【課題】パルスレーザービームの照射による改質層形成によりサファイアの分割を行う場合において、パルスレーザービームの条件により輝度がどれだけ低下するかを検査できるようにする。
【解決手段】サファイア基板について、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第一の分割予定ラインについて行うとともに、第一の条件及び第二の条件のパルスレーザービームによる改質層の形成をそれぞれ２本の第二の分割予定ラインについて行うことにより、第一の条件のみによって切り出された第一の発光デバイスと第二の条件のみによって切り出された第二の発光デバイスとを取得する。そして、第一、第二の発光デバイスの輝度をそれぞれ測定し、そのそれぞれについて、サファイア基板を分割する前に個々の発光デバイスについて測定した分割前輝度との差を求め、条件の違いによる輝度低下の差を検査する。 （もっと読む）

【課題】受光素子の光感度特性を高精度で、かつ、容易に測定できるようにする。
【解決手段】Ｚ軸ステージ１０４が、光軸方向（Ｚ軸方向）に光学制御部１０１を移動させながら、レーザ発生部１２１により発生されるレーザ光が受光するとき、受光出力測定部２８は、受光素子２０１が発生する出力電圧を測定する。光感度計算部３１は、出力電圧に基づいて光感度を計算する。プロット部２９は、Ｚ軸方向の移動位置と光感度をプロットする。Ｚ位置決定部３３は、光感度が最大で、かつ、平坦な状態の中央位置となるＺ位置を焦点位置として決定する。本発明は、受光素子の光感度測定装置に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体中のキャリアの移動度及び半導体の電気抵抗率を非破壊で短時間に算出する。
【解決手段】本発明は、半導体中のキャリアの移動度μとキャリアの減衰定数γとの関係、及び、テラヘルツ光に対する半導体の反射率Ｒとキャリアの減衰定数γとの関係をそれぞれ記憶する記憶部１０１と、試料となる半導体にテラヘルツ光１０５を照射する光照射部１０３と、照射されたテラヘルツ光１０５に対する試料の反射光１０８を検出する検出部１０９と、照射されたテラヘルツ光１０５の強度に対する反射光１０８の強度の比率を求めることにより、試料の反射率Ｒ_ｅｘｐを算出する反射率算出部１１１と、記憶された反射率Ｒとキャリアの減衰定数γとの関係を参照し、試料の反射率Ｒ_ｅｘｐに対応する試料の減衰定数γ_ｅｘｐを取得する取得部１１３と、取得した減衰定数γ_ｅｘｐに基づいて、記憶された移動度μと減衰定数γ_ｅｘｐとの関係から、試料の移動度μ_ｅｘｐを算出する移動度算出部と、を有する移動度測定装置である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、アニール処理後の結晶化の状態について、非接触で精度よく、しかも効率的に、評価を行えるようにする。
【解決手段】アニール処理後の半導体層を有する多層構造体２１０を搭載するステージ２０１と、前記半導体層に対して光を照射する光源２０２と、前記光源２０２による光の照射によって得られるラマン散乱光を受光する受光部２０５と、前記受光部２０５が受光した前記ラマン散乱光を用いて前記半導体層の結晶化度を検査する検査部２０７とを備えた半導体検査装置２００において、前記検査部２０７は、前記ラマン散乱光のラマンスペクトルによって特定される領域を波数についての所定閾値で領域分割する領域分割部と、前記領域分割をする前の領域全体と前記領域分割をした後の前記所定閾値を超える領域部分との面積比を算出し、その算出結果を前記半導体層の結晶化度とする結晶化度算出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】Δとψを検出することにより薄膜表面温度の測定を可能とする。
【解決手段】表面に一様な厚さの薄膜が形成された基板である温度測定用試料であって、前記薄膜の特定温度での厚さが既知であり、前記薄膜と基板について屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性が既知である温度測定用試料を温度測定対象位置に配置し、温度測定用試料の温度を計測するために偏光された測定光を照射してその反射光についてｐ偏光成分とｓ偏光成分の位相差信号Δと反射率の比の信号ψを検出するための偏光測定装置を用いて光の電界が入射面に平行なｐ偏光成分の反射率Ｒｐと、光の電界が入射面に垂直なｓ偏光成分の反射率Ｒｓを測定して位相差信号Δと反射率の比の信号ψを算出し、偏光解析によって薄膜の屈折率ｎもしくは膜厚ｔの少なくともひとつを算出し、算出したｎもしくはｔをもとに、上記既知の薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性から薄膜の温度Ｔを算出する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の発光解析により半導体装置の故障箇所を精度よく検出可能な発光解析装置および発光解析方法を提供する。
【解決手段】発光解析システムは、制御部１と、画像取得部２と、画像記憶部３と、座標合わせ部４と、比較部５と、駆動装置６と、発光検出器７と、画像表示部８と、を備えている。終了テストパターンアドレスを変化させながら複数の合成発光積分画像を取得し、終了テストパターンアドレスが小さい順、すなわち開始テストパターンアドレスに近い終了テストパターンアドレスから順に良品および不良品半導体装置の合成発光積分画像の比較を行う。そのため、不良品半導体装置における異常な発光が生じる頻度が小さい場合や、良品半導体装置との発光の差異がタイミングの差異のみである場合でも、合成発光積分画像の差異を検出でき、故障箇所を特定できる。 （もっと読む）

