【課題】検査対象としている領域を効率よく、不備なく検査できる半導体デバイスの非破壊検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ステージに保持された電子部品にレーザを照射した際に発生する電磁波を電磁波検出手段で受信して複数の電子回路の故障診断を行うに際し、初回の検査領域１２を検査するための走査領域１３をあらかじめ大きさ設定し、その検査結果である電磁波放射分布から検査対象で半導体デバイス１００の設計データとの実構造物とのズレや半導体デバイスの設置ステージの移動精度を考慮して、次以降の検査領域へレーザ照射位置の移動量や走査領域を設定する。 （もっと読む）

【解決手段】プロセス条件測定素子は、二つの導電性基板部分に挟まれた電子部品を備える。導電性経路により、該導電性基板部分は接続される。基板部分より自然酸化物が除去され、導電性コンタクト・パッドが形成され、該導電性コンタクト・パッドは、導電性接着剤により接合され、導電性経路が形成される。シールドされた電子部品へと伸びる導電性リードを備えるセンサーを、プロセス条件測定素子の外部へ設置可能である。 （もっと読む）

【課題】透明な基板を使用する場合においても、基板のエッチング深さを正確に算出することができるエッチング深さのリアルタイム検出方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のエッチング深さのリアルタイム検出方法は、基板２、および基板２の表面に設けられた被エッチング部材であるマスク３に対してレーザ光を照射する工程と、基板２の表面２ａ、およびマスク３の表面３ａにおける反射光６ｃ、６ｄに基づく干渉波の強度を検出する工程と、干渉波の強度に基づいて、基板２の表面２ａ、およびマスク３の表面３ａにおける反射光６ｃ、６ｄの光路長差を算出する工程と、光路長差に基づいて、基板２のエッチング深さを算出する工程とを備えている。そして、基板２として、基板２の内底面２ｂに、面荒らし処理が施されているものを使用する。 （もっと読む）

【課題】近接場フォトンを利用することで、次世代半導体用ナノインプリント極薄残膜の膜厚を非破壊計測する。
【解決手段】 光源１６により測定対象１０を照射し、近接場光プローブ１５を測定対象１０の表面に接近させ、測定対象１０とプローブ１５との間のエアーギャップ値を測定する。プローブ１５の先端に形成される近接場フォトン局在領域内に測定対象を存在させることにより近接場フォトン場を生成し、近接場フォトン場に応じた伝搬光である近接場フォトン応答光を放射させ、受光部１７で近接場フォトン応答光を計測する。ＰＣ２１は、計測された近接場フォトン応答光の強度と、計測されたエアーギャップ値とに基づいて、測定対象の膜厚情報を求める。 （もっと読む）

【課題】基板上のバンプパッドに形成されたプローブマークを検査するための装置を提供する。
【解決手段】基板２０の検査領域内のバンプパッドに形成されたプローブマークを検査するための基板検査装置において、基板はステージ上に支持され、イメージ獲得ユニット２２０によって検査領域のイメージが獲得される。ステージとイメージ獲得ユニットとの間にはリング照明ユニット２３０が配置され、リング照明ユニットは検査領域に向かって配置されたリング形態の内側面を有する印刷回路基板２３２と印刷回路基板の内側面上に円周方向に実装された複数の発光素子２３４を含む。 （もっと読む）

【課題】良好な効率で半導体基板の欠陥を検出する半導体基板の検査装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に励起光を照射する照射部と、前記励起光の照射によるフォトルミネッセンスによる発光を検出する検出部と、前記検出部で検出された発光データを処理して前記半導体基板の欠陥を検出するデータ処理部と、を有し、前記発光の強度の時間変化率が実質的に一定となるまで前記励起光を照射して前記発光を検出することにより、前記欠陥を検出するよう構成されていることを特徴とする半導体基板の検査装置。 （もっと読む）

【課題】短時間で高精度の測定が可能な光強度計測方法及び光強度計測装置並びに偏光解析装置およびこれを用いた製造管理装置を提供する。
【解決手段】被測定物１０にレーザ光２を照射する多モード半導体レーザからなる少なくとも１個の光源１と、被測定物を透過または反射したレーザ光を受光する複数の受光素子からなる検出手段１３と、光源より発光されたレーザ光を被測定物に導き、また被測定物を透過または反射したレーザ光を検出手段へ導く光学系と、検出手段が検出した受光量情報から被測定物の光学特性を演算する制御手段１４とから構成したもので、同時に複数のデータが取得できるため、計測時間の大幅な削減が図れると共に、データを取得する際に発生する電気的ノイズの低減が図れるため、高精度の計測が可能になる。 （もっと読む）

