【課題】ボイドの発生を抑制し、かつ、半導体チップ上面への這い上がりを生じにくい電子部品用接着剤を提供する。また、該電子部品用接着剤を用いた半導体チップ実装体の製造方法を提供する。
【解決手段】硬化性化合物と、硬化剤と、無機充填剤とを含有する電子部品用接着剤であって、２５℃でＥ型粘度計を用いて測定した５ｒｐｍでの粘度をＡ１（Ｐａ・ｓ）、０．５ｒｐｍでの粘度をＡ２（Ｐａ・ｓ）としたとき、Ａ１とＡ２／Ａ１とが図１の実線及び破線で囲まれた範囲内（ただし、実線上は含むが破線上は含まない）であり、前記硬化性化合物１００重量部に対して、前記硬化剤の配合量が５〜１５０重量部、前記無機充填剤の配合量が６０〜４００重量部である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】従来の回路基板より厚みの薄いガラス基板と半導体素子との接続に用いられた場合でも、優れた接続信頼性を維持しつつガラス基板の変形を抑制でき、しかもフィルム形成性にも優れる接着剤フィルム回路接続用接着フィルムを提供すること。
【解決手段】本発明は、接着剤組成物４ｂ及び導電粒子５を含有する導電性接着剤層３ｂと、接着剤組成物４ａを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層３ａと、を備え、絶縁性接着剤層３ａの厚みＴｉと、導電性接着剤層３ｂの厚みＴｃとが、下記式（１）の関係を満たす回路接続用接着フィルム１０に関する。
Ｔｉ／Ｔｃ≧１．５ ・・・（１） （もっと読む）

【課題】屈折率が低く、かつ透明性が高く、更には、耐熱性にも優れ、また、高耐熱性、可視光領域での透明性、低誘電率及び可撓性に優れる硬化物を形成でき、更には物理的、化学的安定性にも優れる含フッ素ポリマー、硬化性樹脂組成物、及び、硬化物を提供する。
【解決手段】本発明は、下記式（Ｌ）：
［化１］


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、同一又は異なり、Ｈ又はＦである。Ｘ^３は、Ｈ、Ｆ、ＣＨ_３又はＣＦ_３である。Ｘ^４及びＸ^５は、夫々同一又は異なり、Ｈ、Ｆ又はＣＦ_３である。Ｒｆは、炭素数４〜４０の含フッ素炭化水素基、又は、炭素数５〜１００のエーテル結合を有する含フッ素炭化水素基である。ａは０〜３の整数である。ｂ及びｃは同一又は異なり、０又は１である。）で表される構造単位を有する含フッ素ポリマーである。 （もっと読む）

【課題】従来のＭＰＳ−Ｃ２半導体パッケージに起きる半田材ブリッジとパッケージ反りを抑制可能なフリップチップキャリア、及びこれを用いた半導体実装方法を提供する。
【解決手段】フリップチップキャリア１００は、基板１１０と複数の独立パッドマスク１２０とを含む。基板１１０は、上表面１１１、および、上表面１１１に設置される複数のパッド１１２を有する。独立パッドマスク１２０は、パッド１１２を覆う。各独立パッドマスク１２０は、対応するパッド１１２と貼り付ける感光性粘着層１２１、及び感光性粘着層１２１上に形成される透光性の取放素子１２２を有する。 （もっと読む）

【課題】低粘度で取り扱いが容易であり、かつ硬化物が良好な長期耐熱性及び機械特性を有する樹脂組成物及びその半導体封止材料への利用方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）２以上１２以下の−ＯＣＮ基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）１以上１１以下のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物１〜２００重量部、（Ｃ）無機充填剤１〜１０００重量部を含有し、かつ無機充填剤を除いた樹脂成分にたいして（Ｄ）有機金属化合物の含有量が１００ｐｐｍ以下である、熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】発光ダイオード素子を確実に封止し、信頼性に優れた発光ダイオード装置を簡易かつ効率よく製造することのできる、発光ダイオード装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持層２、支持層２の上に形成される拘束層３、および、拘束層３の上に形成され、封止樹脂からなる封止樹脂層５を備える積層体１を用意し、積層体１における封止樹脂層５および拘束層３を、発光ダイオード素子２１に対応するパターンに切り込んで、封止樹脂層５および拘束層３における外枠部１２を除去し、埋設部分１０の封止樹脂層５と、発光ダイオード素子２１とを対向させて、それらを、互いに近接する方向に押圧して、発光ダイオード素子２１を封止樹脂層５により封止し、支持層２および拘束層３を積層体１から除去する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、スタックド構造のＭＣＰ製造時における作業性の欠点である接着剤の塗布などの工程を改善し接着剤を使用することなく半導体チップを積層することができ、かつ各種の信頼性に優れた半導体装置を提供するものである。
【解決手段】 エポキシ基を有する環状オレフィン系樹脂（Ａ）と光酸発生剤（Ｂ）を含む感光性樹脂組成物の樹脂層を半導体チップの回路素子形成面上に有し、かつ該半導体チップ上に積層する別の半導体チップの裏面が該樹脂層に直接接触していることを特徴とするスタックド構造のＭＣＰの樹脂封止型半導体装置。 （もっと読む）

