【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ７〜３５％、ＳｒＯ ２５〜６５％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｃａ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の技術的課題は、高度に制御された巨大な設備を必要とせず、短時間で超伝導結晶を高度に配向させることが可能な超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、超伝導結晶が集合した超伝導結晶集合体を用意する準備工程と、超伝導結晶集合体にレーザーを照射する照射工程と、レーザーの照射位置を走査する走査工程と、走査工程後に超伝導結晶集合体を熱処理する熱処理工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】超伝導結晶の臨界温度を高め得る材料及びその製造方法を提供する。
【解決手段】組成として、モル％表記で、Ｂｉ₂Ｏ₃１０〜３０％、ＳｒＯ２０〜５０％、ＣａＯ１０〜３０％、ＣｕＯ２０〜４５％、アルカリ金属酸化物０．１〜１０％を含有する超伝導性を有するＢｉ系非晶質材料であることを特徴とする。また、超伝導材料とするための製造方法は、上記のＢｉ系非晶質材料を熱処理することにより、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】微細加工容易で、かつ制御性の極めて高いジョセフソン素子の構造および同素子の製造方法を提供する。
【解決手段】超伝導体の一面に当該超伝導体における酸化のギブズエネルギーより小なる酸化のギブズエネルギーを有する金属が設けられるとともに、前記超伝導体から前記金属へ当該超伝導体の酸素が移動することで当該金属の酸化と当該超伝導体の還元が進行するために必要な活性化エネルギー以上のエネルギーが与えられるように加熱することによって得られる超伝導特性が弱められた領域が前記超伝導体の前記金属が設けられた領域下に存在することを特徴とするジョセフソン素子である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、酸化物超電導層への水分の浸入を抑えることができる酸化物超電導線材、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の酸化物超電導線材１０の製造方法は、基材１と中間層２と酸化物超電導層３と銀層４と金属安定化層６とがこの順に積層されてなる超電導積層体Ｓ０を準備する第１工程と、超電導積層体Ｓ０の幅方向端部にレーザＬを照射して超電導積層体Ｓ０の端部を溶融・凝固させて、少なくとも酸化物超電導層３の側面を覆う溶融凝固層７を形成する第２工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】臨界電流密度の特性に優れ、かつ剥離を防止した超電導体厚膜を容易に製造することができる酸化物超電導体厚膜の製造方法、酸化物超電導体厚膜、これを用いた磁場遮蔽体及び超電導限流器を提供する。
【解決手段】基体１の表面を粗面化し、当該表面に、実質的に（Ｂｉ、Ｐｂ）_２＋ａＳｒ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｚ（ただし、０＜ａ＜０．５）の組成を有する酸化物超電導体厚膜を形成する。 （もっと読む）

各層が酸素アニオンによって取り囲まれたカチオンのネットワークを含む積層された第１の層および第２の層を含む材料を含む超伝導体。本発明によれば、この材料は、イルメナイト結晶構造およびＡＢＸ_３型の基本組成を有し、式中、ＡおよびＢは、この第１の層および第２の層のカチオン部位を主に占める元素であり、これに対応して、元素ＡおよびＢのうちの少なくとも１つは遷移金属であり、Ｘは、アニオン部位を主に占めるアニオン元素である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入やイオンビームエッチングおよびリソグラフィーなど高度で複雑な技術を要することなく、固有ジョセフソントンネルデバイスを作製する固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、本発明は、超伝導単結晶の表面に絶縁層と電極を配置してなる固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法であって、前記表面の絶縁層を前記超伝導単結晶の結晶面を表面とし、当該表面を還元雰囲気に暴露しながら加熱して、当該表面を還元して絶縁化し、形成することを特徴とする固有ジョセフソントンネルデバイスの簡易作製法の構成とした。 （もっと読む）

