【課題】本発明は、低い線膨張係数を有し、かつ反射率が高く透過率が低い硬化物を与える硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明の硬化性樹脂組成物は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有する化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも１個含有するシリコーン化合物、（Ｅ）無機充填材、（Ｆ）白色顔料を必須成分とし、４６０ｎｍ及び４８０ｎｍでの分光反射率が９０％以上で、硬化物の厚みが０．２ｍｍ以下のときの分光透過率が０．４％未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および第１の無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、第２の無機充填材の粉末材料に対し、表面処理を行う表面処理工程と、粉砕後の前記原材料と、表面処理された前記第２の無機充填材とを混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を混練する混練工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および２４μｍを超える粒子の含有率が１質量％以下である無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、粉砕後の前記原材料を混練する混練工程とを有し、前記混練工程において、粉砕後の前記原材料１ｋｇあたりに与える混練エネルギーを０．０１〜０．５ｋＷｈ／ｋｇとする。 （もっと読む）

【課題】
耐湿信頼性が高く、高温接続条件においてボイド抑制が可能であり、かつフラックス成分を添加することなく、良好なはんだ接合部の形成が可能となる先供給方式に対応した半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、酸無水物が下記一般式（１）で表されるコハク酸無水物誘導体である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びに該半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。



［式（１）中、Ｒは炭素数３以上のアルケニル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】銅ワイヤを用いた場合に耐湿信頼性を向上することができ、成形時の銅ワイヤの変形とパッケージの反りも抑制することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、および無機充填剤を必須成分として含有し、半導体素子の電気接続に銅ワイヤを用いたエリア実装型パッケージの成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、次の式（I）：
【化１】


で表わされ、加水分解性塩素量が１０〜２０ｐｐｍのビフェニル型エポキシ樹脂を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内部のボイドが極めて少なく、従来以上に流動性を向上させつつ、耐半田性、及び硬化性のバランスに優れた封止用樹脂組成物、ならびに、それを用いた信頼性に優れた半導体装置を経済的に提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）と、一般式（１）で表されるフェノール樹脂系硬化剤（ｂ１）及び一般式（２）で表されるフェノール樹脂系硬化剤（ｂ２）とを含むフェノール樹脂系硬化剤（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、硬化促進剤（Ｄ）と、を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、その封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。 （もっと読む）

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、電子部品構成部材との接着性、低応力性に優れた電子部品用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された信頼性（耐湿性、耐熱衝撃性）の高い電子部品装置を提供する。
【解決手段】電子部品の封止に用いられる電子部品用液状樹脂組成物であって、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤、（Ｃ）シリコーン重合体粒子、（Ｄ）無機充填剤を含有する電子部品用液状樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】従来のＭＰＳ−Ｃ２半導体パッケージに起きる半田材ブリッジとパッケージ反りを抑制可能なフリップチップキャリア、及びこれを用いた半導体実装方法を提供する。
【解決手段】フリップチップキャリア１００は、基板１１０と複数の独立パッドマスク１２０とを含む。基板１１０は、上表面１１１、および、上表面１１１に設置される複数のパッド１１２を有する。独立パッドマスク１２０は、パッド１１２を覆う。各独立パッドマスク１２０は、対応するパッド１１２と貼り付ける感光性粘着層１２１、及び感光性粘着層１２１上に形成される透光性の取放素子１２２を有する。 （もっと読む）

【課題】反り温度依存性が低減され、パウダーブロッキング性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分とともに、下記の（Ｄ）および（Ｅ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記（Ｄ）成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の０．１〜１．５重量％である。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂。（Ｃ）無機質充填剤。（Ｄ）エチレングリコール骨格を有するオリゴマー（Ｅ）下記の（α）および（β）の少なくとも一方からなる離型剤。（α）数平均分子量が５５０〜８００である直鎖飽和カルボン酸。（β）酸化ポリエチレンワックス。 （もっと読む）

【課題】硬化後、可視光から近紫外光の反射率が高い熱硬化性光反射用樹脂組成物、それを用いた光半導体搭載用基板及びその製造方法提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料、および（Ｆ）カップリング剤を含有する熱硬化性樹脂組成物において、熱硬化後の、波長８００ｎｍ〜３５０ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、熱硬化前には室温（２５℃）で加圧成型可能なことを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】高い耐熱性、耐光性を有し、ガスバリア性および耐冷熱衝撃性に優れ、かつ、光半導体素子を封止する際のハンドリング性が良好なポリシロキサン系組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アルケニル基およびヒドロシリル基を含有する多面体構造ポリシロキサン系化合物（ａ）同士をヒドロシリル化して得られるポリシロキサン化合物（ｂ）、１分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を２個以上有する化合物（ｃ）、１分子中にヒドロシリル基もしくはアルケニル基を１個有する有機ケイ素化合物（ｄ）とをヒドロシリル化反応させて得られる多面体構造ポリシロキサン変性体、（Ｂ）トリアジン系有機化合物からなることを特徴とするポリシロキサン系組成物。 （もっと読む）

