【課題】より簡便な方法で、ライフタイム測定までの時間を短縮し、かつ、高精度でバラツキの少ないライフタイム値を得ることができるシリコンウェーハのライフタイム評価方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面にゲート酸化膜を形成して、水銀プローブ法によりライフタイムを評価する方法において、フタル酸エステル化合物を容器内に収容した後、その中に前記ウェーハを入れることにより、前記ゲート酸化膜表面にフタル酸エステル化合物を付着させた後にライフタイムの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数枚のウエハの表面粗さの測定を連続で自動的に行うことができ、測定効率を向上させることができる表面粗さ測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】複数のウエハ７０を載置できる回転駆動可能なステージ１０と、
該ステージ上で前記複数のウエハを同心円状に位置決め固定する位置決め手段５０と、
上下方向及び水平方向に直線的に移動可能に支持された接触子２１を、所定の測定位置にあるウエハの表面に接触させて水平方向に直線移動させることにより、該ウエハの表面粗さを測定する表面粗さ測定手段２０と、
測定対象となる測定対象ウエハを前記所定の測定位置に前記ステージを回転させて移動させ、前記表面粗さ測定手段により該測定対象ウエハの表面粗さを測定する一連の動作を前記複数のウエハに対して順次行うように前記ステージ及び前記表面粗さ測定手段を制御する制御手段４０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数を容易かつ精度良く取得する。
【解決手段】結晶化指数取得装置１では、微結晶シリコン膜の理論誘電関数を複数の部分誘電関数モデルの合成として表現し、微結晶シリコン膜における結晶化の程度を示す結晶化指数κが、複数の部分誘電関数モデルのうち、結晶シリコン膜の誘電関数における虚部の高エネルギー側のピークに寄与する高エネルギーピークモデルの振幅に基づいて設定される。そして、複数の部分誘電関数モデルに含まれるパラメータ群の各パラメータを結晶化指数κにより表現し、結晶化指数κを変更することにより各パラメータの値を変更し、分光エリプソメータ３により取得された測定誘電関数に対する理論誘電関数のフィッティングが行われる。これにより、微結晶シリコン膜の結晶化指数κを容易かつ精度良く求めることができる。 （もっと読む）

【課題】気相エッチング法によるシリコンウェーハの金属汚染分析において、気相分解反応に要する時間の短縮化および分析感度の向上を実現するための手段を提供すること。
【解決手段】分析対象のシリコンウェーハを、弗化水素ガス、硝酸ガス、および窒素酸化物ガスの混合ガスと接触させることにより、該シリコンウェーハの表層領域をエッチングすること、前記エッチング後のシリコンウェーハを、エッチングにより露出した表面が１８０℃以上の温度となるように加熱すること、前記加熱後のシリコンウェーハ表面を弗酸蒸気に曝露すること、前記曝露後のシリコンウェーハ表面上の金属成分を回収用水溶液中に捕集すること、ならびに、前記回収用水溶液中の金属成分を分析すること、を含むシリコンウェーハの金属汚染分析方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェーハの衝撃強度を従来より安定かつ正確に評価することができる評価方法や評価装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも、半導体ウェーハである試料を載置する載置台と、前記試料の一方の主表面を支持する片押さえ手段と、球状物と、該球状物を任意の所望の高さから落下させるための落下手段とを具備し、前記試料を前記載置台に載置した後、前記片押さえ手段により前記試料の一方の主表面を支持した状態で、前記落下手段により前記球状物を前記所望の高さから前記主表面に向けて落下させることができるものであることを特徴とする半導体ウェーハ評価装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の極表層領域の金属汚染を評価するための手段を提供すること。
【解決手段】同一の製造ロットで製造された複数の半導体基板から２枚の分析用基板を抽出すること、抽出した半導体基板の一方の基板（基板Ａ）の少なくとも一方の表面をアルカリ溶液と接触させることにより基板Ａの表層部を溶解すること、表層部を溶解した基板Ａおよび他方の半導体基板（基板Ｂ）の表面を酸溶液と接触させることにより基板Ａおよび基板Ｂの少なくとも一部を溶解すること、上記溶解後の酸溶液中の金属成分量を測定すること、および、上記基板Ａ表層部の金属汚染量を、上記測定により求められた基板Ｂ溶解後の酸溶液中の金属成分量から基板Ａ溶解後の酸溶液中の金属成分量を差し引いた値として求めること、を含む半導体基板表層部の金属汚染評価方法。 （もっと読む）

