【課題】光半導体封止材および光半導体接着剤として用いられる熱硬化性樹脂組成物の提供。
【解決手段】イソシアヌル環に結合したジアルキルシロキサンオリゴマーを繰り返し単位とする重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００のイソシアヌル環含有重合体、ＳｉーＨ結合を含有したポリシロキサンおよび遷移金属を有する硬化触媒からなる、熱硬化性樹脂組成物。さらに該熱硬化性樹脂組成物を封止剤もしくは接着剤として用いた光半導体素子。 （もっと読む）

【課題】 樹脂硬化後のウエハー反りが小さく、強度、耐リフロー性、耐温度サイクル及び耐湿信頼性が低下しにくい封止用液状エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止された素子を備えた電子部品装置およびウエハーレベルチップサイズパッケージを提供する。
【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン硬化剤、（Ｃ）固形シリコーン重合体のコアと有機重合体のシェルからなるコアシェルシリコーン重合体の微粒子、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）有機溶剤を含有した封止用液状エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】パターン埋め込み性、形状保持性、密着性、耐熱性、可とう性及び印刷性に優れた樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂、（Ｃ）平均粒径が０．１〜６μｍでかつ粒径分布が０．０１〜１５μｍであるゴム弾性を有する低弾性フィラー、及び（Ｄ）極性溶媒を含有してなる樹脂組成物において、前記（Ａ）室温で極性溶媒に可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が６５，０００〜１００，０００であり、かつ前記（Ｂ）室温で極性溶媒に不溶であるが、加熱することにより可溶な芳香族熱可塑性樹脂の重量平均分子量が５０，０００〜１００，０００である樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置。 （もっと読む）

【課題】小型化した圧電デバイスおよびその製造方法を提供するとともに、この圧電デバイスを利用した電子機器を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１０の製造方法は、まずシート基板における複数のデバイス形成領域に電子部品３２および圧電振動子４０をそれぞれ配置して、デバイス形成領域に配置した圧電振動子４０と電子部品３２とを導通する。この後、圧電振動子４０のベースとシート基板とを切断し、デバイス形成領域毎に個片化して圧電デバイス１０を得ている。なおシート基板と圧電振動子４０との間を樹脂モールド材３８で充たすこともできる。この場合には、圧電振動子４０、基板１２および樹脂モールド材３８の各側面が同一面を形成して、圧電デバイス１０の側面を形成している。 （もっと読む）

【課題】高いガラス転移温度（Tg）を有し、かつ耐熱黄変性に優れるエポキシ樹脂系薄膜、このような薄膜を形成できるエポキシ樹脂系組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と、酸無水物系硬化剤と、下記一般式（１）


［式中、Ｒ^１〜Ｒ^４は、同一又は異なって、フェニル基、炭素数１〜１６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数５〜１２のシクロアルキル基を示し、Ｘは炭素数１０〜１６の脂肪族モノカルボン酸のアニオン残基を示す。］で表される化合物とを含むエポキシ樹脂系組成物。 （もっと読む）

【課題】 端面において基板とシールド層との境界に隙間が生じない回路モジュールの提供。
【解決手段】 基板１１上に複数の部品１３を配置する工程と、各部品を被覆する絶縁層１５を形成する工程と、絶縁層を被覆する導電性樹脂からなるシールド層１７を形成する工程と、シールド層が形成された基板を分割する工程と、を備え、シールド層１７を形成する前に予め深さ方向の基端部１６ｂの幅Ｗ１に比べて先端部１６ａの幅Ｗ２が小さい切り溝１６を少なくとも絶縁層１５に形成し、少なくとも切り溝内に充填されるように導電性樹脂を塗布してシールド層を形成した後、切り溝の先端部に沿って先端部の幅より大きく基端部の幅より小さい幅Ｗ３で切削して基板を分割する。これにより、回路モジュールの端面において、絶縁層を覆うシールド層の縁部の下端とこれに対向する切り溝の内面とが密着して、外部からの電磁界や静電気の影響を受け難い回路モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電子部品保護用の有機封止材組成物の提供。
【解決手段】箔上焼成セラミックコンデンサに塗布され、プリント配線板に埋め込まれた有機封止材組成物により、コンデンサがプリント配線板用化学薬品に耐え、高湿度、高温および印加直流バイアス下で行われる１０００時間の加速寿命試験にパスすることが可能となる。 （もっと読む）

