【課題】無機化合物半導体のキャリア濃度を非破壊で簡易に測定する。
【解決手段】非破壊キャリア濃度測定装置１００は、テラヘルツ光に対する無機化合物半導体の反射率と、キャリア濃度との相関関係を記憶する記憶部１０１と、試料となる無機化合物半導体にテラヘルツ光１０５を照射する光照射部１０３と、照射されたテラヘルツ光１０５に対する無機化合物半導体の反射光１０８を検出する検出部１０９と、照射されたテラヘルツ光１０５と反射光１０８とを対比して無機化合物半導体の反射率の実測値を算出する反射率算出部１１１と、記憶された相関関係を参照し、反射率の実測値に対応する試料のキャリア濃度を読み取る読取部１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に存在する欠陥を、効率よく、高感度に検出する。
【解決手段】表面に回路が形成された半導体装置の裏面から、回路の形成面まで透過する波長の光１３ａを照射する照射部１３と、光１３ａの入射により、半導体装置の裏面から発せられる光１３ｂを検出する検出部１５と、検出した光１３ｂの強度を取得する取得部と、を有する検査装置１０により、表面に回路が形成された半導体装置の裏面から、回路の形成面まで透過する波長の光１３ａが照射され、光１３ａの入射により、半導体装置の裏面から発せられる光１３ｂが検出されて、検出された光１３ｂの強度が取得される。これにより、ウェハスケールやチップスケールの半導体装置内に存在する欠陥を、効率よく、高感度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内に存在する欠陥を、容易に、効率よく、かつ、高感度に検出する。
【解決手段】側面の一部に切欠を有する中空の保持部１２に、搬送部によって半導体基板１１が配置された搬送板に連接させたアーム部を下降させて、アーム部が保持部１２の切欠を通過して、保持部１２に半導体基板１１を裏側から保持させる。そして、照射部１３によって、半導体基板１１の裏面に光１３ａが照射され、検出部１７によって、半導体基板１１の裏面から発せられる光１３ｂが検出され、測定部によって光１３ｂの強度が測定される。 （もっと読む）

【課題】エッチングなどの表面処理における膜厚測定において、照明光などの外乱によって受光部の検出精度が損なわれるのを防止する。
【解決手段】表面処理装置１０に膜厚測定設備２０Ｘを付設する。その発光部２１は、所定波長の測定光Ｌ１を被処理物９０に出射し、受光部２２は、被処理物９０からの光を検出し、膜９２の厚さの測定に供する。さらに照明部２３を設け、処理チャンバー１２内を前記所定波長の光を含まない照明光Ｌ３で照明する。受光部２２は、前記所定波長の光に感応する一方、前記照明光Ｌ３の波長の光に感応しない。処理チャンバー１２を画成する仕切りには、前記所定波長の光をカットする入射フィルタ１１ｆを設ける。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体よりなる半導体装置の積層欠陥の有無を短時間で検査する方法の提供。
【解決手段】炭化珪素半導体からなる半導体ウェハー（ＳｉＣウェハー）９に、この炭化珪素半導体のバンドギャップよりも大きなエネルギーを有するレーザー光２を照射する。そのレーザー照射によって半導体ウェハーから放射された光６を波長選択手段（分光器）４により分光し、特定波長の光の強度を測定手段（光電子倍増管）５により観測する。測定した光強度に基づいて半導体装置の特性劣化を判定する。 （もっと読む）

【課題】簡易評価であるグルービング法の測定精度を向上させることができるグルービング加工方法を提供する。
【解決手段】基板上に発光層２を含むエピタキシャル層を形成したエピタキシャルウエハ１の発光特性を検出すべく、前記エピタキシャルウエハ１の任意位置の測定部分３の周囲に堀４を形成するためのグルービング加工を施す方法において、前記堀４の断面形状を、前記エピタキシャルウエハ１の表面から基板側に向けて逆台形に形成し、前記測定部分３の断面形状を台形に形成する方法である。 （もっと読む）

ウエハーの反りを定量化するための配置構造に関する。プラズマ処理システム内に位置する配置構造が提供される。配置構造はウエハーを保持するための支持機構を含む。配置構造は、ウエハー上の複数のデータポイントの第１測定データセットを収集するように構成された第１センサセットをも含む。第１測定データセットは、第１センサセット及びウエハーの間の最小ギャップを表す。第１センサセットは、プラズマ処理システムの処理モジュールの外部にある第１位置に位置している。 （もっと読む）