本発明は、基板の少なくとも一部の上の表面の１つ以上の位置における厚さを測定する移動式装置および／またはシステムと、前記装置および／またはシステムを使用する方法とに関する。移動式装置および／またはシステムは、一実施形態では、被覆厚さモニタと、任意選択で、基板上に塗布される被覆の厚さを同時に調節するための装置および／またはシステムとを有する、装置および／またはシステム含む。別の実施形態では、装置およびシステムは、被覆の形成後に被覆の厚さを測定する機能を有する。
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【課題】半導体ウェハの不良原因を精度よく推定する。
【解決手段】複数の半導体チップが形成された半導体ウェハの不良原因を解析する方法であって、半導体ウェハ上に形成された複数のテストパターンに電流を流して、２次元輝度画像を取得するステップ（Ｓ１００）と、２次元輝度画像に基づき、テストパターン毎にレベル付けを行うステップ（Ｓ１０４）と、各レベルに対応付けられたテストパターンの数量に応じて、当該半導体ウェハの不良原因が配線形成不良およびビア形成不良のいずれであるかを判断するステップ（Ｓ１１０〜Ｓ１１４）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】表面に保護部材が被着された半導体基板の裏面を研削する際に、保護部材の厚みが半導体基板相互間においてばらついていても基板の仕上げ厚み寸法精度を高く保持できる半導体基板の研削装置並びに半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１に被着された保護部材２の厚みＸ_２を研削時において連続的に測定する測定装置１０と、半導体基板１と保護部材２の合計の厚みＸ_３を研削時において連続的に測定するコンタクトゲージ８の２つの測定機構を備え、各々の半導体基板１についてそれぞれの測定値の差（Ｘ_３−Ｘ_２）から半導体基板１の厚みＸ_１を算出する。この研削装置１００によれば、保護部材２の厚みＸ_２が半導体基板１相互間においてばらついていても、半導体基板１の厚みＸ_１の仕上げ厚み寸法精度を高く保持することができ、電気特性が安定した信頼性の高いデバイスを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサを選択的にテストするのに適する光学テスト装置、テスト方法、駆動方法、及びプローブカードを提供する。
【解決手段】光学テスト装置１００の照明ソース１２０は光学テスト信号をプローブカード１１０を通じてイメージセンサ１０に提供する。光学テスト信号はプローブカードと結合した基準イメージセンサ１１２と、基準イメージセンサ１１２と照明ソースとの間に連結された制御部１４０の間に形成されたフィードバックループによって多様に定義された性質を有する。 （もっと読む）

【課題】励起光により励起された半導体試料に照射した電磁波（出力波）の反射波に基づいて半導体の特性評価用信号を生成するにあたり、測定装置の大型化や高コスト化を回避しつつ、測定装置と半導体試料との距離（リフトオフ）が変動しても精度の高い特性評価用信号を生成できること。
【解決手段】励起光による半導体試料１の励起部に出力波Ｏｐ１（電磁波）と励起パルス光とを照射し、コンピュータ１１により、ミキサ１５による出力波Ｏｐ２と反射波Ｒｔ１との混合によって出力される検波信号Ｓｇ２と、励起部反射波信号Ｓｇ１のレベルを予め記録された検波信号Ｓｇ２及び励起部反射波信号Ｓｇ１の対応関係情報とに基づいて、励起部反射波信号Ｓｇ１が補正された特性評価用信号を生成して記憶手段に記録する。 （もっと読む）

【課題】本発明は半導体ウエハー中へ前記ウエハー(4)の表面全体を照らしながら余分なキャリアを注入するための発光源に関する。
【解決手段】本発明によると、この光源(1)には、前記光源が、その大きさが少なくとも前記半導体ウエハーが照らされる面の大きさと少なくとも等しい単色ビームを放射するように、Ｘ方向にもＹ方向にも等間隔に配置される少なくとも１つの点光源の組立品（2）が含まれ、一般電気変調器(3)により各前記点光源(2)が正弦波により調整され、２つの点光源間の距離(d)ならびに前記光源(1)と前記半導体ウエハー(4)が照らされる面との間の距離(D)は、前記半導体ウエハーが照らされる面が単色発光ビームにより均一に照らされるように選択される。 （もっと読む）

