説明

Fターム[4M106DB30]の内容

半導体等の試験・測定 (39,904) | 外観・パターン検査装置 (3,574) | その他 (179)

Fターム[4M106DB30]に分類される特許

1 - 20 / 179



【課題】パターンの重要度を考慮しつつ効率的な欠陥検査を可能にする欠陥検査方法およびプログラムを提供する。
【解決手段】欠陥検査方法は、走査対象領域を特定する手順と、走査効率を算出する手順と、走査対象領域を優先順位付けする手順と、走査線の走査経路を決定する手順と、決定された前記走査経路に従って前記走査線を走査させる手順と、を持つ。走査対象領域は、検査対象領域を走査するための複数の走査線からなる予備的走査経路を設定し、設定された前記予備的走査経路を用いて特定される。走査効率は、特定された前記走査対象領域のそれぞれについて算出される。前記走査対象領域の優先順位付けは、得られた前記走査効率から行われる。走査線の走査経路は、得られた前記優先順位から前記複数の走査線の一部を間引いて決定される。 (もっと読む)


【課題】微細な欠陥の検出を容易に行うことができるパターン検査装置、およびパターン検査方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係るパターン検査装置は、被検査体に向けて光を出射する光源と、前記被検査体からの光を検出する検出部と、前記検出部からの出力に基づいてパターン検査を行う検査部と、を備えている。そして、前記光源は、前記光の波長を変化させる。また、前記検査部は、前記検出部からの出力に基づいて回折像を作成し、最も鮮明な回折像に関する光の波長と、対比する回折像に関する光の波長と、を比較することで、前記パターン検査を行う。 (もっと読む)


【課題】設計データを用いた自動レシピ生成の方法及びシステムを提供すること。
【解決手段】コンピュータが設計データに基づいて製造ツールのレシピを作成する。コンピュータは、基本要素及び該基本要素に対応する階層レベルを含む、設計データを取得する。コンピュータは、関心のある1つ又はそれ以上の基本要素を選択し、関心のあるレベルに対応する単純アレイセルの1つ又はそれ以上の組を生成する。コンピュータは、単純アレイセルの組を用いて、関心のあるレベルの座標において周期的領域を識別して自動レシピ作成を可能にする。周期的領域は、1つ又はそれ以上の基本要素に関して識別される。 (もっと読む)


【課題】ウエハの構造や欠陥がばらついて適切な波長が変化しても欠陥を精度よく検出でき、かつ、スループットが速いパターン検査装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、パターン検出装置は、光を発生する光源と、前記光をラインビームに整形してウエハ上に照射する集光器とを備える。さらに、前記装置は、前記ウエハで反射した前記ラインビームを分光する分光器を備える。さらに、前記装置は、前記分光器により分光された前記ラインビームを検出し、前記ラインビームのスペクトル情報を保持する信号を出力する二次元検出器を備える。さらに、前記装置は、前記ウエハ上の繰り返しパターンの対応箇所から得られた前記スペクトル情報を比較する比較部と、前記スペクトル情報の比較結果に基づいて、前記ウエハの欠陥の有無を判定する判定部とを備える。 (もっと読む)


【課題】
繰り返しパターンと非繰り返しパターンとが混在する被検査対象基板に対して、微小な異物または欠陥を高速で、しかも高精度に検査できる欠陥検査装置を実現する。
【解決手段】
異物付着防止手段180は、透明基板187が枠185を介して載置台34の上に設置される。異物付着防止手段180はベース186上に固定された2本の支柱184に回転可能に支持されたシャフト181がカップリング183でモータ182に連結されている。そして、2本に支柱184の間で、枠185の一部にシャフト181が挿入され、枠185及び透明基板187がシャフト181を中心として回動できるように構成されている。つまり、枠185全体がシャフト181を軸としてZ方向に開閉する構造になっており、枠185及び透明基板187により、載置台34上のウェハ1を覆うことができる。 (もっと読む)


