【課題】Ｓｉ基板中の微量元素を、酸素雰囲気ではない状態で、深さ方向の分解能を高くかつ短い測定時間で、酸素イオンを一次入射イオンとするＳＩＭＳにより深さ方向の元素分布の分析を行う。
【解決手段】入射エネルギーをパラメータとして試料表面粗さ、および／または減衰深さを、一次イオン入射角度を変化させて測定し、入射エネルギー領域が高い領域の範囲において、かつその範囲で試料表面粗さ、および／または減衰深さが極小値をもつ入射角度範囲を見出し、その条件下でＳＩＭＳの測定を行う。 （もっと読む）

【課題】レーザ光線を照射して被測定物全体からのフォトルミネッセンス光の強度分布を短時間で測定できるフォトルミネッセンス測定装置を提供する。
【解決手段】この装置はレーザ光源１とＣＣＤカメラ８を具備し、被測定物５とＣＣＤカメラ間の光路上に、偏光フィルター６とレーザ光線の波長を遮断して測定波長のみを透過させるバンドパスフィルター７が配置され、レーザ光源と被測定物間の光路上に、集光レンズ２と第１のガルバノミラー３および第２のガルバノミラー４が配置され、集光レンズで集光されたレーザ光線が、第１のガルバノミラーと第２のガルバノミラーにより反射されて２次元走査されるようになっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】測定ポイント数が多い場合であっても、各測定ポイントからの干渉波形を同定して確実に温度検出を行うことができ、より精度良くかつ効率良く基板処理等を行うことのできる温度測定装置及び温度測定方法を提供する。
【解決手段】コントローラ１７０は、温度測定対象物１０の第１〜第ｎ測定ポイントに第１〜第ｎ測定光を照射した際の干渉ピークの位置を、第１〜第ｎ測定ポイント毎に予め個別に測定した結果をイニシャルピーク位置データとして記憶し、温度測定時に得られた干渉ピークの位置と、イニシャルピーク位置データとを比較して、第１〜第ｎ測定ポイント毎に温度を算出する。 （もっと読む）

【課題】厚さが薄い半導体基板や表面処理を施していない基板についても評価を行うことができ、大量の太陽電池用半導体基板を短時間で評価することが可能であって、しかも太陽電池等の製造工程におけるインライン検査として利用可能な、半導体基板の評価方法を提供する。
【解決手段】容器に満たされたエッチング液中に半導体基板を浸漬する工程、エッチング液中に浸漬されている半導体基板に対し、エッチング液を介して光を照射して、半導体基板によりフォトルミネッセンス光を放出させる工程、及び放出されたフォトルミネッセンス光を観察する工程を含む、半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

製造プロセスを評価するための方法を記載する。該方法は、光学ポンプビームパルスを生成することと、該光学ポンプビームパルスを試料の表面に向けることと、を含む。プローブパルスを生成し、該プローブパルスを該試料の該表面に向ける。プローブパルス応答信号を検出する。音響信号に応じて変化する該プローブパルスの変化は、プローブパルス応答信号を形成する。該試料を作るために使用される、１つ以上の製造プロセスステップの評価は、該プローブパルス応答信号に基づいて行われる。さらに、該方法は、ＣＭＰプロセスのプロセス制御に使用されてもよい。また、装置も記載される。 （もっと読む）

