【課題】高価な２次元ステージを用いることなくサファイアインゴット等の被測定物内に存在する欠陥等散乱体の位置と大きさ等を観察できる光散乱観察装置を提供する。
【解決手段】レーザ光源１からのレーザ光線を被測定物５へ照射し被測定物から出射されるレーザ光線をＣＣＤカメラ７で撮影して被測定物内に存在する散乱体を観察する光散乱観察装置であって、レーザ光源と被測定物との間の光路上に、直線偏光の方位を回転させる２分の１波長板２とガルバノミラー３および反射ミラー４が配置されると共に、２分の１波長板を透過したレーザ光線がガルバノミラーと反射ミラーにより平面状に走査されて被測定物断面の散乱像が観察されるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ひずみ半導体層を具備する半導体装置に関して、ひずみ測定のための好適な構造を提案する。
【解決手段】基板上に形成されたひずみ半導体層と、前記基板に設けられた、前記半導体層のひずみを測定するためのひずみ測定領域と、前記基板に設けられた、前記半導体層のひずみ評価用の基準情報を取得するための基準情報取得領域とを具備することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの厚さ、平面度、ウェーハに設けたトレンチ深さを精密に測定できるようにする。
【解決手段】ウェーハの厚さ及び平面度とウェーハにエッチングされたトレンチの深さを測定する方法と装置である。測定に当たり、トレンチをウェーハ背面から見ることによりトレンチを事実上突出部として測定する。測定は非接触式光学器械によりウェーハの前面と背面とで行われ、該非接触式光学器械がウェーハ前面及び背面の波長を同時測定し、波長間の距離は厚さの測定値に変換される。シリコン・ウェーハの厚さ及びトレンチ深さの測定には、光源として近赤外ビームを用いる。厚さ、平面度、局所形状は、１対の光学針を用いた較正法によっても測定できる。 （もっと読む）

【課題】電極パッドに対してプローブ針を接触させる際に、半導体基板上の特定領域にあるチップに対してプローブ針の過大な針圧が付与されることを抑制することができる検査装置の調整方法および半導体装置の検査方法を提供する。
【解決手段】ステージ１０５を鉛直方向に移動させてステージ１０５上に載置された半導体基板１０４の表面とプローブ針１０２の先端とを近づける過程で、半導体基板１０４に最初にプローブ針１０２の針痕が形成されたときの、ステージ１０５の位置である原点位置を取得する。原点位置の取得は、半導体基板１０４上の複数点に対してそれぞれ実施される。そして、取得した複数点における原点位置に基づいて、ステージ１０５を水平方向に移動させた際に、半導体基板１０４の表面が、各原点位置により構成される面と実質的に平行な面を移動する状態に調整する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、負、ゼロ、あるいは非常に小さい正の電子親和力表面からの光電子放出現象を利用した従来にない新しい原理に、半導体内の不純物や欠陥の電子状態の高感度非破壊測定を簡便に行うことが出来る手法を提供する。
【解決手段】不純物若しくは欠陥を含む半導体を用い、照射光によって前記半導体の不純物若しくは欠陥の準位から伝導帯へ励起された光電子のうち、当該半導体の厚み方向に拡散し、あらかじめ電子親和力を負、ゼロ、あるいは当該半導体の結晶運動量相当のエネルギーに対応する小さな正の電子親和力状態にせしめた当該半導体の表面から外部光電子放出させ、光電子検出器によって光電子数を計数し、同時に照射光エネルギーを計測し、当該照射光エネルギーに対する光電子放出率を計測することにより、不純物若しくは欠陥を含む半導体内の電子状態測定方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された形状の欠陥を良好な効率で検出する欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された形状の欠陥を検査する欠陥検査方法であって、前記基板上の分割された複数の領域にそれぞれ形成される所定のパターンに対して、光学式方法で順次１次検査を行って当該複数の領域から２次検査を行う該領域を選択する第１の工程と、前記第１の工程で選択された前記領域に対して、電子線を用いた前記２次検査を行って前記欠陥を検出する第２の工程と、を有することを特徴とする欠陥検査方法。 （もっと読む）

【課題】座標測定に用いるレーザ干渉計のエラーの影響をなくする。
【解決手段】 基板上の少なくとも一つの構造の座標を高精度に計測する方法である。Ｘ／Ｙ座標方向にトラバースできるステージが提供され、これは干渉法光計測システムに配置される。基板上の構造は、Ｚ座標方向に配向された光軸２０を持つ計測オブジェクティブ２１を通じて少なくとも一つの検出器３４上に撮像される。該構造は所謂デュアルスキャンで撮像される。システマチックなエラーはこのようにして無くされる。 （もっと読む）

