電子部品およびその製造方法、樹脂封止用印刷機
【課題】チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品を簡単に作製できる電子部品の製造方法、その製造方法で作製した電子部品および樹脂封止用印刷機を提供する。
【解決手段】光検出半導体素子2を実装した金属板41を真空印刷機に取り付け、光検出半導体素子2および外部電極3が孔版61の開口部に入るように、マスク61の位置あわせをする。次に真空印刷機内を減圧し、スキージ62を移動し、封止用樹脂63を金属板41に印刷する。ここで、真空印刷機の真空度を制御することでガス溜まり64のサイズをコントロールすることが可能となる。このことを利用し、意図的に光検出部2Aの部分を封止用樹脂未充填とし、光検出部2Aが封止樹脂63に覆われない構造を作製することができる。
【解決手段】光検出半導体素子2を実装した金属板41を真空印刷機に取り付け、光検出半導体素子2および外部電極3が孔版61の開口部に入るように、マスク61の位置あわせをする。次に真空印刷機内を減圧し、スキージ62を移動し、封止用樹脂63を金属板41に印刷する。ここで、真空印刷機の真空度を制御することでガス溜まり64のサイズをコントロールすることが可能となる。このことを利用し、意図的に光検出部2Aの部分を封止用樹脂未充填とし、光検出部2Aが封止樹脂63に覆われない構造を作製することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品、その製造方法および樹脂封止用印刷機に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、光ディスクの記録密度が向上し、光ディスクの情報を読み込むために使用されるレーザ光の波長が短くなっている。レーザ光を検出する光ピックアップ半導体装置は、その光検出部が樹脂で覆われており、レーザ光の波長が短くなるほど、樹脂が劣化しやすい。そこで、従来から、光検出部を樹脂で覆うことなく露出させた光検出半導体装置が知られている(特許文献1)。
【特許文献1】特開2003−273371号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
上記特許文献1の光検出半導体装置では、光検出部を樹脂によりパッケージングする際、樹脂が光検出部を覆う前に樹脂を硬化させたり、光検出部を覆っている樹脂を硬化前に吸引治具などで吸引したり、面倒な作業が不可避であった。
【課題を解決するための手段】
【0004】
(1)請求項1の発明は、能動素子を有するチップを樹脂封止してなる電子部品の製造方法において、可撓性基板上に設けられた外部電極に、能動素子面が可撓性基板と所定の距離をあけて対向するようにチップを搭載し、大気圧に比べて減圧雰囲気下で、可撓性基板と能動素子との間にガス溜まりが形成するようにチップを可撓性基板上で樹脂封止し、可撓性基板を剥離して能動素子を露出させることを特徴とする。
(2)請求項2の発明は、請求項1に記載の電子部品の製造方法において、樹脂封止するときの雰囲気圧力を変えることによって、ガス溜まりの大きさを制御することを特徴とする。
(3)請求項3の発明は、請求項1または2に記載の電子部品の製造方法において、真空印刷機を使用して封止用樹脂の印刷により樹脂封止することを特徴とする。
(4)請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、ガス溜まりによって形成された開口部をガラス板または硬質プラスチック板で塞ぐことを特徴とする。
(5)請求項5の発明の電子部品は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
(6)請求項6の発明は、能動素子を有するチップを樹脂封止してなる電子部品において、チップ能動素子が露出するように樹脂封止され、能動素子の周囲を取り囲んでいる樹脂の取り囲み面が凹であることを特徴とする。
(7)請求項7の発明は、請求項6に記載の電子部品において、チップの露出面と樹脂の取り囲み面とを有する凹部を塞ぐガラス板または硬質プラスチック板を備えることを特徴とする。
(8)請求項8の発明の樹脂封止印刷機は、封止用樹脂の印刷により樹脂封止するときの雰囲気圧力を、電子部品の種類ごとに記憶したテーブルと、樹脂封止前の電子部品から電子部品の種類を読み込む読み込み手段と、読み込み手段によって読み込んだ電子部品の種類によって、樹脂封止するときの雰囲気圧力をテーブルに記憶した圧力に制御する圧力制御手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【0005】
本発明によれば、チップの能動素子に雰囲気ガスが溜まるようにチップを樹脂封止する。したがって、チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品を簡単に作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0006】
本発明の実施形態の光検出半導体装置について図1を参照して説明する。図1(a)は光検出半導体装置1の裏面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A’線断面図である。
【0007】
図1において、符号1は光検出半導体装置、2は光検出半導体素子である。光検出半導体素子2には光検出部2Aが設けられている。光検出半導体装置1には、開口部(以下、受光開口1Aと呼ぶ)が形成されており、受光開口1Aの底面では光検出半導体素子2の光検出部2Aが露出している。そして、受光開口1Aを入射したレーザ光などの光を光検出部2Aで受光して検出する。光検出半導体装置1の受光開口1A側には外部電極3が配設されており、光検出半導体素子2と外部電極3とは、Auなどからなるバンプ5によって接続されている。光検出半導体装置1の4隅には、回路基板との接着強度を上げるために補強パッド4が設けられている。光検出半導体素子2と外部電極3と補強パッド4とは、樹脂6、たとえばエポキシ樹脂によって封止される。受光開口1Aにおける光検出部2Aの周囲を取り囲んでいる樹脂6の取り囲み面1Bは凹形状である。
【0008】
以上のように、光検出半導体装置1の裏面には光検出半導体素子2の光検出部2Aが露出されることになり、受光開口1Aに入射した光は直接に光検出部2Aで受光される。外部電極3および補強パッド4も光半導体装置1の裏面に露出しており、半田接合することにより光検出半導体装置1を回路基板に実装することができる。
【0009】
外部電極3および補強パッド4の層構造について図2を参照して説明する。外部電極3および補強パッド4は主に電鋳により形成されたNi層21からなる。Ni層21の厚さは、たとえば30〜60μmである。Ni層21の上下には、中間層であるPd層22,24を介して、外部電極3とバンプ5とを接続するために、および外部電極3の半田濡れ性を改善するためにAu層23,25が設けられている。
