【課題】試料依存性があるＦＩＢ加工において、作業者の個人差の影響を受けることなく、希望の形状に効率良く加工できるようにする。
【解決手段】イオン源で発生されたイオンビームを試料に照射するイオンビーム光学システム装置とその制御装置と、試料の構成元素を検出する元素検出器とその制御装置と、元素検出器で特定された元素に基づいて試料の加工条件を自動設定する中央処理装置とを荷電粒子線装置に実装する。 （もっと読む）

【課題】 従来の滞留時間制御による局所加工方法では、加工に伴うワークの温度変化による加工レートの変動を考慮していなかったため、加工精度が悪かった。
【解決手段】 本発明は、局所加工ツールによる第一の加工量を設定する工程（工程１）と、
第一の加工量と前記ワークの温度・加工レートから前記ワークの第一の加工時間分布を求める工程（工程２）と、第一の加工時間分布に従い加工した際のワーク温度を求める工程（工程３）と、求められた前記ワーク温度と、前記温度・加工レートと、前記第一の加工時間分布から、第二の加工量を求める工程（工程４）と、第一の加工量と前記第二の加工量との差である、加工誤差量に応じて、第二の加工時間分布を設定する工程（工程５）と、
第二の加工時間分布に基づき、前記局所加工ツールが前記ワークを加工する工程と、を有することを特徴とする局所加工方法である。 （もっと読む）

【課題】ニュートラライザの寿命を向上させるとともに、被加工物の帯電を効果的に除去し、ビーム加工位置を長時間に亘って安定させて成果物の品質を向上させる。
【解決手段】ニュートラライザ１０２は、印加される電圧Ｖ_Ｎに応じた照射量の電子を被加工物に照射する。変位量算出部１２５は、被加工物の目標加工位置を基準とするビーム加工位置の変位量ΔＧを算出する。電圧値設定部１２６は、変位量算出部１２５で算出された変位量ΔＧが所定閾値を上回った場合、ニュートラライザ１０２に印加する電圧の電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、被加工物の中和に必要な荷電粒子の照射量となる第１電圧値に設定する。また、電圧値設定部１２６は、変位量ΔＧが所定閾値を下回った場合、電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、第１電圧値よりも低い第２電圧値に設定する。電源部１１２ｂは、電圧値設定部１２６にて設定された電圧値Ｖ_Ｎ^＊に対応する電圧Ｖ_Ｎをニュートラライザ１０２に印加する。 （もっと読む）

【解決課題】 本発明は，３次元ミリング方法及び装置により，マイクロメートル又はナノメートルスケールの３次元構造を提供する。
【解決手段】 本装置は，装置台に固定された試料（２０）上にミリングビームを生成するイオンカラム（１２）を含む。パターニングコンピュータ（２２）は，様々なイオンビーム及び／又は滞留時間を生成するため，又は複数のミリングパスを形成するためにイオンカラム（１２）を制御する。後続のパスは，３次元構造を作り出すために，以前のパスを少なくとも部分的に重複する。必要に応じて，ＳＥＭカラム（１４）が提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを照射してパターン描画を行う電子ビーム描画方法において、パターンの円周方向配置精度を向上させる。
【解決手段】パターン描画を行う際に、回転ステージの１回転中において、該１回転中に生じるエンコーダからのエンコーダ信号のバラツキのうち、互いに異なる回転数で回転させた複数回転において共通に表れる固定周波数成分を、電子ビームを円周方向に偏向補正することにより補償し、エンコーダ信号のバラツキのうち、固定周波数成分以外の変動周波数成分を、描画クロックのクロック周波数を変化させることにより補償する。 （もっと読む）

【課題】コストを上昇させることがなく，且つ高速の振動にも追従することが可能な制振機能に優れたビーム照射装置を提供すること。
【解決手段】加速器より射出されるイオンビーム若しくは電子ビームを，電界及び／若しくは磁界による質量分離装置及びビーム収束装置を備えたビームラインを経てチャンバ中の試料に入射するビーム照射装置に関する発明であり，前記ビームライン中を通過するビームの前記試料に対する振れを直接または間接的に検出し，検出されたビームの試料に対する振れに基づいて振れを消去するように質量分離装置及び／若しくはビーム収束装置を制御するビーム照射装置。 （もっと読む）

