【課題】電子部品の電極の導電性積層膜の膜厚を安価な装置で高速に測定する。
【解決手段】絶縁膜１上に上下に積層された導電層２，３（積層膜、例えばＮｉ層およびその上のＡｕ層）からなる半導体基板の電極に対して、段差を触針で測る場合やレーザ光を用いる場合など公知の方法で導電層２，３の厚さ（電極高さ）を測定するステップと、４端針法により電極の表面抵抗を測定するステップとを有し、二つのステップから得られた積層膜の膜厚（電極高さ）と表面抵抗値から、上下に積層した導電層２，３からなる電極の上部皮膜である導電層３の膜厚を計算式から算出する。 （もっと読む）

【課題】空気によって少なくとも部分的に吸収される光を使用するよう設計され、かつ、より能率的なパージングシステムを有する、光学ツールのための方法を開発する。
【解決手段】試験体の測定のための方法において、該試験体の反射率測定データおよび分光偏光解析データを測定する工程と、該反射率測定データから、該試験体上に形成された窒化酸化物ゲート誘電体の厚さを判定する工程と、該厚さおよび該分光偏光解析データから、窒化酸化物ゲート誘電体の屈折率を判定する工程と、該屈折率から、該窒化酸化物ゲート誘電体の窒素濃度を判定する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの温度を調整する方法および装置を提供すること。
【解決手段】ウェーハの材質をエッチングするエッチング・システム１００は、測定装置１１４、エッチングチャンバ１０２、および制御装置１１２を有する。測定装置１１４は、複数の設定位置でのウェーハのプロファイルに沿って微細寸法テストフィーチャ（ＣＤ）を測定する。エッチングチャンバ１０２は、ウェーハを保持するチャック１０８と、該チャック１０８内の各設定位置に隣接して配置される複数の発熱体１１０と、を有し、測定装置１１４からウェーハを受け取る。制御装置１１２は、ＣＤを受け取る測定装置１１４および発熱体１１０に接続される。この制御装置１１２は、エッチング処理前のリソグラフィ処理で生じるＣＤばらつきを補正するために、エッチング処理の温度依存であるエッチング特性を用いて、各設定位置の間の微細寸法のばらつきを減らす処理において、各発熱体の温度を調整する。 （もっと読む）

【課題】貼合わせウェハ全体について厚さを測定できる装置の提供。
【解決手段】貼合わせウェハ１の厚さ測定光学系及び観察光学系と、測定光学系から出力される信号を用いて貼合わせウェハ１の厚さを算出する信号処理装置とを具え、測定光学系は、第１の波長域の測定用光源３０と、この測定光を投射して光スポットを形成する対物レンズ１７と、その反射光の光検出手段４０とを有し、観察光学系は、前記第１の波長域とは異なる第２の波長域の観察用照明光を放出する照明光源４１と、照明光を投射する対物レンズ１７と、その反射光を受光して２次元画像を撮像する撮像装置４８とを有する。これらで共通の対物レンズ１７と測定光源及び観察光源との間の光路中には、前記測定光学系と観察光学系とを光学的に結合する波長選択性を有するカップリング素子３４を配置する。撮像装置４８は、前記測定光により形成された光スポットの像が重畳された像を撮像する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被測定物との距離に依存することなく、被測定物の膜厚を高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】本発明は、光源１０と、第１光路と、第１集光レンズと、分光測定部４０と、第２光路と、第２集光レンズと、データ処理部５０を備える膜厚測定装置１００である。光源は、所定の波長範囲をもつ測定光を照射する。第１光路は、光源１０から照射した測定光を被測定物に導く。第１集光レンズは、第１光路から出射する測定光を被測定物に集光する。分光測定部４０は、反射率または透過率の波長分布特性を取得する。第２光路は、被測定物で反射された光または被測定物を透過した光を、分光測定部に導く。第２集光レンズは、第２光路の端部に集光する。データ処理部５０は、分光測定部４０で取得した波長分布特性を解析することで、被測定物の膜厚を求める。 （もっと読む）

