【課題】粘度が低く、侵入性が良好で、シリコンチップの表面等との密着性に優れ、かつ強靭性に優れた硬化物を提供する。
【解決手段】（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤、及び（Ｃ）平均粒径が０．１〜３μｍのシリカである無機充填剤Ａと平均粒径が５〜７０ｎｍの非晶質ナノシリカである無機充填剤Ｂからなる無機充填剤であって、該無機充填剤Ｂが下記式（１）及び／又は（２）で表されるシランカップリング剤で表面処理されてなる無機充填剤を含有することを特徴とする半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物。


（式中、ｎは１〜５の整数、ｍは１又は２である。） （もっと読む）

【課題】低ガス透過性を示す光半導体封止用のシリコーン樹脂組成物、及び信頼性の高い光半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコーン樹脂組成物は以下の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する。（Ａ）下記一般式（１）で示され、かつ１分子中に少なくとも２個のアルケニル基を含有するオルガノポリシロキサン


（式中、Ｒ^１はシクロアルキル基であり、Ｒ^２は同一又は異なる置換もしくは非置換の炭素数１〜１０の一価炭化水素基であり、ｘ＝０．５〜０．９、ｙ＝０．１〜０．５、ｚ＝０〜０．２の数であり、但しｘ＋ｙ＋ｚ＝１．０である）（Ｂ）１分子中にＳｉＨ基を２個以上有するハイドロジェンオルガノポリシロキサン（Ｃ）付加反応用触媒（Ｄ）接着付与剤 （もっと読む）

【課題】
本発明は、低粘度であり狭ピッチや狭ギャップへの浸入性がよいアンダーフィル材であって、低吸湿であり、かつシリコンチップやパッシベーション膜材料に対する高い接着性を有する硬化物を提供するアンダーフィル材及び該アンダーフィル材の硬化物で封止された半導体装置を提供する事を目的とする。
【解決手段】
（Ａ）（Ａ−１）１分子中に２つ以上のエポキシ基を有する液状エポキシ樹脂及び／又はエポキシ化合物 ５０〜９９質量部、及び（Ａ−２）ビフェニル構造を有する単官能エポキシ化合物 １〜５０質量部（但し、（Ａ−１）と（Ａ−２）の合計は１００質量部である）
（Ｂ）アミン系硬化剤 （Ｂ）成分中のアミノ基のモル量に対する（Ａ）成分中のエポキシ基のモル量が０．７〜１．２となる量、
（Ｃ）無機充填剤 （Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し５０〜３００質量部、及び
（Ｄ）ポリオルガノシルセスキオキサン樹脂を被覆してなるシリコーン微粒子 （Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し１〜１５質量部
を含有するアンダーフィル材。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、適度な粘度を有し、その硬化物の線膨張係数が小さい半導体封止材料、及び、該半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】
分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で固体の脂環式エポキシ化合物Ａ、分子量が１０００以下で、環に縮合したエポキシ基を２つ以上有する、２５℃で液体の脂環式エポキシ化合物Ｂ、２５℃で液体の硬化剤、硬化促進剤、及びシリカを含有し、かつ、前記脂環式エポキシ化合物Ａの含有量に対する脂環式エポキシ化合物Ｂの含有量の割合が、（脂環式エポキシ化合物Ｂ）／（脂環式エポキシ化合物Ａ）の重量比で０．５〜２であることを特徴とする半導体封止材料、並びに、該半導体封止材料を用いて封止されてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】高温高湿信頼性および成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。そして、下記の（Ｃ）成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物の有機成分に対して０．８〜３０．０重量％とする。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂〔ただし、下記（Ｃ）成分を除く。〕。（Ｃ）特定のシラン変性フェノール樹脂。（Ｄ）硬化促進剤。（Ｅ）無機質充填剤。 （もっと読む）

【課題】無機充填材を高充填しても成形時の流動性に優れ、かつ、耐水性と耐熱性のバランス等に優れた硬化物が得られる半導体封止用硬化性組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ化合物と硬化剤とを必須成分とする半導体封止用硬化性組成物において、（Ａ）グリシジルエーテル基および（Ｂ）アリルエーテル基を含み、かつ数平均分子量が５００〜１２００の範囲にあるフェノールノボラック系エポキシ化合物を少なくとも一種含むエポキシ化合物を用いる。 （もっと読む）

