制御装置及び制御装置を備える電子装置
【課題】本発明は、記憶されるデータが変化することを免れる制御装置及び制御装置を備える電子装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の制御装置は、動作電圧を受けてデータを記憶するストレージユニットの動作を制御するために用いられ、且つ動作電圧が所定電圧より小さい時に第一制御信号を送信し、動作電圧が所定電圧より大きい時に第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、ストレージユニットは、第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、第二制御信号を受信すると、データを記憶する。本発明の電子装置は、電圧を出力する電源モジュールと、外部の記憶装置から伝送するデータを記憶するストレージユニットと、電源モジュールとストレージユニットとの間に接続されて、電源モジュールから出力する電圧を受け、且つ前記電圧によってストレージユニットの動作を制御する制御装置と、を備える。
【解決手段】本発明の制御装置は、動作電圧を受けてデータを記憶するストレージユニットの動作を制御するために用いられ、且つ動作電圧が所定電圧より小さい時に第一制御信号を送信し、動作電圧が所定電圧より大きい時に第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、ストレージユニットは、第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、第二制御信号を受信すると、データを記憶する。本発明の電子装置は、電圧を出力する電源モジュールと、外部の記憶装置から伝送するデータを記憶するストレージユニットと、電源モジュールとストレージユニットとの間に接続されて、電源モジュールから出力する電圧を受け、且つ前記電圧によってストレージユニットの動作を制御する制御装置と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子技術領域に関するものであり、特に制御装置及び制御装置を備える電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
消費性電子製品の音声及び画像情報はデータ形式で記憶装置に記憶されており、音声及び画像情報を再生する際、記憶装置からデータを読み取って同期型ＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ，ＳＤＲＡＭ）に記憶するが、同期型ＤＲＡＭに供給された電圧が２．０Ｖより小さいと、同期型ＤＲＡＭに記憶されるデータは変化する可能性がある。従って、電子製品がデコーディングなどの操作により復元した音声及び画像情報は、元の音声及び画像情報に対応せず、表示装置にモザイク、停滞が出現し、音声も間違って、電子製品の品質に影響を与える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、前記課題を解決し、記憶されるデータが変化することを免れる制御装置及び制御装置を備える電子装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る制御装置は、動作電圧を受けてデータを記憶するストレージユニットの動作を制御するために用いられ、前記動作電圧を受け、前記動作電圧が所定電圧より小さいと、第一制御信号を送信し、前記動作電圧が所定電圧より大きいと、第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、前記ストレージユニットは、前記第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、前記第二制御信号を受信すると、データを記憶する。
【０００５】
本発明に係る電子装置は、外部の記憶装置に接続されてデータを伝送することができ、電圧を出力する電源モジュールと、外部の記憶装置から伝送するデータを記憶するストレージユニットと、前記電源モジュールと前記ストレージユニットとの間に接続されて、前記電源モジュールから出力する電圧を受け、且つ前記電圧によって前記ストレージユニットの動作を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記動作電圧を受け、前記動作電圧が所定電圧より小さいと、第一制御信号を送信し、前記動作電圧が所定電圧より大きいと、第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、前記ストレージユニットは、前記第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、前記第二制御信号を受信すると、データを記憶する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の制御装置を備える電子装置は、供給電圧に異常が発生すると、同期型ＤＲＡＭの動作を停止することにより、間違ったデータを記憶して、前記電子装置の品質に影響を与えることを防止する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る制御装置を備える電子装置の機能ブロック図である。
