【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いてパターン形成がなされていない反射率が既知の無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、反射率が既知の無地ウェハーの反射強度から反射率が１００％の理想鏡に光を照射したときに得られるはずの理想反射強度を算出する。理想反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、理想反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出される。 （もっと読む）

非ファラデーカップ型イオンドーズ量測定装置であり、この測定装置はプラズマプラズマプロセスチャンバ内に設置され、チャンバ内のワークピースの上方に位置するセンサを含む。センサはプロセス注入プロセスに曝されるワークピースの表面から放出される二次電子の数を検出するように構成される。センサは検出された二次電子に比例する電流信号を出力する。電流回路がセンサから発生された検出二次電子電流を引き出し、この電流をチャンバ内でワークピースに供給されるバイアス電流から差し引く。両電流の差が注入プロセス中に源位置で計算されるイオンドーズ量電流の測定値を提供する。
（もっと読む）

【課題】熱処理時に処理対象基板にダメージを与えることを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】光学測定系を用いて反射率が既知の標準ウェハー、パターン形成がなされていない無地ウェハーおよび実際に処理対象となる半導体ウェハーの反射強度を測定する。それぞれの反射強度にはスペクトル分解処理がなされる。そして、標準ウェハーの反射強度と無地ウェハーの反射強度とから無地ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出され、標準ウェハーの反射強度と処理対象ウェハーの反射強度とから処理対象ウェハーが吸収した光エネルギー値が算出される。これらに基づいて無地ウェハーに対する処理対象ウェハーの光エネルギー吸収比率が算出され、その値と無地ウェハーに照射する光の適正エネルギー値とから処理対象ウェハーに照射すべき適正エネルギー値が算出される。 （もっと読む）

【課題】第２セル層の膜厚を、より高精度で計測可能な方法及び膜厚計測装置、並びに、該膜厚計測方法を用いて、基板面内で膜厚が均一になるように第２セル層を製膜する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極層及び光電変換層が形成された基板面内の任意の位置における透過率と、予め測定された透明電極層ヘイズ率及び第１セル層膜厚とに基づき、第２セル層の膜厚を算出する工程とを含む膜厚計測方法。該膜厚計測方法により第２セル層の膜厚を算出する第２セル層膜厚算出部を備える膜厚計測装置。該膜厚計測方法に基づき、基板面内の任意位置における第２セル層の膜厚を算出する工程と、第２セル層の膜厚が許容膜厚範囲から外れる場合に、第２セル層製膜条件を調整する工程とを含む光電変換装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの活性層などとして有用な非晶質又は多結晶性の酸化物半導体層の膜質を、非破壊で迅速に調べることのできる検査方法、及び、その検査方法を活用した非晶質又は多結晶性の酸化物半導体層の作製方法を提供すること。
【解決手段】検査しようとする非晶質又は多結晶性の被検査酸化物半導体層に対して励起光２を照射し、被検査酸化物半導体層から放出される光のうち、バンドギャップエネルギーに対応する波長よりも長い波長領域のフォトルミネッセンス光４の強度を測定する。そして、被検査酸化物半導体層と同じ工程で作製され、被検査酸化物半導体層と同じ元素組成と膜厚とを有する、非晶質又は多結晶性の参照用酸化物半導体層に対し、同じフォトルミネッセンス光強度の測定と、膜質の測定とを行い、フォトルミネッセンス光強度と膜質との関係を得て、この関係に基づいて酸化物半導体層の膜質を推定する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ等の単結晶基板とその上に気相成長させた単結晶薄膜との間に発生するミスフィット転位を、定量的で高感度、且つ簡便に評価するためのエピタキシャルウェーハの評価方法と、それを利用したエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、単結晶基板の主表面上に、該単結晶基板と格子定数の異なる単結晶薄膜を気相成長させて作製したエピタキシャルウェーハの格子定数に基づくミスフィット転位の量を評価する方法であって、前記単結晶基板と前記単結晶薄膜の格子定数の差による前記エピタキシャルウェーハの反り量の理論値をシミュレーションによって求め、また前記エピタキシャルウェーハの反り量を実測し、前記理論値と前記実測値の差を比較することで前記エピタキシャルウェーハ中のミスフィット転位の量を評価することを特徴とするエピタキシャルウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】表面のダメージの程度を詳細に評価することができる化合物半導体部材のダメージ評価方法、並びに、ダメージの程度が小さい化合物半導体部材の製造方法、窒化ガリウム系化合物半導体部材及び窒化ガリウム系化合物半導体膜を提供する。
【解決手段】まず、化合物半導体基板１０の表面１０ａのフォトルミネッセンス測定を行う。次に、フォトルミネッセンス測定によって得られた発光スペクトルにおいて、化合物半導体基板１０のバンドギャップに対応する波長λ_１におけるピークＰ_１の半値幅Ｗ_１を用いて、化合物半導体基板１０の表面１０ａのダメージを評価する。 （もっと読む）