【課題】成形後や熱処理後における反り挙動を安定化し、微粉の発生を大幅に低減し、さらにコンプレッション成形におけるボイド等の不良やチップ割れ、金型へのダメージの発生を抑えることを可能にするコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料及びそれによって形成される半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フィラーとを含み、前記（Ｃ）フィラーの含有率が８５質量％以上であり、厚み３ｍｍ〜１０ｍｍのペレット状又はシート状の成形体であるコンプレッション成形用半導体封止樹脂材料。 （もっと読む）

【課題】硬化性に優れるとともに、その硬化物において耐熱性に著しく優れるフェノール樹脂、該性能を発現する硬化性樹脂組成物、その硬化物、半導体封止材料、及びプリント配線基板用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】下記構造式（１）
【化１】


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、及びＲ^４はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１〜４のアルキル基、炭素原子数１〜４のアルコキシ基を表す。）で表されることを特徴とするフェノール樹脂をエポキシ樹脂用硬化剤として使用。 （もっと読む）

【課題】組成物の流動性に優れると共に、近年の電子部品関連材料に適する耐湿信頼性と、環境調和のためハロゲンフリーで高い難燃性を実現する熱硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び該組成物を用いた半導体封止材料、並びにこれらの性能を与えるフェノール系樹脂、及びエポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】複数のフェノール性水酸基含有芳香族骨格（ｐｈ）がアルキリデン基又は芳香族炭化水素構造含有メチレン基を介して結合した樹脂構造（α）の芳香核にナフチルメチル基又はアントニルメチル基を有し、かつ、該樹脂構造（α）のフェノール性水酸基の５〜５０モル％がナフチルメチルエーテル化又はアントニルメチルエーテル化した樹脂構造を有するフェノール樹脂をエポキシ樹脂原料又はエポキシ樹脂用硬化剤として使用する。 （もっと読む）