第１の無機バリアコーティングと第２の無機バリアコーティングとの間に、シリコーン樹脂の硬化生成物を含む界面コーティングを含む電子パッケージ、及び電子パッケージを製造する方法。
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【課題】 シリコン基板上にＢＣＢ等の低誘電率材料からなる絶縁膜と配線とが各々２層交互に積層されて設けられた半導体装置において、絶縁膜間で剥離が生じにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面に設けられた酸化シリコン等からなるパッシベーション膜３の上面の周辺部を除く領域にはＢＣＢ等の低誘電率材料からなる第１、第２の絶縁膜５、９と第１、第２の配線８、１２とが交互に積層されて設けられている。第２の配線１２を含む第２の絶縁膜９の上面および第１、第２の絶縁膜５、９の側面はエポキシ系樹脂等からなる封止膜１４によって覆われている。これにより、第１、第２の絶縁膜５、９間で剥離が生じにくいようにすることができる。 （もっと読む）

【課題】環境負荷の少ない、電子部品の絶縁に適した光硬化性樹脂組成物、実装回路板用光硬化性防湿絶縁塗料、及び絶縁処理された信頼性の高い電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光硬化性樹脂組成物は、（Ａ）（ａ１）ポリオレフィンポリオール化合物、（ａ２）ヒドロキシル基を有するエチレン性不飽和化合物及び（ａ３）１分子中にイソシアネート基を２個以上有する化合物を反応させて得られるエチレン性不飽和二重結合を有するウレタン化合物、（Ｂ）エチレン性不飽和二重結合とヘテロ環状構造とを有する光重合性単量体並びに（Ｃ）光重合開始剤を含有する。 （もっと読む）

【課題】２次実装リフローでの熱履歴によりチップ部品のリフトが生じ、電子部品内蔵モジュールの信頼性を損ねることがあった。
【解決手段】電子部品内蔵モジュール１０は、樹脂配線基板１１と、樹脂配線基板１１の表面に搭載される複数の電子部品１５，１５，…と、各電子部品１５を樹脂配線基板１１に電気的に接続する半田２２と、各電子部品１５および半田２２を封止する封止樹脂２１とを備えている。そして、封止樹脂２１の平均線膨張係数αが１７×１０^-6以上１１０×１０^-6/℃以下であり、平均線膨張係数αはその樹脂のガラス転移温度と、ガラス転移温度以下の線膨張係数α１と、ガラス転移温度以上の線膨張係数α２と、室内の温度と、リフロー時のピーク温度とを用いて算出される。 （もっと読む）

【課題】メッシュ目残りやにじみがなく、均一な膜厚が得られるスクリーン印刷用材料の提供。
【解決手段】下記一般式


（Ｘは３価の有機基、Ｙは２価の有機基、Ｒ¹はアルキル基、Ｒ²はアルキル基又はアルコキシ基。）で示されるポリマーからなるスクリーン印刷用組成物。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れ、電気・電子部品の封止材として使用した場合に均一な膜厚の硬化物を与える電気・電子部品封止用シリコーンゴム組成物を提供することにある。
【解決手段】電気・電子部品封止用シリコーンゴム組成物は、（Ａ）ベースポリマー、（Ｂ）架橋剤及び（Ｃ）白金系触媒を含有するシリコーンゴム組成物において、（Ａ）成分として相対粘度比（粘度Ｂ／粘度Ａ）が１．０２以上であるアルケニル基含有ポリオルガノシロキサンと（Ｄ）充填剤を用いる。但し、粘度Ａは、（Ａ）成分１００重量部に、縮合触媒１重量部とアルコキシ基含有シラン３重量部とを混合した時の２３℃における粘度である。粘度Ｂは、この混合された溶液をさらに室温で３０分静置させた後の２３℃における粘度である。（Ａ）成分を含有する該組成物は、これを平板上に１ｃｃ垂らしてから１０分後の直径が２８〜４５ｍｍである。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサチップを透過した光の反射によって、撮像データに固定パターンノイズが発生するのを防止する。
【解決手段】固体撮像装置２は、ウエハレベルチップサイズパッケージを用いており、受光部３が設けられたイメージセンサチップ４と、受光部３を覆って保護するカバーガラス６と、イメージセンサチップ４とカバーガラス６との間に配置されるスペーサー５とから構成されている。イメージセンサチップ４の下面には、貫通配線１０から延設された配線１３と、外部接続端子である半球形のバンプ１２とが設けられている。イメージセンサチップ４とバンプ１２及び配線１３との間には、撮像時にイメージセンサチップ４を透過した光が反射して受光部３に入射するのを防止する反射防止層２３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品を簡単に作製できる電子部品の製造方法、その製造方法で作製した電子部品および樹脂封止用印刷機を提供する。
【解決手段】光検出半導体素子２を実装した金属板４１を真空印刷機に取り付け、光検出半導体素子２および外部電極３が孔版６１の開口部に入るように、マスク６１の位置あわせをする。次に真空印刷機内を減圧し、スキージ６２を移動し、封止用樹脂６３を金属板４１に印刷する。ここで、真空印刷機の真空度を制御することでガス溜まり６４のサイズをコントロールすることが可能となる。このことを利用し、意図的に光検出部２Ａの部分を封止用樹脂未充填とし、光検出部２Ａが封止樹脂６３に覆われない構造を作製することができる。 （もっと読む）