【図２】図１に示す電子装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、本発明の実施形態に係る電子装置１００の機能ブロック図である。前記電子装置１００は、外部の記憶装置２００に接続されてデータを伝送する。前記電子装置１００は、ＤＶＤプレーヤー、ＭＰ３、ＭＰ４、ノートパソコンなどであることができる。複数のロードに同時に接続するために、前記電子装置１００は複数の出力ボードを備えることができる。前記記憶装置２００は、光ディスク、モバイルハードディスク、ＵＳＢメモリなどであることができ、音声、画像、文字及びこれらの結合のようなデータを記憶するために用いられる。
【０００９】
前記電子装置１００は、電源モジュール１０、制御装置２０及びストレージユニット３０を備える。前記記憶装置２００を前記電子装置１００に接続してから、前記記憶装置２００に記憶されたデータを前記ストレージユニット３０に伝送して記憶して、前記電子装置１００が後のデータ処理を行うことにする。
【００１０】
前記電源モジュール１０は、前記制御装置２０に電気的に接続されて、前記制御装置２０に電圧を出力するために用いられ、前記電圧は、３．３Ｖのシステム供給電圧である。
【００１１】
前記制御装置２０は、前記電源モジュール１０及び前記ストレージユニット３０に電気的に接続されて、前記ストレージユニット３０の動作を制御するために用いられる。前記制御装置２０は、フィルターユニット２０１及び保護ユニット２０３を備える。
【００１２】
前記フィルターユニット２０１は、前記電源モジュール１０に電気的に接続されて、前記電源モジュール１０から出力する電圧をフィルタリングして、安定した電圧を出力する。
【００１３】
前記保護ユニット２０３は、前記フィルターユニット２０１に電気的に接続されて、前記フィルターユニット２０１から出力する安定した電圧を受け、且つ前記安定電圧に基づいて制御信号を出力する。前記フィルターユニット２０１から出力する安定した電圧が所定電圧より小さいと、前記保護ユニット２０３は第一制御信号を送信するが、前記フィルターユニット２０１から出力する安定した電圧が所定電圧より大きいか又は等しいと、前記保護ユニット２０３は第二制御信号を送信する。前記所定電圧は、前記ストレージユニット３０が正常に動作する時に必要とする電圧によって設定することができる。
【００１４】
前記ストレージユニット３０は、前記保護ユニット２０３から出力する制御信号を受信して動作し且つ前記記憶装置２００から伝送するデータを記憶する。前記制御信号が第一制御信号である場合、前記ストレージユニット３０は前記記憶装置２００から伝送するデータの記憶を停止し、前記制御信号が第二制御信号である場合、前記ストレージユニット３０は前記記憶装置２００から伝送するデータを正常に記憶する。本実施形態において、前記ストレージユニット３０は同期型ＤＲＡＭであるが、他の実施形態において、前記ストレージユニット３０はＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの他のメモリであることができる。
【００１５】
図２は、前記電子装置１００の回路図である。前記電源モジュール１０は、電圧源Ｖ１を備える。前記フィルターユニット２０１は、フィルタリングコンデンサーＣ１及びダイオードＤ１を備える。前記フィルタリングコンデンサーＣ１及び前記ダイオードＤ１は、前記電圧源Ｖ１とグランドとの間に並列に接続される。前記ダイオードＤ１の陰極は前記電圧源Ｖ１に接続され、前記ダイオードＤ１の陽極は接地する。
【００１６】
前記保護ユニット２０３は、第一レジスターＲ１、第二レジスターＲ２、第三レジスターＲ３、第四レジスターＲ４、第一ノードＡ１、第二ノードＡ２、第三ノードＡ３、第一トランジスターＱ１及び第二トランジスターＱ２を備える。前記第一レジスターＲ１の一端は前記ダイオードＤ１の陰極に接続され、前記第一レジスターＲ１の他端は前記第一ノードＡ１を介して前記第二レジスターＲ２に直列に接続される。前記第二レジスターＲ２の一端は前記第一ノードＡ１に接続され、前記第二レジスターＲ２の他端は接地する。前記第三レジスターＲ３の一端は前記電圧源Ｖ１に接続され、前記第三レジスターＲ３の他端は前記第二ノードＡ２に接続される。前記第一トランジスターＱ１のベースは前記第一ノードＡ１を介して前記第二レジスターＲ２に接続され、前記第一トランジスターＱ１のコレクタは前記第二ノードＡ２を介して前記第三レジスターＲ３に接続され、前記第一トランジスターＱ１のエミッタは接地する。前記第二トランジスターＱ２のゲート電極は前記第二ノードＡ２に接続され、前記第二トランジスターＱ２のドレイン電極は前記第三ノードＡ３を介して前記第四レジスターＲ４に接続され、前記第二トランジスターＱ２のソース電極は接地する。前記第四レジスターＲ４の一端は前記第三ノードＡ３に接続され、前記第四レジスターＲ４の他端は前記電圧源Ｖ１に接続される。本実施形態において、前記第一トランジスターＱ１はＮＰＮ型バイポーラトランジスターであり、前記第二トランジスターＱ２はＮ型電界効果トランジスターである。