【課題】 バリア性と光学特性に優れる熱硬化型バリア性ポリウレタン樹脂組成物及びそれを用いた硬化物、光学部材、光半導体装置を提供する。
【解決手段】 ポリオール成分を含むＡ液とポリイソシアネート成分を含むＢ液とからなる熱硬化型バリア性ポリウレタン樹脂であって、前記Ａ液は３官能以上のポリオールを含み、水酸基価が５５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であり、前記Ｂ液は脂環式ポリイソシアネート及びイソシアネート基が残存した前記脂環式ポリイソシアネートのプレポリマーを含み、そのイソシアネート含有率が３０.０質量％以下、である熱硬化型バリア性ポリウレタン樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】フィルム形成性及び基板に対する接着性に優れ、かつ、高温高湿条件下における絶縁信頼性（耐マイグレーション性）及び接続信頼性に優れる硬化物を提供することができる接着剤組成物を提供する。
【解決手段】下記（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）成分を含有する接着剤組成物、（Ａ）芳香族ポリシランブロックとポリシロキサンブロックを含有し、テトラヒドロフランを溶出溶媒としてＧＰＣで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量が３,０００から５００,０００である重合体、（Ｂ）熱硬化性樹脂、（Ｃ）フラックス活性を有する化合物、及び、前記接着剤組成物を用いて形成される接着剤層を有する接着シート及び半導体装置保護用材料、並びに該接着剤組成物の硬化物を備えた半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成型性に優れ、なおかつトランスファー成型時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を提供する。
【解決手段】熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物１１０であって、成型温度１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、成型時間６０〜１２０秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物１１０を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、硬化物が２００℃以上の大気雰囲気下において劣化がほとんど観測されず、かつ粘度が低い熱硬化性樹脂組成物を提供する事を目的とする。
【解決手段】（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１〜５００重量部、（Ｃ）トリアリルイソシアヌレート１〜５００重量部、（Ｄ）無機充填剤１〜８００重量部を含有し、さらに（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｅ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有し、２０〜８０℃における最低粘度が５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物により達成できる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑制できるとともに、光半導体層の発光効率の低下を防止しながら、均一な白色光を発光して、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置の製造方法、および、その製造方法に得られる発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】ベース基板１６を用意し、電極部４が上に設けられた光半導体層３とベース基板１６とを厚み方向に対向配置させ、電極部４と端子１５とを電気的に接続して、光半導体層３をベース基板１６にフリップチップ実装し、ベース基板１６の上に、光半導体層３および電極部４を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層１４を形成し、封止樹脂層１４の上側部を、光半導体層３が露出されるように除去し、シート状に形成された蛍光体層１７を、光半導体層３の上面と接触するように形成して、蛍光体層１７、光半導体層３および電極部４を備える発光ダイオード素子２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】回路規模またはメモリ容量を確保しつつも、外力、特に押圧に対する信頼性を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】有機化合物または無機化合物の繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを複数層、特に３層以上積層したものに有機樹脂１０４を含浸した一対の構造体１０１，１０２と、一対の構造体１０１，１０２の間に設けられた素子層１０３とを有する。素子層１０３と構造体１０１，１０２とは、加熱圧着により固着させることができる。または素子層１０３と構造体１０１，１０２とを固着させるための層を設けても良い。或いは、素子層１０３に繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを複数重ねた後、繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃに有機樹脂１０４を含浸させることで、素子層１０３に固着した構造体１０１，１０２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性、応力緩和性、及び接合強度を両立することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基材１１と、接合材１６により支持基材１１に接合された半導体素子１５と、が含まれている。接合材１６には、支持基材１１及び半導体素子１５と接触する多孔質金属材１６ａと、多孔質金属材１６ａの空隙１６ｂの少なくとも一部に充填されたはんだと、が含まれている。前記半導体装置等によれば、多孔質金属材１６ａにより良好な放熱性及び応力緩和性を得ることができ、はんだ１６ｃにより良好な接合強度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】熱硬化性樹脂シートにあらかじめスリットを形成することで、加熱硬化時にシートと部品間、およびシート内部に内在する気体を効率よく樹脂外へ放出する。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に実装された半導体部品２と、半導体部品２の面積よりも大きな面積を有し、かつ複数のスリット６を有する熱硬化性樹脂シート３と、を備え、スリット６は、少なくとも半導体部品２が搭載される領域の全域およびその周囲に設けられており、熱硬化性樹脂シート３と半導体基板１により半導体部品２が封止されている。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_２で作製された表面保護膜とポリシロキサンを主成分とする熱硬化性樹脂で作製されている被覆部との間に不均一な電荷分布が発生するのを回避して耐電圧性の低下を防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６と表面保護膜１６(膜厚１μｍ)を被覆するポリイミド樹脂膜２２、およびポリイミド樹脂膜２２を被覆するシリコン樹脂で作製された被覆部２３を備えた。ポリイミド樹脂膜２２はＳｉＯ_２表面保護膜１６およびシリコン樹脂製の被覆部２３との親和性が高い。したがって、ポリイミド樹脂膜２２は表面保護膜１６および被覆部２３との境界面において安定な接合面を形成するから、上記境界面に電荷が溜まりにくく上記境界面に帯電する電荷を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 チップ部品および配線基板の接続不良を抑制することが可能な電子装置を提供すること。
【解決手段】 電子素子22および電子素子22が第１主面21Ａに搭載された基板21を有するチップ部品２と、チップ部品２が第１主面21Ａを対向させた状態で搭載される配線基板３と、チップ部品２の表面から配線基板３の表面にかけて設けられ、電子素子22を封止する封止空間Ｓを取り囲む樹脂層４とを備え、樹脂層４は、封止空間Ｓの側方に位置する部位に、外表面に開口する窪み部５を有している電子装置１である。封止空間Ｓの側方の樹脂層４は体積が減少するので、チップ部品および配線基板の接合部にかかる繰り返し応力が抑制され、この接合部の接続不良を抑制できる。 （もっと読む）