【課題】ウェーハに対して所望のプラズマエッチングが行われたか否かを確認できるようにする。
【解決手段】ウェーハ１０を保持する測定テーブル２と、ウェーハ１０の外周部の形状確認をするための形状測定手段３とを有し、形状測定手段３が測定テーブル２の上方に位置し、形状測定手段３と測定テーブル２とを相対的に移動させることにより形状測定手段３がウェーハの形状を測定するプラズマエッチング確認装置１を用い、プラズマエッチング処理後のウェーハ１０の形状に基づき、プラズマエッチングの良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】自動的に処理レシピを変更することにより製造歩留を向上させることができる半導体メモリの製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】計算部が、第２酸化膜厚、第１酸化膜厚、ゲート電極幅、アクティブ領域幅とを含む測定値を受け取り、半導体メモリのセル部の予測電流値を算出する工程（Ｓ３）と、プロセス処理実行部が、予測電流値が基準電流値以下であると判断されたときに第１処理レシピを選択し、予測電流値が基準電流値より大きいと判断されたときに第２処理レシピを選択し、第１及び第２処理レシピのうちの選択された処理レシピに従って浮遊ゲート電極の側壁を覆うＳＷを形成する工程（Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６）とを有し、第２処理レシピに従って形成されたＳＷの第１方向の膜厚である第２のＳＷ膜厚が、第１処理レシピに従って形成されたＳＤの第１方向の膜厚である第１のＳＷ膜厚よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ上に形成されたエピタキシャル層の層厚測定用試料を簡便に製造できる層厚測定用試料製造装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層３が形成されたウエハ片１を、そのエピタキシャル層３の一部を残してエピタキシャル層３をエッチングして層厚測定用試料を製造し、エッチング後のウエハ片１上に段差として残ったエピタキシャル層３の層厚を測定するための層厚測定用試料製造装置１０において、ウエハ片１を挟み込む開閉自在の２枚の樹脂板１１，１２と、これら２枚の樹脂板１１，１２の一方に設けられ、ウエハ片１上に形成されたエピタキシャル層３の一部をエッチングから保護すべくエピタキシャル層３の一部と密着するエッチング防止ゴム１３とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】太陽電池ウェハの表面及び裏面の形状のみならず、太陽電池ウェハの厚みを高速に算出する。
【解決手段】光源１２１，１３１は太陽電池ウェハの表面及び裏面に光切断線ＣＬを照射する。カメラ１２２，１３２は太陽電池ウェハが所定距離搬送される都度、測定試料５００の表面及び裏面の光切断線画像を連続撮像する。計測データ算出部１２３，１３３は角光切断線画像から光切断線ＣＬが現れている重心座標を表面計測データ及び裏面計測データとして算出する。高さデータ算出部１４３は、表面計測データ及び裏面計測データから太陽電池ウェハの表面及び裏面の高さデータを算出する。厚みデータ算出部１４６は、太陽電池ウェハの表面及び裏面の高さデータから太陽電池ウェハの厚みデータを求める。 （もっと読む）

【課題】傾斜ベース検出タスクを閾値ベース検出タスクに変換する方法を提供する。
【解決手段】モニターされている処理の値に対応する一組の点についての近似方程式を規定すること１４０で開始する。その後、モニターされている処理の現在点における期待値が予測される１４２。次に、モニターされている処理の現在点における測定値と対応する期待値との差が計算される１４４。それから、逐次点についてこの差がモニターされることにより、測定値と期待値との間の偏差値を検出する１４６。次に、モニターされている処理の遷移点は、偏差値の検出に基づいて識別される１４８。 （もっと読む）

【課題】イメージシフトの際、両立が困難であった、広い偏向領域と高い寸法計測再現性とを両立できる荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子源１０１、偏向手段（１０３、１０４、１０５等）、焦点位置変更手段（１０６、１０８）を制御すると共に検出器１１９により検出された電気信号により画像用データを作成する制御演算部１２１と、撮像条件ごとに登録された補正係数を保存する記録部１２０を有する荷電粒子線装置において、制御演算部は、焦点位置を変えながら複数の画像を取得し、画像内のマークの位置ずれ量と、記録部に登録された補正係数にもとづいて、計測用画像を取得する際に、荷電粒子線のランディング角が垂直となるように光学条件を制御する。 （もっと読む）