【００１７】
前記ストレージユニット３０は、前記第三ノードＡ３に接続されるピンＰ１を有する。本実施形態において、前記第三ノードＡ３の電圧が２．０Ｖより大きいと、前記ピンＰ１は高レベルに識別され、前記ストレージユニット３０は正常に動作する。前記第三ノードＡ３の電圧が０．８Ｖより小さいと、前記ピンＰ１は低レベルに識別され、前記ストレージユニット３０は動作を停止する。本実施形態において、前記ストレージユニット３０は、２．０Ｖより大きい時に正常に動作するため、前記所定電圧を２．０Ｖに設定する。他の実施形態において、前記ストレージユニット３０がＳＲＡＭである場合、前記所定電圧はＳＲＡＭが正常に動作する時に必要とする最低電圧によって設定する。
【００１８】
以下、前記ストレージユニット３０が同期型ＤＲＡＭである場合、制御回路が前記ストレージユニット３０の動作をどのように制御するかを説明する。
【００１９】
前記第一レジスターＲ１、前記第二レジスターＲ２及び前記第三レジスターＲ３の電気抵抗値を設置して、前記電圧源Ｖ１から出力する電圧が３．３Ｖである場合、前記第一ノードＡ１と前記第一トランジスターＱ１のエミッタとの間の電圧差を前記第一トランジスターＱ１の導通電圧より大きくすると、前記第一トランジスターＱ１が導通する。前記第一トランジスターＱ１が導通すると、前記第二ノードＡ２の電圧が０Ｖになって、前記第二ノードＡ２と前記第二トランジスターＱ２のソース電極との間の電圧差は前記第二トランジスターＱ２の導通電圧より小さく、前記第二トランジスターＱ２がカットオフする。この時、前記第三ノードＡ３の電圧は前記電圧源Ｖ１の出力電圧と同じであり、即ち前記第三ノードＡ３の電圧は３．３Ｖであり、前記ピンＰ１は高レベルに識別されて、前記ストレージユニット３０が正常に動作し、前記記憶装置２００のデータは前記ストレージユニット３０に伝送される。
【００２０】
前記電圧源Ｖ１の瞬間出力電圧が所定電圧より小さい時（例えば、複数のロードが同時に動作すると、出力電圧は安定ではない）、前記第一ノードＡ１の電圧と前記第一トランジスターＱ１のエミッタとの間の電圧差が前記第一トランジスターＱ１の導通電圧より小さく、前記第一トランジスターＱ１がカットオフする。前記第三レジスターＲ３を通して前記第二ノードＡ２は一定の電圧値を分けて取得するので、前記第二ノードＡ２と前記第二トランジスターＱ２のソース電極との間の電圧差は前記第二トランジスターＱ２の導通電圧より大きく、前記第二トランジスターＱ２が導通する。この時、前記第三ノードＡ３の電圧が瞬間的に０．８Ｖになり、前記ピンＰ１は低レベルに識別され、前記ストレージユニット３０は動作を停止し、即ち電圧変動による同期型ＤＲＡＭに記憶されるデータが変化して、前記ストレージユニット３０に間違ったデータを記憶し、前記電子装置１００が復元する画像、音声、文字又はこれらの結合に異常が発生することを防止する。
【００２１】
以上、本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更が可能であることは勿論であって、本発明の技術的範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。
【符号の説明】
【００２２】
１０ 電源モジュール
２０ 制御装置
３０ ストレージユニット
１００ 電子装置
２００ 記憶装置
２０１ フィルターユニット
２０３ 保護ユニット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子技術領域に関するものであり、特に制御装置及び制御装置を備える電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
