【課題】 停電等の異常終了が発生した際にも、ダーティデータを外部記憶装置に書き込むことができる情報処理装置及びキャッシュ制御方法を提供すること。
【解決手段】 実施形態によれば、第１外部記憶装置をアクセス可能な情報処理装置は、ホストシステム、第２外部記憶装置、揮発性メモリ、第１キャッシュ制御手段、終了処理手段及び初期化手段を具備する。第２外部記憶装置は前記第１外部記憶装置に対する二次キャッシュとして機能する。揮発性メモリは前記第１外部記憶装置に対する一次キャッシュとして機能し、停電時にバッテリを用いて電力が供給される。第１キャッシュ制御手段は前記第１外部記憶装置に書き込むべきライトデータを前記揮発性メモリ内のキャッシュ領域に格納する。初期化手段は前記情報処理装置が異常終了した後に起動されたとき、前記揮発性メモリ内のキャッシュ領域に格納されたダーティデータを前記第１外部記憶装置に書き込む。 （もっと読む）

【課題】BIOSデータがOS起動中に破壊されてしまっても、そのBIOSデータを復元することが可能な電子機器を提供する。
【解決手段】 本実施形態の電子機器（100）は、電源（15）が投入された際に、データを記憶する第１の記憶手段（12）に格納されているBIOSデータを、第１の記憶手段（12）とは異なる第２の記憶手段（13）にコピーし、OSを終了する際に、第１の記憶手段（12）に格納されているBIOSデータと、第２の記憶手段（13）にコピーしたBIOSデータと、を比較し、双方のBIOSデータが異なる場合は、第２の記憶手段（13）にコピーしたBIOSデータを、第１の記憶手段（12）にコピーする。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリ等の不揮発性メモリの誤書き込み、誤消去を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】内部リセット信号を正論理で保持するレジスタと負論理で保持するレジスタとを複数設け、これらの出力信号と、外部リセット信号とを入力し、これらの信号のいずれかがリセット状態である場合に活性化し、これらの信号のいずれもリセット状態でない場合に非活性化するメモリリセット信号を出力するメモリリセット信号を出力するメモリリセット信号生成回路と、メモリリセット信号を入力し、メモリリセット信号が活性化しているときにリードライトアクセス、消去動作が禁止される不揮発性メモリと、を備える。 （もっと読む）

【課題】データのバックアップ処理に要する時間を短縮する。
【解決手段】制御部１ａでは、制御情報生成部１ａ１は、記憶部１ａ３におけるデータの記憶状態を示す制御情報を生成する。転送制御部１ａ２は、制御部に対する電力の供給が停止した場合に、制御情報生成部１ａ１で生成された制御情報に基づいて記憶部１ａ３に記憶されているデータの記憶部１ａ４への転送を制御する。記憶部１ａ３は、記憶媒体１ｂに記憶されるデータを記憶する。記憶部１ａ４は、制御部１ａに対する電力の供給が停止した場合に、記憶部１ａ３に記憶されているデータを記憶する。記憶媒体１ｂは、データを記憶する。 （もっと読む）

【課題】キャッシュデータのバックアップ処理に要する処理時間を短縮する。
【解決手段】 記憶装置とのアクセス時に取得したデータを記憶するキャッシュメモリと、不揮発性メモリと、キャッシュメモリ内に記憶されているデータにおいて、退避の優先順位を決定するための情報を記憶する管理テーブルと、キャッシュメモリへのデータ記憶に際し、データの種別に応じて、退避の優先順位を決定するための情報を管理テーブルに記憶させる管理手段と、停電発生時に、管理テーブルに記憶されている退避の優先順位を決定するための情報に基づき、キャッシュメモリに記憶されているデータを不揮発性メモリに書き込む処理を実行する停電処理部とを有する。 （もっと読む）

