【課題】膜厚をより高い精度を測定することが可能な膜厚測定装置を提供する。
【解決手段】モデル化部７２１Ａは、フィッティング部７２２Ａからのパラメータ更新指令に従って第１層の膜厚ｄ_１を順次更新し、この更新後の第１層の膜厚ｄ_１に従って理論反射率を示す関数を更新する。さらに、モデル化部７２１Ａは、更新後の関数に従って、各波長における理論反射率（スペクトル）を繰返し算出する。このような手順によって、第１層の膜厚ｄ_１がフィッティングによって決定される。フィッティングが規定回数以内に収束しなかった場合には、フーリエ変換を用いて、第１層の膜厚ｄ_１が決定される。 （もっと読む）

【解決手段】第１器機（２３０）を使用して、規定断面のトレンチ（１１０）を有する第１半導体製品を画像化する。一方、同時に、第２器機（２２０）を使用して、規定断面のおトレンチを有する第２半導体製品を形成する。さらに、本開示の方法によれば、粗加工およびそれに続く微細加工を施すことにより、半導体製品に規定断面のトレンチ（１１０）を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ内の電極パッドの前記針痕の有無、形状の異常、プローブ針の位置ズレによる欠陥と、その他の理由に起因する欠陥とを区別する可能性を高める方法の提供。
【解決手段】被検査物の半導体チップの通電テストの為の電極パッド部にプローブ針を当て電気的特性検査を行った後、プローブ針の位置ズレにより発生する欠陥と、電極パッドの表面に存在するヒロック等の欠陥とを区別し、プローブ針の位置ズレにより発生する欠陥が無ければ、正常な電極として扱う可能性を高める方法であって、電極パッド内にある針痕の位置を抽出する事により、検査領域を特定し、針痕の位置ずれに起因する欠陥と電極パッドの表面に存在するヒロック等の欠陥とを高い確率で、区別する。 （もっと読む）

【課題】検査した後の基板について電極パッドの下地層の露出の有無等の露出状況を自動的かつ高精度に検出することができる針跡検査装置と、当該装置を備えたプローブ装置、及び針跡検査方法とその検査方法の実行プログラムが記憶された記憶媒体を提供すること。
【解決手段】Ｒ成分データＤ２、Ｇ成分データＤ３及びＢ成分データＤ４の中から、電極パッド２の材質と下地層６の材質との反射率の差に応じて選択されたＢ成分データＤ４を取得するＲＧＢ成分取得部５０と、Ｂ成分データＤ４に対して、電極パッド２とは区別して下地層６の画像を取得するために設定されたグレイレベルとこのグレイレベルを有する画素数との関係データを求めるＢ成分ヒストグラム取得部５２とを備え、求められたヒストグラムに基づいて、針跡１０における下地層６の露出の有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】検査した後の基板について電極パッドの下地層の露出の有無等の露出状況を自動的かつ高精度に検出することができる針跡検査装置と、当該装置を備えたプローブ装置、及び針跡検査方法とその検査方法の実行プログラムが記憶された記憶媒体を提供すること。
【解決手段】電極パッド２を撮像する上カメラ７２により得られた撮像データＤ１から針跡領域１３を抽出する針跡領域抽出部５０と、針跡領域１３に対し、当該針跡領域の長手方向に伸びる中心線Ｐ上の画素の位置と画素のグレイレベルとを対応させたグレイパターンを取得するグレイレベルデータ取得部５１と、得られたグレイパターンと、針跡１０から下地層６が露出しているときの基準パターンとに基づいて、下地層６が露出しているか否かを判定する深堀判定部５３を針跡検査装置に備える。 （もっと読む）

【課題】被検査体における内部析出物、空洞欠陥、表面の異物ないしスクラッチ、表層のクラックの欠陥を精度よく検出し、欠陥の種類を特定して欠陥を分類できるようにする。
【解決手段】光源装置４からの光をポラライザー５を介して偏光を与えて被検査体Ｗに対し斜め方向に入射させ、その散乱光ＳＢを暗視野に配置された偏光分離素子９を有するＣＣＤ撮像装置７で撮像し、得られたＰ偏光成分画像とＳ偏光成分画像とについて成分光強度を得て、それらの比としての偏光方向を求める。被検査体に応力を印加していない状態と、応力を印加した状態の光散乱体の撮像により得られた画像から成分光強度、偏光方向を求め、所定の閾値と対比することにより欠陥の検出、分類がなされる。 （もっと読む）

【課題】より実際に即した位置関係の修正が可能で、オペレータが位置関係の修正を容易行えるようにしたプローブ位置修正方法の実現。
【解決手段】複数の電極パッドP,Qの形成されたウエハ100をプローブカード12の複数のプローブ11に対してＸ，Ｙ，Ｚの３軸方向に相対的に移動して、電極パッドと前記複数のプローブを接触させる場合の接触位置を修正するプローブ位置修正方法であって、複数の電極パッドと複数のプローブを接触させ(201)、プローブ跡の画像を処理してプローブ跡を認識し(203)、±Ｘ方向と±Ｙ方向の４方向についてプローブ跡の複数の電極パッドの枠に対する余裕距離を算出し(204)、４方向のそれぞれについての最小余裕距離を算出し(205)、４方向の最小余裕距離に基づいて、複数の電極パッドと複数のプローブの接触位置を修正する。 （もっと読む）