消費性電子製品の音声及び画像情報はデータ形式で記憶装置に記憶されており、音声及び画像情報を再生する際、記憶装置からデータを読み取って同期型ＤＲＡＭ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｏｕｓ Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ，ＳＤＲＡＭ）に記憶するが、同期型ＤＲＡＭに供給された電圧が２．０Ｖより小さいと、同期型ＤＲＡＭに記憶されるデータは変化する可能性がある。従って、電子製品がデコーディングなどの操作により復元した音声及び画像情報は、元の音声及び画像情報に対応せず、表示装置にモザイク、停滞が出現し、音声も間違って、電子製品の品質に影響を与える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、前記課題を解決し、記憶されるデータが変化することを免れる制御装置及び制御装置を備える電子装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明に係る制御装置は、動作電圧を受けてデータを記憶するストレージユニットの動作を制御するために用いられ、前記動作電圧を受け、前記動作電圧が所定電圧より小さいと、第一制御信号を送信し、前記動作電圧が所定電圧より大きいと、第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、前記ストレージユニットは、前記第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、前記第二制御信号を受信すると、データを記憶する。
【０００５】
本発明に係る電子装置は、外部の記憶装置に接続されてデータを伝送することができ、電圧を出力する電源モジュールと、外部の記憶装置から伝送するデータを記憶するストレージユニットと、前記電源モジュールと前記ストレージユニットとの間に接続されて、前記電源モジュールから出力する電圧を受け、且つ前記電圧によって前記ストレージユニットの動作を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記動作電圧を受け、前記動作電圧が所定電圧より小さいと、第一制御信号を送信し、前記動作電圧が所定電圧より大きいと、第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、前記ストレージユニットは、前記第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、前記第二制御信号を受信すると、データを記憶する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の制御装置を備える電子装置は、供給電圧に異常が発生すると、同期型ＤＲＡＭの動作を停止することにより、間違ったデータを記憶して、前記電子装置の品質に影響を与えることを防止する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態に係る制御装置を備える電子装置の機能ブロック図である。
【図２】図１に示す電子装置の回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、本発明の実施形態に係る電子装置１００の機能ブロック図である。前記電子装置１００は、外部の記憶装置２００に接続されてデータを伝送する。前記電子装置１００は、ＤＶＤプレーヤー、ＭＰ３、ＭＰ４、ノートパソコンなどであることができる。複数のロードに同時に接続するために、前記電子装置１００は複数の出力ボードを備えることができる。前記記憶装置２００は、光ディスク、モバイルハードディスク、ＵＳＢメモリなどであることができ、音声、画像、文字及びこれらの結合のようなデータを記憶するために用いられる。
【０００９】
前記電子装置１００は、電源モジュール１０、制御装置２０及びストレージユニット３０を備える。前記記憶装置２００を前記電子装置１００に接続してから、前記記憶装置２００に記憶されたデータを前記ストレージユニット３０に伝送して記憶して、前記電子装置１００が後のデータ処理を行うことにする。
【００１０】
前記電源モジュール１０は、前記制御装置２０に電気的に接続されて、前記制御装置２０に電圧を出力するために用いられ、前記電圧は、３．３Ｖのシステム供給電圧である。
【００１１】
前記制御装置２０は、前記電源モジュール１０及び前記ストレージユニット３０に電気的に接続されて、前記ストレージユニット３０の動作を制御するために用いられる。前記制御装置２０は、フィルターユニット２０１及び保護ユニット２０３を備える。
【００１２】
前記フィルターユニット２０１は、前記電源モジュール１０に電気的に接続されて、前記電源モジュール１０から出力する電圧をフィルタリングして、安定した電圧を出力する。
【００１３】
前記保護ユニット２０３は、前記フィルターユニット２０１に電気的に接続されて、前記フィルターユニット２０１から出力する安定した電圧を受け、且つ前記安定電圧に基づいて制御信号を出力する。前記フィルターユニット２０１から出力する安定した電圧が所定電圧より小さいと、前記保護ユニット２０３は第一制御信号を送信するが、前記フィルターユニット２０１から出力する安定した電圧が所定電圧より大きいか又は等しいと、前記保護ユニット２０３は第二制御信号を送信する。前記所定電圧は、前記ストレージユニット３０が正常に動作する時に必要とする電圧によって設定することができる。
【００１４】