【課題】制御動作を正常に行える状態に戻ったときに、情報のメモリへの記憶が直ちに再開できるようにする。
【解決手段】制御装置２によれば、制御動作を正常に行える状態に戻った場合に、そのような状態変化に着目して、他のいずれの処理よりも優先して、制御動作に伴う情報の記憶を直ちに再開させることができる。これにより、例えば、制御動作に関する情報として情報（学習データ）を動作メモリ２３のＲＡＭ領域２２０に記憶させた後、こうして記憶された情報を制御動作に反映させる場合においては、最新の情報に基づく適切な制御動作を行うことができるようになり好適である。 （もっと読む）

【課題】
ＩＣタグを用いた画像形成装置において、電源遮断後におけるＩＣタグへのデータ書き込みの際に、誤動作が生ずるのを防止する。
【解決手段】
ＩＣタグに対しデータ読込み／書込み動作を行うリーダライタ８と、画像形成装置の内部電源Ｖｃｃが断になったときにリーダライタ８に電源を供給するコンデンサ３３と、画像形成装置の内部電源Ｖｃｃの電圧を検知するＡＤ変換部８４と、コンデンサ３３からリーダライタ８を除く電気回路への通電を制御するスイッチ３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、記憶されるデータが変化することを免れる制御装置及び制御装置を備える電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の制御装置は、動作電圧を受けてデータを記憶するストレージユニットの動作を制御するために用いられ、且つ動作電圧が所定電圧より小さい時に第一制御信号を送信し、動作電圧が所定電圧より大きい時に第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、ストレージユニットは、第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、第二制御信号を受信すると、データを記憶する。本発明の電子装置は、電圧を出力する電源モジュールと、外部の記憶装置から伝送するデータを記憶するストレージユニットと、電源モジュールとストレージユニットとの間に接続されて、電源モジュールから出力する電圧を受け、且つ前記電圧によってストレージユニットの動作を制御する制御装置と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 メモリの動作に影響する環境の変化より設定されているパラメータが適合しなくなり、再設定が必要となるタイミングでメモリパラメータの自動設定を実施可能として、継続的に最適な動作状態を保証すること。
【解決手段】 省エネ期間でもジョブの有無を確認する手順（Ｓ２０３）に合わせて、メモリの動作に影響する環境の変化（メモリの周囲温度、メモリの作動回路への供給電圧、省エネ遷移からの経過時間など）を捉えるために画像処理装置の動作状態を監視し、監視結果をもとに、設定されたメモリパラメータの妥当性の有無を判定し（Ｓ２０６）、この判定により妥当性が否定される場合に、再設定を実行する（Ｓ２０７）。本発明によると、予め定められた一定期間毎に再設定を行う従来法のように必要な状況で再設定を行わない場合が生じることがなく、常時最適な動作状態を保証することができる。 （もっと読む）

【課題】リード／ライトの高速化が図れるメモリシステムを提供する。
【解決手段】メモリシステムは、電気的にデータの消去、書き込みが可能なメモリセルを複数配設してなるフラッシュ型ＥＥＰＲＯＭからなる第１のメモリ１３−１，…，１３−ｎと、強誘電体メモリ，磁気抵抗メモリ，及び相変化メモリの何れかからなり、第１のメモリよりも小容量で書き込み速度の速い第２のメモリ１４と、第１及び第２のメモリ１３，１４を制御するコントロール回路１５と、外部との通信を行うインターフェース回路とを有する。第１のメモリ１３にはデータを記憶し、第２のメモリ１４にはデータを記憶するためのルート情報、ディレクトリ情報、データのファイル名称、データのファイルサイズ、データの記憶箇所を記憶するファイルアロケーションテーブル情報、及びデータの書き込み終了時間の少なくとも一つを記憶する。 （もっと読む）

