【課題】線膨張率の小さい特殊な材料を用いず温度変化に対して測定誤差を小さくできる厚み測定機を提供する。
【解決手段】ほぼ同じ構造体の上に測定光用光学系と参照光用光学系を重ねて設ける。測定光は被測定物の表面及び裏面で反射して検出部に入射する。参照光は被測定物の表面及び裏面の近傍に設けられたミラーで反射して検出部に入射する。検出部では、参照光と測定光を干渉させて被測定物の厚み変化を検出する。参照光と測定光の光路長はほぼ同じなので温度変化による影響を同じように受けるため、たとえ温度により光路長が変化しても被測定物の厚みの変化だけを検出できる。 （もっと読む）

【課題】 ブロードバンドギャップ半導体のキャリア濃度を非破壊・非接触で解析する方法を提供する。
【解決手段】 不純物添加型ワイドギャップ半導体の励起子共鳴吸収の吸収曲線の非対称性に基づいて、該半導体のキャリア濃度を求めるキャリア濃度の解析方法である。 （もっと読む）

半導体ウェハのような基板の少なくとも１つの光学特性を求めるための方法およびシステムを開示する。光学特性が求められると、処理チャンバ内の少なくとも１つのパラメータがプロセス改善のために制御される。例えば、１つの実施形態では、基板の一方の表面の反射能が雰囲気温度近傍でまず求められる。そしてこの情報から、高温処理中のウェハの反射率および／または放射率が正確に推定される。放射率はウェハ処理中に高温計を用いた温度測定を補正するために使用することができる。温度測定をより正確にするだけでなく、基板の光学特性は加熱サイクルのより良い最適化にも使用しうる。
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【課題】 ウェハのデチャック特性を容易に、機械的かつ定量的に判定することのできる静電チャックのデチャック特性の評価方法及び評価装置を提供する。
【解決手段】 静電チャック上からウェハ３を取り外すときのデチャック特性を評価する方法であって、静電チャック２への印加電圧を遮断した後、静電チャック上からのウェハ３のリフトアップを開始してウェハ上にレーザ光を照射し、その反射光を受光してウェハ３の変位を測定し、該測定データからウェハ３の揺れを判定することを特徴としている。ウェハ３のリフトアップを開始するウェハ上昇指示信号に基づいて、ウェハ３の変位を測定し測定データの保存が行われる。リフトアップ時のウェハ３の変位を時間軸で測定し、この変位データを元にウェハ３の揺れは判定される。 （もっと読む）

【課題】検査者が、目的とする端子の画像又はプローブピンの画像を簡単に探し出せる様にする。
【解決手段】画像処理部３３は、主制御部３１が入力／表示装置４０から受け取った半導体集積回路の端子名及びテスタのピン番号の情報を予め記憶する。そして、カメラ９，１０から出力された端子の画像の画像信号又はプローブピンの画像の画像信号を記憶し、これらの画像信号を処理して、端子の画像又はプローブピンの画像を、予め記憶した端子名及びテスタのピン番号と関連付ける。検査者は、入力／表示装置４０に表示された複数の端子の画像又はプローブピンの画像の中から、特定の端子又はプローブピンをカーソルで指定する。画像処理部３３は、入力／表示装置４０に、検査者が指定した端子又はプローブピンについて、端子の画像又はプローブピンの画像と共に、端子名及びテスタのピン番号を表示させる。 （もっと読む）

【課題】 受光素子の光感度を検査するに際し、その検査の信頼性の向上を図ることができる受光素子検査方法及び受光素子検査装置を提供する。
【解決手段】 複数のフォトダイオードを備えたチップの光感度を測定するに際し、ウェハテスタ１にチップをセットし、レーザヘッド５からのレーザ光を単一のフォトダイオードに対して照射する。このときの出力電圧に基づき光感度値を算出する。この動作を全てのフォトダイオードに対して順に行っていく。 （もっと読む）