前記ストレージユニット３０は、前記保護ユニット２０３から出力する制御信号を受信して動作し且つ前記記憶装置２００から伝送するデータを記憶する。前記制御信号が第一制御信号である場合、前記ストレージユニット３０は前記記憶装置２００から伝送するデータの記憶を停止し、前記制御信号が第二制御信号である場合、前記ストレージユニット３０は前記記憶装置２００から伝送するデータを正常に記憶する。本実施形態において、前記ストレージユニット３０は同期型ＤＲＡＭであるが、他の実施形態において、前記ストレージユニット３０はＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）などの他のメモリであることができる。
【００１５】
図２は、前記電子装置１００の回路図である。前記電源モジュール１０は、電圧源Ｖ１を備える。前記フィルターユニット２０１は、フィルタリングコンデンサーＣ１及びダイオードＤ１を備える。前記フィルタリングコンデンサーＣ１及び前記ダイオードＤ１は、前記電圧源Ｖ１とグランドとの間に並列に接続される。前記ダイオードＤ１の陰極は前記電圧源Ｖ１に接続され、前記ダイオードＤ１の陽極は接地する。
【００１６】
前記保護ユニット２０３は、第一レジスターＲ１、第二レジスターＲ２、第三レジスターＲ３、第四レジスターＲ４、第一ノードＡ１、第二ノードＡ２、第三ノードＡ３、第一トランジスターＱ１及び第二トランジスターＱ２を備える。前記第一レジスターＲ１の一端は前記ダイオードＤ１の陰極に接続され、前記第一レジスターＲ１の他端は前記第一ノードＡ１を介して前記第二レジスターＲ２に直列に接続される。前記第二レジスターＲ２の一端は前記第一ノードＡ１に接続され、前記第二レジスターＲ２の他端は接地する。前記第三レジスターＲ３の一端は前記電圧源Ｖ１に接続され、前記第三レジスターＲ３の他端は前記第二ノードＡ２に接続される。前記第一トランジスターＱ１のベースは前記第一ノードＡ１を介して前記第二レジスターＲ２に接続され、前記第一トランジスターＱ１のコレクタは前記第二ノードＡ２を介して前記第三レジスターＲ３に接続され、前記第一トランジスターＱ１のエミッタは接地する。前記第二トランジスターＱ２のゲート電極は前記第二ノードＡ２に接続され、前記第二トランジスターＱ２のドレイン電極は前記第三ノードＡ３を介して前記第四レジスターＲ４に接続され、前記第二トランジスターＱ２のソース電極は接地する。前記第四レジスターＲ４の一端は前記第三ノードＡ３に接続され、前記第四レジスターＲ４の他端は前記電圧源Ｖ１に接続される。本実施形態において、前記第一トランジスターＱ１はＮＰＮ型バイポーラトランジスターであり、前記第二トランジスターＱ２はＮ型電界効果トランジスターである。
【００１７】
前記ストレージユニット３０は、前記第三ノードＡ３に接続されるピンＰ１を有する。本実施形態において、前記第三ノードＡ３の電圧が２．０Ｖより大きいと、前記ピンＰ１は高レベルに識別され、前記ストレージユニット３０は正常に動作する。前記第三ノードＡ３の電圧が０．８Ｖより小さいと、前記ピンＰ１は低レベルに識別され、前記ストレージユニット３０は動作を停止する。本実施形態において、前記ストレージユニット３０は、２．０Ｖより大きい時に正常に動作するため、前記所定電圧を２．０Ｖに設定する。他の実施形態において、前記ストレージユニット３０がＳＲＡＭである場合、前記所定電圧はＳＲＡＭが正常に動作する時に必要とする最低電圧によって設定する。
【００１８】
以下、前記ストレージユニット３０が同期型ＤＲＡＭである場合、制御回路が前記ストレージユニット３０の動作をどのように制御するかを説明する。
【００１９】
前記第一レジスターＲ１、前記第二レジスターＲ２及び前記第三レジスターＲ３の電気抵抗値を設置して、前記電圧源Ｖ１から出力する電圧が３．３Ｖである場合、前記第一ノードＡ１と前記第一トランジスターＱ１のエミッタとの間の電圧差を前記第一トランジスターＱ１の導通電圧より大きくすると、前記第一トランジスターＱ１が導通する。前記第一トランジスターＱ１が導通すると、前記第二ノードＡ２の電圧が０Ｖになって、前記第二ノードＡ２と前記第二トランジスターＱ２のソース電極との間の電圧差は前記第二トランジスターＱ２の導通電圧より小さく、前記第二トランジスターＱ２がカットオフする。この時、前記第三ノードＡ３の電圧は前記電圧源Ｖ１の出力電圧と同じであり、即ち前記第三ノードＡ３の電圧は３．３Ｖであり、前記ピンＰ１は高レベルに識別されて、前記ストレージユニット３０が正常に動作し、前記記憶装置２００のデータは前記ストレージユニット３０に伝送される。
【００２０】
