【課題】 検出軸以外の方向に生じる加速度によって物理量センサーの検出感度が低下することを抑制する。
【解決手段】 物理量センサーは、第１揺動体３００ａと第２揺動体３００ｂとを有し、
各揺動体３００ａ，３００ｂは、第１支持部４０ａと第２支持部４０ｂとによって基板に支持され、かつ、第１揺動体３００ａは、平面視で第１軸（支持軸）Ｑ１によって第１の領域ＰＴ１と第２の領域ＰＴ２とに区画され、第２揺動体３００ｂは、平面視で第２軸（支持軸）Ｑ２によって第３の領域ＰＴ１と第４の領域ＰＴ２とに区画され、第２の領域ＰＴ２の質量は第１の領域の質量よりも重く、第４の領域の質量は第３の領域よりも重く、第１の領域と第２の領域の並び方向と第３の領域と第４の領域の並び方向とは互いに同じであり、かつ、重力を受けた状態において第１揺動体３００ａおよび第２揺動体３００ｂは互いに反対向きに傾斜している。 （もっと読む）

【課題】 ２以上のセンサー素子を含む素子構造体の製造を容易化すること。
【解決手段】 素子構造体は、第１支持層１００と、第１支持層１００の上方に設けられる第１センサー素子ＳＥ１と、を有する第１基板ＢＳ１と、第２支持層２００と、第２支持層２００の上方に設けられる第２センサー素子ＳＥ２と、を有する第２基板ＢＳ２と、を含み、第２基板ＢＳ２は、第１センサー素子ＳＥ１と第２センサー素子ＳＥ２とが互いに対向した状態で、第１基板ＢＳ１上にスペーサー３００を介して配置されている。 （もっと読む）

【課題】動作部位へのダストの混入を防止しつつ、アライメント等の問題点を少なくとも部分的に解消すること。
【解決手段】本発明は、ＭＥＭＳ素子を搭載した素子基板にキャップ基板が接合されたＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、キャップ基板５０の原料基板に素子基板の切断パターンに沿って非貫通のトレンチ３００を形成する工程と、素子基板の原料基板に、トレンチが形成されたキャップ基板の原料基板を接合する接合工程と、少なくとも非貫通のトレンチが貫通するまで、接合されたキャップ基板の原料基板をエッチングするエッチング工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱応力や外部応力によって、力学量の検出精度が低下することが抑制された半導体装置を提供する。
【解決手段】バンプを介して、センサチップと基体とが接続された半導体装置であって、センサチップは、基板と、絶縁層と、半導体層と、が順次積層されて成る半導体基板を有し、半導体基板に形成されたセンシング部は、絶縁層と半導体層から成る、基板に固定されたアンカ部と、絶縁層が除去されて、半導体層から成る、基板に対して浮いた遊動部と、を有し、アンカ部は、固定アンカ部と、可動アンカ部と、を有し、遊動部は、固定アンカ部に支持された固定電極と、可動アンカ部に支持された可動部と、該可動部に設けられた可動電極と、バンプが接続される接続部と、を有し、接続部は、固定アンカ部を介して、固定電極と接続された固定接続部と、可動アンカ部を介して、可動部と接続された可動接続部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】可動部の反りが大きく、かつ検知感度の低下が抑制された半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】上面に凹部１００が形成された基板１０と、凹部１００内に配置された可動電極２１を有し、可動電極２１から離間した位置において基板１０に固定された梁型の可動部２０と、可動電極２１に対向して凹部１００内に配置され、可動電極２１と電気的に分離されて基板１０に固定された梁型の固定電極３０とを備え、可動電極２１と基板１０との間に、線膨張熱係数が互いに異なる半導体層２２１とキャップ層２２２とが積層された反り部２２を有する。 （もっと読む）

【課題】加速度センサ等の電子部品のリーク検査を高速且つ安価に行うことが可能な電子部品用リーク検査装置および電子部品用リーク検査方法を提供する。
【解決手段】筺体内部の慣性体が偏倚することで所定の電気的信号を出力する電子部品２００のリーク検査装置であって、前記電子部品２００に所定の周波数を有する変動成分を含んだ作動電圧を印加する電源装置１４０と、前記電子部品の出力を検出する検出装置１３０と、前記検出装置によって得られた出力値と基準値を比較して前記電子部品の気密性を判断する評価装置１６０と、を備えた電子部品用リーク検査装置とした。 （もっと読む）