【課題】デバイスが形成されている半導体基板の全面について厚さムラを短時間で検査することができる検査装置を実現する。
【解決手段】本発明による検査装置は、半導体基板（７）のデバイス形成面とは反対側の裏面（７ａ）に向けて、前記半導体基板に対して半透明な照明光を照射する照明手段（１，２，３）と、半導体基板の裏面に入射し、デバイス構造面（７ｂ）で反射し、前記裏面側から出射した照明光を受光する撮像手段（１５）と、 撮像手段からの出力信号を用いて厚さムラを検出する信号処理装置（２０）とを具える。信号処理装置は、前記撮像手段からの出力信号を用いて、半導体基板に形成されているデバイスの半導体基板の裏面側から撮像した２次元画像を形成する手段（２１）と、撮像されたデバイスの２次元画像と基準画像とを比較し、画像比較の結果に基づいて前記半導体基板の厚さムラを検出する厚さムラ検出手段（２２，２３，２４）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ワーク内部にレーザー光線を集光して改質層を形成する加工装置において、厚さが規格外のワークが搬入されたことを加工前に検出する。
【解決手段】ワーク１を保持手段４０に搬入して保持した状態で、光学式の測定手段７０により、ワーク１の上面１ａの高さ位置を測定する第一の測定工程と基準面に設定した保護テープ１０の粘着面１０ａの高さ位置を測定する第二の測定工程とを行い、第一の測定工程と第二の測定工程とによって得られた値の差分によってワーク１の上面１ａから基準面までの距離を検出し、該距離に基づいて、搬入されたワーク１の厚さが規格外であるか否かを判断する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的な接続信頼性を向上させる。
【解決手段】（ａ）半導体基板の主面上に、主導体膜（下地膜）７Ａおよび主導体膜７Ａ上のストッパ絶縁膜（被測定膜）６ｓを積層する工程、（ｂ）ストッパ絶縁膜６ｓに開口部８を形成する工程、を含んでいる。また、（ｃ）開口部８に電子ビーム（励起線）ＥＢを照射して、特性Ｘ線を放出させる工程、および（ｄ）特性Ｘ線を検出し、特性Ｘ線の検出結果に基いて開口部８の底部８Ｂにおけるストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する工程、を含んでいる。また、（ｄ）工程では、特性Ｘ線に含まれる複数の元素成分の比率により、ストッパ絶縁膜６ｓの有無または膜厚を判定する。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】円板状の２組の基板を上下に積層して成る貼合わせ基板において、素子形成などにあたって、基板中心位置のズレ量を一括して求められるようにする。
【解決手段】輪郭測定手段３によって、貼合わせ基板２の厚み方向の投影像から２組の基板２１，２２を合わせた輪郭形状を検出する一方、エッジ形状測定手段４によって、周方向の複数点において、貼合わせ基板２の接線方向の投影像から２組の基板２１，２２それぞれのエッジ形状を検出する。そして、演算手段６が、輪郭測定手段３の検出結果から、いずれか一方の組の基板の形状データを検出し、直径および中心位置を求める一方、他方の組の基板については、その一方の組の基板の形状データを基準に、エッジ形状測定手段４で検出された２組の基板間の相対的な位置関係から、形状データを求め、直径および中心位置を求める。その後、２組の基板間の中心位置の距離から、前記ズレ量を求める。 （もっと読む）

【課題】板を搬送し膜厚測定器との間で基板の受渡しを行う搬送用ロボットの待機時間を削除または減少させるように搬送用ロボットの基板搬送動作を制御することで、装置全体としてのスループットを向上させる。
【解決手段】基板の膜厚を測定する膜厚測定器との間で基板の受渡しを行いながら搬送用ロボットで基板を搬送する基板搬送方法において、膜厚測定器は、内部に搬入された基板に対する膜厚測定が終了する所定時間前に事前終了予告信号を出力し、膜厚測定器から出力された事前終了予告信号を受けて基板搬送動作を開始するように搬送用ロボットを制御する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、膜種が同じで、膜厚が異なる場合等は再度の実測が必要となり、検査条件を設定するのに時間がかかってしまう。
【解決手段】複数の検出光学系がそれぞれ、検光角を変える光学素子と、前記検光角を制御する検光角制御部と、を有し、処理部は、前記複数の検出光学系毎の、前記検光角と、前記検光角に対応した信号対雑音比と、前記基板の膜種と、前記基板の膜厚との関係を保存したデータベースを有し、前記データベースを更新していく。さらにＳＮＲ閾値を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウエーハのシリコン膜厚を目視により検査する方法を実現する。
【解決手段】光源から放出される赤外線に近い波長を含む可視光２をＳＯＩウエーハ１の表面４に斜めに照射し、ＳＯＩウエーハ１から反射される反射光７，８の干渉縞を目視観察することにより、シリコン膜厚を検査する。 （もっと読む）

【課題】サンプルに形成された薄膜の除去工程中に該薄膜に関する情報を、渦電流プローブを使用して実状態で取得する方法を開示する。
【解決手段】渦電流プローブに検出コイルを設ける。渦電流プローブの検出コイルに交流電圧を印加する。渦電流プルーブの検出コイルがサンプルの薄膜に近接したときには、該検出コイルで第１の信号を測定する。該検出コイルが、既知の組成を有しおよび／または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第２の信号を測定する。第１の信号に含まれる利得及び／又は位相の歪みを第２の信号に基づいて校正する。校正した第１の信号に基づいて薄膜の特性値を決定する。上述の方法を実行する装置を更に開示する。加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨（ＣＭＰ）システムを開示する。このＣＭＰシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。 （もっと読む）