【課題】 処理液を使用する基板処理装置においても、ワイヤレス方式でウエハの温度を測定することが可能な温度測定用ウエハを提供する。
【解決手段】 シリコンウエハから成るベース基板１１の下面に、３個の水晶振動子１ａ、１ｂ、１ｃと、これらの水晶振動子１ａ、１ｂ、１ｃに各々連結するアンテナ２ａ、２ｂ、２ｃとが配設されたプリント基板３と、フッ素樹脂製の薄板２１をこの順に積層した構成を有する。ベース基板１１とフッ素樹脂製の薄板２１とは、その周縁において、例えば摂氏２００度程度の温度で加圧加熱溶着されることにより、液密な構成となっている。 （もっと読む）

【課題】熱処理機構を用いて基板を所定の温度に熱処理する熱処理装置において、前記熱処理機構の温度を簡易な方法で適切に校正する。
【解決手段】温度校正装置の温度検査治具１０は、熱処理板上に載置される被処理ウェハ７０と、被処理ウェハ７０上に設けられた複数のホイートストンブリッジ回路７１とを有している。ホイートストンブリッジ回路７１は、温度変化に応じて抵抗値が変化する４つの測温抵抗体７２と、接触子４１が接触する４つのコンタクトパッド７３と有している。温度校正装置の制御部では、ホイートストンブリッジ回路７１が平衡状態となるように、すなわちホイートストンブリッジ回路７１のオフセット電圧がゼロになるように、熱処理板の温度を調節する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて高速に測定対象物の物理状態を測定できる物理状態測定装置及び物理状態測定方法を提供する。
【解決手段】光源と、光源からの光を測定対象物の測定ポイントまで伝送する伝送手段と、測定ポイントで反射した光の波長を異なる波長に変換する非線形光学素子と、波長変換後の光を受光する受光手段と、受光手段で受光された光の波形に基づいて、測定ポイントにおける測定対象物の物理状態を測定する測定手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】より多くの測定ポイントの温度を簡易に測定できる温度測定装置及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】光源と、光源からの光をｍ個の波長帯域に分波する第１の分波手段と、第１の分波手段からの光を、ｍ個の波長帯域毎にｎ個の光に分岐するｍ個の第１の分岐手段と、ｍ個の第１の分岐手段からの光を、測定対象物の各測定ポイントまで伝送する伝送手段と、各測定ポイントで反射された光を受光する受光手段と、受光手段で受光された光の波形に基づいて、各測定ポイントの温度を算出する温度算出手段と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】所望の複数点の部位の温度を、容易・迅速且つ正確に測ることを課題とする。
【解決手段】温度測定装置を、第一の熱電対素子、第二の熱電対素子、前記第一の熱電対素子と電気的に直列に接続されたのＭＯＳトランジスタ及び、前記第二の熱電対素子と電気的に直列に接続されたＭＯＳトランジスタを有し、前記第一の熱電対素子からの出力信号と前記第二の熱電対素子からの出力信号の切り替えが、一方のＭＯＳトランジスタをオン又はオフのいずれかの状態から他に状態にし、他方のＭＯＳトランジスタを前記他の状態と反対の状態にすることにより行われる構成とする。 （もっと読む）

