【課題】 樹脂膜とした場合に微細孔が小さいベンゾオキサゾール樹脂前駆体を提供する
。
また、本発明の目的は、微細孔が小さくかつ低誘電率である樹脂膜およびそれを用いた半
導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明のベンゾオキサゾール樹脂前駆体は、活性エステル基又はカルボキ
シル基を有する。また、本発明のポリベンゾオキサゾール樹脂は、上記に記載のベンゾオ
キサゾール樹脂前駆体を反応して得られることを特徴とするものである。また、本発明の
樹脂膜は、上記に記載のポリベンゾオキサゾール樹脂を含む樹脂組成物で構成される。ま
た、本発明の半導体装置は、上記に記載の樹脂膜を有するものである。 （もっと読む）

【課題】水分、ガスに対する耐浸透・透過性、紫外線に対する耐候性に優れ、封止スペース内で均一な封止層を形成し、ペンタフルオロプロピオン酸液に対する充分な耐腐蝕性を有する封止方法とそのための材料を提供する。
【解決手段】サブミクロンサイズの無機化合物粒子３２を分散・充填したＳＩＲＡＧＵＳＩＴＡＬ―Ｂ４３７３（ヒートレスグラス）シリカ液体４５を、ガラスとガラスまたは金属、金属と金属またはセラミックスとの界面に塗布し、ガラス化ネットワーク反応を進行させガラス化硬化を完了させる。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂を含む半導体装置の反り挙動等の特性を良好に制御するとともに、品質を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に搭載された半導体チップ１０４と、半導体チップ１０４を封止する封止樹脂１１０とを含む。封止樹脂１１０は、第１の樹脂組成物により構成された第１の樹脂領域１１２と、第２の樹脂組成物により構成された第２の樹脂領域１１６と、第１の樹脂領域１１２および第２の樹脂領域１１６の間に形成されるとともに第１の樹脂組成物および第２の樹脂組成物が混合された混合層１１４と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＡｇやＡｕのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性や耐湿性、高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤を含有し、（Ｂ）硬化剤が下記一般式（Ｉ）で示される化合物を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。


（ここで、Ｒ^１、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、互いに同一であっても異なってもよい。ｎは０〜１０の整数を示す。） （もっと読む）

【課題】ＡｇやＡｕのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性や耐湿性、高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤及び（Ｃ）下記一般式（ＩＩ）で示される化合物を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。


（ここで、Ｒ^１、Ｒ^２は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、互いに同一であっても異なってもよい。ｎは整数を示す。）
（もっと読む）