【課題】ＴＨｚ帯において、数ｍＷ程度の連続高出力発振が可能で、種々の計測や分析に使用することができるジョセフソン素子、すなわち、ジョセフソンスターエミッタを提供する。
【解決手段】ジョセフソン素子において、メサ１を、半導体、絶縁体、または、完全導体からなる基板２上に構築して構成する。 （もっと読む）

【課題】中心周波数と帯域幅を独立して制御可能な超伝導フィルタ装置を提供する。
【解決手段】高周波電気信号に対するフィルタ特性を有する超伝導フィルタ装置（１０）は、第１の主面と第２の主面を有する誘電体基板（１１）と、前記誘電体基板の前記第１の主面に形成され、超伝導体材料を含む共振器パターン（１２）と、前記誘電体基板の前記第２の主面に形成され、開口（１４ａ）を有するグランド層（１４）と、前記第１の主面側で、前記共振器パターンから離間して配置され、前記フィルタ特性を調整する第１の調整部材（２０，２３）と、前記第２の主面側で、前記グランド層の開口位置に設けられ、前記フィルタ特性を調整する第２の調整部材（２５，２６）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体である高度に層状化された異方性ＢＳＣＣＯ単結晶を利用した本来的に存在する多重積層された固有ジョセフソン接合を用いて、特に１乃至５ＴＨｚ周波数帯域の単色的でありコヒーレントの強力且つ連続的な電磁波を生成する実用的なＴＨｚ帯域電磁波発振装置を提供する。
【解決手段】
多重積層型固有ジョセフソン接合を有する超伝導体ＢＳＣＣＯ構造の単結晶体により形成され、前記単結晶体が発振するテラヘルツ帯域電磁波の基本波の高次調波を利用することを特徴とする。ここで前記基本波の周波数は０．６４８ＴＨｚであり、前記高次調波は４次調波であって、２．５８９ＴＨｚである。 （もっと読む）

【課題】小型軽量、高効率で連続発振が可能であり且つコヒーレントで周波数可変なＴＨｚ領域帯の電磁波発振装置（デバイス）であって、指向性を有する高強度出力のＴＨｚ帯域電磁波発振装置を提供する。
【解決手段】多重積層型固有ジョセフソン接合を有する超伝導体ＢＳＣＣＯ構造の単結晶体を発振手段とし、前記単結晶の上に形成される矩形平面メサ構造の水平方向から上方に所定角傾いた方向に放射される電磁波を利用する。ここで、前記所定角は、その中心角を６０度とし、５２．５乃至６７．５度の範囲である。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】超伝導量子干渉素子１０は、リング部１２Ａを有する超伝導体層１２と、この超伝導体層１２のリング部１２Ａの一部を跨いで配設された強磁性層１３，１３と、を有する。２つの強磁性層１３、１３がリング部１２Ａに跨いで被覆している。超伝導体層１２のリング部１２Ａのうち強磁性層１３，１３で被覆した領域１２Ｂ，１２Ｂが、強磁性層１３により超伝導体（Ｓ）から絶縁体（Ｉ）へ転移し、障壁となる。この構造により所謂ＳＩＳ型のジョセフソン接合が２箇所で形成されるため、所謂ＤＣ−ＳＱＵＩＤを構成する。 （もっと読む）

【課題】超伝導フィルタデバイスにおいて、伝送特性を劣化させることなく、超伝導フィルタデバイスの電極と金属パッケージの同軸コネクタの中心導体とを良好にはんだ接合できるようにする。
【解決手段】超伝導フィルタデバイス１を、基板３上に形成された超伝導配線４と、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部に形成された電極６Ａと、超伝導配線４の入出力線４Ａの端部近傍の表面及び側面が覆われるように形成された保護膜９とを備えるものとし、超伝導配線４を、インピーダンス整合を取るために保護膜９に覆われた部分に幅が異なる部分４Ｘを有するものとする。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで、周波数特性の調整が容易で、高い耐電力特性を有する超電導フィルタを提供する。
【解決手段】給電部を有する誘電体材料からなる誘電体基板２と、誘電体基板２内に配置されたバルク状の超電導体１と、誘電体材料からなる誘電体ロッド４と、超電導体１と誘電体ロッド４との間の相対的位置を変化させるロッド上下用トリマー５とを有する超電導フィルタである。 （もっと読む）