【課題】温度センサ周辺の熱の過渡特性が実際の基板の熱の過渡特性に近く、加熱処理ユニット内で処理される基板の実際の温度を高い精度にて測定することができる温度測定用装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る温度測定用装置は、基板２と、基板２の一方の主面に配置された温度センサ３と、温度センサ３を用いて温度を検出する回路と温度センサ３との間を電気的に接続するよう配置された導電体とを備える。温度センサ３の周囲における基板２の一方の主面には、基板２を形成する物質よりも熱容量が小さい低熱容量帯が形成されている。低熱容量帯は、温度センサ３に所定の間隔をおき、温度センサ３を取り囲むように、かつ、基板２の一方の主面から基板２の内部方向に向かって所定の深さを有するように形成されている。好ましくは、低熱容量帯は断面が凹状の溝である凹部８である。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの熱処理のための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】１つの方法は、ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定することと、現在の強度および第１の表面の少なくとも１つの先の熱特性に応答して、第１の表面の現在の温度を識別することと、を含む。ワークピースは半導体ウェハを含み、第１および第２の表面はそれぞれウェハの装置および基板側を含む、ことが望ましい。装置側の現在の温度は、装置側が、例えばウェハの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュによって照射されている間に識別されることが望ましい。装置側温度は、先の装置側温度に応答して識別してもよく、先の装置側温度とは異なる基板側の先の温度およびウェハの温度履歴に応答して識別してもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体加熱装置において、赤外放射温度計が、半導体加熱装置によって加熱されるウエハの温度をより正確に測定できる温度測定用ウエハ及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】半導体加熱装置１において、物体から放射される赤外線の強度を測定して温度を測定する赤外放射温度計４０を用いて、炭化珪素からなる基板２０ａと、基板２０ａの表面に形成された反射防止膜２０ｂとからなり、反射防止膜２０ｂは、炭化珪素からなり、反射防止膜２０ｂの表面粗さは、Ｒａ０．８μｍ以上である温度測定用ウエハ２０の温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】Δとψを検出することにより薄膜表面温度の測定を可能とする。
【解決手段】表面に一様な厚さの薄膜が形成された基板である温度測定用試料であって、前記薄膜の特定温度での厚さが既知であり、前記薄膜と基板について屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性が既知である温度測定用試料を温度測定対象位置に配置し、温度測定用試料の温度を計測するために偏光された測定光を照射してその反射光についてｐ偏光成分とｓ偏光成分の位相差信号Δと反射率の比の信号ψを検出するための偏光測定装置を用いて光の電界が入射面に平行なｐ偏光成分の反射率Ｒｐと、光の電界が入射面に垂直なｓ偏光成分の反射率Ｒｓを測定して位相差信号Δと反射率の比の信号ψを算出し、偏光解析によって薄膜の屈折率ｎもしくは膜厚ｔの少なくともひとつを算出し、算出したｎもしくはｔをもとに、上記既知の薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性から薄膜の温度Ｔを算出する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ素子の動作に影響されない温度センサ素子を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１２の主面に窪み２０が形成されているとともに、窪み２０の表面に沿って形成されたダイオード４０を備える。ダイオード４０は、絶縁膜２２によって基板１２と絶縁されている。半導体装置１００は、ダイオード４０が窪み２０に沿って形成されているので、基板内部の熱がよくダイオード４０に伝わり、基板１２の温度を正確に測定することができる。同時にダイオード４０は、絶縁膜２２によって基板１２から絶縁されているので、基板１２に形成されたトランジスタ素子の動作による基板内の電流変化の影響を受けることがなく、基板温度の計測精度が低下しない。 （もっと読む）

【課題】板状体の荷重をセンサー線に負担をかけることなく支持することができ、プローブヘッドが板状体の重さを受けてスムーズに角度変更（相対回転移動）して追従・密着でき、その回転移動の際にもセンサー線にまったく負担がかからず、より細い感度のよいセンサー線を用いることも可能となり、更には、プローブヘッドからの熱の逃げも最小限とすることができ、温度測定をより正確に行うことができる温度測定用プローブを提供せんとする。
【解決手段】プローブヘッド３をプローブ本体４の先端部側方に設けるための支持構造として、双方の間に略球体状の支持体５を介装し、板状体Ｗの撓みや傾きに応じて、プローブヘッド３をプローブ本体４に対して内部の温度センサー線２１、２２に負担をかけることなくスムーズに角度変更（相対回転移動）させるように支持した。 （もっと読む）

【課題】基板の温度といった情報を検出または解析する基板、基板保持装置、解析装置、プログラム、検出システム、半導体デバイス、表示装置、および半導体製造装置であって、基板が高温になる環境でも用いることができ、かつ、この基板に対する加工作業の自由度の低下を防止できるものを提供する。
【解決手段】ウエハＷに、複数の共振器５を載置する。共振器５は、平面視矩形状の基体と、この基体５１に形成されたキャパシタ５２、およびインダクタ５３と、を備え、ＬＣタンク回路を形成する。 （もっと読む）