【課題】
基板上に塗布した膜厚の計測を非破壊かつ非接触にて行うこと。
【解決手段】
本発明においては、基板に塗布した材料の膜厚を測定する膜厚測定装置において、基板を固定する固定部と、基板を外部から隔離するチャンバーと、スリット状の光を発生させて、このスリット状の光を基板に照射する光源と、基板から反射した光を検出する検出部とを備えたことを特徴とする膜厚測定装置が提供される。また、本発明においては、基板をチャンバー内に固定し、基板にスリット状の光を照射し、この基板から反射した断面輪郭線を検出することを特徴とする膜厚測定方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の検査方法及び半導体基板の検査装置に関し、フォトルミネッセンスを用いて良好な効率で半導体基板の極表層の欠陥を検出する。
【解決手段】 半導体基板１の一方の面に励起光３を照射して照射面からのフォトルミネッセンスによる発光４，５を検出する第１の検出工程と、前記半導体基板１の他方の面に励起光３を照射して照射面からのフォトルミネッセンスによる発光６を検出する第２の検出工程と、前記第１の検出工程と前記第２の検出工程で検出された発光４〜６データを処理して前記半導体基板１の欠陥を検出するデータ処理工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】例えば、製造の中間段階においてウェハの少なくとも一つの画像を取り込むことを含む、ＥＢＲ線の検査に基づく半導体ウェハ製造プロセスのモニタリングのためのシステム及び方法。
【解決手段】取り込まれた画像は圧縮され、ウェハの少なくともエッジ区域の複合表現を生成する。この表現においてエッジビード除去領域が識別され、識別された領域から少なくとも一つの形状属性が抽出される。抽出された形状属性は自動的に評価され、この評価に基づいて製造プロセスの状況に関する情報が生成される。例えば、現在の製造段階の上流又は下流のいずれか（又は両方）において製造プロセスに対して推奨される修正を生成して実装できる。
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【課題】基板の変形を防止しつつ基板を保持する。
【解決手段】応力測定装置の基板保持機構２０は、基板９の下面９１側において気体を噴出することにより基板９を下方から非接触にて支持する支持部２０１、および、支持部２０１に支持される基板９の側面に当接して基板９の移動を規制する円筒状の移動規制部２０２を備える。支持部２０１は、基板９の下面９１に対向する円板状の多孔質部材２０３を備え、基板保持機構２０では、多孔質部材２０３の上面２０３１全体からおよそ均一に気体を噴出することにより、基板９が支持部２０１に接触することなく面支持される。。これにより、基板９の変形を防止しつつ基板９を保持することができる。その結果、基板９の表面形状を高精度に求めることができ、基板９上の膜内の応力を高精度に求めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を平坦化しつつ支持する。
【解決手段】表面電位測定装置１の基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の円環状の第１多孔質部材２１１から、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の円環状の第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１において、平坦化された対象領域９１１上に所望の間隔をあけてプローブ３１を位置させることができ、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物結晶の表面の螺旋転位、混合転位および刃状転位の各種転位の種別ごとにその転位密度が正確に測定できるＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の評価方法は、エッチングによりＩＩＩ族窒化物結晶１０の表面１０ｓにエッチピット１１ｐ，１２ｐ，１３ｐを形成させて、エッチピット１１ｐ，１２ｐ，１３ｐが形成された表面１０ｓをカソードルミネッセンスにより観察することにより、表面１０ｓの螺旋転位密度、混合転位密度および刃状転位密度を測定する。 （もっと読む）

【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が経時的に得られるゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の製造方法および評価方法、さらに、このゲート絶縁膜を用いた半導体素子、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、半導体基板（基材）２上に化学的気相成膜法を用いて成膜され、平均厚さが１０ｎｍ以下のものであり、シリコン、酸素原子および水素原子で構成され、その密度が２．５ｇ／ｃｍ^３以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】ウエーハの厚みや上面高さを確実に計測することができる計測装置およびこの計測装置を装備したレーザー加工機を提供する。
【解決手段】レーザー光線を集光しチャックテーブルに保持されたウエーハに照射する集光器と、照射されたレーザー光線の反射光受光手段と、集光器によるレーザー光線の集光点変更手段と、集光点変更手段からの変更信号と受光手段からの信号に基いてウエーハの厚みを測定する制御手段を具備し、制御手段は集光点変更手段を構成する一対のミラーの２つの設置角度の差とウエーハの厚みとの関係を設定した厚み制御マップを備え、一対のミラーの設置角度を変更する角度調整アクチュエータによって設置角度を変更しつつ受光手段から２つの強い光量のピークを検出し、２つの強い光量のピークを入力したときの設置角度検出センサーの検出信号に基いて設置角度の差を求め、設置角度差を厚み制御マップと照合してウエーハの厚みを求める。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の板状部材にシートを貼付した状態を検査することのできる検査装置及びシート貼付装置を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハＷに接着シートＳを貼付する貼付手段１３と、シート貼付後の半導体ウエハ及び接着シートの総厚、或いは、接着シートの面状態を検出する検査装置２１とを備えてシート貼付装置１０が構成されている。検査装置２１は、厚み、面状態を検出する検査手段として、光センサ５１や、カメラ７０を含む。検査手段による検出データは第１の情報記憶処理手段５２に出力されるとともに、当該第１の情報記憶処理手段５２で所定処理されたデータは、半導体ウエハＷを収容するケース６０に取り付けられた第２の情報記憶処理手段５３に入力される。 （もっと読む）