【0010】
次に、上述した光検出半導体装置1の製造方法について、図3〜図8を参照して説明する。図3は、光検出半導体装置1の製造方法について説明するためのフローチャートである。図3に示すように、ウエハを個片化して作製した光検出半導体素子2を、電極を形成した金属板に実装し、そして樹脂封止することによって光検出半導体装置1を作製する。
【0011】
光検出半導体装置1の製造に使用されるウエハには、能動素子として光検出部2Aが複数形成されている。また、金属板には、厚さ約0.1mmの平板状のJIS規格のSUSステンレス鋼板またはCu板などの可撓性を有する金属薄板が使用される。
【0012】
工程301では、ウエハ上の各素子上に所定個数のバンプ5を形成する。バンプ5は、後述する超音波接合によりウエハに取り付けられる。工程302では、ウエハをダイシングして個片化し、光検出半導体素子2を作製する。
【0013】
工程303では、金属板に電鋳工法によって外部電極3を形成する。工程303の金属板の外部電極形成工程について、図4を参照して説明する。図4(a)に示すように、金属板41の両面にレジスト42を塗布またはラミネートする。次に、アクリルフィルムベースのパターンマスクフィルムを密着させ、紫外線により露光する。そして、現像し、図4(b)に示すように、外部電極3を形成する部分のレジスト42を除去する。金属板41の一方の面には電極を形成しないので、レジスト42によって全面が覆われたままである。次に、H2SO4−H2O2やNa2S2O8などの酸化性溶液により、レジスト42を除去した部分の金属板41の面をソフトエッチングする。そして、硫酸などの酸で酸洗いし、酸活性処理を行う。
【0014】
酸活性処理を行った金属板41に外部電極3を形成する。外部電極3は次のようにして形成する。
(1)金属板41をAuめっき溶液に浸漬し、めっきにより金属基板41にAu層25を形成する。
(2)Pdめっき溶液に浸漬し、めっきによりAu層25上にPd層24を形成する。
(3)Niめっき溶液に浸漬して金属板41に電力を供給して電鋳を行い、Pd層24上にNi層21を形成する。
(4)Pdめっき溶液に金属板41を浸漬し、めっきによりNi層21上にPd層22を形成する。
(5)Auめっき溶液に金属板41を浸漬し、めっきによりPd層上22にAu層23を形成する。
【0015】
以上のようにして、図4(c)に示すように、図2の層構造の外部電極3を金属板41に形成する。そして、図4(d)に示すように、レジスト42を金属板41から剥離する。補強パッド4も外部電極3と同時に金属板41に形成する。
【0016】
図3の工程304では、外部電極3が形成された金属板41をプラズマクリーニングする。このプラズマクリーニングにより、外部電極表面のAuは活性化され、外部電極3と光検出半導体素子2に設けられたバンプ5との接続強度を高めることができる。
【0017】
工程305では、超音波接合により光検出半導体素子2を金属板41にフリップチップ接続する。フリップチップ接続工程について図5を参照して説明する。バンプ5が外部電極3上に配置されるように光検出半導体素子2を金属板41に搭載し、光検出半導体素子2にボンディングツール51を当てる。そして、ボンディングツール51によって押圧しながら超音波振動を光検出半導体素子2に与える。その結果、バンプ5と外部電極3とが接続し、光検出半導体素子2が金属板41に実装される。
【0018】
工程306では、真空印刷機によって、金属板41に搭載された光検出半導体素子2と外部電極3と補強パッド4とを樹脂で封止する。ここで、真空印刷機とは真空雰囲気下で封止用樹脂をスクリーン印刷し、半導体素子などを樹脂封止する装置である。真空印刷機による樹脂封止工程について図6を参照して説明する。
【0019】
光検出半導体素子2を実装した金属板41を真空印刷機に取り付け、図6(a)に示すように、光検出半導体素子2および外部電極3が孔版61の開口部61Aに入るように、孔版61の位置合わせをする。次に真空印刷機内を、たとえば30000Paまで減圧し、図6(b)に示すように、スキージ62を移動し、封止用樹脂63を金属板41に印刷する。この封止用樹脂63は、たとえば熱硬化性エポキシ系樹脂から成る。このとき、光検出半導体素子2と金属板41との間で、光検出半導体素子中央付近に雰囲気ガスが残ってガス溜まり64が発生する。このガス溜まり64のため、光検出部2Aの周囲は封止用樹脂未充填となり、光検出部2Aは封止用樹脂63に覆われない。
【0020】
次に、真空印刷機内の圧力をたとえば、大気圧まで上げる。その結果、ガス溜まり周囲の圧力が高くなり、図6(c)に示すようにガス溜まり64は小さくなる。このため、孔版61の開口部61Aを満たしていた封止用樹脂63が見かけ上、減少する。そこで、再び孔版61の開口部61Aを封止用樹脂63で満たすために、図6(d)に示すようにスキージ62を移動し、もう一度封止用樹脂63を印刷する。そして、孔版61を取り外して、図6(e)に示すように樹脂封止工程は完了する。
【0021】
図3の工程307では、樹脂封止した金属板41をオーブンに入れ、所定温度、たとえば、100℃で加熱して、封止用樹脂63を硬化させる。このとき、ガス溜まり64内のガスは膨張するので、ガス溜まり64は大きくなる。工程308では、樹脂封止した光検出半導体素子2などから金属板41を剥離する。金属板41は可撓性を有するので、図7(a)に示すように容易に剥離することができる。金属板41を剥離すると、受光開口1Aにおいて光検出半導体素子2の光検出部2Aが露出する。また、受光開口1Aはガス溜まり64によって形成されるので、光検出部2Aの周囲を取り囲んでいる樹脂6の取り囲み面1Bは凹形状になる。以下、図7(b)に示す金属板41を剥離したものを樹脂封止体70と呼ぶ。
【0022】
工程309では、図8(a)に示すように、1点鎖線81に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体70をダイシングする。そして、図8(b)に示すように、一つの樹脂封止体70が分割され、光検出半導体装置1が完成する。
【0023】
以上のようにして作製された光検出半導体装置1は、図9に示すような穴91Aが設けられた回路基板91に半田92を介して実装される。この場合、光ディスクの情報を読み込むために照射されたレーザ光LBは、光ディスク面で反射して、回路基板91の穴91Aを通過し、光検出半導体装置1の受光開口1Aに入射する。受光開口1Aに入射したレーザ光LBは樹脂6内を通過せず、直接、光検出半導体素子2の光検出部2Aに入射する。このため、レーザ光LBによって光検出部2Aを覆っている樹脂が劣化し、光検出半導体装置が使用不可能となることはない。
【0024】