【解決手段】エポキシ基を有し、下記式（１）に示す繰り返し構造単位を有するポリシロキサン（Ａ）を４０〜９５質量％含有することを特徴とする光半導体封止用組成物。


（式（１）中、Ａｒはアリール基を示す。）
【効果】本発明の光半導体封止用組成物を硬化して得られる封止材は、耐熱性等に優れるとともに、耐透湿性に優れる。このため、本発明の光半導体封止用組成物により光半導体を封止して得られる発光素子は、封止材を透過した水蒸気により光半導体が劣化することがなく、長期にわたり安定的に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】低粘度で充填性が良く、硬化性が良好で、硬化して、屈折率が大きく、光透過率が高く、基材に対する密着性が高く、耐クラック性に優れ、ガス透過性が低い硬化物を形成する付加硬化型シリコーン組成物、及び該組成物の硬化物により半導体素子が被覆されている、信頼性が優れる半導体装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、（Ａ）平均単位式（１）で表される、共重合組成の異なる二種のオルガノポリシロキサン、（Ｒ^１ＳｉＯ_３／２）_ａ１（Ｒ^１_２ＳｉＯ_２／２）_ｂ１（Ｒ^１_３ＳｉＯ_１／２）_ｃ１（Ｘ^１Ｏ_１／２）_ｄ１（１）（Ｂ）平均組成式（２）で表される、１分子中に少なくとも２個のＳｉ−Ｈ結合を有し、ケイ素原子に結合したＲ’とＨの合計の５モル％以上がフェニル基であるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、Ｒ’_ａ’Ｈ_ｂ’ＳｉＯ_{［（４−ａ’−ｂ’）／２］}（２）及び（Ｃ）ヒドロシリル化反応用触媒を含有する付加硬化型シリコーン組成物。 （もっと読む）

【課題】 高い透明性・耐熱性・耐光性・ガスバリア性を兼ね備えた多面体構造ポリシロキサン変性体の組成物、およびこれを封止剤として用いてなる光半導体を提供すること。
【解決手段】アルケニル基およびヒドロシリル基を含有する多面体構造ポリシロキサン系化合物（ａ）同士をヒドロシリル化して得られるポリシロキサン化合物（ｂ）に、ヒドロシリル基もしくはアルケニル基含有化合物（ｃ）をヒドロシリル化させて得られる多面体構造ポリシロキサン変性体（Ａ）、接着性付与剤（Ｂ）、および硬化剤（Ｃ）を含有することを特徴とする多面体構造ポリシロキサン系組成物、および該組成物を封止剤として用いてなる光半導体。 （もっと読む）

【課題】ＢＧＡ等のエリア実装型半導体装置において、薄型化と高い信頼性の両立できる半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１と半導体素子４と接続部材とを封止する封止樹脂硬化体６とを備え、下記１）〜３）及びａ）、ｂ）の要件を満たす半導体装置の製造方法である。１）半導体装置のサイズが２０ｍｍ×２０ｍｍ以下２）基板の厚みが３００μｍ以下３）基板の半導体素子搭載面からの封止樹脂硬化体の最大厚みが６００μｍ以下ａ）封止樹脂組成物が無機充填材を含むものであり、前記組成物中における無機充填材含有量が７４質量％以上、８６質量％以下ｂ）封止樹脂組成物における無機充填材含有量をｘ（質量％）とし、封止樹脂組成物を１７５℃、９０秒で成形した後、１７５℃、４時間後硬化した際の成形収縮率をｙ（％）としたとき、０．０３２ｘ＋ｙ−２．９６５の値が０．０００〜０．３００ （もっと読む）

【課題】 先供給型封止剤として塗布した後、半導体チップを載せるまで、先供給型封止剤が塗布後の形状を保持し、かつ短時間での硬化が可能で、さらに硬化後には、ＰＣＴ試験での耐湿信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）形状保持剤、および（Ｅ）揺変剤を含むことを特徴とする、エポキシ樹脂組成物であり、好ましくは、（Ｄ）成分が、シロキサン系形状保持剤である。 （もっと読む）

【課題】 均一性が高く、短時間での硬化が可能で、さらに硬化後には、ＰＣＴ試験での吸湿性が低いため、エポキシ樹脂組成物と基板の間での剥離を抑制する、耐湿信頼性に優れたエポキシ樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）スルフィド構造を含むエポキシ樹脂、（Ｃ）硬化剤、および（Ｄ）硬化促進剤を含み、かつ（Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対して、（Ｂ）成分を１〜５０質量部含むことを特徴とする、エポキシ樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】優れた硬化性、耐熱性、低吸水性を発現可能なエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤とを含有し、硬化剤が分子内に２以上のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物と、フェノール性水酸基と反応可能な２つの官能基を有する一般式(I-1)で示されるシラン化合物とを反応させて得られる化合物であり、硬化促進剤が一般式（I-4）で示されるホスホニウム化合物又はその分子間塩であるエポキシ樹脂組成物。