前記電圧源Ｖ１の瞬間出力電圧が所定電圧より小さい時（例えば、複数のロードが同時に動作すると、出力電圧は安定ではない）、前記第一ノードＡ１の電圧と前記第一トランジスターＱ１のエミッタとの間の電圧差が前記第一トランジスターＱ１の導通電圧より小さく、前記第一トランジスターＱ１がカットオフする。前記第三レジスターＲ３を通して前記第二ノードＡ２は一定の電圧値を分けて取得するので、前記第二ノードＡ２と前記第二トランジスターＱ２のソース電極との間の電圧差は前記第二トランジスターＱ２の導通電圧より大きく、前記第二トランジスターＱ２が導通する。この時、前記第三ノードＡ３の電圧が瞬間的に０．８Ｖになり、前記ピンＰ１は低レベルに識別され、前記ストレージユニット３０は動作を停止し、即ち電圧変動による同期型ＤＲＡＭに記憶されるデータが変化して、前記ストレージユニット３０に間違ったデータを記憶し、前記電子装置１００が復元する画像、音声、文字又はこれらの結合に異常が発生することを防止する。
【００２１】
以上、本発明を実施例に基づいて具体的に説明したが、本発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々の変更が可能であることは勿論であって、本発明の技術的範囲は、以下の特許請求の範囲から決まる。
【符号の説明】
【００２２】
１０ 電源モジュール
２０ 制御装置
３０ ストレージユニット
１００ 電子装置
２００ 記憶装置
２０１ フィルターユニット
２０３ 保護ユニット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作電圧を受けてデータを記憶するストレージユニットの動作を制御するために用いられる制御装置であって、 前記動作電圧を受け、前記動作電圧が所定電圧より小さいと、第一制御信号を送信し、前記動作電圧が所定電圧より大きいと、第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、
前記ストレージユニットは、前記第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、前記第二制御信号を受信すると、データを記憶することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記保護ユニットは、第一レジスター、第二レジスター、第三レジスター、第四レジスター、第一ノード、第二ノード、第三ノード、第一トランジスター及び第二トランジスターを備え、
前記第一レジスターは、前記第一ノードを介して前記第二レジスターに直列に接続され、且つ前記動作電圧とグランドとの間に接続され、
前記第一トランジスターのベースは前記第一ノードに接続され、前記第一トランジスターのコレクタは前記第二ノードを介して前記第三レジスターに接続され、前記第一トランジスターのエミッタは接地し、
前記第三レジスターの一端は前記動作電圧に接続され、前記第三レジスターの他端は前記第二ノードに接続され、
前記第二トランジスターのゲート電極は前記第二ノードに接続され、前記第二トランジスターのドレイン電極は前記第三ノードを介して前記第四レジスターに接続され、前記第二トランジスターのソース電極は接地し、
前記第四レジスターの一端は前記第三ノードに接続され、前記第四レジスターの他端は前記動作電圧に接続されることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記第一トランジスターはＮＰＮ型バイポーラトランジスターであり、前記第二トランジスターはＮ型電界効果トランジスターであることを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
外部の記憶装置に接続されてデータを伝送することができる電子装置であって、
電圧を出力する電源モジュールと、
外部の記憶装置から伝送するデータを記憶するストレージユニットと、
前記電源モジュールと前記ストレージユニットとの間に接続されて、前記電源モジュールから出力する電圧を受け、且つ前記電圧によって前記ストレージユニットの動作を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記動作電圧を受け、前記動作電圧が所定電圧より小さいと、第一制御信号を送信し、前記動作電圧が所定電圧より大きいと、第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、
前記ストレージユニットは、前記第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、前記第二制御信号を受信すると、データを記憶することを特徴とする電子装置。
【請求項５】
前記制御装置は、前記電源モジュールと前記保護ユニットとの間に電気的に接続されて、前記電源モジュールから出力する電圧をフィルタリングして、安定した電圧を出力するフィルターユニットをさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記フィルターユニットは、前記電源モジュールとグランドとの間に並列に接続されるフィルタリングコンデンサー及びダイオードを備え、前記ダイオードの陰極は前記電源モジュールに接続され、前記ダイオードの陽極は接地することを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項１】