以上の実施形態による光検出半導体装置1の製造方法は次のような作用効果を奏する。
(1)樹脂封止を減圧下で行い、光検出部2Aの周囲に雰囲気ガスが溜まるように光検出半導体素子2を樹脂6で封止するようにした。したがって、光検出部2Aへの光路に樹脂が存在しない光検出半導体装置1を簡単に作製することができる。
【0025】
(2)全工程を通じて、光検出半導体素子2の光検出部2Aに対して何も接触しないので、光検出部2Aを傷つけることはない。すなわち、上述したとおり従来例では、光検出部2Aの受光面上に吸引治具を近づけ、樹脂を硬化前に吸引する工程も必要であった。本実施の形態では、このような吸引治具などが不要であり、光検出部2Aを傷つけるおそれもない。
【0026】
(3)樹脂封止するときに発生するガス溜まり64の大きさは、樹脂封止するときの減圧の程度によって制御することができる。すなわち、減圧の程度を大きくするとガス溜まり64は小さくなり、真空まで減圧するとガス溜まり64はほとんど発生しない。一方、減圧の程度を小さくするとガス溜まり64は大きくなる。このように、本発明の実施形態では樹脂封止するときの圧力を調整することによって受光開口1Aの大きさを簡単に制御することができる。一例を図10に示す。図10(a)は、図6(b)の樹脂印刷時の雰囲気圧力を30000Paとしたときに得られる受光開口1Aの形状を示す。図10(b)は20000Pa、図10(c)は10000Pa、図10(d)は5000Paの圧力にそれぞれ制御したときの受光開口1Aの形状を示す。たとえば、印刷時の圧力を10000Paにすることによって、図10(c)に示すように、光検出部2Aが樹脂で覆われず、しかも、光検出半導体素子2はできるだけ樹脂6に覆われるような大きさの受光開口1Aを得ることができる。
【0027】
(4)真空印刷機を使用してスクリーン印刷法で光検出半導体素子2の樹脂封止をするので、簡単に樹脂封止時の圧力を制御することができ、受光開口1Aの大きさを制御することができる。
【0028】
(5)光検出部2Aの周囲を取り囲んでいる樹脂6の取り囲み面1Bは凹形状であるので、取り囲み面1Bを反射したレーザ光は光検出部2Aに入射しない。したがって、取り囲み面1Bを反射したレーザ光による誤検出を防止することができる。
【0029】
以上の実施形態の光検出半導体装置1を次のように変形することができる。
(1)光検出半導体素子2の樹脂封止時の雰囲気の圧力を変えて樹脂封止できるものであれば、真空印刷機による樹脂封止に限定されない。
【0030】
(2)平面視で光検出部2Aが光検出用半導体素子2の中央にない場合、光検出部2Aの配置に応じてガス溜まり64の位置を次のように調節することができる。たとえば、封止用樹脂63の光検出用半導体素子2と金属板41との間への流れ込み量が光検出用半導体素子2の右と左とでは異なるようにスキージ62の形状を変え、ガス溜まり64の位置を制御するようにしてもよい。あるいは、光検出用半導体素子2と金属板41との間に、封止用樹脂63が流れ込みにくくする流入阻害部を金属板41上などに形成し、封止用樹脂63の流れ込みを制御することによって、ガス溜まり64の位置を制御するようにしてもよい。
【0031】
(3)光検出用半導体装置1について説明したが、チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品であれば、光検出用半導体装置1に限定されない。たとえば、SAWフィルタや、圧力センサなどの各種センサに適用してもよい。
【0032】
(4)外部電極3は、主に電鋳によるNi層21によって構成したが、導電性を有する金属であればNiに限定されない。たとえば、電鋳によるCu層で構成してもよい。
【0033】
(5)外部電極3と半田を接続するためにAu層25を設けたが、半田と接続するための金属層であれば、Au層25に限定されない。たとえば、Sn層、Sn−Pb層、Sn−Ag層、Sn−Cu層、Sn−Bi層などを形成してもよい。
【0034】
(6)外部電極3などを形成する基板は、可撓性を有する平板状の可撓性基板であれば、金属板41に限定されない。たとえば、導電性樹脂基板を使用してもよい。また、無電解めっきを使用して外部電極3を形成する場合は、金属板41のように導電性基板である必要はなく、非導電性基板でもよい。
【0035】
(7)可撓性を有するシートに外部電極を形成し、そのシートに形成された外部電極にチップを搭載して外部電極とチップとを電気的に接続し、樹脂封止した後、そのシートを剥がして分割して生産する電子部品であれば、本発明の実施形態に限定されない。たとえば、MAP(Molded Array Packaging)方式で生産されたQFN(Quad Flat Non−Leaded Package)に適用してもよい。この場合、シートに形成された外部電極は電鋳Niの代わりにリードフレームとなる。また、シートは、可撓性を有する金属板41の代わりに粘着性を有する樹脂シートであるアセンブリシートとなる。
【0036】
(8)複数種類の電子部品を混流するラインでは、次のようにして工程を自動化することができる。たとえば、封止樹脂印刷時の雰囲気圧力を各電子部品ごとに記憶しておき、印刷機にセットされたチップや金属板41に形成された外部電極3のパターンなどを画像認識して電子部品の種類を読み込む。そして、読み込んだ電子部品に最適な雰囲気圧力を読み出し、印刷時圧力を調整するようにしてもよい。このような印刷機は、封止用樹脂63の印刷時の雰囲気圧力を記憶したテーブルを格納した記憶装置と、印刷機にセットされたチップや金属板41に形成された外部電極3のパターンなどを画像認識することによってこれから作製される電子部品の種類を読み込む画像認識装置と、読み込んだ電子部品の種類より記憶装置に格納したテーブルを照合して印刷時の雰囲気圧力を制御する制御装置とを備えて構成することができる。このような印刷機を使用することによって、電子部品の種類ごとに能動素子が最適に露出される雰囲気圧力に自動的に設定され、使用者の利便性が向上する。
【0037】
(9)光検出半導体素子2の光検出部2Aにゴミなどが付着しないようにするために、または外気の湿度による光検出半導体素子2の信頼性低下を防止するために光検出半導体装置1の受光開口1Aをガラスや硬質プラスチックで塞ぐようにしてもよい。受光開口1Aをガラス板7で塞いだ光検出半導体装置100について、図11を参照して説明する。本発明の実施形態の光検出半導体装置1と共通する部分は同一の符号を付し、本発明の実施形態の光検出半導体装置1と異なる部分を主に説明する。図11(a)は光検出半導体装置100の裏面図であり、図11(b)は図11(a)のB−B’線断面図である。
【0038】
図11に示すように、光検出半導体装置100の受光開口1Aはガラス板7によって塞がれており、ガラス板7はエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂からなる接着剤8によって固定される。
