【課題】 処理液を使用する基板処理装置においても、ワイヤレス方式でウエハの温度を測定することが可能な温度測定用ウエハを提供する。
【解決手段】 シリコンウエハから成るベース基板１１の下面に、３個の水晶振動子１ａ、１ｂ、１ｃと、これらの水晶振動子１ａ、１ｂ、１ｃに各々連結するアンテナ２ａ、２ｂ、２ｃとが配設されたプリント基板３と、フッ素樹脂製の薄板２１をこの順に積層した構成を有する。ベース基板１１とフッ素樹脂製の薄板２１とは、その周縁において、例えば摂氏２００度程度の温度で加圧加熱溶着されることにより、液密な構成となっている。 （もっと読む）

【課題】非破壊で物品内部のマイクロクラックやボイド、異物混入、接合状態等の内部構造を評価することができる、シリコンウエハや金属接合構造物等の物品の内部構造観察方法及び観察装置を提供することを課題とする。
【解決手段】観察対象物品の表面の多点をスポット的に加熱する加熱用レーザー１と、加熱点より放射される微少量の赤外線から、放射率を補正して高速に温度測定を行う２波長赤外放射温度計２と、２波長赤外放射温度計２による測定結果をレーザーの吸収率に関して補正し、その補正後の温度変移を等時間間隔での平面画像として構築する熱画像構築部４と、物品を測定位置に位置決めし且つ移動させるための移動手段とを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】温度センサ周辺の熱の過渡特性が実際の基板の熱の過渡特性に近く、加熱処理ユニット内で処理される基板の実際の温度を高い精度にて測定することができる温度測定用装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る温度測定用装置は、基板２と、基板２の一方の主面に配置された温度センサ３と、温度センサ３を用いて温度を検出する回路と温度センサ３との間を電気的に接続するよう配置された導電体とを備える。温度センサ３の周囲における基板２の一方の主面には、基板２を形成する物質よりも熱容量が小さい低熱容量帯が形成されている。低熱容量帯は、温度センサ３に所定の間隔をおき、温度センサ３を取り囲むように、かつ、基板２の一方の主面から基板２の内部方向に向かって所定の深さを有するように形成されている。好ましくは、低熱容量帯は断面が凹状の溝である凹部８である。 （もっと読む）

【課題】近年の半導体の高集積化、また画像装置の高精細化に伴ない、基板上の絶対温度を正確に測れることが要請されている。本発明は、基板全面に亘る複数点で、絶対温度を正確に測れる温度測定素子、温度測定装置、基板処理装置及び電子デバイスの製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、該基板の一方の側の一の面に位置する前記基板より大きな熱伝導率を有する電気的絶縁物である第一の膜、上記第一の膜の基板と反対側に位置する第一の熱電対金属及び前記第一の熱電対金属と接触する部分を有する第二の熱電対金属を有する。 （もっと読む）

【課題】Δとψを検出することにより薄膜表面温度の測定を可能とする。
【解決手段】表面に一様な厚さの薄膜が形成された基板である温度測定用試料であって、前記薄膜の特定温度での厚さが既知であり、前記薄膜と基板について屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性が既知である温度測定用試料を温度測定対象位置に配置し、温度測定用試料の温度を計測するために偏光された測定光を照射してその反射光についてｐ偏光成分とｓ偏光成分の位相差信号Δと反射率の比の信号ψを検出するための偏光測定装置を用いて光の電界が入射面に平行なｐ偏光成分の反射率Ｒｐと、光の電界が入射面に垂直なｓ偏光成分の反射率Ｒｓを測定して位相差信号Δと反射率の比の信号ψを算出し、偏光解析によって薄膜の屈折率ｎもしくは膜厚ｔの少なくともひとつを算出し、算出したｎもしくはｔをもとに、上記既知の薄膜の屈折率ｎと消衰係数ｋの温度依存性から薄膜の温度Ｔを算出する。 （もっと読む）