【課題】 情報処理装置において、基準時間と蓄積時間とに基づき、記憶手段への電力供給を適切に制御すること。
【解決手段】 情報処理装置が省電力モードに移行されるべき条件が成立した場合において、蓄積時間が所定の値（基準時間未満）より大きい場合は、記憶手段への電力供給を第１のタイミングで減少させ、蓄積時間が所定の値より小さい場合は、記憶手段への電力供給を第１のタイミングより遅い第２のタイミングで減少させる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリのデータの保持期間を延ばし、また、フラッシュメモリのブロックの消去回数を減らして、フラッシュメモリの寿命を延ばす事のできるメモリ制御装置を提供する。
【解決手段】データを格納する不揮発性の記憶部と、前記記憶部と前記プロセッサに電力を供給する電源部と、前記記憶部に前記データが書き込まれたデータの更新日時を記憶する更新日時記憶部と、日時を刻む時計部と、を備え前記電源部が前記電力供給を停止する場合で、かつ前記時計部の日時と前記更新日時記憶部の日時との差が所定の閾値を超えた場合、前記データを前記記憶部に書き込み、その後に、前記電力供給を停止する電子機器、を備えた構成を有することで、無停電状態における記憶部のデータ保持期間を延ばす事ができる。 （もっと読む）

【課題】フラッシュメモリへのアプリケーションデータのバックアップにおいて、フラッシュメモリ上のデータ管理をファイル形式でなくアドレス形式にした場合、バックアップ処理の管理が複雑であり、アプリケーションの変更に対し、冗長性が乏しい。
【解決手段】アプリケーションデータのＲＡＭ上でのアドレス１とフラッシュメモリ上のバックアップデータ４を対応付けるデータベース２を構築し、一変数に対してひとつの変数ＩＤを設ける。また、アプリケーションの変更に対応するためにバックアップデータから変数ＩＤを再構築する手段と変数ＩＤがアプリケーションに依存しないように変数を登録する手段とを用いている。 （もっと読む）

【課題】使用するチャネル番号の増加を抑制しつつ、コンテンツファイル及び複数のコンテンツ管理情報ファイルを、書き込み性能の低下が発生しないように並列的に書き込むことが可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性記憶装置１は、データを記憶する不揮発性メモリ１２と、不揮発性メモリ１２の制御を行うメモリコントローラ１１とを備え、メモリコントローラ１１は、アクセス装置２からデータの書き込みを行っている期間中に、アクセス装置２から書き込みを休止する休止指示を受付け、アクセス装置２から受信したデータを所定時間内に不揮発性メモリ１２に書き込み後、書き込みを休止し、アクセス装置２からの新たなデータの読み出し及び／又は書き込みを受付ける。 （もっと読む）

【課題】電源遮断時の書き込みモードとは別に、高速なデータ書き込みを実現するための書き込みモードを持ち、コンテンツデータの書き込み時間を短縮することができる不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】メモリコントローラ１０３は、不揮発性メモリ１０４の物理ブロックに対するデータの書き込み及び読み出しを制御する読み出し／書き込み制御部１１０と、書き込み中の電源遮断に対してデータを保護する第１の書き込みモードと、第１の書き込みモードより高速にデータを書き込む第２の書き込みモードとのうち一方の書き込みモードを格納するための書き込みモードテーブル１０８と、アクセス装置１００から受信した書き込みモードを書き込みモードテーブル１０８に設定する設定部とを備え、読み出し／書き込み制御部１１０は、書き込みモードテーブル１０８に設定された書き込みモードに基づいてデータの書き込みを行う。 （もっと読む）

【課題】回路規模を大きくすることなく、複数の動作モードに対して各々異なる動作保障最低電圧を保障するマイクロコンピュータを提供する。
【解決手段】ファームウェアは、ＣＰＵが実行可能な複数の動作モードのうちの１つの動作モードをＣＰＵに実行させる。電圧検出回路は、１つの動作モードが実行されるときの電源電圧ＶＤＤが動作保障最低電圧以下である場合、１つの動作モードの実行を停止させるための割込信号５０をＣＰＵに出力する。電圧検出回路は、複数の動作モードのそれぞれに対する分圧比の中から、１つの動作モードに対応する対応分圧比を選択し、複数の分圧電圧の中から、電源電圧ＶＤＤの対応分圧比を表す分圧電圧を選択分圧電圧ＶＬＶＩとして選択する。この選択分圧電圧ＶＬＶＩが基準電圧ＶＲＥＦ（動作保障最低電圧の１／Ｌ）以下である場合、割込信号５０を出力する。 （もっと読む）