動作電圧を受けてデータを記憶するストレージユニットの動作を制御するために用いられる制御装置であって、 前記動作電圧を受け、前記動作電圧が所定電圧より小さいと、第一制御信号を送信し、前記動作電圧が所定電圧より大きいと、第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、
前記ストレージユニットは、前記第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、前記第二制御信号を受信すると、データを記憶することを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記保護ユニットは、第一レジスター、第二レジスター、第三レジスター、第四レジスター、第一ノード、第二ノード、第三ノード、第一トランジスター及び第二トランジスターを備え、
前記第一レジスターは、前記第一ノードを介して前記第二レジスターに直列に接続され、且つ前記動作電圧とグランドとの間に接続され、
前記第一トランジスターのベースは前記第一ノードに接続され、前記第一トランジスターのコレクタは前記第二ノードを介して前記第三レジスターに接続され、前記第一トランジスターのエミッタは接地し、
前記第三レジスターの一端は前記動作電圧に接続され、前記第三レジスターの他端は前記第二ノードに接続され、
前記第二トランジスターのゲート電極は前記第二ノードに接続され、前記第二トランジスターのドレイン電極は前記第三ノードを介して前記第四レジスターに接続され、前記第二トランジスターのソース電極は接地し、
前記第四レジスターの一端は前記第三ノードに接続され、前記第四レジスターの他端は前記動作電圧に接続されることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記第一トランジスターはＮＰＮ型バイポーラトランジスターであり、前記第二トランジスターはＮ型電界効果トランジスターであることを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
外部の記憶装置に接続されてデータを伝送することができる電子装置であって、
電圧を出力する電源モジュールと、
外部の記憶装置から伝送するデータを記憶するストレージユニットと、
前記電源モジュールと前記ストレージユニットとの間に接続されて、前記電源モジュールから出力する電圧を受け、且つ前記電圧によって前記ストレージユニットの動作を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記動作電圧を受け、前記動作電圧が所定電圧より小さいと、第一制御信号を送信し、前記動作電圧が所定電圧より大きいと、第二制御信号を送信する保護ユニットを備え、
前記ストレージユニットは、前記第一制御信号を受信すると、データの記憶を停止し、前記第二制御信号を受信すると、データを記憶することを特徴とする電子装置。
【請求項５】
前記制御装置は、前記電源モジュールと前記保護ユニットとの間に電気的に接続されて、前記電源モジュールから出力する電圧をフィルタリングして、安定した電圧を出力するフィルターユニットをさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記フィルターユニットは、前記電源モジュールとグランドとの間に並列に接続されるフィルタリングコンデンサー及びダイオードを備え、前記ダイオードの陰極は前記電源モジュールに接続され、前記ダイオードの陽極は接地することを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１２−９０１７（Ｐ２０１２−９０１７Ａ）
【公開日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１２５０４６（Ｐ２０１１−１２５０４６）
【出願日】平成２３年６月３日（２０１１．６．３）
【出願人】（５０３０２３０６９）鴻富錦精密工業（深▲セン▼）有限公司 (399)
【出願人】（５０００８０５４６）鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 (1,018)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月１２日（２０１２．１．１２）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月３日（２０１１．６．３）
【出願人】（５０３０２３０６９）鴻富錦精密工業（深▲セン▼）有限公司 (399)
【出願人】（５０００８０５４６）鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 (1,018)
【Ｆターム（参考）】
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