【課題】試料表面のパターン形状の良否を、環境温度変化の影響を受けることなく判定する表面検査方法を提供する。
【解決手段】偏光子７及び対物レンズ９を含み、ウェハ１０の表面を照明する照明光学系２１と、ウェハ１０の表面からの反射光を、対物レンズ９を介して集光し、偏光子７とクロスニコル条件を満たすように配置された検光子１２を通して対物レンズ９の瞳面の像を結像する検出光学系２２と、瞳面の像を検出する第１の撮像素子１７と、を有する表面検査装置１００による表面検査方法は、第１の基準像を取得する第１のステップと、検査像を取得する第２のステップと、第２の基準像を取得する第３のステップと、第１及び第２の基準像の階調値の差を求め、当該差が所定値を越えたときに、検査像の階調値を補正する第４のステップと、補正後の検査像及び第１若しくは第２の基準像の階調値を用いてウェハ１０の欠陥を検出する第５のステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにおける欠陥の測定精度を向上させた欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】検査のため基準となる基板を欠陥検査装置内に設置する基準基板設置工程と、設置された前記検査のため基準となる基板に光を照射し、照射された前記光の散乱光の強度を測定する光強度測定工程と、前記散乱光の強度が設定した基準レベルよりも強い場合には前記光のパワーを弱め、前記散乱光の強度が前記基準レベルよりも弱い場合には前記光のパワーを強める補正を行う補正工程と、検査の対象となる基板を前記欠陥検査装置内に設置し、前記補正の行われたパワーの光を前記検査の対象となる基板に照射し、照射された前記光の散乱光を検出することにより前記検査の対象となる基板における欠陥を検査する検査工程とを有する欠陥検査方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ素子の動作に影響されない温度センサ素子を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１２の主面に窪み２０が形成されているとともに、窪み２０の表面に沿って形成されたダイオード４０を備える。ダイオード４０は、絶縁膜２２によって基板１２と絶縁されている。半導体装置１００は、ダイオード４０が窪み２０に沿って形成されているので、基板内部の熱がよくダイオード４０に伝わり、基板１２の温度を正確に測定することができる。同時にダイオード４０は、絶縁膜２２によって基板１２から絶縁されているので、基板１２に形成されたトランジスタ素子の動作による基板内の電流変化の影響を受けることがなく、基板温度の計測精度が低下しない。 （もっと読む）

【課題】ウェハー品質を向上させ、エラー除きの時間を低下させることができるウェハー温度及び傾斜度を監視するシステムを提供する。
【解決手段】本発明に係るウェハー温度及び傾斜度を監視する方法は、ウェハー冷却機、モニタシステム及びセンシングモジュールを提供する工程と、ウェハーが前記ウェハー冷却機に固定された後に、前記センシングモジュールは、前記ウェハーの領域毎の温度及び傾斜度を検出し、信号を生成して前記モニタシステムに伝送する工程と、前記モニタシステムは、前記ウェハーの温度が標準に一致しないと判断した場合、第一の警告信号を発信し、前記ウェハーの傾斜度が標準に一致しないと判断した場合、第二の警告信号を発信する工程とを含む。また、本発明は、さらに、ウェハー温度及び傾斜度を監視するシステムを提供する。 （もっと読む）

【課題】
試料の温度を変化させて試料検査を行う場合、チャンバー内にあるホルダ，試料ステージ，プロービング機構全体，試料台などの熱膨張によるドリフトが生じてしまう。この試料ドリフトの影響は、プローブを測定箇所へ接触させる際の大きな障害となる。一方、荷電粒子線を用いた観察では、コンタミネーションが生じることがあり、目的とする測定領域を埋没させてしまうため、プローブによる電気特性測定が困難となる。特に、試料を加熱する場合、試料表面や試料内部に内在するガス分子が発生しやすくなり、コンタミネーションが生じやすくなる。さらに、荷電粒子線を用いた観察では、荷電粒子線照射による熱ダメージの影響で試料の構造が破壊されてしまう場合がある。
【解決手段】
上述の問題点に鑑み、本発明では、局所加熱および冷却を実現出来る機能を有する微小ブロックの集合体を特徴とする試料台を用いて、所望箇所の温度調整を実現する。 （もっと読む）