【課題】プローブカードのプローブ針を容易に修正することを可能とするプローブ検査装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハから電極パッドＰの位置を特定できるパッド画像を撮像し、撮像されたパッド画像を記憶する。プローブカードからプローブ針の先端Ｑの位置を特定できるプローブ画像をリアルタイムに撮像しながら、反転させたパッド画像にプローブ画像をリアルタイムに重ね合わせて表示する。電極パッドＰに対するプローブ針の位置関係がリアルタイムに表示されるので、画像を参照してプローブ針をピンセットなどで修正するとき、プローブ針の状態をリアルタイムに確認しながら修正することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体試料に加えられるダメージの影響の低減が可能で、より鮮明な不純物濃度分布に関する情報を取得することが可能な半導体の不純物分布測定用試料の製造方法および不純物分布測定方法を提供すること。
【解決手段】収束イオンビームを用いて、ｐ型とｎ型のうちの１つ以上の導電型の不純物を含む半導体基板から半導体片を切り出す切出工程Ｓ１１０と、切出工程Ｓ１１０で切り出した半導体片を、１０μｍ以下の厚さの導電性の箔の上に固定して電気的に接続する箔固定工程Ｓ１２０と、箔固定工程Ｓ１２０で導電性の箔の上に固定された半導体片に、所定の希ガスイオンを照射して、切出工程Ｓ１１０で生じたダメージ層の一部または全部を除去して半導体試料を形成するダメージ緩和工程Ｓ１３０と、を備える構成を有する。 （もっと読む）

【目的】 本発明の目的は、ゴミ除去時のプローブへのダメージを低減することができるプローブのクリーニング方法及びプローブのクリーニング装置を提供する。
【構成】 プローブのクリーニング方法は、プローブ先端クリーニング部材１０に静電気を帯電させ、当該プローブ先端クリーニング部材１０をプローブカード２０のプローブ２１に相対的に接近させることにより、当該プローブカード２０のプローブ２１の先端部に付着した付着ゴミａを除去する。 （もっと読む）

【課題】機械による量産が可能なように、よく知られた部品によって構成された安価なクリーニングブラシユニットの提供。
【解決手段】移動台の寸法に合わせたプレート８４と、プレート８４の上に載せたブラシベース８５と、ブラシベース８５の上に敷いたブラシベースラバー８８とその上に必要な数だけ並べたクリーニングブラシ８１と、クリーニングブラシ８１の端を押さえて固定するクランプベース８６と、サポートプレート８７と、サポートプレート８７を押さえて固定する六角穴付き止めネジ８９とでクリーニングブラシユニットを構成する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの表面の膜厚のムラや膜の欠損等の異常を高速度で検査でき、かつ安価なウェハ検査装置を提供する。
【解決手段】ウェハ１０に形成された膜の検査方法において、所定の位置にウェハ１０を載置し、ウェハ１０に対し垂直に置かれた平板光源１９で、ウェハ１０の全体を含みウェハ１０の幅より大きい領域を略均一に照射し、ウェハ１０の領域外に位置するカメラ１８で、ウェハ１０の全体より大きい視野でウェハ１０の表面を撮影し、ウェハ１０の表面の色が変化している部分を膜のムラがある部分や膜の欠損している部分と判断した。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ表面でレーザ光を一定方向に走査することによって欠陥を検出する計測器を用いて、異方性を有した欠陥と等方性を有した欠陥とを高精度に識別して、両者の欠陥の数を高精度に検出できるようにし、また、異方性が異なる各欠陥を高精度に識別して、異方性の異なる欠陥毎に欠陥の数を高精度に検出できるようにする。
【解決手段】半導体ウェーハを構成する半導体の結晶の方向を基準にして、所定角度ずつ半導体ウェーハに対する光の相対的な走査方向を変化させつつ、散乱光を測定し、所定角度ずつ変化させる毎に得られた測定結果を比較する。 （もっと読む）

【課題】 欠陥強調突起部の形成に基づいて結晶欠陥を高精度に検出できるとともに、結晶欠陥の種別の特定も可能な結晶欠陥の評価方法を提供する。
【解決手段】 欠陥強調突起部の頂面部をレーザー散乱式検出装置にて検出し、その検出された頂面部の寸法情報により結晶欠陥の種別を識別する。結晶欠陥の基板上での形成状態や分布の情報を欠陥種別の情報と合わせて把握することができ、基板の品質評価や製造工程管理等へのフィードバックも有効に図ることが可能となる。 （もっと読む）