【課題】封止樹脂でパッケージされた半導体モジュールにおいて外部からの水分浸入を抑制する。
【解決手段】素子搭載用基板１００の上に形成された絶縁樹脂層３０の上に搭載された半導体素子４０が封止樹脂５０により封止されている。配線層１２０には、半導体素子４０の側に突出する突起電極１２２と突起部１２４とがそれぞれ一体的に形成されている。そして、突起電極１２２は、絶縁樹脂層３０を貫通して半導体素子４０の素子電極４２と電気的に接続されている。突起部１２４は、半導体素子４０の四辺に沿って半導体素子４０を取り囲むように配置され、突起電極１２２と素子電極４２との接合部分よりも上方の位置にまで封止樹脂５０内に埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】耐熱着色安定性、作業性、硬化性に優れ、加熱減量を抑制できる加熱硬化性光半導体封止用樹脂組成物、およびこれを用いる光半導体封止体の提供。
【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のシラノール基を有するポリシロキサン１００重量部と、（Ｂ）１分子中にケイ素原子に結合している、アルコキシ基および／またはヒドロキシ基を２個以上有するシラン化合物０．１〜１００質量部と、（Ｃ）ジルコニウム金属塩０．００１質量部以上０．１質量部未満とを含有する加熱硬化性光半導体封止用樹脂組成物、および当該加熱硬化性光半導体封止用樹脂組成物をＬＥＤチップに付与し、前記ＬＥＤチップを加熱し前記加熱硬化性光半導体封止用樹脂組成物を硬化させて前記ＬＥＤチップを封止することによって得られる光半導体封止体。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、透明性を維持しつつ、優れた耐クラック性を発揮する硬化物を得ることができる光半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明の光半導体封止用樹脂組成物は、（メタ）アクリル酸エステルを必須モノマー成分とするポリマーで構成され、表面にエポキシ基と反応し得る官能基としてヒドロキシル基及び／又はカルボキシル基を有し、平均粒子径が１０ｎｍ〜５００ｎｍ、最大粒子径が５０ｎｍ〜１０００ｎｍであり、且つ当該光半導体封止用樹脂組成物の硬化物との屈折率差が±０．０２以内であるゴム粒子を脂環式エポキシ樹脂に分散させたゴム粒子分散硬化性エポキシ樹脂（Ａ）、多官能チオール（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び硬化促進剤（Ｄ）を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェハ状態のままでの遮光必要箇所に遮光材料を一工程で配置して一括で切断して遮光構造を容易かつ素早く得る。
【解決手段】複数のセンサモジュール１１が形成された電子素子ウエハモジュール１を幅広に、ダイシングラインＤＬに沿ってウェハ状光学部品６およびガラス基板５を切断してダイシング溝８を形成した後に、その切断した幅広のダイシング溝８を含むウェハ状光学部品６の中央部における光開口部６ａ以外の表面領域に遮光膜７の遮光材料を塗布し、その後、幅広のダイシング溝８内の側面に遮光材料を残すように、幅広のダイシング溝８の幅方向中心に沿ってウェハ状光学部品６およびガラス基板５を、幅狭に切断してセンサモジュール１１として個片化することにより、レンズ領域などの光学機能領域およびその下の撮像素子２を囲む遮光構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】スタックド構造のＭＣＰ製造時における作業性の欠点である接着剤の塗布などの工程を改善し接着剤を使用することなく半導体チップを積層することができ、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と光酸発生剤（Ｂ）を含む感光性樹脂組成物の樹脂層３を半導体チップ２の回路素子形成面上に有し、かつ半導体チップ上に積層する別の半導体チップ６の裏面が樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂でパッケージされた半導体モジュールにおいて外部からの水分浸入を抑制する。
【解決手段】配線層２０の上に形成された絶縁樹脂層３０に搭載された半導体素子４０が封止樹脂５０により封止されている。配線層２０には、半導体素子４０の側に突出する突起電極２２と突起部８０とがそれぞれ一体的に形成されている。そして、突起電極２２は、絶縁樹脂層３０を貫通して半導体素子４０の素子電極４２と電気的に接続されている。突起部８０は、半導体素子４０の四辺に沿って半導体素子４０を取り囲むように配置され、突起電極２２と素子電極４２との接合部分よりも上方の位置にまで封止樹脂５０内に埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、シリコン基板の上面側の集積回路から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板の上面側の集積回路への不要電磁輻射ノイズを抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】封止膜１０は、熱硬化性樹脂１０ａ中に強磁性体粉末１０ｂが混入された材料によって形成されている。そして、封止膜１０中の強磁性体粉末１０ｂにより、シリコン基板１の上面側から外部へのあるいはその逆で外部からシリコン基板１の上面側への不要電磁輻射ノイズを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】分散処理を行わなくとも、金属酸化物微粒子が安定に分散され、高い屈折率及び高い透明性を有することができる樹脂組成物、並びに該樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供する。
【解決手段】金属酸化物微粒子分散液の存在下で、特定のケイ素化合物と、メトキシ基含有量が１０〜５０重量％であるポリジメチルシロキサン化合物又は式（II）：


