縁性有機膜で被覆する。さらに、半導体層２〜６を被覆する緻密な無機パッシベーション膜１５を、例えばプラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜によって形成し、開口部に電極７〜９を形成する。ＨＢＴ１０では、接合の端面が絶縁性有機膜１３および１４によって被覆されているので、接合部にプラズマダメージが生じることはない。 （もっと読む）

【課題】 テラヘルツ帯の分光ならびに透視装置を小型・低コストで実現する上で、これに用いられる発振器を小型・低コスト化することが最重要課題であった。
【解決手段】 発振器の能動素子に金属ベーストランジスタを採用し、その最大発振周波数を数ＴＨｚにまで向上するために、電子の飽和速度の高いＩｎＮ或いはＩｎＮを主成分とする材料をコレクタに用いた。特性を再現性よく得るために、コレクタとベースの界面にＩｎＧａＮを挿入することが有用である。本発明の金属ベーストランジスタを用いてテラヘルツ帯の発振を可能とする発振器を構成することが可能である。又、この発振器を信号源あるいは局所発振器の少なくとも一つに適用した分光装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】遮断周波数を向上すべくコレクタ層を高濃度化した場合にも、それに付随した寄生容量の増大を好適に抑制することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン基板１に設けられた素子分離膜３に囲繞されたｎ型不純物を含む活性領域２ａをコレクタ層とし、その活性領域２ａを含むｐ型シリコン基板１の上面に設けられたＳｉＧｅ合金層４の上にエミッタ層として機能するｎ型拡散層５を形成する。またＳｉＧｅ合金層４のうちでエミッタ層の直下に位置する第１合金層４ａをベース層とするとともに、それに隣接する部分を外部ベース層として機能するｐ^＋拡散層１０とする。更に活性領域２ａの表面にそのベース層の直下の部分を囲繞するようにｎ型不純物の添加された不純物領域２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】逆バイアスの二次破壊に強いことに加え、高速スイッチング特性を有し、高耐圧で大電流を流すことができるトランジスタを提供する。
【解決手段】ベースボンディングパッド７はトランジスタチップ活性領域中の中央付近において、エミッタボンディングパッド１０間のベース電極配線６を、ベースボンディングパッド７とベース電極配線６との領域比を３対７から５対５、好ましくは４対６の領域比として、かつベース電極配線６を左右に分割して配置する。これによりエミッタボンディングパッド１０近傍の単位トランジスタ領域は、ベースボンディングパッド７からベース電極配線６末端までの配線距離も短くなり、ベース電極配線６の抵抗が小さくなりエミッタ・ベース間に逆バイアス電圧を加えてターンオフさせるときにベース逆バイアス電流を引き易く、ターンオフが速くなりエミッタ電流が集中することを防ぎ、高電圧印加し大電流を流しても短絡を防止できる。 （もっと読む）

【課題】直流電流増幅率の特性が向上した耐電圧、大電力のバイポーラトランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ベース領域３及びエミッタ領域４の上部に、それぞれベース電極パターン９ａ、エミッタ電極パターン１０ａを形成する。形成方法は、電極材料であるＡｌをスパッタ処理によりＡｌ膜を形成し、リソグラフィ、ドライエッチング処理により電極パターンにする。次に、酸化剤である水、酸素雰囲気下で熱処理を行ない、表面が酸化されたベース電極９ｂ、エミッタ電極１０ｂを形成する。 （もっと読む）