【課題】被測定体の測定部位を境にして対向する位置に所定の対向距離を置いて一対の変位センサを配置し、一対の変位センサのそれぞれが検出した被測定体と一対の変位センサとの距離及び一対変位センサの間の対向距離に基づいて被測定体の複数の測定部位の厚みを多点測定することになり、この際、上記被測定体は浮上回転機構の空圧流により浮上、回転及び停止をさせることができ、測定保証精度を向上することができる。
【解決手段】被測定体Ｗの測定部位Ｐを境にして対向する位置に所定の対向距離Ｇ_Sを置いて変位センサＳ₁・Ｓ₂を配置し、一対の変位センサのそれぞれが検出した被測定体と一対変位センサとの距離Ｇ₁及び一対の変位センサ間の対向距離に基づいて被測定体の複数の測定部位の厚みｔを多点測定する厚み多点測定方法において、被測定体を空圧流Ｅにより浮上、回転及び停止させる。 （もっと読む）

【課題】時間とコストがかからない光学計測システムを提供する。
【解決手段】 光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査するシステムは、第１製造クラスタ、計測クラスタ、光計測モデル最適化装置、及びリアルタイムプロファイル推定装置を有する。 （もっと読む）

【課題】時間とコストがかからない光学計測システムを提供する。
【解決手段】光計測モデルを用いて半導体ウエハ上に形成されたパターニングされた構造を検査する装置は第１製造システム計測プロセッサを有する。その第１製造システムは、第１製造クラスタ、第１計測クラスタ、光計測モデル最適化装置、及びリアルタイムプロファイル推定装置を有する。また、計測プロセッサは第１製造システムと結合する。計測データプロセッサは、材料の屈折率に関するパラメータ及び計測装置に関するパラメータのうちの少なくとも１についてのある範囲内にある一定値を、受け取り、処理し、保存し、かつ伝送するように備えられている。 （もっと読む）

【課題】終端検出を誤り難い光学式終端検出装置およびこれを用いた研磨機を得ること。
【解決手段】被研磨部材Ｓでの研磨の進行に伴う光学定数の変移量を基に終端検出を行う光学式終端検出装置５０を備え、この光学式終端検出装置により終端検出を行いながら研磨材１と被研磨部材とを相対的に移動させて被研磨部材を研磨する研磨機６０を構成するにあたり、被研磨部材での研磨の進行に伴う光学定数の変移パターンに応じた複数種の終端検出用アルゴリズムを予め光学式終端検出装置の記憶部３１に記憶させると共に、被研磨部材での上記の変移パターンを特定する情報を基に複数種の終端検出用アルゴリズムの中から所定の終端検出用アルゴリズムを選定して終端検出を行う終端検出部４５を光学式終端検出装置に設ける。 （もっと読む）

【課題】被検査デバイスの特性を比較的精度よく低コストで測定する。
【解決手段】測定治具５０と測定部（端子接続のための各種部材や回路等）とを有する。測定治具５０は、被検査デバイス（ＤＵＴ１０）に照射する光を出射する発光素子１５１、一部が開口する反射部材１５４、および、発光素子１５１から出力し反射部材１５４の開口１５４Ａを通るモニタ光を受光し受光量に応じた出力を発生する受光デバイス（モニタＰＤ２２）を有する。測定部は、ＤＵＴ１０の特性を測定し、モニタＰＤ２２の出力に基づいて測定結果を校正することと、測定時におけるＤＵＴ１０への電源供給制御の少なくとも一方を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、単にキャリアの寿命や拡散長を求めるのではなく、直接的に半導体のキャリアの移動度等の電気特性を測定するものであって、高度な時間分解能や高度な演算機能を必要としない半導体電気特性の測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体電気特性の測定装置は、試料である半導体の表面に対して励起光によりキャリアを励起させるための励起光照射手段と、該励起光が照射された全範囲を含む領域に対して、その領域における電界の向きが一方向となるように電界を印加するための電界印加手段と、該励起光が照射された全範囲を含む領域、またはこの領域に相当する半導体の裏面に対して、観測光を照射するための観測光照射手段と、該観測光が該半導体により反射された反射光または透過された透過光を受光するための受光手段と、前記各手段を制御する制御手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不良観察画像を用いた半導体デバイスの不良の解析を確実かつ効率良く行うことが可能な半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラムを提供する。
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像Ｐ２を取得する検査情報取得部１１と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部１２と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部１３とによって不良解析装置１０を構成する。不良解析部１３は、不良観察画像での輝度分布と、所定の輝度閾値とを比較することによって不良に起因する反応領域を抽出し、反応領域に対応して半導体デバイスの不良解析に用いられる解析領域を設定する解析領域設定部を有する。 （もっと読む）

