【課題】これまでよりも効率的な誤差原因の探求に寄与することができる荷電粒子ビーム描画用データの生成方法を提供する。
【解決手段】平面座標系に従って回路パターン７３のレイアウトを特定する第１レイアウトデータを取得する。平面座標系に従って測定用マーク７５のレイアウトを特定する第２レイアウトデータを取得する。平面座標系に従って測定用マーク７５を囲む枠図形７４のレイアウトを特定する第３レイアウトデータを取得する。枠図形７４で囲まれる領域から回路パターン７３を削除する。回路パターン７３のレイアウトに対して枠図形７４で囲まれる領域に測定用マーク７５を合成する。 （もっと読む）

【課題】 オペレータによる目視に基づく操作を行うことなく、自動的に、初期設定した大きさの断面の電子ビームを蒸発材料表面上に照射することが出来るようにする。
【解決手段】 蒸発材料３を収容した坩堝４と基板６が設けられたチャンバー１、及び、電子銃７、集束レンズ８、９、走査コイル１１が設けられた鏡筒２を備えており、温度検出器１８が取り付けられたアパーチャ１０を集束レンズ８による電子ビーム集束位置の近傍に配置し、温度検出器１８からのアパーチャ温度信号値を基準値と比較し、その差分を制御装置１３に送る演算回路１９を設け、制御装置１３からの指令により集束レンズ８の集束作用をコントロールする様に成している。 （もっと読む）

【解決課題】 本発明は，３次元ミリング方法及び装置により，マイクロメートル又はナノメートルスケールの３次元構造を提供する。
【解決手段】 本装置は，装置台に固定された試料（２０）上にミリングビームを生成するイオンカラム（１２）を含む。パターニングコンピュータ（２２）は，様々なイオンビーム及び／又は滞留時間を生成するため，又は複数のミリングパスを形成するためにイオンカラム（１２）を制御する。後続のパスは，３次元構造を作り出すために，以前のパスを少なくとも部分的に重複する。必要に応じて，ＳＥＭカラム（１４）が提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。
【解決手段】 基板７とイオン源用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド５と、アースシールド５の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板６（６ａ、６ｂ）とを備えている。イオン処理を行わない時には、遮蔽板６がアースシールド５の開口部を覆ってイオン源用金属板３と基板７の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板６で基板７を加熱処理することができる。また、イオン処理時には、遮蔽板６ａ、６ｂが移動してアースシールド５の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくイオン源用金属板３と対向した基板７上にイオン処理をすることができる。 （もっと読む）