【課題】ムラ検査装置において光学フィルタの透過波長帯を精度良く調整する。
【解決手段】ムラ検査装置１は、基板９を保持するステージ２、基板９の膜９２に向けて線状光を出射する光出射部３、基板９からの反射光を受光する受光部４、受光部４にて受光される光の波長帯を切り替える波長帯切替機構５、ステージ２を移動する移動機構２１、および、受光した光の強度分布に基づいて膜厚ムラを検査する検査部７を備える。波長帯切替機構５は、複数の光学フィルタ５１、および、各光学フィルタ５１の傾きを変更するフィルタチルト機構を備える。ムラ検査装置１では、フィルタチルト機構により選択光学フィルタ５１ａの光路に対する傾きを変更することにより、選択光学フィルタ５１ａの透過波長帯を精度良く調整することができる。その結果、選択波長帯を膜９２の特性に合わせて調整することにより、膜厚ムラをの検出精度を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱中の物体の温度を正確に測定できるようにすると共に、それにより物体に対して正確な温度で熱処理を行なえるようにする。
【解決手段】基板１０に対する熱処理工程において、基板１０の裏面の輻射率εを測定するときに、基板１０の表面上には、輻射率εを変動させる材料よりなる膜、例えば、プラグ１５Ａを構成する第１のＤＰＳ膜１５、容量下部電極１７Ａを構成する第２のＤＰＳ膜１７、及び容量上部電極２０Ａを構成する第３のＤＰＳ膜２０が形成されている。一方、基板１０の裏面上には、ＤＰＳ膜等の、輻射率εを変動させる材料よりなる膜は形成されていない。 （もっと読む）

【課題】パッド上の複数の針痕のうち最新の針痕の位置を取得して、パッドに対するプローブの接触位置のずれ量を取得する。
【解決手段】プローバでは、既存の針痕が形成されたパッドにプローブが接触した後に、基板を撮像してパッドを含む領域を示す接触後画像が取得される。画像記憶部４４には、プローブのパッドへの接触前のパッドを含む領域を示す接触前画像が予め記憶されており、最新針痕位置取得部４２では接触前画像と接触後画像とを比較することにより、パッド上の複数の針痕にそれぞれ対応する接触後画像中の複数の針痕領域のうち、プローブのパッドへの接触による最新の針痕領域の位置が取得される。これにより、プローバでは、パッド上の複数の針痕のうち最新の針痕の位置が取得され、位置ずれ量取得部４３にてパッドに対するプローブの接触位置のずれ量が取得される。 （もっと読む）

【課題】 アモルファスシリコンを固相結晶化した際に結晶化が充分進行したかどうかを簡単かつ確実に判定する。
【解決手段】 基板上の検査領域の画像を撮像し、前記画像から明度を基にグレースケール画像を作成し、前記グレースケール画像の明度の閾値を下記の式により定め、 閾値（Ｔｈ） ＝ 最小値 ＋（最大値 − 最小値）× Ａ （ただし、Ａ＝０〜１） 前記グレースケール画像から前記明度の閾値を基に二値画像を作成し、前記二値画像を基に前記検査領域の良・不良を判定することを特徴とする。特に基板上の検査領域に固相結晶化によりアモルファス領域と多結晶領域が存在する場合において、固相結晶化の進行度を判定することができる。また、この判定結果をネットワークを通じて他の製造工程に反映させ、製品の品質を高いものにする。 （もっと読む）

【課題】 上部に形成された膜を除去した後においても、上部に形成された膜を除去する前と同様の状態が保持された膜を評価することができる、膜の評価方法および強誘電体膜の評価方法を提供する。
【解決手段】 本発明の膜の評価方法は、酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、前記第１の膜を評価する工程と、を含む。 （もっと読む）