【課題】小型・低コストのメリットを阻害することのない、マイコンと共通の電源電圧で動作する不揮発性メモリの電源瞬断対応回路であって、電源瞬断があっても確実なデータ保証が可能な不揮発性メモリの電源瞬断対応回路を提供する。
【解決手段】マイコン１００のパワーオンリセット電圧ＶＰＯＲより上にある不揮発性メモリ９４の動作保証電圧範囲ＶＤＤ＿ＭＩＮ〜ＶＤＤ＿ＭＡＸにおいて、瞬断による電源電圧ＶＤＤの低下を検出し、瞬断検出信号を出力する瞬断発生検出回路４０と、瞬断検出信号により、不揮発性メモリ９４の書換え情報設定レジスタ９４ａにある書換え情報を該不揮発性メモリ９４の外部で保持する書換え情報保持手段（ラッチレジスタ４１）と、瞬断検出信号を保持する瞬断検出信号保持手段（瞬断検出フラグ４２）とを有してなる電源瞬断対応回路とする。 （もっと読む）

【課題】電源遮断時に電源を供給できるキャパシタＣｓを備え、揮発性メモリ１５を経由して不揮発性メモリ１４にデータを格納し電源遮断時に揮発性メモリ１５に格納されたデータを不揮発性メモリ１４に格納できるディスク装置１において、キャパシタＣｓの容量を精度よく測定し、確実にキャパシタＣｓの寿命を判定できるようにする。
【解決手段】キャパシタＣｓの負荷となる測定用負荷２１と、キャパシタＣｓへの電源入力側と電源出力側にそれぞれ備えるスイッチＳＷ１とスイッチＳＷ２と、キャパシタＣｓと測定用負荷２１との間に備えスイッチＳＷ１とＳＷ２のオンオフと背反してオンオフするスイッチＳＷ３とを備え、所定の時に、スイッチＳＷ３をオンとしキャパシタＣｓが所定の電圧Ｖａ以下となるまでの放電時間Ｔａを測定し、当該放電時間Ｔａに基づいてキャパシタＣｓの容量を推定できるようにした。 （もっと読む）

【課題】不測の電源遮断に対応する設定情報の保持方法について工夫する。
【解決手段】記憶装置として不揮発性記憶手段を有する画像形成装置を前提として、上記不揮発性記憶手段の記憶領域を少なくとも三つの領域に分割する記憶領域分割手段と、上記分割された記憶領域の内の二つの領域を使用して、同じ情報を記憶させるデータ書き込み手段と、上記二つの領域へのデータの書き込み中に不測の電源遮断が発生することにより、データが壊れたことを検知する異常検知手段(S22,S24)と、上記データが壊れた領域とは別の領域に保持されている正常なデータを、上記分割された記憶領域の内の使用していない領域にコピーすることにより、データを復帰させる復帰処理手段(S26)とを備える。 （もっと読む）

【課題】セルフリフレッシュ機能を有するメモリを制御するメモリ制御装置において、電源電圧が低下した場合でも、メモリの記憶内容を正確に保持すること。
【解決手段】＋２４Ｖの電源電圧が低下すると、検出信号ｓｄｂｋｕｐｎがＨＩＧＨとなり（１）、それに応じてリブート信号ｒｅｑ＿ｒｅｂｏｏｔがＨＩＧＨとなる（２）。すると、信号ｓｅｌｆ＿ｒｅｆｌｅｓｈがＨＩＧＨとなり（３）、ＳＤＲＡＭコントローラ３３を介してＳＤＲＡＭ９にセルフリフレッシュ動作が指示される。また、リブート信号ｒｅｑ＿ｒｅｂｏｏｔに応じて信号ｒｅｂｏｏｔ＿ｏｕｔｐｕｔ＿ｎもＬＯＷとなる（４）。すると、信号ｂ＿ｗａｔｃｈ＿ｉｎ＿ｎ，信号ｒｓｔ＿ｒｓｔｃｔｌ＿ｎ，信号ｒｓｔ＿ｃｐｕ＿ｎが順次ＬＯＷとなって、監視ブロック３５，リセットコントローラ３７，ＣＰＵ３１が順次リセットされる。 （もっと読む）