【課題】高速かつ高精度なエッチングが可能な加工試料の加工装置および薄膜試料の生産方法の提供。
【解決手段】ホルダ５０と、イオン銃２０と、電子銃１０とを備える。ホルダ５０は、互いに略平行な表面および裏面を有すると共に、表面および裏面の距離として厚さが定義される加工試料を把持する。また、イオン銃２０は、アルゴンイオンを放出し、ホルダ５０に把持された加工試料の裏面に、アルゴンイオンを照射する。そして、電子銃１０は、電子を放出し、ホルダ５０に把持された加工試料の表面に電子を照射するように構成される。また、マイコン３０は、電流検出器４０が測定した透過電子の電流密度を基にして、イオン銃２０が放出するアルゴンイオンの電流密度を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に梨地形状（凹凸形状）に加工する表面処理加工において、マスク形成、除去およびクリーニング工程を不要にすること、さらに梨地領域の表面に任意の粗さ分布をもたせることができる表面処理方法及び表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを被処理物の表面に照射して被処理物Ｗの表面に凹凸を形成する表面処理装置１において、被処理物Ｗの表面に電子ビームを照射する処理対象領域、処理対象領域において電子ビームを照射する照射点及び被処理物の表面の形状情報並びに電子ビームのビーム電流または収束電流の設定値を記憶する記憶手段１９と、記憶手段１９に記憶されている処理対象領域、照射点及び形状情報並びに設定値に基づいて照射点を無作為に選択して電子ビーム照射するように制御する制御装置９とを備えるものとする。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム（２０２）を用いて系統的な不均一性を補正するための装置及び方法の実施例が一般的に本書で記載される。他の実施例は、記載され且つクレームされ得る。
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【課題】イオンビーム加工装置では、イオンビームの異常状態を、試料に照射する電流でしか検知できなかったため、原因探索による補正ができず、安定な加工が実現できていなかった。
【解決手段】
第１、第２のブランカ１２８、１３４とファラデーカップ１３０、１３４を用い、第１、第２のブランカ１２８、１３４のオンオフを切り替えて、投射マスク１１５の上下２箇所でビーム電流をモニタする。これにより、投射マスク１１５の損傷を抑えながら、イオンビームの異常情報を取得し、異常原因の切り分け、異常の補正が可能となる。このため、イオンビームによる安定加工を実現することができ、イオンビーム加工装置を安定的に使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】近接効果の補正計算エラー等の異常の有無を自己診断するとともに、異常箇所の特定を容易にする電子線描画システムおよびその制御方法を提供する。
【解決手段】基板の表面に電子線を照射して所望の図形パターンを描画する電子線描画手段２と、近接効果の影響を考慮して描画図形パターンに対応する電子線の照射量を補正した補正照射量を描画領域中の小領域毎に算出する補正照射量演算手段４０とを備えた電子線描画システム６０において、上記補正照射量で電子線を照射した場合に基板に蓄積されるエネルギー量を算出し、このエネルギー量を所定の理論値と比較して誤差を算出し、補正照射量演算手段４０の動作の精度を判断する制御手段３７と、表示手段６７と、上記補正照射量を可視的に階層化した情報を上記小領域毎に表示手段６７に表示させるデータ検証支援手段６１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム装置により、簡易なプロセスにより急峻なエッジの膜を形成する。
【解決手段】デポジション加工を行った際に形成されたハロー成分３３の形状から、当該ハロー成分３３を除去した時に急峻なエッジとなるような、加工目標のイオンビーム照射プロファイル（ドーズ分布）を得る。そして、エッチングを行う際のイオンビーム１照射当りのドーズ分布を用いて、加工の目標とするドーズ分布に近似するよう、イオンビームの照射位置及びドーズ分布を算出する。ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。これにより、ドーズ分布３５のようにイオンビームが照射され、デポジション膜３２に対し急峻なエッジが得られる。 （もっと読む）

【課題】電子部品などの大断面加工においても、加工精度を確保しつつ効率良く観察し、加工することが可能な集束イオンビーム装置、及び、試料の加工方法を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置１は、試料Ｍを載置する試料台２と、イオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３となるイオンを発生させる複数のイオン源２４、イオン源２４との間に印加された電圧によってイオン源２４からイオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３を引き出す引出電極２５、及び、引出電極２５と複数のイオン源２４のそれぞれとの間に独立して電圧を印加可能な電源部とを有するイオンビーム放出手段４と、イオンビーム放出手段４から放出された複数のイオンビームＩ１、Ｉ２、Ｉ３を試料Ｍ上で集束させることが可能なイオンビーム光学系５とを備える。 （もっと読む）

【課題】軸方向磁場の強度変化によるプラズマ密度或いはイオンビーム電流の変化を低減し、精密な磁場調整なしでビーム電流を安定化するマイクロ波イオン源或いはプラズマ源と、それを利用した線形加速器システム、医療用加速器システム等の機器等の応用装置を提供する。
【解決手段】永久磁石６を放電容器４の周囲に１６個、隣り合う磁石の極性が異なるように設置し、放電で発生するプラズマを閉じ込める多極磁場Ｂ２を放電容器壁近傍に局部的に発生させる。また、この多極磁場により軸方向磁場Ｂ１の変化によるプラズマ密度の変化が低減され、電極９ａ〜９ｃの孔より引き出されるイオンビームの電流の変化も低減される。これにより磁場Ｂ１の精密な調整なしでイオンビーム電流を安定化できる。また、軸方向磁場Ｂ１を永久磁石１５で発生させた場合でも、大電流のイオンビームが安定に得られる。 （もっと読む）

【課題】真空中での溶解、溶接、加工、および蒸着等に用いられる電子源において、電子銃のビームパワーを急速に変化させる。
【解決手段】フィラメントカソード１とブロックカソード２との間に第1の電圧を印加し、ブロックカソード２とアノード３との間に第２の電圧を印加する。第1の閉ループ調整システム８，７を使用してフィラメントカソード１を定電流値に調整することによって、ブロックカソード２の最大ビームパワーに十分なフィラメント温度にする。瞬時ブロック電力値と公称ブロック電力値との間の差に反応するブロック電力調整器１３等を含む第2の閉ループ調整システム１７、１３、１２が、フィラメントカソード１とブロックカソード２との間の電圧を調整する。 （もっと読む）