基板処理システムは、処理チャンバと、処理チャンバ内に配設された基板を支持するためのペデスタルと、実質的にペデスタルまたは基板の一部から生じる放射光を測定するために、処理チャンバに結合された光学的な高温測定組立体とを含む。光学的な高温測定組立体はさらに、受光器および光検出器を含む。光学的な高温測定組立体は放射光の一部を受け取り、基板の温度が、その放射光の一部の少なくとも１つの波長の近くにおける強度から決定される。処理中の基板の温度を測定する方法は、基板またはペデスタルを支持するペデスタルの一部の近くに光導体を配設すること、光導体の端部が光をペデスタルまたは基板の一部から受け取るように、光導体の端部を迷光から遮蔽すること、光導体の端部の汚染を低減するために、ガスを用いて光導体の端部をパージすること、ペデスタルから放射され、光導体によって受け取られた光の一部を検出すること、およびペデスタルまたは基板からのその放射光の一部の、少なくとも１つの波長の近くにおける強度から基板の温度を決定することを含む。
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【課題】ウェハー品質を向上させ、エラー除きの時間を低下させることができるウェハー温度及び傾斜度を監視するシステムを提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハー温度及び傾斜度を監視する方法は、ウェハー冷却機、モニタシステム及びセンシングモジュールを提供する工程と、ウェハーが前記ウェハー冷却機に固定された後に、前記センシングモジュールは、前記ウェハーの領域毎の温度及び傾斜度を検出し、信号を生成して前記モニタシステムに伝送する工程と、前記モニタシステムは、前記ウェハーの温度が標準に一致しないと判断した場合、第一の警告信号を発信し、前記ウェハーの傾斜度が標準に一致しないと判断した場合、第二の警告信号を発信する工程とを含む。また、本発明は、さらに、ウェハー温度及び傾斜度を監視するシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】高温の雰囲気の中でシリコンウエハの温度を測定し、シリコンウエハの表面温度の測定を行うとき、シリコンウエハの出来るだけ多点の表面温度を測定できる圧電温度センサの提供
【解決手段】圧電振動領域とアンテナ領域とが橋絡部で結ばれており、圧電振動領域の両面に配置される励振電極とアンテナ領域に設けられるループ状の導体とが結合されることによって、励振電極と導体とが一体となる構成の圧電温度センサ。また、励振電極とアンテナ領域と橋絡部分を耐熱性があり、且つ、電磁波を透過する容器部で覆うようにすることで、高温での雰囲気にも耐え、外部の機器との信号の送受信を行うことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、使用温度範囲が広く、２次電池などのように充電を不要にできるウェハ型温度計、温度測定装置、熱処理装置および温度測定方法を提供する。
【解決手段】温度測定用ウェハ１の上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に複数の温度センサ２１，２２…２ｎと、温度センサ２１，２２…２ｎが配置された領域外に太陽電池５１，５２…５ｎを配置し、太陽電池５１，５２…５ｎから処理回路４に電流を供給し、複数の温度センサ２１，２２…２ｎの出力信号を処理回路４により温度データに変換して外部に無線で送信する。 （もっと読む）

【課題】被測定物の多点において温度センサを用いて温度測定を行い、且つ、その温度測定を行う際に温度センサと温度測定装置との間の信号の送受信を無線で行うシリコンウエハ多点温度測定装置の提供
【解決手段】シリコンウエハ加熱手段内のシリコンウエハ素材に装着された複数個の圧電振動子と、この圧電振動子と共に装着されたセンサーアンテナ部に所定の掃引信号波を送信して、圧電振動子の残響振動波を受信する。そして、この残響振動波の周波数を計測し、計測した周波数に基づいてシリコンウエハ素材の表面温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】設備コストを増大させることなくウエハレベルの温度試験を実施すること。
【解決手段】複数の半導体チップ５が形成されたウエハ１が提供される。そのウエハ１は、ウエハ１に埋め込まれ周囲の温度を所定の目標温度に制御する温度制御回路２０と、温度制御回路２０を起動するための起動信号ＳＴが外部から入力されるパッド１０と、を備える。温度制御回路２０は、起動信号ＳＴに応答して起動した後、他の制御信号を受けることなく自動的に温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供された基板の最表面温度を測定する。
【解決手段】酸化処理ガスと光照射とを用いた酸化プロセス系に供されている基板に形成された酸化膜の膜厚の測定結果に基づき基板の表面温度を測定する。前記酸化処理ガスとしては酸素ガス等の酸化性ガスが挙げられる。前記酸化膜の膜厚は楕円偏光解析法またはＸ線光電子分光法が例示される。前記酸化プロセス系内では基板を中空に配置させると、光が直接当たらない基板表面の表面温度測定に適用できる。 （もっと読む）

【課題】装置構成を複雑にすることなく、処理される基板の温度を正確かつリアルタイムに測定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ユニットと基板Ｗを搬送する搬送ロボットとを備える処理ブロックを複数連接して基板処理装置が構成される。隣接する処理ブロックの接続部分には基板載置部が設置されている。基板載置部の支持ピン７１に、センサコイル７２を搭載した検知板７０が設けられる。水晶振動子にコイルを接続して構成される検温素子８０を装着した温度測定用基板ＴＷが支持ピン７１に載置されたときに、送受信部６０から水晶振動子の固有振動数に相当する送信波がセンサコイル７２を介して検温素子８０に送信される。送信停止後、検温素子８０からの電磁波をセンサコイル７２を介して送受信部６０が受信し、その電磁波の周波数に基づいて温度算定部６９が基板温度を算定する。 （もっと読む）