【課題】熱処理の際に、基板支持具によって支持されていた基板裏面側から発生し、基板上面の表面には支障が現れないスリップを検出し得るスリップの検出方法を提供する。
【解決手段】熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面が上面となるように反転させる工程と、上面となった基板裏面に光を照射する工程と、上面となった基板裏面で反射した光を投影し、投影図を作成する工程とを含むことにより、熱処理の際に基板支持具によって支持されていた基板裏面から検査を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】室温でも非破壊にて半導体の特性を測定する方法を提供する。
【解決手段】半導体試料５２にポンプ光を照射して光学フォノンを生成させた状態で半導体試料５２にプローブ光を照射し、半導体試料５２から反射されたプローブ光を時間分解測定して生成された光学フォノンの減衰定数および周波数を測定し（ステップＳ１００）、測定した減衰定数と、半導体試料５２と同じ元素からなる真性半導体の光学フォノンの減衰定数とを比較して半導体試料５２のキャリア極性を判定し（ステップＳ１１０）、測定した光学フォノンの周波数を、半導体試料５２と同じ元素からなると共に同じキャリア極性を有する半導体における光学フォノンの周波数とキャリア濃度との関係を定めた検量線に適用することにより、半導体試料５２のキャリア濃度を導出する（ステップＳ１２０）。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プロセス変動等に依らず、高いマッチング精度を安定して確保することが可能なテンプレートマッチング用テンプレート作成方法、及びテンプレート作成装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するための一態様として、予め記憶されたテンプレートと、顕微鏡によって取得された画像を比較することによって、所望の位置を特定するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置において、テンプレートマッチングによって、特定された個所の画像を複数取得し、当該複数画像を加算平均することによって、新たなテンプレートを作成するテンプレートマッチング用テンプレートの作成方法、及び装置を提案する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩウェーハの膜厚の変動に起因する欠陥をＳＯＩウェーハ表面異物に影響されることなく、感度良く、低コストで検査することができるＳＯＩウェーハ検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】検査対象のＳＯＩウェーハと、検査対象のＳＯＩウェーハよりＳＯＩ層の膜厚が所定厚ｔ［ｎｍ］だけ薄い、又は厚い膜厚のＳＯＩウェーハの可視光以上の波長領域の光に対する反射率の波長依存性を示すプロファイルＰ１、Ｐ２を算出し、両者の差のプロファイルＰ３、又は変化率のプロファイルＰ４を算出し、該算出したプロファイルＰ３又はＰ４内の最大ピーク波長λ_Ｍに基づいて選択した波長λ又は波長帯の光を検査対象のＳＯＩウェーハの表面に照射し、該ＳＯＩウェーハからの反射光を検出し、その検出した反射光の反射強度が増加してピークとなる箇所をＳＯＩ層膜厚の変動に起因する欠陥として検知することを特徴とするＳＯＩウェーハの検査方法。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板の上の半導体薄膜の電気特性を、迅速に非接触で測定する装置を提供すること。
【解決手段】光がリング状に照射されると半導体薄膜には光導電層がリング状にできる。光の周りにプローブコイルが巻かれてあり、高周波電源に接続されている。プローブコイルから高周波を通じると、導電層と誘導電磁界でコイルが結合して電力損失となる。高周波の電力損失を測定するとキャリアーの数に応じた損失が測定される。光を切断するとキャリアー数が減少して損失もそれに応じて減衰する。キャリアーの単純な一つのライフタイムのときｅ^−ｔ／τに従い減衰する。ｔは時間、τはライフタイムである。減衰を損失の時間関数として表示すると減衰の速度からライフタイムがわかる。ライフタイムは半導体の欠陥の数が多いと短くなるので、半導体膜の品質管理に用いることが出来る。 （もっと読む）

【課題】正確な結晶欠陥量の制御を行うことができる電力用半導体装置の製造方法および電力用半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】電力用半導体装置の製造方法は、シリコンウエハ２を準備する工程と、シリコンウエハ２に電子線を照射する工程と、電子線の照射中にシリコンウエハ２から発生するカソードルミネセンス光の強度および波長を解析してシリコンウエハ２の結晶欠陥の量を検査する工程と、結晶欠陥の量を検査する工程により結晶欠陥の量を所定の値に制御するように電子線を照射する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】ウエハ等の円盤状部材の中心位置を高精度に推定する方法の提供。
【解決手段】トランスファチャンバ４の外側に設置され、トランスファチャンバ４に設けられたビューポートを介してウエハ３の輪郭線を含む画像を２箇所撮像する撮像カメラ２と、撮像カメラ２で撮像された各画像から抽出したウエハ３の各円弧情報を用いて、ウエハ３の外周を推定した推定円をそれぞれ求めて、２つの推定円からウエハ３の中心位置を推定する計測部とを備える。 （もっと読む）