【0039】
次に、光検出半導体装置100の製造方法について、図12および図13を参照して説明する。図12は、光検出半導体装置100の製造方法について説明するためのフローチャートである。
【0040】
工程308まで本発明の実施形態における光検出半導体装置1と同じ工程で進み、工程401では、図13(a)に示すように、樹脂封止体70における受光開口1Aの周囲にペースト状の接着剤8を塗布する。接着剤8の塗布は、たとえば印刷法やノズルからの吐出により行われる。工程402では、図13(b)に示すように、個片化されたガラス板7を、受光開口1Aを覆うように接着剤8の上に載置する。このとき、塗布した接着剤8が広がるようにガラス板7を押圧する。工程403では、樹脂封止体70をオーブンに入れ、所定温度で加熱して、接着剤8を硬化させる。そして、工程309では、図13(c)に示すように、光検出半導体装置100の場合と同様に1点鎖線82に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体70をダイシングする。その結果、図13(d)に示すように、一つの樹脂封止体70が分割され、光検出半導体装置100が完成する。
【0041】
以上のようにして作製された光検出半導体装置100は、図14に示すようなガラス板7が入り込む大きさの穴93Aが設けられた回路基板93に半田92で実装される。この場合、光ディスクの情報を読み込むために照射されたレーザ光LBは、光ディスク面で反射して、反射したレーザ光LBはガラス板7を通過して光検出半導体素子2の光検出部2Aに入射する。
【0042】
ここで、光検出半導体装置100の接着剤8に熱硬化性樹脂を使用したが、紫外線硬化樹脂を使用してもよい。この場合、工程403では、加熱する代わりに樹脂封止体70に紫外線を照射することになる。また、接着剤8はペースト状のものを使用したが、シート状のものを使用して、シートを貼り付けることによって受光開口1Aの周囲に接着剤8を設けるようにしてもよい。
【0043】
工程401で樹脂封止体70に接着剤8を塗布したが、樹脂封止体70に接着剤8を塗布する代わりに、ガラス板7に接着剤8を塗布するようにしてもよい。
【0044】
レーザ光LBを透過するものであればガラス板7に限定されず、たとえば硬質プラスチック板を用いてもよい。
【0045】
本発明は、その特徴的構成を有していれば、以上説明した実施の形態になんら限定されない。
【図面の簡単な説明】
【0046】
【図1】図1(a)は本発明の実施形態の光検出半導体装置の裏面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A’線断面図である。
【図2】外部電極および補強パッドの層構造を説明するための図である。
【図3】光検出半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図4】金属板上に電鋳工法で外部電極の形成する工程を説明するための図である。
【図5】光検出半導体素子のフリップチップ接続工程を説明するための図である。
【図6】真空印刷機を使用した樹脂封止工程を説明するための図である。
【図7】金属板の剥離工程を説明するための図である。
【図8】樹脂封止体のダイシング工程を説明するための図である。
【図9】回路基板に実装された光検出半導体装置を説明するための図である。
【図10】樹脂封止のときの雰囲気の圧力を変えたときの受光開口の大きさを説明するための図である。
【図11】図11(a)は受光開口にガラス板を設けた光検出半導体装置の裏面図であり、図11(b)は図11(a)のB−B’線断面図である。
【図12】受光開口にガラス板を設けた光検出半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図13】受光開口にガラス板を設ける工程を説明するための図である。
【図14】回路基板に実装された、受光開口にガラス板を設けた光検出半導体装置を説明するための図である。
【符号の説明】
【0047】
1,100 光検出半導体装置
1A 受光開口
1B 取り囲み面
2 光検出半導体素子
2A 光検出部
3 外部電極
4 補強パッド
5 バンプ
6 樹脂
7 ガラス板
8 接着剤
41 金属板
42 レジスト
51 ボンディングツール
61 孔版
61A 開口部
62 スキージ
63 封止用樹脂
64 ガス溜まり
70 樹脂封止体
91,93 回路基板
92 半田
【技術分野】
【0001】
本発明は、チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品、その製造方法および樹脂封止用印刷機に関する。
【背景技術】
【0002】
近年、光ディスクの記録密度が向上し、光ディスクの情報を読み込むために使用されるレーザ光の波長が短くなっている。レーザ光を検出する光ピックアップ半導体装置は、その光検出部が樹脂で覆われており、レーザ光の波長が短くなるほど、樹脂が劣化しやすい。そこで、従来から、光検出部を樹脂で覆うことなく露出させた光検出半導体装置が知られている(特許文献1)。
【特許文献1】特開2003−273371号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
上記特許文献1の光検出半導体装置では、光検出部を樹脂によりパッケージングする際、樹脂が光検出部を覆う前に樹脂を硬化させたり、光検出部を覆っている樹脂を硬化前に吸引治具などで吸引したり、面倒な作業が不可避であった。
【課題を解決するための手段】
【0004】
(1)請求項1の発明は、能動素子を有するチップを樹脂封止してなる電子部品の製造方法において、可撓性基板上に設けられた外部電極に、能動素子面が可撓性基板と所定の距離をあけて対向するようにチップを搭載し、大気圧に比べて減圧雰囲気下で、可撓性基板と能動素子との間にガス溜まりが形成するようにチップを可撓性基板上で樹脂封止し、可撓性基板を剥離して能動素子を露出させることを特徴とする。
(2)請求項2の発明は、請求項1に記載の電子部品の製造方法において、樹脂封止するときの雰囲気圧力を変えることによって、ガス溜まりの大きさを制御することを特徴とする。
(3)請求項3の発明は、請求項1または2に記載の電子部品の製造方法において、真空印刷機を使用して封止用樹脂の印刷により樹脂封止することを特徴とする。
(4)請求項4の発明は、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、ガス溜まりによって形成された開口部をガラス板または硬質プラスチック板で塞ぐことを特徴とする。
(5)請求項5の発明の電子部品は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