【課題】装置全体が小型でありながら、検出感度の高いセンサを製造することが可能な技術を提供する。
【解決手段】本発明は基板上に形成される可動体として具現化される。その可動体は、第１枠体と、前記第１枠体に対して、互いに対向して、かつ部分的にあるいは完全に重なり合うように配置されている第２枠体と、第１ばね部を介して前記第１枠体と接続しており、かつ第２ばね部を介して前記第２枠体と接続している結合部と、第３ばね部を介して前記結合部と接続している、前記基板に固定された固定部を備えている。前記第１ばね部、前記第２ばね部および前記第３ばね部は、一方向のばね定数が他の方向のばね定数に比べて顕著に低く、実質的に当該一方向のみの相対変位を許容する。前記第１ばね部、前記第２ばね部および前記第３ばね部が相対変位を許容する方向は、互いに直交している。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向、並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及び力学量センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、基板と、前記基板上に配置された複数の固定部と、前記複数の固定部にそれぞれ一端部が支持されて前記基板から離隔して各々が所定の間隙を空けて配置された複数の可動電極と、前記複数の可動電極の他端部に各々隣接して力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記複数の固定部に各々電気的に接続された複数の第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＸＹ軸方向の加速度の検出感度に優れた加速度センサを提供する。
【解決手段】支持枠１１と、支持枠１１に対して変位可能に設けられた錘部１２と支持枠１１と錘部１２と支持する可撓性を有する梁部１３と、梁部１３に、梁部１３の幅方向の中心線上を含んで設けられている空隙部１４と、梁部１３に設けられているひずみ抵抗検出部Ｒとを備える加速度センサ１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、封止枠と本体素子との間に生じる応力を分散させ、本体素子の変形を防止することができるマイクロパッケージを提供することを目的とする。
【解決手段】構造体１４が形成された多角形の本体素子１０と、該本体素子を覆う封止部３０と、該本体素子と該封止部とを接合する封止枠２０を有するマイクロパッケージであって、
前記封止枠は、前記本体素子の外縁よりも内側に、前記構造体を囲むように枠状に設けられ、前記多角形の各辺に対向した各範囲において、前記各辺よりも短い短辺２０ａ、２０ｂ、２０ｃが連結された連続線で構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】構造的制限を設けることなく、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸の検出感度の差を小さくし、且つ、ドリフトが小さく、３軸間の信号出力の変動を低減する半導体加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明によると、半導体基板に、枠部と、錘部と、前記枠部と前記錘部との間に配置される可撓部と、前記可撓部に第１の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記第１の方向と直交する第２の方向に配置される複数のピエゾ抵抗素子と、前記複数のピエゾ抵抗素子をそれぞれ含む複数のブリッジ回路とを有し、前記ブリッジ回路に電圧を印加する高電位端及び低電位端のうちの何れか一方と、前記ブリッジ回路との間に第１の抵抗体を有する少なくとも１つの前記ブリッジ回路を備えることを特徴とする半導体加速度センサが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合部によって容量検出特性が不安定にならないようにすることができる力学量検出装置を提供する。
【解決手段】絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。また、絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３５１、３５２を含む中空筒状の第２壁部３５０と第２壁部３５０の開口部３５６を閉じる第２蓋部３２２とを有する第２電極３０２を設ける。そして、第１壁部３４０の一方のダイヤフラム３４１と第２壁部３５０の一方のダイヤフラム３５１とを対向配置させる。これにより、各電極３０１、３０２が絶縁層２００の上で電気的に分離されるので、各壁部３４０、３５０の各ダイヤフラムに電極として機能させるための半導体領域が不要となる。 （もっと読む）