【課題】 反射画像と透過画像とを同時に同じ位置で撮影することができる太陽電池セル検査装置を提供する。
【解決手段】 半導体ウエハ2の第一面に向かって可視光を照射する第一照射部4と、半導体ウエハ2で反射した可視光を受光することにより、半導体ウエハ2の反射画像を取得する第一撮像部5と、半導体ウエハ2の第一面に対向する第二面に向かって赤外光を照射する第二照射部6と、半導体ウエハ2を透過した赤外光を受光することにより、半導体ウエハ2の透過画像を取得する第二撮像部7と、反射画像及び透過画像に基づいて、半導体ウエハ2に欠陥があるか否かを判定する判定部21dとを備える太陽電池セル検査装置1であって、第一撮像部5及び第二撮像部7との間に配置されるビームスプリッタ11を備え、ビームスプリッタ11は、設定波長未満の光を第一撮像部5に導くとともに、設定波長以上の光を第二撮像部7に導くことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】
荷電粒子ビームを用いた計測装置ないし検査装置において、検査の高感度と高安定性とを両立する。
【解決手段】
帯電制御電極A420の被計測試料ないし検査試料側に帯電制御電極B421を設置し,試料の帯電状態に応じて、帯電制御電極Bの帯電制御電極制御部423から一定の電圧を与えることにより、検査前に形成した試料表面の帯電状態と電位障壁の変動を抑制する。帯電制御電極制御部66によりリターディング電位が印加され、試料と同電位に調整される帯電制御電極A420の更に下部に帯電制御電極B421が設けられることにより、一次電子ビーム19が照射されるウェハ9などの試料から放出された二次電子409の試料への戻り量を調整することが可能になり,高感度な検査条件を検査中安定的に維持することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】設計レイアウトに記録された情報を、直接、解析して、所望の領域を抽出し、この抽出方法を用いて検査レシピを生成し、効率的な検査を実現する。
【解決手段】設計レイアウトデータの階層情報を解析して、その内部データであるセル一つ一つが設計レイアウトデータ内での参照回数を計算して、参照回数の多い順に並び替えて、対象を探索し、その上位セルを追跡することによって、メモリマットなどの所望の回路モジュールの領域抽出を容易にする。 (もっと読む)


【課題】ユーザそれぞれが、自身がその存在を感得しているレシピについて、他のユーザがその存在を含めた設定内容を感得できないように、そのレシピの存在自体も含めてレシピの設定内容を隠蔽しておくことができる検査装置及びその隠蔽方法を提供する。
【解決手段】ユーザそれぞれが、自身の閲覧設定画面500上でその存在を感得しているレシピについて、他のユーザがその存在を含めた設定内容を感得できないように他のユーザを隠蔽先に含む隠蔽ID情報を生成するレシピ隠蔽情報作成機能部116と、ユーザそれぞれの閲覧設定画面500を表示する際、隠蔽ID情報ファイル240に格納されている隠蔽ID情報に基づいて、ユーザそれぞれの閲覧設定画面500の生成のためのレシピ表示情報を作成する表示情報作成機能部120とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体チップ製造分野の局所領域ナビゲーション用の改良された高精度ビーム配置法を提供すること。
【解決手段】例えばメモリ・アレイまたは類似の構造内の個々のビット・セルの欠陥を特徴づけまたは補正するために、本発明の好ましい実施形態を使用して、メモリ・アレイまたは類似の構造内の単一のビット・セルへ迅速にナビゲートすることができる。アレイの(X軸またはY軸に沿った)1つのエッジのセルの「ストリップ」を走査するために高解像度走査を使用して、所望のセルを含む列の位置を特定し、続いて、位置が特定された列に沿って(もう一方の方向に)、所望のセル位置に到達するまで同様に高速走査する。これによって、アレイ全体を画像化するのにかかる時間の大きな消費なしに、パターン認識ツールを使用して、所望のセルへナビゲートするのに必要なセルを自動的に「数える」ことが可能になる。 (もっと読む)


【課題】ウェハを外周で保持する機構では、ウェハが自重で撓む場合がある。そこで平面度を保持するためにウェハとウェハ下の保持台との間に空気を供給する方法がある。しかし、この方法では異物がウェハに付着する場合がある。
【解決手段】ウェハの平面度を保持するためにウェハ、及びウェハ下の保持台に負電圧をかける。この静電力によってウェハに上向きの力を与え、平面を保持する。また、この方法により負に帯電した異物の付着を防止する。 (もっと読む)


【課題】半導体素子におけるラッチアップによる不良の特定を容易に行なう。
【解決手段】時間分解能を有するエミッション顕微鏡を用いた半導体素子の検査方法において、検査される半導体素子に電圧パルスを印加する工程と、前記電圧パルスが印加された状態における前記半導体素子より、放出されるフォトンを経過時間ごとに検出する工程と、前記半導体素子がオフ状態からオン状態となった後のオン状態の時間において、前記フォトンが検出されているか否かを判断する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の検査方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】基板に形成された凹部の深度を、非破壊、非接触で検査できるとともに、高速に検査できるようにする技術を提供する。
【解決手段】基板検査装置100は、ポンプ光の照射に応じて、基板Wに向けてテラヘルツ波を照射する照射部12と、プローブ光の照射に応じて、基板Wを透過したテラヘルツ波の電場強度を検出する検出部13と、テラヘルツ波が検出部13に到達する時間と、検出部13における検出タイミングを遅延させる遅延部14とを備える。また、基板検査装置100は、基板Wの第1領域を透過した第1テラヘルツ波の時間波形を構築する時間波形構築部21と、基板Wの第2領域を透過した第2テラヘルツ波について、特定の検出タイミングで検出される電場強度と、前記時間波形とを比較することにより、第1テラヘルツ波と第2テラヘルツ波の位相差を取得する位相差取得部24とを備える。 (もっと読む)