【課題】層厚の厚い窒化物半導体層を有している窒化物半導体装置、及びＨＥＭＴが作り込まれている窒化物半導体装置を検査する場合においても、欠陥を確実に励起させ、かつ欠陥に由来するイエロールミネッセンスを精度良く検出する。
【解決手段】サファイア基板１５の表面に形成されたＧａＮ（窒化物半導体層）１７に対して、表面と対向する裏面側から、第１励起光４７を、サファイア基板を透過させて照射する。そして、第１励起光４７によって窒化物半導体層１７に発生し、かつサファイア基板１５の裏面から出射される、欠陥に基づくイエロールミネッセンス４９の第１強度を検出することによって、第１強度から窒化物半導体層１７の評価を行う。 （もっと読む）

【課題】暗視野検査装置の測定結果を微小領域まで保証できる技術を提供する。
【解決手段】表面に不規則な凹凸パターンのマイクロラフネスが精度よく形成され、その表面のマイクロラフネスの粗さが保証されたバルクウエハを基準ウエハとして暗視野検査装置の校正を行う。マイクロラフネスは、薬液による化学処理により精度よく形成することができる。このようなマイクロラフネスをＡＦＭを用いて測定し、測定値を基にヘイズ期待値を求める。その後、校正する暗視野検査装置で基準ウエハの表面のヘイズを測定してヘイズ実測値を求め、ヘイズ期待値とヘイズ実測値との差を求める。この差を基にヘイズ実測値がヘイズ期待値と合致するように暗視野検査装置のヘイズ測定パラメータを調整する。 （もっと読む）

【課題】金属又は半導体の原子又は分子１〜２層からなる量子構造を評価する方法、該評価方法を用いて量子構造を製造する方法、及び該製造方法によって製造される量子構造を提供する。
【解決手段】金属又は半導体が金属又は半導体の融点又は分解温度より高い温度の基板の表面に蒸着されることで形成された金属又は半導体の原子又は分子１〜２層からなる薄膜と基板とからなる積層体を高温に保持することで薄膜を構成する金属又は半導体を脱離させる過程において、波長及び偏光を制御した照射光を積層体の薄膜側の面に照射し、照射光が積層体で反射されることによって得られる反射光を検出することで求められる擬誘電関数の時間変化、及び照射光の波長から薄膜の量子構造を評価する、量子構造の評価方法、該評価による結果を製造工程にフィードバックして量子構造を製造する方法、及び該方法で製造される量子構造とする。 （もっと読む）

【課題】 干渉計から発射される測定波を反射させる反射体の面積を小さくすることができる技術を提供する。
【解決手段】 移動ステージ装置１０は、固定フレーム１２と第１〜第３フレームとステージ２６と第１干渉計１８と第１〜第３ミラーと移動量算出装置を備える。第１フレーム２４は固定フレーム１２に対してＸ軸方向に、第２フレームは第１フレーム２４に対してＹ軸方向に、ステージ２６は第２フレームに対してＺ軸方向に、それぞれ直線移動可能である。第１干渉計１８は固定フレーム１２に、第１ミラー３４は第１フレーム２４に、第２ミラーは第２フレームに、第３ミラー３８はステージ２６に、それぞれ取り付けられている。第１干渉計１８からＸ軸方向に発射されたレーザ光１８ａは、第１ミラー３４、第２ミラー、第３ミラー３８に反射されて、第１干渉計１８に入射する。 （もっと読む）

【課題】１つの載置台当たりのコストとフットプリントを低減させることができ、スループットの低下を抑えることが可能なプローブ装置を提供すること。
【解決手段】ウェハチャック４Ａ、４Ｂ（４Ｃ、４Ｄ）と、プローブカード６Ａ、６Ｂと、上側撮像ユニット５を有する検査部２１Ａ（２１Ｂ）を備え、上側撮像ユニット５を共有化すると共に、ウェハチャック４Ａ、４Ｂ（４Ｃ、４Ｄ）の移動領域を重なるように設定する。そして検査部２１Ａのウェハチャック４Ａ、検査部２１Ｂのウェハチャック４Ｃ、検査部２１Ａのウェハチャック４Ｂ、検査部２１Ｂのウェハチャック４Ｄの順にウェハＷを搬送し、１つの上側撮像ユニット５でウェハＷを撮像する。これにより上側撮像ユニット５を共有化してコストを削減でき、ウェハチャック４Ａ、４Ｂ（４Ｃ、４Ｄ）の移動領域を重ねることによって筐体２２ａ、２２ｂを小型化してフットプリントを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスに対して無バイアス状態での検査を好適に行うことが可能な半導体検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】 半導体デバイスＳに対し、パルスレーザ光の照射によって発生する電磁波を利用して無バイアス状態で検査を行うとともに、半導体デバイスＳのレイアウト情報を参照して検査範囲を設定し、その範囲内でパルスレーザ光の検査光Ｌ１による２次元走査を行う。また、半導体デバイスＳの検査範囲を光学系の光軸に対して所定位置に配置し、半導体デバイスＳに対して固浸レンズ３６を設置した状態で、走査手段であるガルバノメータスキャナ３０により、固浸レンズ３６を介して半導体デバイスＳの検査範囲内を検査光Ｌ１によって２次元走査するとともに、半導体デバイスＳから出射された電磁波を光伝導素子４０で検出する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成でありながら、多様な半導体基板に対応して、高い精度でマイクロクラック等を検出することができる赤外線検査装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に赤外線を照射して透過した光を検出する赤外線検査装置であって、異なる波長の光を射出する複数種類の赤外線ＬＥＤを、切り替え点灯可能に備えているようにした。 （もっと読む）