【課題】光変調光反射測定技術を用いて、基板の半導体接合の深さの値を測定する方法。
【解決手段】半導体接合を含む少なくとも第１領域を有する基板を得る工程と、参照領域を得る工程と、少なくとも１回、以下のシーケンス、光変調光反射率測定のための測定パラメータのセットを選択する工程１１０、選択されたパラメータのセットを用いて、少なくとも第１領域の上で、半導体接合を有する基板を表す第１光信号を測定する工程１２０、選択されたパラメータのセットを用いて、参照領域の上で、第２光信号を測定する工程１３０、および第２光信号に対する第１光信号の比を測定し（１４０）、この後に、この比から、半導体接合の深さを導き出す工程１５０を行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 検査途中における平行度調整を容易にすることにある。
【解決手段】 プローブカードに関する情報を処理する方法は、基板、該基板に配置された複数のプローブ及び前記基板に配置された記憶装置を備えるプローブカードに関する情報を処理する方法であって、少なくとも３つの第１の基準プローブと、針先高さ位置が揃っている少なくとも３つの第２の基準プローブとを決定し、プローブの最適オーバードライブ量を決定し、前記第１の基準プローブの針先のＸＹ座標位置、前記第２の基準プローブの針先高さ位置、及び前記最適なオーバードライブ量を前記記憶装置に書き込むこととを含む。 （もっと読む）

【課題】 薄膜構造の特性評価を含む、偏光解析、反射光測定および散乱光測定のための干渉計法を提供する。
【解決手段】検出器上で参照光と干渉するように、或る範囲の角度にわたってテスト物体から出射するテスト光を結像することであって、テスト光および参照光は共通の光源から生成される。それぞれの角度毎に、テスト光がテスト物体から出射する角度に依存する速度で、テスト光および参照光の干渉する部分の間にいて、光源から検出器までの光路長差を同時に変更すること、および、それぞれの角度毎に光路長差を変更しながら、テスト光と参照光との間の干渉に基づいて、テスト物体の光学特性の角度依存性を特定することからなる方法。 （もっと読む）

【課題】省スペース化及び低コスト化が可能な半導体ウェハ試験装置を提供する。
【解決手段】プローブカード３２１が電気的に接続された複数のテストヘッド３２ａ〜３２ｄと、半導体ウェハＷを保持可能なウェハトレイ２と、ウェハトレイ２に保持された半導体ウェハＷをプローブカード３２１に対して相対的に位置決めして、ウェハトレイ２をプローブカード３２１に対向させるアライメント装置５と、を備えており、ウェハトレイ２は、当該ウェハトレイ２をプローブカード３２１に引き寄せる減圧機構を有し、アライメント装置５は、テストヘッド３２ａ〜３２ｄの配列方向に沿って移動することが可能となっている。 （もっと読む）

【課題】従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。
【解決手段】片面にドーパント不純物が拡散されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを評価する方法であって、前記ライフタイムを評価する際に、前記拡散シリコン単結晶ウエーハの全表面に対してパッシベーションを行い、その後、前記拡散面とは反対側の表面に対して励起光の照射と、高周波の入射及びその反射波の検出を行うことでライフタイムの評価をすることを特徴とするライフタイムの評価方法。 （もっと読む）

【課題】 インラインにおいても金属膜の実際の膜厚を測定することが可能な金属膜の膜厚測定方法を提供する。
【解決手段】 膜厚測定用の測定光を測定対象物１１に照射する工程と、測定対象物１１からの反射光からこの測定対象物１１の反射率を検出する工程と、検出された測定対象物１１の反射率から得た測定反射率データと、膜厚判断の基礎となる基礎反射率データとに基づいて、測定対象物１１の膜厚を決定する工程と、を備え、測定対象物１１が導電性を有する金属膜であり、金属膜の膜厚が、金属膜に透過した測定光がこの金属膜中で全て吸収されない膜厚以下である。 （もっと読む）

【課題】 エッチング処理を行わなくても、基底面内転位を有する半導体層から結晶成長された半導体層に基底面内転位が伝播することを防止することができる技術を提供する。
【解決手段】 本発明の方法は、半導体層２の表面２ａにおける基底面内転位６の位置８を特定する特定工程と、特定工程で特定された位置８において結晶の再配列を行う結晶再配列工程と、結晶再配列工程の後に表面２ａから半導体層を結晶成長させる結晶成長工程とを備えている。本発明によると、結晶成長された半導体層に基底面内転位６が伝播しない。基底面内転位６が結晶成長された半導体層に伝播していないために、リーク電流を抑えることができる。 （もっと読む）