【課題】めっき反応速度を調整することでめっき未着を防ぐことが可能な貫通孔配線基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】微小デバイスを構成する貫通孔配線基板の製造方法であって、基板４０の両表面を貫通する貫通孔４１を形成する工程と、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程と、を備え、貫通孔４１の少なくとも内表面にＮｉめっきを成長させる工程では、Ｎｉめっきの析出レートを５０ｎｍ／ｍｉｎ未満にしてめっきを成長させる。 （もっと読む）

【課題】加速度センサの体格の増大が抑制され、加速度センサにおける電気的な接続部材の配置やその形状が変更されない加速度センサ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】加速度を電気信号に変換するセンシング部が形成されたセンサ基板と、センシング部を気密封止するための凹部が形成されたパッケージ基板と、が接合されて成るセンサ部を有し、センサ基板におけるパッケージ基板との対向面側に、配線パターンを介してセンシング部と電気的に接続された内部電極が複数形成され、パッケージ基板の内部に、内部電極と同数の貫通電極が形成され、パッケージ基板におけるセンサ基板との対向面の裏面に、外部電極と補助配線が複数形成されている。そして、外部電極は、内部電極と同数の電極が一方向に並んで成る第１外部電極群及び第２外部電極群を有し、これら電極群の並ぶ方向が直交している。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外力の大きさ及び方向並びに加速度を検出することができ、低コストに製造することのできる力学量センサ及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る力学量センサは、第１基板と、前記第１基板上に配置された固定部と、前記固定部に一端部が支持されて前記第１基板から離隔して配置された渦巻き状の可動電極と、前記可動電極の周囲に位置し力学量の検出方向に配置された固定電極と、前記固定部に電気的に接続された第１端子と、前記固定電極に電気的に接続された第２端子と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】抵抗値が低く、且つデバイスの小型化に貢献する金属埋込ガラス基板及びその製造方法、及びこの金属埋込ガラス基板を用いたＭＥＭＳデバイスを提供する。
【解決手段】金属埋込ガラス基板は、対向する第１の主面ＳＦ１及び第２の主面ＳＦ２を有するガラス基板５４と、ガラス基板５４の第１の主面ＳＦ１と第２の主面ＳＦ２の間を貫通する金属からなる貫通金属部材５５とを備える。貫通金属部材５５の径は１００μｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】固定部と該固定部の外径側を囲むように配設された錘とを複数の梁で連結してなる振動体を備えたセンサ素子を例えばＳＯＩウェハを用いたＳｉウェハ一括プロセス処理で形成できるようにした振動体型力学量センサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】振動体１１を備えたセンサ素子よりなる振動体型力学量センサにおいて、前記センサ素子は半導体部材から形成されたものであるとともに、振動体１１は固定部１２と固定部１２の外径側を囲むように配設された錘１４とを複数の梁１３で連結したものであり、さらに、前記センサ素子の一方の面にガラス基板１０１が接合され、固定部１２がガラス基板１０１側と接合されることにより振動体１１がガラス基板１０１で機械的に支持されてなる構成としている。 （もっと読む）

【課題】２つの基板が貼り合わされて構成された半導体力学量センサにおいて、製造工程の短縮化を図ると共に積層構造の簡素化を図る。
【解決手段】第１半導体基板１２０に配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を含んだパターン部１３０を形成したものを用意し、第２半導体基板１４２上に第１絶縁層１４４を形成した支持基板１４０を用意する。そして、配線部パターン１３３および周辺部パターン１３４を第１絶縁層１４４に直接接合することにより、第１半導体基板１２０と支持基板１４０とを貼り合わせる。この後、第１半導体基板１２０にセンサ構造体１１０を形成し、周辺部１５０にキャップ２００を接合する。そして、キャップ２００に第１〜第４貫通電極部３００〜３３０を形成することにより半導体力学量センサが完成する。 （もっと読む）

【課題】可動ゲート電極の変位を制御可能な可動ゲート型電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極１７とドレイン電極１８との上に導電シールド電極２０が配置される可動ゲート型電界効果トランジスタ１とした。そして導電シールド電極２０の電位を固定することとした。導電シールド電極２０が配置されることにより、可動ゲート１５とドレイン電極１８またはソース電極１７との間に発生する静電力を抑制することができる。 （もっと読む）