(6)請求項6の発明は、能動素子を有するチップを樹脂封止してなる電子部品において、チップ能動素子が露出するように樹脂封止され、能動素子の周囲を取り囲んでいる樹脂の取り囲み面が凹であることを特徴とする。
(7)請求項7の発明は、請求項6に記載の電子部品において、チップの露出面と樹脂の取り囲み面とを有する凹部を塞ぐガラス板または硬質プラスチック板を備えることを特徴とする。
(8)請求項8の発明の樹脂封止印刷機は、封止用樹脂の印刷により樹脂封止するときの雰囲気圧力を、電子部品の種類ごとに記憶したテーブルと、樹脂封止前の電子部品から電子部品の種類を読み込む読み込み手段と、読み込み手段によって読み込んだ電子部品の種類によって、樹脂封止するときの雰囲気圧力をテーブルに記憶した圧力に制御する圧力制御手段とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【0005】
本発明によれば、チップの能動素子に雰囲気ガスが溜まるようにチップを樹脂封止する。したがって、チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品を簡単に作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0006】
本発明の実施形態の光検出半導体装置について図1を参照して説明する。図1(a)は光検出半導体装置1の裏面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A’線断面図である。
【0007】
図1において、符号1は光検出半導体装置、2は光検出半導体素子である。光検出半導体素子2には光検出部2Aが設けられている。光検出半導体装置1には、開口部(以下、受光開口1Aと呼ぶ)が形成されており、受光開口1Aの底面では光検出半導体素子2の光検出部2Aが露出している。そして、受光開口1Aを入射したレーザ光などの光を光検出部2Aで受光して検出する。光検出半導体装置1の受光開口1A側には外部電極3が配設されており、光検出半導体素子2と外部電極3とは、Auなどからなるバンプ5によって接続されている。光検出半導体装置1の4隅には、回路基板との接着強度を上げるために補強パッド4が設けられている。光検出半導体素子2と外部電極3と補強パッド4とは、樹脂6、たとえばエポキシ樹脂によって封止される。受光開口1Aにおける光検出部2Aの周囲を取り囲んでいる樹脂6の取り囲み面1Bは凹形状である。
【0008】
以上のように、光検出半導体装置1の裏面には光検出半導体素子2の光検出部2Aが露出されることになり、受光開口1Aに入射した光は直接に光検出部2Aで受光される。外部電極3および補強パッド4も光半導体装置1の裏面に露出しており、半田接合することにより光検出半導体装置1を回路基板に実装することができる。
【0009】
外部電極3および補強パッド4の層構造について図2を参照して説明する。外部電極3および補強パッド4は主に電鋳により形成されたNi層21からなる。Ni層21の厚さは、たとえば30〜60μmである。Ni層21の上下には、中間層であるPd層22,24を介して、外部電極3とバンプ5とを接続するために、および外部電極3の半田濡れ性を改善するためにAu層23,25が設けられている。
【0010】
次に、上述した光検出半導体装置1の製造方法について、図3〜図8を参照して説明する。図3は、光検出半導体装置1の製造方法について説明するためのフローチャートである。図3に示すように、ウエハを個片化して作製した光検出半導体素子2を、電極を形成した金属板に実装し、そして樹脂封止することによって光検出半導体装置1を作製する。
【0011】
光検出半導体装置1の製造に使用されるウエハには、能動素子として光検出部2Aが複数形成されている。また、金属板には、厚さ約0.1mmの平板状のJIS規格のSUSステンレス鋼板またはCu板などの可撓性を有する金属薄板が使用される。
【0012】
工程301では、ウエハ上の各素子上に所定個数のバンプ5を形成する。バンプ5は、後述する超音波接合によりウエハに取り付けられる。工程302では、ウエハをダイシングして個片化し、光検出半導体素子2を作製する。
【0013】
工程303では、金属板に電鋳工法によって外部電極3を形成する。工程303の金属板の外部電極形成工程について、図4を参照して説明する。図4(a)に示すように、金属板41の両面にレジスト42を塗布またはラミネートする。次に、アクリルフィルムベースのパターンマスクフィルムを密着させ、紫外線により露光する。そして、現像し、図4(b)に示すように、外部電極3を形成する部分のレジスト42を除去する。金属板41の一方の面には電極を形成しないので、レジスト42によって全面が覆われたままである。次に、H2SO4−H2O2やNa2S2O8などの酸化性溶液により、レジスト42を除去した部分の金属板41の面をソフトエッチングする。そして、硫酸などの酸で酸洗いし、酸活性処理を行う。
【0014】
酸活性処理を行った金属板41に外部電極3を形成する。外部電極3は次のようにして形成する。
(1)金属板41をAuめっき溶液に浸漬し、めっきにより金属基板41にAu層25を形成する。
(2)Pdめっき溶液に浸漬し、めっきによりAu層25上にPd層24を形成する。
(3)Niめっき溶液に浸漬して金属板41に電力を供給して電鋳を行い、Pd層24上にNi層21を形成する。
(4)Pdめっき溶液に金属板41を浸漬し、めっきによりNi層21上にPd層22を形成する。
(5)Auめっき溶液に金属板41を浸漬し、めっきによりPd層上22にAu層23を形成する。
【0015】
以上のようにして、図4(c)に示すように、図2の層構造の外部電極3を金属板41に形成する。そして、図4(d)に示すように、レジスト42を金属板41から剥離する。補強パッド4も外部電極3と同時に金属板41に形成する。
【0016】
図3の工程304では、外部電極3が形成された金属板41をプラズマクリーニングする。このプラズマクリーニングにより、外部電極表面のAuは活性化され、外部電極3と光検出半導体素子2に設けられたバンプ5との接続強度を高めることができる。
【0017】
工程305では、超音波接合により光検出半導体素子2を金属板41にフリップチップ接続する。フリップチップ接続工程について図5を参照して説明する。バンプ5が外部電極3上に配置されるように光検出半導体素子2を金属板41に搭載し、光検出半導体素子2にボンディングツール51を当てる。そして、ボンディングツール51によって押圧しながら超音波振動を光検出半導体素子2に与える。その結果、バンプ5と外部電極3とが接続し、光検出半導体素子2が金属板41に実装される。
【0018】
工程306では、真空印刷機によって、金属板41に搭載された光検出半導体素子2と外部電極3と補強パッド4とを樹脂で封止する。ここで、真空印刷機とは真空雰囲気下で封止用樹脂をスクリーン印刷し、半導体素子などを樹脂封止する装置である。真空印刷機による樹脂封止工程について図6を参照して説明する。