【課題】加工パターン検出用のマークの検出確率と加工位置の再現性を向上させ、加工パターンの自動加工を円滑化することができる集束イオンビーム装置、集束イオンビーム装置を用いた試料加工方法及び試料加工プログラムを提供する。
【解決手段】加工パターンの加工前にマーク登録時の視野倍率よりも低いマーク検出用の視野倍率でマークを検出し、登録したマークと検出されたマークの位置を比較して位置ずれ量を算出し、イオンビーム偏向領域をシフトさせてマーク登録時の視野倍率に戻してマークを再検出する。その後、マーク登録時の視野倍率で検出されたマークと登録時のマークの位置を比較してマーク登録時の視野倍率で再度位置ずれ量を算出し、そのずれ量分だけ加工パターンの登録位置から加工用のイオンビーム照射位置をシフトさせて加工パターンの加工を実行する。 （もっと読む）

【課題】試料を自動で平面に加工することができる荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム照射手段と、荷電粒子ビームを照射された試料から発生する二次荷電粒子を検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された二次荷電粒子に基づいて荷電粒子像を形成する画像表示手段と、前記荷電粒子像において所望の加工領域を選択し、前記加工領域において、荷電粒子ビームを照射する各単位照射領域における輝度を取得し、前記輝度に応じて各単位照射領域に照射する荷電粒子ビームの照射時間を決定し、各単位照射領域に対する照射時間を規定した加工データを設定する画像表示及び加工設定手段と、前記加工データにしたがって前記荷電粒子ビーム照射手段を制御し、荷電粒子ビームを前記試料に照射させるビーム走査制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に梨地形状（凹凸形状）に加工する表面処理加工において、マスク形成、除去およびクリーニング工程を不要にすること、さらに梨地領域の表面に任意の粗さ分布をもたせることができる表面処理方法及び表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを被処理物の表面に照射して被処理物Ｗの表面に凹凸を形成する表面処理装置１において、被処理物Ｗの表面に電子ビームを照射する処理対象領域、処理対象領域において電子ビームを照射する照射点及び被処理物の表面の形状情報並びに電子ビームのビーム電流または収束電流の設定値を記憶する記憶手段１９と、記憶手段１９に記憶されている処理対象領域、照射点及び形状情報並びに設定値に基づいて照射点を無作為に選択して電子ビーム照射するように制御する制御装置９とを備えるものとする。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム（２０２）を用いて系統的な不均一性を補正するための装置及び方法の実施例が一般的に本書で記載される。他の実施例は、記載され且つクレームされ得る。
（もっと読む）

【課題】イオンビーム加工装置では、イオンビームの異常状態を、試料に照射する電流でしか検知できなかったため、原因探索による補正ができず、安定な加工が実現できていなかった。
【解決手段】
第１、第２のブランカ１２８、１３４とファラデーカップ１３０、１３４を用い、第１、第２のブランカ１２８、１３４のオンオフを切り替えて、投射マスク１１５の上下２箇所でビーム電流をモニタする。これにより、投射マスク１１５の損傷を抑えながら、イオンビームの異常情報を取得し、異常原因の切り分け、異常の補正が可能となる。このため、イオンビームによる安定加工を実現することができ、イオンビーム加工装置を安定的に使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】０．１ｍｍ以下の微小領域を局所的に加熱して微小領域を溶融接合することができる電子線溶融装置を提供する。
【解決手段】電子ビームを発生して走査する電子線集束偏向部１と、被加工物を保持して移動可能なステージ８と、ステージ８を収容する加工室２と、電子ビーム照射点で発生する二次電子または反射電子を検出するための検出器１０とを備え、電子線集束偏向部１により、被加工物の所望の位置に電子ビームを照射し、被加工物を溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム装置により、簡易なプロセスにより急峻なエッジの膜を形成する。
【解決手段】デポジション加工を行った際に形成されたハロー成分３３の形状から、当該ハロー成分３３を除去した時に急峻なエッジとなるような、加工目標のイオンビーム照射プロファイル（ドーズ分布）を得る。そして、エッチングを行う際のイオンビーム１照射当りのドーズ分布を用いて、加工の目標とするドーズ分布に近似するよう、イオンビームの照射位置及びドーズ分布を算出する。ガラス基板３４へエッチング用ガスを吹き付けながら、算出された照射位置及びドーズ分布に従ってイオンビームを照射し、エッチング加工を行う。これにより、ドーズ分布３５のようにイオンビームが照射され、デポジション膜３２に対し急峻なエッジが得られる。 （もっと読む）