【課題】組立工程前の半導体集積回路におけるレーザ光照射対象箇所に対する明瞭な画像を取得できるようにする手段を提供する。
【解決手段】半導体集積回路解析装置１０は、半導体集積回路９０へレーザ光を照射して発生した光誘起電流による場を場検出器によって検出するレーザ顕微鏡２２を備え、レーザ２１の波長は、半導体集積回路を構成する半導体を１光子励起するには不十分であって２光子励起するには十分である範囲の１．２μｍ以上であって、２．３μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性試験で検出された不良配線の短絡箇所を、ボルテージコントラスト法により、短時間に確実に特定できる方法を提供する。
【解決手段】多数の第１の並列配線領域が第１の接続領域で接続された一方の（櫛歯状）配線１１と、多数の第２の並列配線領域が第２の接続領域で接続された他方の（櫛歯状）配線１２とを、第１と第２の並列配線領域が対向する配置で、絶縁膜に埋め込まれた状態で形成し、第１の並列配線領域と第２の並列配線領域との間の絶縁膜の信頼性試験を行い、短絡を生じさせ、一方の（櫛歯状）配線１１と他方の（櫛歯状）配線１２のいずれか一方の接続領域を除去ないし断線させ、ボルテージコントラスト法の観察を行ない、並列配線領域間短絡箇所を特定する。 （もっと読む）

【課題】完成品となる前に気密の状態が確認でき、電子部品の生産性を向上させる手段の提供。
【解決手段】金属材料が埋められたテーパのついた貫通穴を有するウェハの気密漏れを検査するウェハの気密漏れ検査装置であって、前記ウェハの一方の主面の外周縁と密着して圧力作用空間を形成する圧力作用側アダプター１１０と、この圧力作用側アダプター１１０の前記圧力作用空間内の圧力を測定する圧力計測手段１２０と、前記ウェハの他方の主面の外周縁と密着して流量測定用空間を形成する流量測定側アダプター１３０と、この流量測定側アダプター１３０内を流れる流体の流量を測定する流量計測手段１４０と、を備えて構成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定面が複雑に湾曲した半導体ウェーハであっても、測定面全体の湾曲の傾向を的確に把握し、半導体ウェーハの平坦性に基づく良否判定を正確に行うことが可能な半導体ウェーハの検査方法を提供する。
【解決手段】測定工程（Ｂ）で得られた全てのシリコンウェーハのＢｏｗやＷａｒｐのデータを用いて、次の判定工程（Ｃ）で湾曲に基づく良否の判定を行う。判定工程（Ｃ）では、例えば、Ｂｏｗを横軸（Ｘ軸）に、Ｗａｒｐを縦軸（Ｙ軸）にしたグラフを用いて、測定工程（Ｂ）で得られたシリコンウェーハのＢｏｗ、Ｗａｒｐの数値に基づいてグラフ上にプロットする（Ｃ−１）。これにより、全てのシリコンウェーハのＢｏｗ−Ｗａｒｐの測定結果がグラフ上に示される。 （もっと読む）

【課題】短時間で故障箇所の特定を行える半導体装置の検査方法及び半導体装置の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の被観測領域に対してレーザ光を走査しながら複数箇所に局所的に照射し、同時に半導体装置を試験動作させ、この試験結果とレーザ光の照射位置とを対応付けて二次元画像化した良否判定像を生成して故障箇所を特定する半導体装置の検査方法であって、一画面あたりに許容された最大画素数で良否判定像を生成した場合に対して、レーザ光走査範囲は同じとしたまま照射点数は減らし且つ照射点間隔を広げて、レーザ光照射を行う。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ工程の状態を管理する上で、より有用で、より精度の高いウェーハの平坦度を取得する方法の提供。
【解決手段】計測データ処理装置１０は、集積回路のマスク形状データに基づきＣＭＰ工程で生じる可能性のある窪み部の位置を予測し（窪みデータ生成部１０２）、その窪み部の上層で生じる可能性のある欠陥の位置を予測し（欠陥候補位置抽出部１０２）、欠陥のあることが予測される窪み部の中から、ＡＦＭ２０が表面形状データを取得すべき計測位置を決定し（計測位置決定部１０３）、その計測位置データを付して、ＡＦＭ２０に表面形状データの取得を指示する（表面形状データ取得部１０４）。また、計測データ処理装置１０は、ＡＦＭ２０により計測された表面形状データを、ＡＦＭ２０から取得し（表面形状データ取得部１０４）、表示装置４０に表示する（表示部１０５）。 （もっと読む）