【課題】機械的プローブと被接触物との接触を正確に検出する方法および装置を提供する。
【解決手段】接触検出装置は、被接触物に接触するために移動可能な機械的プローブと、前記被接触物に照射する荷電粒子線を生成する荷電粒子線ビーム源と、前記被接触物からの二次粒子又は反射粒子を検出するための検出器と、前記検出器からの検出信号より前記被接触物に投影された前記機械的プローブの影の特徴量を演算する演算装置と、前記機械的プローブの操作を制御する制御装置と、を有する。演算装置は、機械的プローブの影の特徴量として、影の深さS(x,y)を演算し、該影の深さS(x,y)に基づいて、前記被接触物と前記機械的プローブの間の距離を示す評価値J(z)を求める。 （もっと読む）

【課題】部分的に活性化されたドープ半導体領域の活性化の程度および活性ドーピングプロファイルを非破壊的手法で決定するための方法及び／又は手順を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ既知の注入されたままの濃度および、既知の変化する接合深さを有する少なくとも２つの半導体領域のセットを用意する工程１０、これらの領域のうち少なくとも１つについて、注入されたままの濃度の決定工程２０、前記セットのうち少なくとも２つの半導体領域をＰＭＯＲ技術により部分的に活性化させる工程３０、反射プローブ信号の符号付き振幅を接合深さの関数として、少なくとも２つのレーザ間隔値について測定および／またはＤＣプローブ反射率を接合深さの関数として測定する工程４０、これらの測定値から活性ドーピング濃度を抽出する工程８０、全体の注入されたままの濃度および活性ドーピング濃度を用いて、不活性ドーピング濃度を計算する工程９０を含む。 （もっと読む）

【課題】反射光によるウエハ表面画像と透過光によるウエハ透過画像の模様の違いを修正して、多結晶シリコンウエハの内部クラックを検出する。
【解決手段】多結晶シリコンウエハ２の反射光から得たウエハ表面画像データと多結晶シリコンウエハ２の赤外線透過光から得たウエハ透過画像データとでは結晶粒の大きさが異なる。これより、２つの画像データの差分値は内部クラックによる明度差と、結晶粒の境界のズレなどから起因する明度差とが顕著であるクラック疑い画素が検出される。このクラック疑い画素の隣接するもの同士を連結し、そのクラック疑い画素の分布状態からクラックを検出する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は良好にシリサイドを形成し得る半導体基板であるか否かを検査する半導体基板の検査方法を提供することにある。
【解決手段】 電極形成のためのシリサイドが表面に形成される半導体基板に対し、光を照射する照射工程と、照射による反射光の光強度測定を行う測定工程と、測定値および予め保持する閾値を比較し半導体基板の良否判定を行う判定工程と、を備える。これにより、電極形成のためのシリサイドの形成に先立ち、予め半導体基板の良否を検査することができる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の有無を簡便な手法により評価するエピタキシャルウェーハの評価方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエピタキシャルウェーハの評価方法は、レーザ散乱光方式の走査装置５を用いて、半導体ウェーハＷの主表面Ｗ１に形成されているエピタキシャル層ＥＰのヘイズ値を測定し、ヘイズ値から得られるパラメータに基づいてエピタキシャル層ＥＰの有無を評価する。 （もっと読む）

【課題】分割後チップのウエハ上の位置識別方法の提供。
【解決手段】ウエハ上に個々に分割することを予定した複数の分割前チップを備え、分割前チップが、第１パターンの部材と第２パターンの部材とを備える半導体素子を有し、第１パターンの部材と第２パターンの部材とが、半導体素子としての機能を生じる部材であり、第１パターンの部材の外形の任意の点と第２パターンの外形の任意の点を選択し、複数の分割前チップの内、原点ショット４によって形成した１つの分割前チップを原点チップとし、原点チップの任意の点の間隔を基本間隔とし、原点チップ以外の分割前チップの任意の点の間隔が、基本間隔から所定距離ずれた個別間隔を有しており、基本間隔と個別間隔を個々の分割前チップの位置情報とし、識別対象の分割後チップ中の任意の点の間隔を測定し、得られた値を、位置情報と照合することにより、分割後チップの分割前のウエハ上の位置を特定する。 （もっと読む）