【課題】半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。
【解決手段】ＩｎＰ基板とＩｎＡｌＡｓからなるバッファ層との界面を流れる漏れ電流量を非破壊で検査するＨＥＭＴウエハの非破壊検査方法が、ＨＥＭＴウエハのフォトリフレクタンススペクトルを測定するスペクトル測定工程（ステップＳ１）と、フォトリフレクタンススペクトルに基づいて内部電界強度Ｆを算出する電界強度算出工程（ステップＳ２〜Ｓ４）と、予め求めた内部電界強度Ｆと漏れ電流量との関係と、内部電界強度Ｆとに基づいて漏れ電流量を推定する漏れ電流量推定工程（ステップＳ５）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＯＢＩＲＣＨ法等で半導体素子の検査を行う際に、粗く特定された故障箇所に、正確に固浸レンズを配置する手段の提供。
【解決手段】検査用基板は、表面に電子回路が形成された半導体基板の背面の上に配置され、半導体基板の厚さ方向に伝搬する光に作用するレンズを含む。このレンズは、検査用基板の表面に平行な面をｘｙ面とするｘｙ直交座標系を定義したとき、ｙ軸に垂直な断面内では光を収束させ、ｘ軸に垂直な断面内では光を収束させない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、マルチダイアライメントを確実に行うことができるチップのアライメント方法を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ上の所定のアライメント領域内の所定のアライメント用チップのアライメントマークに光を照射し、反射波形により位置を検出し、前記所定のアライメント領域内の複数チップについて一括してアライメントを行うチップのアライメント方法であって、前記反射波形が検出されなかったときには、前記アライメント領域内の前記アライメント用チップと異なる代替チップのアライメントマークに光を照射し、反射波形を検出して前記代替チップのアライメントマークの位置を検出するステップと、前記アライメント用チップ及び前記代替チップのアライメントマークの位置に基づいて、前記アライメント領域内の複数チップの位置合わせを行うステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プローブカードに配設されたプローブピンの先端の状態を正確に識別し、検査方法の作業効率を向上させ、低コスト化を図る方法の提供。
【解決手段】ウェハ基板に形成されたダミー素子のダミーパッドに、プローブカードに配設されたプローブピンを接触させ、ダミーパッドに形成された接触痕の画像を取得し、取得した画像からプローブピンの先端部の形状または接触位置を算出する。この際、ダミーパッドに、プローブピンを接触させる際には、接触させる毎に、異なるダミーパッドにプローブピンを接触させる。これにより、プローブカードに配設されたプローブピンの先端の状態が正確に識別され、検査方法の作業効率が向上し、低コスト化が実現する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの厚さ（Ｓｉ部分の厚さ＋回路パターンの厚さ）を簡易な方法により、精度よく測定できる方法を提供する。
【解決手段】外周のエッジ部にノッチ部１を有し、一方の表面に保護テープ５が貼り付けられた薄板円盤状のウェーハ３を、チャックステージ２上においてウェーハ３に貼り付けられた保護テープ５の表面５ａをウェーハ３のチャックステージ２に当接させて固定し、反射型レーザセンサ６のレーザ光をウェーハ３のノッチ部近傍に照射し、ウェーハ３表面からの反射光と、ノッチ部１で露出している保護テープ５の裏面５ｂからの反射光とを各々捉えて、ウェーハ３表面及び保護テープ５の裏面５ｂの位置データを取得することにより、ウェーハ３の厚さを測定する。 （もっと読む）

【課題】ウエハチャック１１の載置面が湾曲している場合でもプローブカードの複数のプローブとこれらに対応する半導体ウエハＷの電極パッドＰとを極力均一な針圧で接触させて信頼性の高い検査を行うことができるプローブ方法を提供する。
【解決手段】本発明のプローブ方法は、ウエハチャック１１上に吸着されて湾曲した半導体ウエハＷとプローブカード１２の複数のプローブ１２Ａを接触させて検査を行う際に、下カメラ１９を用いてプローブカード１２の四隅のプローブ１２Ａを撮像してプローブ１２Ａの針先の位置座標を求める工程と、上カメラ２１を用いて四隅のプローブ１２Ａに対応する電極パッドＰの位置座標を求める工程と、四隅のプローブ１２Ａの針先の高さとこれらに対向する４箇所の電極パッドＰ間に距離をそれぞれ求める工程と、これらの距離が等しくなるようにプローブカード１２の傾きを調整する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板を製造する複数の工程の内どの工程に起因するキズあるいは汚れであるか、作業者の裁量に任せずに、迅速かつ正確な検査が可能な欠陥検査装置及び欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】 多波長顕微鏡装置１を用いて試料を観察しその観察像を前記観察像表示装置に映し出すステップと、画像認識装置５により観察像表示装置３に映し出された観察像を記憶装置４の試料情報に基づく画像と照合するステップと、観察像を前記試料情報に基づく画像に照合することにより試料のキズ等を検出するステップと、キズ等が試料を製造する複数の工程の内のどの工程で負ったものであるか判定するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体ウエハ中の転位を、デバイスプロセス中に少ない作業増加により検出する。
【解決手段】主面が概ね（０００１）Ｓｉ面である炭化珪素半導体ウエハ３を用い、熱酸化膜１１の形成後に多結晶シリコン１２を堆積し、その表面に、ウエハ中の転位６４に対応するヒロック２０を生じさせる。このヒロック２０をレーザーの散乱光を画像処理することにより転位を検出する。 （もっと読む）