（式中、R^３及びR^４は、それぞれ独立してメチル基、エチル基又はプロピル基を示す）で表されるケイ素化合物とを反応させて得られる、前記金属酸化物微粒子を含有してなる樹脂組成物、並びに前記樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】封止層の厚みを均一にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第一のマスクを用いて半導体チップ７００を液状光硬化樹脂８０６で覆った後、液状光硬化樹脂８０６で覆われた状態の半導体チップ７００の上からさらに、印刷法により液状熱硬化樹脂７０６を第二のマスク７０４の開口部７０９に充填することによって、半導体チップ７００を封止する。これにより、第二のマスク７０４の開口部７０９における液状熱硬化樹脂７０６の充填むらが低減され、封止層の厚みの均一化を実現できる。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低応力性、耐溶剤性、低吸水性、電気絶縁性、密着性、耐熱性等に優れた半導体素子表面保護膜用途に最適な環状オレフィン系樹脂組成物を提供し、当該環状オレフィン系樹脂組成物を半導体素子表面保護膜に用いることにより、特にＬＯＣ構造を有する樹脂封止型半導体装置製造時の作業性の欠点を改善し、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】
半導体素子表面保護膜用樹脂組成物であって、酸性基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と、光酸発生剤（Ｂ）と、１３０℃以上の温度で（Ａ）の酸性基と結合しうる反応基を有する化合物（Ｃ）、を含む半導体素子表面保護膜用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】周辺部材との反応による劣化に対して優れた抑制効果を奏する半導体発光装置用部材形成液、および硬化物を提供する。また、これにより輝度維持率の優れた半導体発光装置を提供する。
【解決手段】液状媒体、および酸発生剤を含有することを特徴とする半導体発光装置用部材３Ａ形成液。好ましくは、空気中で、気温１５０℃にて１０時間以内に硬化することを特徴とする。酸発生剤は、好ましくはｐKaが１０以下のプロトンを有する化合物、光酸発生剤、および強酸と弱塩基の塩から選ばれる１以上である。 （もっと読む）

【課題】透明性、耐熱性、耐光性、及び、ハウジング材への密着性に優れ、高輝度が要求される用途に用いた場合にも光半導体の輝度低下を効果的に防止することができる光半導体用熱硬化性組成物を提供する。
【解決手段】分子内に環状エーテル含有基を有するシリコーン樹脂と、前記環状エーテル含有基と反応する熱硬化剤と、下記一般式で表されるフェノール化合物とを含有する光半導体用熱硬化性組成物。


Ｒ^ａは炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基、Ｒ^ｂは任意の置換基、Ｒ^ｃは水素又は炭素数１〜８の直鎖状又は分岐状のアルキル基を表わす。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との高い接続信頼性を有する半導体装置を効率的に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１の一方面Ｓ１に形成された突起電極２を埋め込むように絶縁性樹脂層３を形成する被覆工程と、ダイシングテープ５上に半導体ウェハ１を固定するダイシング準備工程と、半導体ウェハ１を絶縁性樹脂層３とともに切断して半導体チップ８を得るダイシング工程と、絶縁性樹脂層３を有する半導体チップ８をピックアップするピックアップ工程と、基板１２の表面に設けられた電極１２ａ及び半導体チップ８の突起電極２の位置を合わせる位置調整工程と、位置調整工程後、半導体チップ８を基板１２に押し当てるとともに熱を加えることによって、半導体チップ８を基板１２に実装する接続工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、保存安定性に優れ、硬化後に耐熱性、耐光性、透光性に優れるエポキシ樹脂組成物を提供することである。特に、耐熱性、耐光性に優れるＬＥＤ等の半導体発光装置を提供することができる、保存安定性が良好なエポキシ樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】（Ａ）一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、及び（Ｂ）トリ（メタ）アクリル酸アルミニウムを含有するエポキシ樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】貫通孔不良を解消して、信頼性の高い異種デバイスが搭載可能な集積半導体装置及び集積３次元半導体装置を提供する。
【解決手段】内側領域に並置された複数の集積回路チップと、前記複数の集積回路チップのそれぞれの周囲に充填され前記複数の集積回路チップを保持し、石英フィラを含有する第１絶縁部と、前記内側領域の表面に配置され、前記複数の集積回路チップの少なくともいずれかに接続された配線層と、前記内側領域に配置され、前記複数の集積回路チップの少なくともいずれかと外部回路とを接続するための入出力部と、前記内側領域の周囲の外側領域の少なくとも一部に配置され、前記第１絶縁部よりも低い石英フィラ含有比率を有する第２絶縁部と、前記第２絶縁部を貫通し表面と裏面とを接続する貫通電極と、を備えたことを特徴とする集積半導体装置が提供される。 （もっと読む）