【課題】高温の雰囲気の中でシリコンウエハの温度を測定し、シリコンウエハの表面温度の測定を行うとき、シリコンウエハの出来るだけ多点の表面温度を測定できる圧電温度センサの提供
【解決手段】圧電振動領域とアンテナ領域とが橋絡部で結ばれており、圧電振動領域の両面に配置される励振電極とアンテナ領域に設けられるループ状の導体とが結合されることによって、励振電極と導体とが一体となる構成の圧電温度センサ。また、励振電極とアンテナ領域と橋絡部分を耐熱性があり、且つ、電磁波を透過する容器部で覆うようにすることで、高温での雰囲気にも耐え、外部の機器との信号の送受信を行うことを可能とする。 （もっと読む）

【課題】被測定物の多点において温度センサを用いて温度測定を行い、且つ、その温度測定を行う際に温度センサと温度測定装置との間の信号の送受信を無線で行うシリコンウエハ多点温度測定装置の提供
【解決手段】シリコンウエハ加熱手段内のシリコンウエハ素材に装着された複数個の圧電振動子と、この圧電振動子と共に装着されたセンサーアンテナ部に所定の掃引信号波を送信して、圧電振動子の残響振動波を受信する。そして、この残響振動波の周波数を計測し、計測した周波数に基づいてシリコンウエハ素材の表面温度を測定する。 （もっと読む）

【課題】装置構成を複雑にすることなく、処理される基板の温度を正確かつリアルタイムに測定することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理ユニットと基板Ｗを搬送する搬送ロボットとを備える処理ブロックを複数連接して基板処理装置が構成される。隣接する処理ブロックの接続部分には基板載置部が設置されている。基板載置部の支持ピン７１に、センサコイル７２を搭載した検知板７０が設けられる。水晶振動子にコイルを接続して構成される検温素子８０を装着した温度測定用基板ＴＷが支持ピン７１に載置されたときに、送受信部６０から水晶振動子の固有振動数に相当する送信波がセンサコイル７２を介して検温素子８０に送信される。送信停止後、検温素子８０からの電磁波をセンサコイル７２を介して送受信部６０が受信し、その電磁波の周波数に基づいて温度算定部６９が基板温度を算定する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの上に形成された各半導体デバイスを均一な温度条件下で一括してバーンイン試験を行う検査装置を実現できるようにする。
【解決手段】複数の領域２０ａに分割された半導体ウェハ２０を検査する検査用装置は、半導体ウェハ２０に検査用の電圧を供給する電圧供給部１２を備えている。電圧供給部１２は、検査電極２４を介して半導体デバイス２１に検査用電圧を供給し、発熱体電極２５を介して発熱体２２を駆動する発熱体駆動電圧を供給し、センサ電極２６を介して各領域２０ａの温度情報を取得し、発熱体駆動電圧を対応する温度情報に基づいて制御する。 （もっと読む）

【課題】ワークピースの熱処理のための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】１つの方法は、ワークピースの第１の表面から熱的に放射される放射の現在の強度を測定することと、現在の強度および第１の表面の少なくとも１つの先の熱特性に応答して、第１の表面の現在の温度を識別することと、を含む。ワークピースは半導体ウェハを含み、第１および第２の表面はそれぞれウェハの装置および基板側を含む、ことが望ましい。装置側の現在の温度は、装置側が、例えばウェハの熱伝導時間より短い持続時間を有する照射フラッシュによって照射されている間に識別されることが望ましい。装置側温度は、先の装置側温度に応答して識別してもよく、先の装置側温度とは異なる基板側の先の温度およびウェハの温度履歴に応答して識別してもよい。 （もっと読む）