製造工程中における半導体ウェーハのリアルタイム・インラインテストのための装置および方法。１つの実施例において、この装置は、半導体ウェーハ処理ライン中にプローブ組立体を含む。各ウェーハがプローブ組立体近くを通過すると、プローブ組立体内にある所定の変調波長および周波数の変調光源がウェーハ上に照射する。プローブ組立体内のセンサが、変調光により誘起された表面光起電力を測定する。その後、コンピュータがこの誘起された表面光起電力を用いて、ウェーハのさまざまな電気特性を求める。
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【課題】溝深さ測定器の精度に依存することなく、溝深さ測定器の精度よりも更に高い精度でレーザ加工溝の深さを測定可能にすること。
【解決手段】レーザ加工溝８０の深さを測定する溝深さ測定方法は、ウエーハ３４に形成されたレーザ加工溝８０の延在方向に平行な一つの溝深さ測定経路Ｌ１を設定しかつ溝深さ測定器７０を、溝深さ測定経路Ｌ１に位置付けてレーザ加工溝８０の深さを測定する最初の溝深さ測定ステップと、ウエーハ３４を、溝深さ測定経路Ｌ１に直交する方向にそれぞれ一定の間隔で順次に割り出し送りして溝深さ測定経路Ｌ１に平行な他の溝深さ測定経路Ｌ２〜Ｌｎに位置付ける毎にレーザ加工溝８０の深さを測定する他の複数の溝深さ測定ステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 ウェハプロセス投入前にウェハの活性層のＰＬ（Photoluminescence）波長検査を行い、検査に用いたウェハをウェハプロセスに投入できるようにする。
【解決手段】 ウェハプロセス投入前に、デバイスを形成するウェハのコンタクト層６の一部を除去して開口部１１を形成し、開口部１１から励起レーザ９を入射して活性層３のＰＬ波長検査を行う。そしてＰＬ波長の良否判定を行い、所定の規格を満たすウェハをウェハプロセスに投入し、ウェハプロセス加工を行うようにする。
このように、デバイス形成に用いるウェハの活性層のＰＬ波長検査をウェハプロセス投入前に非破壊検査により行うことにより、検査で用いたウェハをウェハプロセスに投入することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の溶融状態の評価精度が低下することを防止する。
【解決手段】 モニタ光出射装置５が、チャンバ１の外部から窓２を通して基板Ｗにモニタ光Ｌ_Ｍを入射させる。第１の光強度計測器８が、モニタ光Ｌ_Ｍのうち、基板Ｗの表面で反射し、窓２を通してチャンバ１の外部に出射した外部出射光Ｌ_Ｍ０の強度を計測する。第２の光強度計測器９が、モニタ光Ｌ_Ｍのうち、チャンバ１の外部から窓２に入射し、窓２で反射された第１の反射光Ｌ_Ｍ１の強度を計測する。第３の光強度計測器１０が、モニタ光Ｌ_Ｍのうち、基板Ｗ表面で反射されてチャンバ１の内部から窓２に入射し、窓２で反射された第２の反射光Ｌ_Ｍ２の強度を計測する。コンピュータ１１が、第１〜第３の光強度計測器８、９、及び１０の測定結果に基づいて、基板Ｗ表面の溶融状態を評価する。 （もっと読む）

【課題】従来Cuデポジション法でしか評価できなかった微小なＤＳＯＤ等を簡便でかつ無駄なコストをかけることもなく、更に精度良く評価可能なシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥を赤外散乱トモグラフ法により評価する方法であって、少なくとも、シリコン単結晶ウエーハにレーザー光を照射し、該シリコン単結晶ウエーハの内部に侵入した光を結晶欠陥で散乱させ、該散乱光を検出することにより、前記シリコン単結晶ウエーハ内部のＤＳＯＤ（Direct Surface Oxide Defect）及び該ＤＳＯＤより小さなＶｏｉｄ欠陥を評価することを特徴とするシリコン単結晶ウエーハの結晶欠陥の評価方法。 （もっと読む）

【課題】 レジスト除去工程抜けの検査を、検査工数を抑えた状態で効率的に行う。
【解決手段】 半導体製造装置１０のフロントエンドモジュール２０内に、レジスト除去工程抜け検査手段３０を設置する。ポート１１にフープ４０ａ等に収納されてきた半導体ウエハを、移載ロボット１３でロット毎に一枚抜き取り、レジスト除去工程抜け検査手段３０で膜厚計測してレジスト除去工程抜けを検査する。レジスト除去工程抜けがない半導体ウエハのみを、例えば、酸化処理に回すことができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複雑なハード構成を必要とせず、非接触により高精度で温度を計測できる温度計測方法及装置及びそのような温度計測方法を用いた半導体熱処理装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体ウェハ３の温度を非接触で計測するため、半導体ウェハ３からの放射光を測定し、放射光の測定結果に基づいて実効放射率を未知変数として推定しながら半導体ウェハ３の温度を演算する。実行放射率の推定及び温度の演算は、拡張カルマンフィルタを用いて行う。 （もっと読む）

【課題】任意の色の光を照射することのできる光照射装置及びこれを備えた受光素子検査装置を提供することを目的とする。
【解決手段】光源からの光を色分解光学系で、第１色光、第２色光、第３色光に色分解する。色分解された各色光は、第１色光、第２色光、第３色光の光路にそれぞれ配置されたＮＤフィルターによって減光される。ＮＤフィルターを透過した各色光は、光量測定装置によって各色の光強度を測定し、所定の光強度になっているかどうか測定を行う。所定の光強度に調整された各色光は、第１色光、第２色光、第３色光を色合成する色合成光学系によって色合成され任意の色になり、受光素子に照射される。 （もっと読む）

本発明は、１回の方法で、互いに独立して、半導体基板のキャリア濃度レベルと接合深さとを、非破壊の方法で特定するための方法および装置を提供する。
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