【課題】直接接合方法または接着剤を介して貼り合わせたウエーハにできる目視では発見が困難で時間がかかるマイクロボイド等の欠陥を含むチップを、正確にそして短時間で取り除くことができる欠陥検出方法および欠陥検出システムならびに発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】直接接合方法または接着剤を介して貼り合わせた発光素子用ウエーハの欠陥を検出する方法であって、少なくとも、前記貼り合わせたウエーハをウエーハ段階で欠陥を検出する工程と、該ウエーハの欠陥位置にマーキングする工程と、該マーキングしたウエーハをダイシングしてチップに加工する工程と、マーキングされたチップを機械的に検出する工程とを有することを特徴とする欠陥検出方法。 （もっと読む）

【課題】引出配線の形成と基板との接合を同時に行い、かつ試料と基板の平行性を保持する引出配線の形成方法及びこの形成方法を適用した走査型プローブ顕微鏡用試料の作成方法を提供する。
【解決手段】試料１１と透明基板１３との間に、導電性物質を混合した光反応性樹脂又は熱反応性樹脂を含む導電剤層１２を形成し、透明基板１３側から導電剤層１２に光を照射して硬化させて試料１１と透明基板１３とを固着させ、未硬化部分を除去して引出配線１７を形成する。必要な配線箇所にのみ光を照射して引出配線１７を形成することができるので、引出配線１７の形成後に不必要な部分を除去し、後工程で透明な樹脂を充填することができるので、測定時に裏面から光を照射することによって測定する箇所を容易に確認することもできる。 （もっと読む）

【課題】基板上の分析対象物質が被膜で覆われている場合に、良好な精度で当該被膜の下の分析対象物質の分析を行うことが可能となる分析方法と、該分析方法を実施する分析装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された被膜を、紫外線を照射することで除去する第１の処理部と、前記基板表面に溶解液を供給して前記基板上の分析対象物質を溶解させる第２の処理部と、前記第２の工程で用いた前記溶解液中の前記分析対象物質を分析する第３の処理部と、を有することを特徴とする分析装置。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を処理する方法及び装置、特に、半導体基板の処理に用いるための計測ツールを提供する。
【解決手段】本発明の１つの態様により、半導体基板を処理するための半導体基板処理装置及び方法が提供される。本方法は、表面と各形態が第１の座標系の第１のそれぞれの点でこの表面上に位置決めされたこの表面上の複数の形態とを有する半導体基板を準備する段階と、第２の座標系の第２のそれぞれの点で各形態の位置をプロットする段階と、第１及び第２の座標系の間の変換を発生させる段階とを含むことができる。変換を発生させる段階は、第１及び第２の座標系の間のオフセットを計算する段階する段階を含むことができる。オフセットを計算する段階は、第１の座標系の基準点と第２の座標系の基準点の間のオフセット距離を計算する段階、及び第１の座標系の軸線と第２の座標系の軸線の間のオフセット角度を計算する段階を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、かつ、精度良く短時間で簡便にウェーハ表面の結晶欠陥を評価する方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハの表面に酸化膜を形成するための熱処理を行った後、前記シリコンウェーハをアルゴンを含む雰囲気で熱処理して前記シリコンウェーハ表面に酸化膜ホールを形成し、該酸化膜ホールを検出することによって、前記シリコンウェーハ表面に存在する結晶欠陥を評価する。 （もっと読む）

【課題】任意の色の光を照射することのできる光照射装置及びこれを備えた受光素子検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光源からの光を色分解光学系で、第１色光、第２色光、第３色光に色分解する。色分解された各色光は、第１色光、第２色光、第３色光の光路にそれぞれ配置されたＮＤフィルターによって減光される。ＮＤフィルターを透過した各色光は、光量測定装置によって各色の光強度を測定し、所定の光強度になっているかどうか測定を行う。所定の光強度に調整された各色光は、第１色光、第２色光、第３色光を色合成する色合成光学系によって色合成され任意の色になり、受光素子に照射される。 （もっと読む）