【0019】
光検出半導体素子2を実装した金属板41を真空印刷機に取り付け、図6(a)に示すように、光検出半導体素子2および外部電極3が孔版61の開口部61Aに入るように、孔版61の位置合わせをする。次に真空印刷機内を、たとえば30000Paまで減圧し、図6(b)に示すように、スキージ62を移動し、封止用樹脂63を金属板41に印刷する。この封止用樹脂63は、たとえば熱硬化性エポキシ系樹脂から成る。このとき、光検出半導体素子2と金属板41との間で、光検出半導体素子中央付近に雰囲気ガスが残ってガス溜まり64が発生する。このガス溜まり64のため、光検出部2Aの周囲は封止用樹脂未充填となり、光検出部2Aは封止用樹脂63に覆われない。
【0020】
次に、真空印刷機内の圧力をたとえば、大気圧まで上げる。その結果、ガス溜まり周囲の圧力が高くなり、図6(c)に示すようにガス溜まり64は小さくなる。このため、孔版61の開口部61Aを満たしていた封止用樹脂63が見かけ上、減少する。そこで、再び孔版61の開口部61Aを封止用樹脂63で満たすために、図6(d)に示すようにスキージ62を移動し、もう一度封止用樹脂63を印刷する。そして、孔版61を取り外して、図6(e)に示すように樹脂封止工程は完了する。
【0021】
図3の工程307では、樹脂封止した金属板41をオーブンに入れ、所定温度、たとえば、100℃で加熱して、封止用樹脂63を硬化させる。このとき、ガス溜まり64内のガスは膨張するので、ガス溜まり64は大きくなる。工程308では、樹脂封止した光検出半導体素子2などから金属板41を剥離する。金属板41は可撓性を有するので、図7(a)に示すように容易に剥離することができる。金属板41を剥離すると、受光開口1Aにおいて光検出半導体素子2の光検出部2Aが露出する。また、受光開口1Aはガス溜まり64によって形成されるので、光検出部2Aの周囲を取り囲んでいる樹脂6の取り囲み面1Bは凹形状になる。以下、図7(b)に示す金属板41を剥離したものを樹脂封止体70と呼ぶ。
【0022】
工程309では、図8(a)に示すように、1点鎖線81に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体70をダイシングする。そして、図8(b)に示すように、一つの樹脂封止体70が分割され、光検出半導体装置1が完成する。
【0023】
以上のようにして作製された光検出半導体装置1は、図9に示すような穴91Aが設けられた回路基板91に半田92を介して実装される。この場合、光ディスクの情報を読み込むために照射されたレーザ光LBは、光ディスク面で反射して、回路基板91の穴91Aを通過し、光検出半導体装置1の受光開口1Aに入射する。受光開口1Aに入射したレーザ光LBは樹脂6内を通過せず、直接、光検出半導体素子2の光検出部2Aに入射する。このため、レーザ光LBによって光検出部2Aを覆っている樹脂が劣化し、光検出半導体装置が使用不可能となることはない。
【0024】
以上の実施形態による光検出半導体装置1の製造方法は次のような作用効果を奏する。
(1)樹脂封止を減圧下で行い、光検出部2Aの周囲に雰囲気ガスが溜まるように光検出半導体素子2を樹脂6で封止するようにした。したがって、光検出部2Aへの光路に樹脂が存在しない光検出半導体装置1を簡単に作製することができる。
【0025】
(2)全工程を通じて、光検出半導体素子2の光検出部2Aに対して何も接触しないので、光検出部2Aを傷つけることはない。すなわち、上述したとおり従来例では、光検出部2Aの受光面上に吸引治具を近づけ、樹脂を硬化前に吸引する工程も必要であった。本実施の形態では、このような吸引治具などが不要であり、光検出部2Aを傷つけるおそれもない。
【0026】
(3)樹脂封止するときに発生するガス溜まり64の大きさは、樹脂封止するときの減圧の程度によって制御することができる。すなわち、減圧の程度を大きくするとガス溜まり64は小さくなり、真空まで減圧するとガス溜まり64はほとんど発生しない。一方、減圧の程度を小さくするとガス溜まり64は大きくなる。このように、本発明の実施形態では樹脂封止するときの圧力を調整することによって受光開口1Aの大きさを簡単に制御することができる。一例を図10に示す。図10(a)は、図6(b)の樹脂印刷時の雰囲気圧力を30000Paとしたときに得られる受光開口1Aの形状を示す。図10(b)は20000Pa、図10(c)は10000Pa、図10(d)は5000Paの圧力にそれぞれ制御したときの受光開口1Aの形状を示す。たとえば、印刷時の圧力を10000Paにすることによって、図10(c)に示すように、光検出部2Aが樹脂で覆われず、しかも、光検出半導体素子2はできるだけ樹脂6に覆われるような大きさの受光開口1Aを得ることができる。
【0027】
(4)真空印刷機を使用してスクリーン印刷法で光検出半導体素子2の樹脂封止をするので、簡単に樹脂封止時の圧力を制御することができ、受光開口1Aの大きさを制御することができる。
【0028】
(5)光検出部2Aの周囲を取り囲んでいる樹脂6の取り囲み面1Bは凹形状であるので、取り囲み面1Bを反射したレーザ光は光検出部2Aに入射しない。したがって、取り囲み面1Bを反射したレーザ光による誤検出を防止することができる。
【0029】
以上の実施形態の光検出半導体装置1を次のように変形することができる。
(1)光検出半導体素子2の樹脂封止時の雰囲気の圧力を変えて樹脂封止できるものであれば、真空印刷機による樹脂封止に限定されない。
【0030】
(2)平面視で光検出部2Aが光検出用半導体素子2の中央にない場合、光検出部2Aの配置に応じてガス溜まり64の位置を次のように調節することができる。たとえば、封止用樹脂63の光検出用半導体素子2と金属板41との間への流れ込み量が光検出用半導体素子2の右と左とでは異なるようにスキージ62の形状を変え、ガス溜まり64の位置を制御するようにしてもよい。あるいは、光検出用半導体素子2と金属板41との間に、封止用樹脂63が流れ込みにくくする流入阻害部を金属板41上などに形成し、封止用樹脂63の流れ込みを制御することによって、ガス溜まり64の位置を制御するようにしてもよい。
【0031】
(3)光検出用半導体装置1について説明したが、チップの能動素子が樹脂などで直接覆われていない電子部品であれば、光検出用半導体装置1に限定されない。たとえば、SAWフィルタや、圧力センサなどの各種センサに適用してもよい。
【0032】
(4)外部電極3は、主に電鋳によるNi層21によって構成したが、導電性を有する金属であればNiに限定されない。たとえば、電鋳によるCu層で構成してもよい。
【0033】
(5)外部電極3と半田を接続するためにAu層25を設けたが、半田と接続するための金属層であれば、Au層25に限定されない。たとえば、Sn層、Sn−Pb層、Sn−Ag層、Sn−Cu層、Sn−Bi層などを形成してもよい。