高密度の電子及びプラズマのビームを発生し、加速し、伝播する装置及びプロセスであって、装置は、ガスを含んだ第１絶縁チューブと、第１絶縁チューブに気密に接続された中空のカソードと、中空のカソードに気密に接続され、溶着室内に突出して溶着室に接続された第２絶縁チューブと、第２絶縁チューブの回りに中間に位置して配置されたアノードと、カソード及びアノードに電圧を印加する手段と、溶着室からガスを排出する手段と、第１絶縁チューブ内にてガスをプラズマに自発的に転換する手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】低圧ガス中の環状アノードと平面状冷陰カソード間の磁場中で、アノードとターゲット間に電圧を印加してアノードプラズマを発生させた状態で、ターゲットに対しカソードに高い負の電圧パルスを印加して、アノードプラズマを通路とする断面積の大きい電子ビームのパルスを、ターゲットと同電位のテーブル上に設置した被照射体に繰返し照射して表面を処理する装置の発生照射エネルギ量を検知して管理できるようにする。
【解決手段】
テーブル面上に設置可能な熱量測定セットであって、テーブルに導線を介して接続される以外には熱絶縁状に保持された電子ビームの被照射面を有する熱量測定体と、該測定体の温度を測定する温度センサと、新たな電子ビーム照射前の測定体の平衡温度と照射後の平衡温度との差を読み取る測定手段と、測定した温度差と、測定体の電子ビーム照射面積、比熱、及び質量とから被照射熱量を計算して表示する装置を設ける。 （もっと読む）

【課題】 イオンビーム等のエネルギービームの収束状態や被加工物への照射方向等を維持すると共に，被加工物の加工深さなどの加工条件等に応じて被加工物へ照射するエネルギービームのエネルギーを変更する際の作業を簡略化すること。
【解決手段】 被加工物７にプロトンビームＬ１（エネルギービーム）を照射させて該被加工物７を加工するエネルギービーム加工装置Ｘにおいて，イオン発生源１及びイオン加速装置２からなるエネルギービームの発生源と上記被加工物７との間の上記プロトンビーム１の光路上に，上記プロトンビームＬ１の持つエネルギーを変更させるエネルギー変更手段１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 電子ビームにより描画対象に対して微細なパターンを高精度に描画すること。
【解決手段】 本発明の電子ビーム描画装置Ｘ１は、電子銃１２と、これから出射された電子ビームＢをパルス化して原板Ｄに向けて電子ビームパルスＢｐを発生させる手段と、電子ビームパルスＢｐのデューティ比を制御する手段と、パルス化手段による電子ビームパルス発生の有無を切り換える手段とを備える。パルス化手段は、開口部１５ａを有する絞り板１５と、電子ビームＢが開口部１５ａを通過しないように電子ビームＢを偏向するための阻止電界を各々が発生可能な偏向器１４Ａ，１４Ｂとを有し、偏向器１４Ａは、阻止電界を発生する第１状態から発生しない第２状態に一定周期で変化し、偏向器１４Ｂは同じく第１状態から第２状態に偏向器１４Ａと同じ周期かつ異なるタイミングで変化し、デューティ比制御手段は、偏向器１４Ａ，１４Ｂの状態変化のタイミングの差を変化させる。 （もっと読む）

【課題】 イオンビームの入射角度の変更が容易であり、しかも入射角度を小さくする場合でも照射位置のずれおよび照射領域の広がりを小さく抑えることができる装置および方法を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、真空容器１０と、その中に設けられていて基板６にそれよりも幅の広いイオンビーム４を照射するイオン源２と、真空容器１０内で基板６を往復駆動する基板駆動機構３０と、中心軸１４ａがイオン源２から基板寄りに離れた所にありかつ基板表面に実質的に平行である回転軸１４と、真空容器１０内に設けられていてイオン源２を回転軸１４から支持するアーム１２と、真空容器１０外に設けられていて回転軸１４を往復回転させるモータとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 電子線によるガスデポジション法で作製したものと同サイズ（ナノメートルオーダー）の微細構造を、位置とサイズを自由に制御しつつ、任意の材料、結晶性にて作製することができる新規な作製方法及び作製装置を提供する。
【解決手段】 マスクの原料となる元素を含んだガスを材料上に流しながら、電子線を材料上の所望位置に向かって照射してマスクを形成した後、エネルギービームを照射してマスクで被覆された部分以外の材料部分を取り除くことにより、材料に微細加工を行う。 （もっと読む）