【課題】２００℃程度の高温条件で回路部材同士の接続を行った場合でも、回路部材の反りを十分に抑制できる接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、回路部材同士を接着するとともにそれぞれの回路部材が有する回路電極同士を電気的に接続するために用いられるものであって、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び、架橋反応性基を有し且つ重量平均分子量が３００００〜８００００であるアクリル系共重合体を含有する。当該接着剤組成物を温度２００℃で１時間加熱して得られる硬化物は、−５０℃における貯蔵弾性率が２．０〜３．０ＧＰａであり且つ１００℃における貯蔵弾性率が１．０〜２．０ＧＰａであるとともに、−５０〜１００℃の範囲における貯蔵弾性率の最大値と最小値との差が２．０ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】カメラによる突起状電極及び／又はアライメントマークのコントラスト像の認識を容易にし、高精度な接合を行うことのできる半導体チップ接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極、又は、突起状電極及びアライメントマークを有し、マトリックスとしての樹脂成分と樹脂成分に不溶な固体成分とを含有する封止樹脂層が前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークを被覆するように設けられた半導体チップを準備する工程と、前記封止樹脂層に対して、６００ｎｍ以上の波長を含む光を光軸が斜めになるように照射し、前記突起状電極及び／又は前記アライメントマークのコントラスト像をカメラにより認識させる工程と、被接合体としての基板又はその他の半導体チップに対して、前記半導体チップの位置調整を行う工程と、前記半導体チップの前記突起状電極と、前記基板又はその他の半導体チップの電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させる工程とを有する半導体チップ接合体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】硬化物の変色が抑制され、反射効率の耐久性に優れた光半導体装置を提供する。
【解決手段】銀メッキされた銅製のリードフレーム６に接続された光半導体素子３を、付加硬化型シリコーン樹脂組成物７で封止した光半導体装置１−１であって、前記付加硬化型シリコーン樹脂組成物は、（Ａ）アリール基及びアルケニル基を含有し、エポキシ基を含有しないオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一分子中にヒドロシリル基（ＳｉＨ基）を少なくとも２個有し、かつアリール基を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンであって、ＨＲ_２ＳｉＯ_０．５単位を構成単位のうち３０モル％以上含むオルガノハイドロジェンポリシロキサン：前記成分（Ａ）中のアルケニル基に対する前記成分（Ｂ）中のヒドロシリル基のモル比が０．７０〜１．００となる量、及び（Ｃ）ヒドロシリル化触媒：触媒量を含有するものであることを特徴とする光半導体装置。 （もっと読む）

【課題】硬化性に優れており、かつ硬化物の黄変が生じ難い半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含む。上記酸化チタン及び上記充填材の内の少なくとも一方の成分は、該成分５ｇを純水１００ｍＬに加えた液を加熱し、５分間沸騰させた後、２３℃に達するまで静置し、沸騰処理液を得、次に得られた沸騰処理液に、沸騰により蒸発した水量の水を加えて水量を１００ｍＬとした液のｐＨを測定したときに、ｐＨが７を超え、１１以下の値を示す成分を含有する。 （もっと読む）

【課題】作業性が良好であり、また、ハロゲンフリーでありながら、高いガラス転移温度と高い難燃性とを兼ね備えている硬化物をもたらすことができるエポキシ樹脂を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるエポキシ樹脂、前記エポキシ樹脂の製造方法、前記エポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物、前記エポキシ樹脂組成物からなる半導体封止剤、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物、及び前記硬化物を含む半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】低誘電率、低誘電正接、優れた耐熱性および難燃性を兼ね備え電子部品用途に好適な硬化物を与える活性エステル樹脂、熱硬化性樹脂組成物、及びそれからなる半導体封止材料、回路基板、ビルドアップフィルムを提供すること。
【解決手段】


（ｎは１以上の整数）と芳香族モノ及び／又はジカルボン酸のエステル樹脂（Ａ）および、（Ａ）を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物、該組成物の硬化物、該硬化物からなる半導体封止材料、回路基板、およびビルドアップフィルム。 （もっと読む）

【課題】 トランスファー成形時の離型性が十分に高く連続成形性に優れ、光半導体素子搭載用基板に必要とされる光学特性に優れる硬化物を形成可能である光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたリフレクターの製造方法を提供すること。
【解決手段】 光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形により成形して、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクターを形成する工程を備え、熱硬化性樹脂組成物が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒及び（Ｄ）白色顔料を含有し、（Ａ）エポキシ樹脂及び（Ｂ）硬化剤の少なくとも一方が、オルガノシロキサン骨格を有する化合物を含む、リフレクターの製造方法。 （もっと読む）

【課題】加工性に優れた成形体を得ることができ、更にリードフレームに対する成形体の密着性を高めることができる光半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含む。熱硬化前の上記光半導体装置用白色硬化性組成物１ｇをアセトン５ｇと純水５ｇとを含む液１０ｇ中に入れ、８０℃で１時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨは３以上、６以下である。加熱により硬化された後の硬化物１ｇを用いて、上述の方法と同様にして抽出液を得たときに、該抽出液のｐＨは６以上、７以下である。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性及び流動性に優れた注型用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】１分子あたり２個以上のエポキシ基を有し室温で液状のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂用硬化剤と、板状無機充填材と、球状アルミナ充填材を含有し、
前記板状無機充填材及び球状無機充填材は全体としての粒度分布に極大点を２つ以上有し、
前記板状無機充填材及び球状無機充填材を合わせた無機充填材総質量における板状無機充填材の質量割合が５〜２０質量％であることを特徴とする注型用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）