【0034】
(6)外部電極3などを形成する基板は、可撓性を有する平板状の可撓性基板であれば、金属板41に限定されない。たとえば、導電性樹脂基板を使用してもよい。また、無電解めっきを使用して外部電極3を形成する場合は、金属板41のように導電性基板である必要はなく、非導電性基板でもよい。
【0035】
(7)可撓性を有するシートに外部電極を形成し、そのシートに形成された外部電極にチップを搭載して外部電極とチップとを電気的に接続し、樹脂封止した後、そのシートを剥がして分割して生産する電子部品であれば、本発明の実施形態に限定されない。たとえば、MAP(Molded Array Packaging)方式で生産されたQFN(Quad Flat Non−Leaded Package)に適用してもよい。この場合、シートに形成された外部電極は電鋳Niの代わりにリードフレームとなる。また、シートは、可撓性を有する金属板41の代わりに粘着性を有する樹脂シートであるアセンブリシートとなる。
【0036】
(8)複数種類の電子部品を混流するラインでは、次のようにして工程を自動化することができる。たとえば、封止樹脂印刷時の雰囲気圧力を各電子部品ごとに記憶しておき、印刷機にセットされたチップや金属板41に形成された外部電極3のパターンなどを画像認識して電子部品の種類を読み込む。そして、読み込んだ電子部品に最適な雰囲気圧力を読み出し、印刷時圧力を調整するようにしてもよい。このような印刷機は、封止用樹脂63の印刷時の雰囲気圧力を記憶したテーブルを格納した記憶装置と、印刷機にセットされたチップや金属板41に形成された外部電極3のパターンなどを画像認識することによってこれから作製される電子部品の種類を読み込む画像認識装置と、読み込んだ電子部品の種類より記憶装置に格納したテーブルを照合して印刷時の雰囲気圧力を制御する制御装置とを備えて構成することができる。このような印刷機を使用することによって、電子部品の種類ごとに能動素子が最適に露出される雰囲気圧力に自動的に設定され、使用者の利便性が向上する。
【0037】
(9)光検出半導体素子2の光検出部2Aにゴミなどが付着しないようにするために、または外気の湿度による光検出半導体素子2の信頼性低下を防止するために光検出半導体装置1の受光開口1Aをガラスや硬質プラスチックで塞ぐようにしてもよい。受光開口1Aをガラス板7で塞いだ光検出半導体装置100について、図11を参照して説明する。本発明の実施形態の光検出半導体装置1と共通する部分は同一の符号を付し、本発明の実施形態の光検出半導体装置1と異なる部分を主に説明する。図11(a)は光検出半導体装置100の裏面図であり、図11(b)は図11(a)のB−B’線断面図である。
【0038】
図11に示すように、光検出半導体装置100の受光開口1Aはガラス板7によって塞がれており、ガラス板7はエポキシ樹脂などの熱硬化樹脂からなる接着剤8によって固定される。
【0039】
次に、光検出半導体装置100の製造方法について、図12および図13を参照して説明する。図12は、光検出半導体装置100の製造方法について説明するためのフローチャートである。
【0040】
工程308まで本発明の実施形態における光検出半導体装置1と同じ工程で進み、工程401では、図13(a)に示すように、樹脂封止体70における受光開口1Aの周囲にペースト状の接着剤8を塗布する。接着剤8の塗布は、たとえば印刷法やノズルからの吐出により行われる。工程402では、図13(b)に示すように、個片化されたガラス板7を、受光開口1Aを覆うように接着剤8の上に載置する。このとき、塗布した接着剤8が広がるようにガラス板7を押圧する。工程403では、樹脂封止体70をオーブンに入れ、所定温度で加熱して、接着剤8を硬化させる。そして、工程309では、図13(c)に示すように、光検出半導体装置100の場合と同様に1点鎖線82に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体70をダイシングする。その結果、図13(d)に示すように、一つの樹脂封止体70が分割され、光検出半導体装置100が完成する。
【0041】
以上のようにして作製された光検出半導体装置100は、図14に示すようなガラス板7が入り込む大きさの穴93Aが設けられた回路基板93に半田92で実装される。この場合、光ディスクの情報を読み込むために照射されたレーザ光LBは、光ディスク面で反射して、反射したレーザ光LBはガラス板7を通過して光検出半導体素子2の光検出部2Aに入射する。
【0042】
ここで、光検出半導体装置100の接着剤8に熱硬化性樹脂を使用したが、紫外線硬化樹脂を使用してもよい。この場合、工程403では、加熱する代わりに樹脂封止体70に紫外線を照射することになる。また、接着剤8はペースト状のものを使用したが、シート状のものを使用して、シートを貼り付けることによって受光開口1Aの周囲に接着剤8を設けるようにしてもよい。
【0043】
工程401で樹脂封止体70に接着剤8を塗布したが、樹脂封止体70に接着剤8を塗布する代わりに、ガラス板7に接着剤8を塗布するようにしてもよい。
【0044】
レーザ光LBを透過するものであればガラス板7に限定されず、たとえば硬質プラスチック板を用いてもよい。
【0045】
本発明は、その特徴的構成を有していれば、以上説明した実施の形態になんら限定されない。
【図面の簡単な説明】
【0046】
【図1】図1(a)は本発明の実施形態の光検出半導体装置の裏面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A’線断面図である。
【図2】外部電極および補強パッドの層構造を説明するための図である。
【図3】光検出半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図4】金属板上に電鋳工法で外部電極の形成する工程を説明するための図である。
【図5】光検出半導体素子のフリップチップ接続工程を説明するための図である。
【図6】真空印刷機を使用した樹脂封止工程を説明するための図である。
【図7】金属板の剥離工程を説明するための図である。
【図8】樹脂封止体のダイシング工程を説明するための図である。
【図9】回路基板に実装された光検出半導体装置を説明するための図である。
【図10】樹脂封止のときの雰囲気の圧力を変えたときの受光開口の大きさを説明するための図である。
【図11】図11(a)は受光開口にガラス板を設けた光検出半導体装置の裏面図であり、図11(b)は図11(a)のB−B’線断面図である。
【図12】受光開口にガラス板を設けた光検出半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図13】受光開口にガラス板を設ける工程を説明するための図である。