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【課題】より簡便な構成で、信頼性のより高い発光ユニットを提供する。
【解決手段】一端１０ａ側に設けられた光学レンズ部１ａと他端１０ｂ側に設けられた窪み部１ｂとを備え透光性材料により一体に形成されたユニットボディ１と、該ユニットボディ１の窪み部１ｂ内に収納され光学レンズ部１ａを介して光を放出させる固体発光素子たるＬＥＤ２を備えた実装基板３と、ＬＥＤ２と電気的に接続され窪み部１ｂ内から導出された電線４と、ユニットボディ１の窪み部１ｂ内に収納された実装基板３と電線４の一部とを窪み部１ｂ内に封止する封止樹脂部５とを有する発光ユニット１０であって、封止樹脂部５は、他端１０ｂ側から実装基板３側に向かって落ち窪んだ複数個の凹部５ａ，５ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】組成物の流動性に優れると共に、近年の電子部品関連材料に適する耐湿信頼性と、環境調和のためハロゲンフリーで高い難燃性を実現する。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）及びフェノール系樹脂（Ｂ）を必須成分とする熱硬化性樹脂組成物であって、前記フェノール系樹脂（Ｂ）が、複数のフェノール性水酸基含有芳香族骨格（ｐｈ）が下記一般式１
【化１】


（式中、Ａｒはフェニレン基又はビフェニレン基を表し、Ｒは独立的に水素原子又はメチル基を表す。）で表される２価のアラルキル基を介して結合した構造を基本骨格とするフェノール樹脂構造を有し、かつ、該構造の芳香核にナフチルメチル基又はアントニルメチル基を有し、かつ、該ナフチルメチル基等の存在割合が、前記フェノール性水酸基含有芳香族骨格（ｐｈ）の総数を１００とした場合に、前記ナフチルメチル基又はアントニルメチル基の総数が１０〜２００となる割合である。 （もっと読む）

【課題】ノンハロゲンかつノンアンチモンで、難燃性、成形性、耐リフロー性、耐湿性及び高温放置特性等の信頼性に優れ、ＶＬＳＩの封止用に好適な封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）水酸化マグネシウムを含有し、（Ｃ）水酸化マグネシウムがシリカにて被覆されているものを含む封止用エポキシ樹脂成形材料。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ素子の封止や樹脂部材のガスバリア層に好適な材料を提供し、またそれを用いたＬＥＤデバイス、ＦＰＤデバイス及び半導体デバイス等を提供する。
【解決手段】成分（Ａ）として、下記一般式（１）と、成分（Ｂ）として、水素がケイ素に直結した構造を有するシロキサン化合物と、成分（Ｃ）として、周期律表の第１族、第２族、第１２〜１４族金属の有機金属化合物と、成分（Ｄ）として、周期律表の第８〜１０族の金属触媒を混合し反応させた重合体組成物。
（もっと読む）

【課題】耐リフロー性、耐湿性、および高温電気特性の優れた高信頼性の半導体封止装置およびこれに使用される封止用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、（Ｄ）無機質充填剤、および（Ｅ）ハイドロタルサイトを必須成分として含有する封止用樹脂組成物の硬化物によって回路基板上に搭載された半導体チップとワイヤーを封止してなる半導体封止装置であって、前記回路基板と前記半導体チップとを接続するワイヤーが銅ワイヤーである半導体封止装置、およびこれに使用される封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子のエポキシ樹脂封止成形品に生じる黒点不良を抑えることが可能な圧縮成形用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有するエポキシ樹脂組成物において、（Ｃ）無機充填材が（Ｃ１）平均粒径３μｍ以下の無機充填材を含有し、前記（Ｃ１）平均粒径３μｍ以下の無機充填材を２００℃で１時間加熱したときの加熱減量が０．０７質量％以上、０．２質量％以下である圧縮成形用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ＡｇやＡｕのような貴金属との接着性が良好で、耐リフロー性が良好となり、かつ成形性や耐湿性、高温放置特性等の信頼性を低下させずに難燃性が良好な封止用エポキシ樹脂組成物、及びこれにより封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で示されるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填剤及び（Ｄ）特定の環状ホスファゼン化合物を含有する封止用エポキシ樹脂組成物。


（ここで、Ｒ^１〜Ｒ^５は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基及び炭素数１〜２のアルコキシ基から選ばれ、互いに同一であっても異なってもよい。ｎは０〜１０の整数を示す。） （もっと読む）