電荷キャリアの寿命を測定するための装置は、紫外線を測定位置へと向けるための手段を備える測定プローブを備える。測定プローブは、測定位置に対して所定の空間的関係を成して設けられる少なくとも１つの電極を更に備える。装置は、マイクロ波放射線を測定位置へと向けるようになっているマイクロ波源と、紫外線に応じて測定位置で反射されるマイクロ波放射線の強度の変化を測定するようになっているマイクロ波検出器と、半導体構造体を受けるとともに、半導体構造体の一部に電気的に接触するようになっている半導体構造体ホルダとを更に備える。また、半導体構造体の少なくとも一部を測定位置に位置決めするために基板ホルダを測定プローブに対して移動させるための手段が設けられる。装置は、半導体構造体ホルダと電極との間にバイアス電圧を印加するようになっている電源を更に備える。 （もっと読む）

【課題】吸光性膜の厚さを広範囲にわたって干渉の影響を受けることなく解析可能な方法を提供する。
【解決手段】ガラスからなる透明基材９０にアモルファスシリコンからなる吸光性膜９１が被膜されている。この吸光性膜９１に照射部１０Ｘから検査光Ｌ１を照射し、反射検出部１０Ｙで反射率（Ｒ）を検出するとともに、透過検出部２０Ｘで透過率（Ｔ）を検出する。これら検出結果からＸ＝Ｔ／（１−Ｒ）を算出し、その算出値と、記憶部３３に格納した膜厚とＸとの関係データとに基づいて、吸光性膜９１の膜厚を解析する。 （もっと読む）

【課題】集積回路は正常動作のときに正常電流によって発熱して変形することに着目して、この正常電流を集積回路表面の形状の変化として検出することができる集積回路試験装置及び方法を提供すること。
【解決手段】レーザビームを、偏光ビームスプリッタ１１、１／４波長板１２、及び対物レンズ１３を介して集積回路サンプルの表面に照射して、その反射光を対物レンズ１３、１／４波長板１２、及び偏光ビームスプリッタ１１を介して４分割フォトダイオード１４で受光して、その出力の差分を差動増幅器１５によって検出することで、集積回路の表面が部分的に膨張したときにその周辺との境界の表面の傾きを検出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素単結晶ウェハから炭化珪素半導体素子を製造するに際し、ウェハ面における特定の基底面内欠陥を他の転位や積層欠陥と識別することによりその位置及びその種類を非破壊的に特定し、これに基づいて、結晶欠陥による素子特性への影響がない炭化珪素半導体素子を製造することを目的としている。
【解決手段】炭化珪素単結晶ウェハのウェハ面内における反射Ｘ線トポグラフィー測定を行い、これにより得られた、ウェハ面内におけるＸ線回折データから、特定の回折パターンを識別することにより特定の基底面内欠陥を非破壊的に検出し、得られたウェハ面内における該基底面内欠陥の位置情報を取得することを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの欠陥検出方法、及び、該欠陥検出方法を用いた炭化珪素半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】先端デバイスプロセスである低温プロセス後のウェーハ表面近傍に形成される小さなＢＭＤなど微小な欠陥であっても測定することができる測定感度の高い結晶欠陥の検出方法を提供する。
【解決手段】赤外散乱トモグラフィー法による結晶欠陥の検出方法において、測定に用いるシリコン単結晶ウェーハと、該シリコン単結晶ウェーハとは別のシリコン単結晶ウェーハを準備し、該２枚のシリコン単結晶ウェーハを重ね合わせ、該重ね合わせた２枚のシリコン単結晶ウェーハの間に、シリコン単結晶ウェーハの屈折率と同等の屈折率の液体を介在させ、前記赤外線レーザービームは前記測定用のウェーハとは別に準備した前記シリコン単結晶ウェーハの重ね合わせた面とは反対の面より入射させることによって測定用のシリコン単結晶ウェーハの結晶欠陥を検出することを特徴とする結晶欠陥の検出方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の測定対象物の清浄度を向上させるとともに照射光学系及び検出光学系の温度安定性を向上させることである。
【解決手段】測定対象物Ｗに検査光を照射する照射光学系１０１及び前記測定対象物Ｗからの生じる光を検出する検出光学系１０２を収容する測定装置用架台１であって、架台１内部に送風を行う送風機構８からの気体流を少なくとも２つに分流する分流機構を備え、当該分流機構により分流された一方の流れを照射光学系１０１及び検出光学系１０２に当て、他方の流れを流速を上げて前記測定対象物Ｗに側方から当てる流量分配構造９を備えている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ外周部の反りにより、プラズマエッチング時にその外周部の温度上昇を十分に抑えることができない。
【解決手段】スライスドウェーハの全体の反りを測定し、その測定結果に基づき、凸側と判断された面を半導体ウェーハのデバイス形成面とする。このデバイス形成面に対して所定の平坦加工を施す。ウェーハ外周部の反りが抑えられ、ウェーハ外周部の平坦度も高めることができる。半導体ウェーハの反対側の凹面を小径な静電チャック板に吸着し、プラズマエッチングする。このとき、チャック板内設通路に冷媒を流し、ウェーハ外周部の熱ダメージを低減する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に存在する欠陥を効率よく、且つ高感度に検出する。
【解決手段】半導体装置の裏面から励起光１２を照射する照射手段と、励起光１２の照射により、半導体装置の裏面から発せられる光を分光検出する検出手段と、分光検出により得られた特定波長の強度を測定する測定手段と、を有する検査装置１により、半導体装置の裏面から励起光１２が照射され、励起光の照射により、半導体装置の裏面から発せられる光が分光検出され、分光検出した特定波長の強度が二次元分布として画像表示化される。これにより、ウェハスケールやチップスケールの半導体装置内に存在する欠陥を、効率よく、且つ高感度に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体の内部電場を非破壊・非接触に求めることができる窒化物半導体の評価方法及び評価装置を得る。
【解決手段】参照信号に同期した音波を窒化物半導体の試料１５に照射する。試料１５にプローブ光を照射し、試料１５で反射又は透過したプローブ光を受光して電気信号に変換する。プローブ光の電気信号を直流成分と交流成分に分離する。交流成分を、参照信号に同期したロックイン増幅器２５によりロックイン検出する直流成分を直流電圧計２４により計測する。交流成分を直流成分で除算することでプローブ光の変調スペクトルを求める。変調スペクトルに現れるフランツ・ケルディッシュ振動の周期に基づいて試料１５の内部電場を求める。 （もっと読む）