【課題】外周円から結晶方位指示マークまでの凹み量の小さな半導体ウェーハであっても、結晶方位認識マークを確実に検出することができる半導体ウェーハの結晶方位指示マーク検出機構を提供する。
【解決手段】ウェーハ１は、複数のデバイス３が表面に形成されるか形成される予定のデバイス領域４の周囲に円形の外周余剰領域５を有し、外周余剰領域５の外周縁部の面取り部の領域内に、ウエーハ１の結晶方位を示すマーク８として、ウエーハ１の面方向に直交する平坦面が面取り部の領域内に形成されている。ウェーハ１の面方向に平行な光軸Lを持つ光学式センサ４３からウェーハ１の側面に光が投光され、マーク８で反射した光を光センサ４３が検出することでマーク８を検出する。 （もっと読む）

【課題】光学ウェハ検査装置に関し、ウェハの回転、及び、ウェハの中心から外周縁までの半径方向の移動を組み合わせたプローブ光の走査機構に簡単な改良を加えることで、プローブ光がウェハを透過することを可能にした構成を実現し、ウェハの厚さ方向全域の検査を行うことを可能にして多くの情報を取得しようとする。
【解決手段】ウェハ１３の材料特性を光学的に検査する装置で、プローブ光１２がウェハ１３を透過可能なように外周縁近傍のみを支持し且つウェハ１３を回転させる機構と、プローブ光１２のウェハ１３への入射角を変える為に傾斜させる機構２２と、ウェハ１３の中心から外周縁までを半径方向にプローブ光１２で走査する為にウェハ１３を移動する機構と、ウェハ１３の一面側からプローブ光１２を入射させる光源１１とウェハ１３を透過して他面側から出射さる透過光１４を検出する検出器１６をもつ光学系とを備える。 （もっと読む）

【課題】検査効率を向上させることができる半導体素子の検査方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体ウエハ上に配列された半導体素子を検査する検査方法であって、半導体素子が配列された面における、少なくとも２つの直線方向に存在する半導体素子についてのみ検査を行う欠陥位置検査工程と、欠陥位置特定工程において、欠陥であると特定された半導体素子の位置に基づいて半導体ウエハ上における欠陥がある半導体素子が存在する欠陥領域を特定する欠陥領域特定工程と、特定された欠陥領域についてのみ検査を実行する本検査工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】不純物準位や欠陥準位を正確に求めることができる技術を提供する。
【解決手段】試料１５にイオンビーム２１を照射すると、イオン照射によって励起した正孔が捕獲中心に遷移するとき、価電子帯と捕獲中心のエネルギー準位の差に応じた波長の光を放出するので、放出光の強度のピークとその波長を測定すると、捕獲中心の準位が分かる。 （もっと読む）

【課題】エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、低コストかつ短時間で検査可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】測定位置におけるエピタキシャル膜の上に、管部材の先端部から液体金属を押し出して接触させるか、あるいは、ウェハに対して接離可能な導電性フィルム電極を接触させて接地されたウェハ裏面との間に電圧を印加し、ウェハ面内の一括測定領域におけるアレイに対応した各位置からのＥＬ光の２次元情報をウェハ裏面側から２次元ＣＣＤアレイによって一括取得する。ウェハ面内の各一括測定領域を走査することにより、ウェハ面内における検査対象領域全体のＥＬ光に関するマッピングデータを得、該データに基づいてウェハ面内における結晶欠陥の位置を特定する。 （もっと読む）

【課題】エレクトロルミネッセンス法により半導体素子製造用の炭化珪素単結晶ウェハのエピタキシャル膜に存在する転位や積層欠陥の面内分布を検査する際に、転位や積層欠陥の位置を高感度かつ高精度で、さらに高速で検出可能な結晶欠陥検査方法および装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜の上に、検出すべきＥＬ光を透過する透明電極を配置し、透明電極に電圧を印加して、ウェハ面内の一括測定領域におけるアレイに対応した各位置からのＥＬ光の２次元情報をウェハ表面側から２次元ＣＣＤアレイによって一括取得する。ウェハ面内の各一括測定領域を走査することにより、ウェハ面内における検査対象領域全体のＥＬ光に関するマッピングデータを得、該データに基づいてウェハ面内における結晶欠陥の位置を特定する。 （もっと読む）