【図14】回路基板に実装された、受光開口にガラス板を設けた光検出半導体装置を説明するための図である。
【符号の説明】
【0047】
1,100 光検出半導体装置
1A 受光開口
1B 取り囲み面
2 光検出半導体素子
2A 光検出部
3 外部電極
4 補強パッド
5 バンプ
6 樹脂
7 ガラス板
8 接着剤
41 金属板
42 レジスト
51 ボンディングツール
61 孔版
61A 開口部
62 スキージ
63 封止用樹脂
64 ガス溜まり
70 樹脂封止体
91,93 回路基板
92 半田
【特許請求の範囲】
【請求項1】
能動素子を有するチップを樹脂封止してなる電子部品の製造方法において、
可撓性基板上に設けられた外部電極に、前記能動素子面が前記可撓性基板と所定の距離をあけて対向するようにチップを搭載し、
大気圧に比べて減圧雰囲気下で、前記可撓性基板と前記能動素子との間にガス溜まりが形成するように前記チップを前記可撓性基板上で樹脂封止し、
前記可撓性基板を剥離して前記能動素子を露出させることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項2】
請求項1に記載の電子部品の製造方法において、
前記樹脂封止するときの雰囲気圧力を変えることによって、前記ガス溜まりの大きさを制御することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項3】
請求項1または2に記載の電子部品の製造方法において、
真空印刷機を使用して封止用樹脂の印刷により前記樹脂封止することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項4】
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、
前記ガス溜まりによって形成された開口部をガラス板または硬質プラスチック板で塞ぐことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項5】
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法によって製造されたことを特徴とする電子部品。
【請求項6】
能動素子を有するチップを樹脂封止してなる電子部品において、
チップ能動素子が露出するように樹脂封止され、
前記能動素子の周囲を取り囲んでいる樹脂の取り囲み面が凹であることを特徴とする電子部品。
【請求項7】
請求項6に記載の電子部品において、
前記チップの露出面と前記樹脂の取り囲み面とを有する凹部を塞ぐガラス板または硬質プラスチック板を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項8】
封止用樹脂の印刷により樹脂封止するときの雰囲気圧力を、電子部品の種類ごとに記憶したテーブルと、
樹脂封止前の電子部品から電子部品の種類を読み込む読み込み手段と、
前記読み込み手段によって読み込んだ前記電子部品の種類によって、前記樹脂封止するときの雰囲気圧力を前記テーブルに記憶した圧力に制御する圧力制御手段とを備えたことを特徴とする樹脂封止用印刷機。
【請求項1】
能動素子を有するチップを樹脂封止してなる電子部品の製造方法において、
可撓性基板上に設けられた外部電極に、前記能動素子面が前記可撓性基板と所定の距離をあけて対向するようにチップを搭載し、
大気圧に比べて減圧雰囲気下で、前記可撓性基板と前記能動素子との間にガス溜まりが形成するように前記チップを前記可撓性基板上で樹脂封止し、
前記可撓性基板を剥離して前記能動素子を露出させることを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項2】
請求項1に記載の電子部品の製造方法において、
前記樹脂封止するときの雰囲気圧力を変えることによって、前記ガス溜まりの大きさを制御することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項3】
請求項1または2に記載の電子部品の製造方法において、
真空印刷機を使用して封止用樹脂の印刷により前記樹脂封止することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項4】
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法において、
前記ガス溜まりによって形成された開口部をガラス板または硬質プラスチック板で塞ぐことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項5】
請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電子部品の製造方法によって製造されたことを特徴とする電子部品。
【請求項6】
能動素子を有するチップを樹脂封止してなる電子部品において、
チップ能動素子が露出するように樹脂封止され、
前記能動素子の周囲を取り囲んでいる樹脂の取り囲み面が凹であることを特徴とする電子部品。
【請求項7】
請求項6に記載の電子部品において、
前記チップの露出面と前記樹脂の取り囲み面とを有する凹部を塞ぐガラス板または硬質プラスチック板を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項8】
封止用樹脂の印刷により樹脂封止するときの雰囲気圧力を、電子部品の種類ごとに記憶したテーブルと、
樹脂封止前の電子部品から電子部品の種類を読み込む読み込み手段と、
前記読み込み手段によって読み込んだ前記電子部品の種類によって、前記樹脂封止するときの雰囲気圧力を前記テーブルに記憶した圧力に制御する圧力制御手段とを備えたことを特徴とする樹脂封止用印刷機。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【公開番号】特開2007−158293(P2007−158293A)
【公開日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−188115(P2006−188115)
【出願日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【出願人】(390022471)アオイ電子株式会社 (85)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年6月21日(2007.6.21)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【出願人】(390022471)アオイ電子株式会社 (85)
【Fターム(参考)】
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