【課題】板状基板の外周部分を撮影して得られた撮影画像上の点の前記板状基板の周方向を横切る方向の位置を把握し易い板状基板のエッジ検査装置を提供することである。
【解決手段】予め設定された原点に向けて延びる撮影軸Axbを有し、板状基板10の外周部分10Eにおける所定面12Aを撮影視野範囲に含み、該所定面を前記板状基板10の周方向に順次撮影して画像信号を出力する撮影部130b(131b)を備え、前記画像信号から生成される撮影画像データにて表される撮影画像上の点及び前記撮影軸Axbに対応した基準点それぞれの前記周方向を横切る方向における位置tAに基づいて、前記撮影画像上の当該点に対応する擬似的な撮影角度αAを表す擬似撮影角度情報を生成し、撮影画像及び前記擬似撮影角度情報に基づいた撮影角度に関するユーザインタフェース情報を前記表示ユニットに表示させるようにした。 (もっと読む)


【課題】正確な検査を短時間で行うことができる欠陥検出装置、欠陥検出方法、及び欠陥検出プログラムを提供する。
【解決手段】配線を有する試料30に対して電荷を与えることで、与えられた電荷に応じて輝度が変化する画像を、試料30の配線の方向における異なる箇所で取得する画像取得装置10と、試料の画像から、欠陥箇所に対応する輝度の不連続点の位置を求める不連続点特定部23と、複数枚の試料の画像中における輝度の不連続点の位置を比較して、複数枚の画像を取得した箇所の間に、欠陥が存在するか否かを判定する判定部24と、を備える。 (もっと読む)


【課題】不完全エリアを有効に検査することで歩留り管理の精度向上を図ることができる検査装置を提供する。
【解決手段】基板1に光を照明する照明部10と、前記基板1からの光を検出し検査画像を得る検出部20と、処理部100と、を有し、前記検査画像には、前記基板1の端部より内側の形成すべきパターンの一部が欠けた領域と、前記端部より外側の前記一部が形成されるべきであった領域と、が含まれ、前記処理部100は、前記検査画像と前記パターンよりも内側の完全なパターンの画像を含む参照画像とを使用して検査を行う。 (もっと読む)


【課題】誤って検出される擬似欠陥の数を低減できるとともに、欠陥の検出感度を落とすことなく、本来検出されるべき真の欠陥を検出できる基板検査方法及びその基板検査用のフィルタ画像の画像作成方法を提供する。
【解決手段】
基板の欠陥の有無を検査するために擬似欠陥を除去するためのフィルタ画像を作成する画像作成方法において、登録された画像の中心位置を中心とする円の円周上に位置するいずれかの画素の画素値を、円周上に位置する画素から選択した複数の画素の画素値のうちの最大値に置換することによって、フィルタ画像を作成するフィルタ画像作成工程S14とを有する。 (もっと読む)


【課題】回路パターンを有する半導体装置等の検査において、陰影コントラストの強調された像を取得することを可能にし、浅い凹凸の微細な異物等を高感度に検出することを可能にする荷電粒子ビーム検査技術を提供する。
【解決手段】高分解能観察の為に電子光学系の対物レンズに電磁重畳型対物レンズ103を用い、その対物レンズを用いて電子ビームを細く絞り、対物レンズ内にアシスト電極106と左・右検出器110、111を設け、その電子ビームを試料104に照射することで発生する二次電子の速度成分を選別し、さらに方位角成分を選別して検出する。 (もっと読む)


【課題】基板装置表面のパターン欠陥の致命度をより信頼度高く判定する。
【解決手段】データ処理部10は、欠陥レビュー部12を介して基板装置のパターン欠陥を含んだレビュー画像を取得し(レビュー画像取得部104)、そのレビュー画像と欠陥のない参照画像とを比較することにより欠陥画像を抽出するとともに、前記レビュー画像とそのレビュー画像に対応する領域の同じレイヤの設計データから生成した自レイヤ設計パターン画像との位置合わせを行う(画像位置合わせ部105)。そして、その位置合わせの結果に基づき、前記レビュー画像に対応する領域の他のレイヤの設計データから他レイヤ設計パターン画像を生成し、前記欠陥画像と他レイヤ設計パターン画像との合成画像に基づき、前記欠陥と他レイヤのパターンとの相対位置関係を求め、その相対位置関係に基づき致命度を判定する(致命度判定部106)。 (もっと読む)


1 - 20 / 179