【課題】 プローブの針先高さを入力する必要がなく、しかもプローブカードを損傷させることなく確実且つ安全にプローブカードを登録することができるプローブカードの登録方法を提供する。
【解決手段】 本発明のプローブカードの登録方法は、複数のプローブ１２Ａを有するプローブカード１２を用いて載置台１１上のウエハを検査するに先立って、プローブ１２Ａの針先位置をプローブ装置１０に登録する際に、載置台１１の上方に配置された第１のＣＣＤカメラ１３Ｂを用いて載置台１１に設けられた荷重センサ１６の高さを検出する工程と、載置台１１を介して荷重センサ１６を移動させて荷重センサ１６とプローブ１２Ａを接触させる工程と、荷重センサ１６とプローブ１２Ａとの接触開始時に荷重センサ１６を停止させる工程、荷重センサ１６の高さと上記停止高さに基づいてプローブ１２Ａの針先高さを求める工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体の表面または半導体において欠陥または汚染を識別するために半導体表面を高速走査する。
【解決手段】半導体ウェーハ１０５などの表面１０６を有する半導体を設けること、非振動式接触電位差センサ１０１を設けること、制御可能な強度または波長の分散を有する照射源１０９を設けること、非振動式接触電位差センサプローブ先端１０２の下または付近でウェーハの表面の制御された照射を提供するために照射源を用いること、制御された照射中にウェーハ表面を走査するために、非振動式接触電位差センサを用いること、ウェーハ表面にわたって接触電位差における変化を表すデータを生成すること、欠陥または汚染のパターン特徴を識別するためにそのデータを処理することを伴う。 （もっと読む）

【課題】検査面積の大型化が可能で、検査速度の速い簡便な有機薄膜の検査方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る有機薄膜の検査方法は、有機薄膜に電荷を注入し、有機薄膜内部における電荷分布の時間変化を可視化することを特徴とする。
また、本発明に係る有機薄膜の検査装置は、有機薄膜に電荷を注入する電荷注入手段と、有機膜中に光電子を発生させる光電子発生手段と、有機薄膜から放出される光電子を可視化する光電子可視化手段と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】観測領域の特定が容易で、小型に構成できる顕微フォトルミネッセンス測定装置を提供する。
【解決手段】顕微鏡筒体１５１、１５２と、顕微鏡筒体から出た光を光分析手段に導くバンドルファイバ２０と、バンドルファイバの位置を調整する位置調整手段３３と、照明光源からの光を顕微鏡筒体内に導き、試料１４の反射光を観察する落射照明観察手段３４、３６と、試料を励起する励起光の励起光源と、励起光で励起されてフォトルミネッセンスを放出する試料の観測領域を選択する視野絞り３０とを備える。この装置では、試料の表面を落射照明観察手段で観察し、ＰＬ観測領域を視野絞り３０によって選択し、視野絞りで絞られた光束が適切にバンドルファイバ２０に入射するように、バンドルファイバの位置を位置調整手段３３で調整する。ＰＬ観測領域を高精度に特定することができ、その観測領域の最適状態での観測を容易に設定することができる。
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