【課題】超伝導ディスク型共振器において、誘電率または磁化率が異方性の基板を用いた場合に共振カーブに発生するノッチを解消し、良好な共振特性を維持する。
【解決手段】超伝導ディスク共振器は、誘電率異方性の誘電体ベース基板（２１）と、
前記誘電体ベース基板上に超伝導材料で形成されるディスク型の共振器パターン（１２）と、前記誘電体ベース基板上で、前記ディスク型共振器パターンの近傍まで直線上に延びる一対の信号入出力ライン（１３）とを備え、前記信号入出力ラインに対する前記誘電体ベース基板の誘電率異方性の方向は、±９０°の向きにある。 （もっと読む）

【課題】安定した状態でより高密度に記憶保持が行える超伝導デジタル回路用のメモリ装置を実現する。
【解決手段】ジョセフソン接合ＪＪ₁，ＪＪ₂，ＪＪ₃，ＪＪ₄，ＪＪ₅、コイルＬ₁₂，Ｌ₂₃，Ｌ₃₄，Ｌ₄₅、抵抗Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃（＝Ｒ_M），Ｒ₄，Ｒ₅、電圧端子Ｔ₁，Ｔ₂，Ｔ₃，Ｔ₄，Ｔ₅を備え、所定の電圧が印可される電圧端子Ｔ₃とコイルＬ₂₃及びコイルＬ₃₄の間の接続ノード（第２接続ノード）との間に抵抗Ｒ_M（第２抵抗）が接続し、この接続ノードにジョセフソン接合ＪＪ₃（第３ジョセフソン接合）が接続している。ジョセフソン接合ＪＪ₃は、接続ノードと接地との間に接続されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。
【解決手段】ジョセフソン接合１は、超伝導体層２と超伝導体層２の中央部２Ｃ上に積層した強磁性層３とを備える。強磁性層３は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層２を高温超伝導体層とすれば、大きなＩ_ｃＲ_Ｎ積を有するジョセフソン接合１とすることができる。このジョセフソン接合１は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】超伝導薄膜の製造方法のひとつである塗布熱分解法において、結晶化の工程である本焼成に長時間を要するという問題を解決する。
【解決手段】塗布熱分解法において、基材１の上層に超伝導体の構成元素を含む塗布膜３を設ける。さらに塗布膜３表面側に表面側シード材層４を設け、仮焼成、本焼成を行う。本焼成時には、基材１側で表面に向けて結晶化が行われるとともに、前記表面側シード材層４からも基材側に向けて結晶化が行われる。この結果、両方向からの結晶化がなされることで結晶化に必要な時間が短縮される。また、基材１と塗布膜３との間にはバッファ層２を設けるのが望ましい。バッファ層２は、基材１と塗布膜３との化学反応を阻止するとともに、結晶化のシードとして機能する。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導デバイスの製造方法に関し、高温超伝導膜と電極とを接続した場合、室温及び低温の環境下で接続が剥離しないように、また、電極の半田食われが発生しないようにして、高温超伝導デバイスの信頼性を向上しようとする。
【解決手段】基板１１上に高温超伝導膜１２Ａを形成する工程と、高温超伝導膜１２Ａのライン・パターンを形成する工程と、該ライン・パターンの端部に電極１３を積層形成する工程と、電極１３上に第１の温度で熱処理することにより半田を形成する工程と、基板１１をパッケージ１５内に収容後、パッケージ１５を貫通する同軸コネクタと該電極１３とを接続するために該半田を該第１の温度よりも高い第２の温度で加熱する工程とを有する。 （もっと読む）