【課題】３次元形状の被処理物に対しても処理温度を制御することにより、良好な処理面が得られる電子ビーム表面処理装置およびその処理方法を提供する。
【解決手段】電子ビーム表面処理装置が、電子ビームを発生する電子ビーム発生手段と、電子ビームを収束する電子ビーム収束手段と、収束された電子ビームを偏向して被処理物上で走査させる電子ビーム偏向手段と、電子ビーム発生手段、電子ビーム収束手段、および電子ビーム偏向手段に接続され、これらの手段を制御する制御手段と、制御手段に接続されたシミュレータと、被処理物の情報を記憶する記憶手段とを含み、シミュレータは、記憶手段に記憶された被処理物の情報を用いて、表面処理中の被処理物の温度分布を計算し、制御手段は、温度分布に基づいて選択された電子ビーム照射条件を用いて、電子ビーム発生手段、電子ビーム収束手段、および電子ビーム偏向手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】被露光材上に精度良く「抜け勾配」を持った形状を加工することのできるイオンビーム加工方法およびイオンビーム加工装置を提供する。
【解決手段】被露光材Ｗの材質および厚さｄ、イオンビームのイオン種ならびにイオンビームエネルギー値に基づいて被露光材におけるイオンの注入角度αを予測し、注入角度と目標注入角度とを比較してこれらが異なるときは注入角度が目標注入角度になるまでイオンビームエネルギー値を増減させて注入角度を予測し、注入角度が目標注入角度になったときのイオンビームエネルギー値により被露光材にイオンビームを照射する。 （もっと読む）

【課題】電子ビームを高い位置精度で試料の所定の位置に照射して情報を記録することができる電子ビーム記録装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム記録装置１０は、電子ビームを用いて試料の表面上に情報を記録するものであって、電子ビームｂを放射する電子源と、電子ビームの照射軸線上に進入または退避可能に設けられ、照射軸線上における磁界情報を得る磁気検出器３６と、この磁気検出器による磁界情報から、試料の表面に対する電子ビームの収束位置を補正するための補正量を求める収束位置制御部２１と、電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整する収束位置調整手段７８とを有する。さらに、収束位置制御部は、補正量に基づいて、収束位置調整手段に電子ビームの試料表面に対する収束位置を調整させる。 （もっと読む）

【課題】 構成の簡単化、費用の低減化、試料作製時間の短縮化及び目的の試料観察に応じた試料の作製を実現する。
【解決手段】 イオン銃１２、イオン銃１２から放出されたイオンビームの照射を受ける試料素材１１、試料素材１１上にイオンビーム非照射面１１ｂとその周囲にイオンビーム照射面１１ｃ，１１ｄを形成するために試料素材１１上に配置された遮蔽板８を備え、イオン銃１２と遮蔽板８との間に、イオンビーム断面径可変器３０、イオンビーム断面形状可変器４０、試料素材１１へのイオンビームの入射角をコントロールするための第１偏向レンズ５０と第２偏向レンズ６０を配置した。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム装置により試料の加工を行う際に、試料の加工領域の形状によらず、輪郭線の精度を上げる。
【解決手段】コンピュータ１３は、マスク８を観察して得られた画像を基に加工領域を設定し、加工領域の輪郭を構成する代表点の位置をピクセル毎に、ピクセルよりも高い精度であるサブピクセル精度で、ピクセルの中心位置からずらした位置または中心位置に設定可能に求める。さらに、コンピュータ１３は、加工領域内のピクセルについては、該ピクセルの中心位置を代表点として求め、代表点の粗密を減らすように加工領域内のピクセルの代表点の位置をサブピクセル単位で補正する。マスク８の加工を行う際、加工領域の輪郭が含まれるピクセルについては、輪郭を構成する代表点の位置へ、加工領域内のピクセルについては、補正した代表点の位置へ、サブピクセル精度で荷電粒子ビーム２を照射する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム装置による試料の観察や加工の際に、試料の帯電を防いで輪郭線の観察や加工の精度を上げるとともに、加工時には試料に吹き付ける加工用ガスを有効に活用する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置のコンピュータ１３は、マスク８の観察または加工を行うスキャン領域の設定後、このスキャン領域の外周に沿って走査ラインを設定し、この走査ラインの内側にこの走査ラインに沿った走査ラインを求め、求めた走査ラインからさらに内側に該求めた走査ラインに沿った走査ラインを求めることを繰り返してスキャン領域内の複数の走査ラインを決定する。走査ラインを決定すると、コンピュータ１３は、走査回路１２を制御して、走査ラインの間引きやピクセルの間引きを行いながら、走査ライン上にイオンビーム２を照射する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム装置により試料の加工を行う際に、試料にマークを加工することなく、加工位置を補正する。
【解決手段】試料パターンの直線状の輪郭部を含む参照領域に一定の時間をおいてビームを照射して画像を構成し、その時間の前後における画像内の輪郭線の位置を比較してずれ量を算出する。試料の加工を行う場合は、このずれ量を補正して加工位置へビームを照射する。 （もっと読む）