【課題】
試料の温度調整を局所的に行うことにより、試料ドリフトを抑制することができる検査装置及び検査方法を提供する。
【解決手段】
半導体試料１１８を保持する試料ステージ１０９と、半導体試料１１８上の半導体素子の電気特性測定に用いる複数のプローブ１０６と、プローブ１０６に前記プローブに電圧及び／又は電流を印加する電源と、前記プローブが接触した前記試料上の半導体素子の電気特性を測定する検出器と、半導体試料１１８の測定対象箇所に電磁波を照射する電磁波照射機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】プローバ装置の順応化によって、生産試験を行うことが出来ない時間（最大５時間）を、短縮することができるプローバ装置及びその操作方法を提供する。
【解決手段】該プローバ装置の操作方法は、該プローバ装置の少なくとも一部の温度を制御する工程を有する。プローバ装置の他の操作方法は、熱交換手段と上記プローバ装置の少なくとも１つの部材との間において熱エネルギーを生成および伝達する工程を有し、ここでは、熱エネルギーの、生成工程、伝達工程、または、生成すると共に伝達する工程が制御される。プローバ装置は、少なくとも１つの熱交換素子２４を備え、該熱交換素子２４は、少なくとも１つのプローブ冶具支持体２２に対して空間的関係に配置されて、該プローブ冶具支持体の温度に影響を与えている。 （もっと読む）

【課題】 本考案は、ワーク（半導体素子及び各種部品）を短時間で設定温度まで昇温させ、ワーク自身の温度を確認後、高温状態での試験・評価を可能とした装置である。
【解決手段】 昇温させたいワークのみにレーザーを照射し、ワーク内のセンサー（サーミスター等）からの信号を計算し、ワークの内部温度を確認し、設定温度に達したら、レーザー照射を中止する。と同時にワークの試験・評価を実行する。
又、ワーク温度の確認方法として、非接触型センサーを利用してワーク温度の確認を行うことにより、短時間でワークの高温試験・評価が可能となり、高価で大型の恒温槽を必要としなくなる。 （もっと読む）

【課題】ウエハチャックの加熱／冷却時のＸ軸、Ｙ軸の移動ステージの熱変形を抑えて、Ｘ軸、Ｙ軸の移動ステージの移動精度を確保できるプローバを実現する。
【解決手段】加熱／冷却部材５を内蔵したウエハチャック16を備えるプローバにおいて、
Ｘ軸、Ｙ軸の移動ステージ14,13の少なくとも一方に、ウエハチャック16の加熱／冷却部材５の動作に連動する加熱／冷却部材51,52を設けると共に、Ｙ軸の移動ステージ13をガイドレール１上でスライドさせるスライダ及びＸ軸の移動ステージ14をガイドレール２上でスライドさせるスライダにバッファ機構６を設け、ウエハチャック16の加熱／冷却部材５の動作時に加熱／冷却部材51,52を動作させ、Ｘ軸、Ｙ軸の移動ステージ14,13の変位をバッファ機構で吸収させることにより、Ｘ軸、Ｙ軸の移動ステージ14,13の移動精度を確保する。 （もっと読む）

【課題】カードホルダの基準面とチャックの載置面を平行にする調整が容易に行えるプローバの実現。
【解決手段】ウエハW上に形成されたデバイスをテスタで検査をするために、テスタ30の各端子をデバイスの電極に接続するプローバ10であって、ベース部材11、複数の支柱12,51A,51B及びヘッドステージ13を有する筐体と、ウエハステージ21と、ウエハステージを移動する移動機構と、プローブカード23を保持するようにヘッドステージに設けられたカードホルダ22と、複数の支柱のそれぞれの温度を独立に変化させる支柱温度調整手段55A,55Bと、を備える。 （もっと読む）