【課題】作業員の負担を軽減させるとともに、製造効率と歩留まりを向上させることができ、さらに、膜質の計測を高精度で行うことができる結晶質シリコン膜の膜質計測装置、結晶質シリコン膜の膜質計測方法、及び結晶質シリコン膜の膜質評価方法を提供する。
【解決手段】結晶質シリコン膜が形成された基板Ｗに対して結晶質シリコン膜の形成された膜面側から白色光を照射する光源装置１１と、白色光が照射されている状態での基板Ｗからの反射光を検出するカラーラインカメラ１２と、カラーラインカメラ１２の検出結果に基づいて反射光の輝度に係るパラメータを計測し、この反射光の輝度に係るパラメータに基づいて基板Ｗ上の結晶質シリコン膜の膜質を計測する演算装置１３と、カラーラインカメラ１２の周囲を覆う遮光部材１４とを設け、遮光部材１４の基板Ｗに対向する部位に、反射光の通過を許容する反射光通過部１４ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】検査用照明装置を取り付けるための取付孔を考慮して、最適な照明領域を得られるようにした撮像素子検査用照明光学系を提供する。
【解決手段】撮像素子検査装置２０において、検査用照明装置２６に用いられる撮像素子検査用照明光学系が、光源４１から射出された照明光を撮像素子の被検査面４９に対して略垂直になるように照射するコンデンサレンズ１を有し、被検査面４９において照明が必要な領域４９ａに照明光が照射されるようなコンデンサレンズ１を、このコンデンサレンズ１の一部がサーキットテスタ２４に形成された取付孔２５の大きさに合わせて除去されることを考慮して決定する。 （もっと読む）

【課題】被処理膜のパターンを基板毎に所定の寸法に形成する。
【解決手段】ウェハの初期条件として、ウェハ上の被処理膜及び下地膜の膜厚、ｎ値、ｋ値、又はウェハの反り量のいずれかを測定する（ステップＳ１）。初期条件の測定結果に基づいて、第１の相関から被処理膜のパターンの寸法を推定する（ステップＳ２）。パターンの推定結果に基づいて、第２の相関からＰＥＢ装置における加熱温度の補正値を算出する（ステップＳ３）。算出された補正値に基づいてＰＥＢ装置の加熱温度を補正する（ステップＳ４）。補正された加熱温度のＰＥＢ処理を含むフォトリソグラフィー処理を行い、ウェハ上にレジストパターンを形成する（ステップＳ５）。レジストパターンをマスクとしてエッチング処理を行い、被処理膜に所定の寸法のパターンを形成する（ステップＳ６）。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハ上に非検知元素よりなる疎水性膜２を設けた、液滴状分析試料の乾固を行う全反射蛍光Ｘ線分析用試料板の改良により、空実験でＳｉピークを確実に消滅させ、気相分解法と全反射蛍光Ｘ線分析を組み合わせる高感度化手法において、Ｓｉとエレルギー値の近いＰ，Ａｌ，Ｍｇ等も高感度化させる。
【解決手段】Ｓｉの特性Ｘ線が発生するのは、膜２の表面４で全反射するＸ線５が表面下８まで侵入し、この領域には微小欠陥群が存在してＸ線の散乱９が起こり膜界面のシリコンが励起する為と考え、試料板の試料乾固域の下方に十分の広さのシリコン欠如部分（凹部）を設けて、散乱Ｘ線９がシリコンと遭遇しないようにした。凹部の天井の乾固用膜は十分に薄く出来て不純物の絶対量が減るので、Ｓｉピークの消滅と同時に分析対象元素全般の空試験値も低減させ得る。 （もっと読む）

【課題】欠陥検査装置において、上方検出系や斜方検出系などの複数の検出系を使用する場合、一つの検出系の検出視野に対して照明光およびウェハ高さを合わせた場合、他の検出系においてデフォーカスした像を検出してしまうため、欠陥検出感度が低下するという問題を解決する。
【解決手段】欠陥検査装置において、上方検出系や斜方検出系などの複数の検出系を使用する場合、一つの検出系の視野に対して、他の検出系の視野の位置を補正することによって、検査感度の低減を防ぐことが出来る。また、部品ばらつきや組立て誤差による、検査装置ごとの光軸ばらつきを低減することができる。 （もっと読む）