【課題】ステージ上に安定して試料を搭載でき、かつ解析視野を移動させることが可能な故障解析技術を提供する。
【解決手段】ステージ１１上に解析用プレート２を介して試料１を載置する。解析用プレート２の主面２ｂには凹部２ｃが設けられており、その凹部２ｃの底面２ｃａには固浸レンズとして機能する凸部２ｄが設けられている。そして、凸部２ｄは解析用プレート２の主面２ｂよりも突出していない。試料１とは別に、固浸レンズを有する解析用プレート２を備えているため、解析視野を移動させることができる。更に、凸部２ｄが解析用プレート２の主面２ｂよりも突出していないため、解析用プレート２を間に挟んで試料１をステージ１１上に安定して搭載できる。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ構造をもつ半導体基板の評価方法で、評価完了までに長時間を要することなく、従来のような金属配線同士を絶縁する分離酸化膜や金属配線のための設備及び技術を用いることなく簡便に半導体基板のＧＯＩ特性を評価できる方法を提供する。
【解決手段】少なくとも支持基板上に該支持基板の導電型とは異なる導電型の半導体層が形成された半導体基板の評価方法であって、少なくとも、前記半導体層上にゲート酸化膜を形成し、該ゲート酸化膜上に電極を形成した後、前記半導体層側が蓄積側になるように前記電極に電圧を印加するとともに、前記半導体基板に光を照射することによって、前記半導体層と前記支持基板との間に形成される空乏層中にキャリアを注入して、寄生抵抗を低減して発生する電流を測定し、該測定した電流から半導体基板を評価する半導体基板の評価方法。 （もっと読む）

【課題】
多結晶シリコンの反射率を測定することにより、注入されたイオンにより非晶質となった半導体領域の深さ方向の結晶化率を精度良く非破壊で測定する方法を提供する。
【解決手段】
半導体の深さ方向の結晶化率の分布を複数の異なる結晶化率の層からなる構造と見なして、実際に測定した反射率スペクトラムと同一のスペクトラムを有する計算によって求めた反射率スペクトラムに対応する複数の結晶化率の積層構造を特定する。 （もっと読む）

【課題】下地膜について正確な光学定数を算出することができ、もって基板の表面構造を正確に特定することができる光学定数算出方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷにおいて各膜の積層後に有機絶縁膜３２が下方に成膜された酸化膜３３の反射率を測定し、酸化膜３３がプラズマによって除去された後に露出した有機絶縁膜３２の反射率を測定し、これらの反射率に基づいて加熱処理によって変質した有機絶縁膜３２の光学定数及びプラズマによって変質した有機絶縁膜３２の光学定数を算出する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、物質が含む微細物の形成状態を簡単且つ迅速に評価することができる微細物評価装置を提供することにある。
【解決手段】光源１から微粒子を含む層の表面へ向けて光を照射して、その層の光が入射した側から出射する反射光を光学測定部２で受ける。光学測定部２は、層から得た反射光の波長に対する光強度の分布を測定する。また、計算部２０は、層および微粒子のモデルの仮定した複数の要素に基づいて、モデルからの反射光の波長に対する光強度の分布を計算する。そして、光学測定部２が測定した反射光の分布と、計算部２０が計算した反射光の分布とを比較部３０で照合する。 （もっと読む）

【課題】厚さが厚い試料の分析に好適でかつ試料の材質の同定も行うことができる試料分析装置を提供する。
【解決手段】本発明の試料分析装置は、表面に部分的に凹部が存在するウエハ１８に荷電粒子を照射する照射系と、荷電粒子の照射に基づき試料の表面側から得られたルミネッセンスを集光する回転楕円反射鏡１７と、回転楕円反射鏡１７に導かれたルミネッセンスを検出する光検出器３３と、試料の表面から反射された反射荷電粒子を検出する荷電粒子検出器２５と、荷電粒子検出器２５の検出信号に基づき試料の形状を求めると共に光検出器３３の検出信号に基づきウエハ１８の材質を同定する信号処理部２４とを備え、照射系は荷電粒子をウエハに間欠的に照射するように制御され、信号処理部２４は荷電粒子の間欠照射終了時点から間欠照射開始時点までの期間における光検出器３３からの検出信号の減衰特性に基づき試料の同定を行う。 （もっと読む）