【課題】樹脂内部や素子内部の検査を容易にし、また、ウエハレベルＣＳＰの光学デバイスへの適応を可能とした半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、少なくとも一面に電極２および光学素子４を備えた基板１と、該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層１１と、該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電層１２と、該絶縁樹脂層および該導電層を被覆する封止樹脂層１３とを備え、前記絶縁樹脂層および封止樹脂層において、少なくとも前記光学素子と重なる部分は、前記光学素子にとって透過性を有する材料からなる。 （もっと読む）

【課題】有機半導体の封止層形成時、および、封止層形成後に特性劣化が起こらない有機トランジスタおよびその製造方法を提供するものである。
【解決手段】有機半導体を覆うようにして第１の封止層が設けられ、該第１の封止層を覆うようにして第２の封止層が設けられたトランジスタであって、第１の封止層が、体積抵抗が１×１０^１２Ωｃｍ以上の含フッ素化合物からなることを特徴とする有機トランジスタである。
第１の封止層材料は有機半導体と接することから、有機半導体へダメージを与えない材料が良く、含フッ素化合物が好適である。
また、体積抵抗が１×１０^１２Ωｃｍ以上であれば、１．２×１０^４以上の良好なＯＮ／ＯＦＦ比を保持する有機トランジスタが得られる。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い回路モジュールを簡略化された工程で製造することが可能な回路モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】 上面に複数の基板領域11が配置された回路基板10に電子部品20を搭載する工程１と、回路基板10の上面に樹脂層30を形成して、搭載された電子部品20を封入する工程２と、樹脂層30の上面に、剥離シート41にシールド層47が積層されてなる切断用シート40を貼付する工程３と、回路基板10、樹脂層30およびシールド層47に基板領域11の境界に沿って分割するための切込み60を形成する工程４と、しかる後、基板領域11毎に回路基板10、樹脂層30およびシールド層47を一体として剥離シート41から剥離して複数の回路モジュールを得る工程５とを具備する回路モジュールの製造方法である。これにより、信頼性の高い回路モジュールを簡略化された製造工程によって得ることができる。 （もっと読む）

【課題】電子モジュールを他の基板へ搭載する際、半田の再溶融によって生じる電子モジュールの電子部品の短絡を抑制すること。
【解決手段】表面２２に電極パッド２１を備えた基板２と、電極パッド２１に半田付けされる電極１１を有する電子部品１と、基板２の表面２２と電子部品１とを封止すると共にフィラーを含有する封止樹脂とを有し、電子部品１が実装された状態において、基板２の表面２２と電子部品１の一対の電極１１が存在しない部分の電子部品１の底面１２との間に空間４が形成され、空間４内へ封止樹脂が流入可能になるように、空間４の高さ寸法を少なくとも封止樹脂のフィラーの最大粒径より大きくした。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性、耐紫外線性、光学的透明性、強靭性及び接着性を有する被膜を形成できる光関連デバイス封止用組成物、その硬化物並びに該組成物による封止方法を提供する。
【解決手段】（イ）平均組成式：Ｒ¹_a(ＯＸ)_bＳｉＯ_(4-a-b)/2
（Ｒ¹はアルキル基、アルケニル基又はアリール基、Ｘは式：−ＳｉＲ²Ｒ³Ｒ⁴（Ｒ²〜Ｒ⁴は１価炭化水素基）で表される基と、アルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基又はアシル基との組み合わせ、ａは1.00〜1.5の数、ｂは０＜ｂ＜２の数、但し、1.00＜ａ＋ｂ＜２）
で表される重量平均分子量５×10⁴以上のシリル化オルガノポリシロキサン、及び
（ロ）縮合触媒
を含む光関連デバイス封止用樹脂組成物、該組成物を硬化させてなる透明な硬化物、並びに該組成物を半導体素子に塗布することと、該半導体素子に塗布された組成物を硬化させることとを有する半導体素子の封止方法。 （もっと読む）