【課題】リボンビームの角度均一性およびドーズ量均一性を向上させる方法を提供する。
【解決手段】リボンビームの均一性向上装置は第一の補正器―バーアセンブリ３０２と、その下流に距離Ｄだけ離れた位置に配置された第二の補正器―バーアセンブリ３０４とから構成される。各補正器は磁心部とその周りに配された複数のコイルを含み、コイルは個々に励起される。リボンビーム３０の各ビームレット３１〜３７は第一の補正器で個々に偏向される。例えば、ビームレット３２は小さな角度θで偏向される。各ビームレットは第二の補正器の位置で空間的に再配置され、ドーズ量均一性を向上できる。さらに、各ビームレットは第二の補正器で偏向されて平行にされる。すなわち角度均一性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】第一と第二の面を備えた３次元構造を有するデバイスへのイオン注入時にイオンビームの空間電荷効果による発散を抑制し、基板全域に渡って略均一な特性を有する３次元構造のデバイスを製造する。
【解決手段】第二の面にマスクを配置して第一の面へのイオン注入を行った後、第二の面のマスクを取り外して、第一の面へのイオン注入を行う３次元構造のデバイスへのイオン注入方法において、マスクを取り外した後、第一の面へのイオン注入に先立って、半導体基板上に照射されるリボン状のイオンビームの広がり角度を計測する計測工程Ｓ４と、当該角度が所定範囲内にあるかどうかを判別する判別工程Ｓ５と、判別工程Ｓ５で所定範囲内にないと判断されたとき、イオンビームの広がり角度が所定範囲内となるように補正する角度補正工程Ｓ６を行う。 （もっと読む）

【課題】イオン注入システムを提供する。
【解決手段】イオン注入システムは、イオンビーム生成器、質量分離装置、ホルダー装置、及び、第一検出器を含む。イオンビーム生成器は第一イオンビームを生成する。質量分離装置は、第一イオンビーム中から、必要なイオンを含む第二イオンビームを分離する。ホルダー装置は少なくとも一つの基板を固定する。ホルダー装置、及び、第一検出器は、第二イオンビームに相対して、第一方向に沿って相対往復移動して、基板、及び、第一検出器を第二イオンビームの投射領域に通過させる。第一検出器は、第二イオンビームの関連パラメータを取得する。上述のシステムは、イオン注入実行時、イオンビームの関連パラメータを取得して、システムが、直ちに、製造パラメータを調整して、好ましいイオン注入効果を達成する。 （もっと読む）

【課題】短時間で視覚的なモニタリングによってイオン注入角度の変化を認識することができるイオン注入角度モニタリングウェハとそれを用いたモニタリング方法を提供し、製品の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数のイオン注入角度によって決まるトレンチ（深さ一定，幅可変または幅一定，深さ可変）構造がイオン注入領域の表面上に構成され、さらにそのトレンチ構造を複数有するウェハに対しある角度でイオン注入を行った後、選択エッチングによりイオン注入領域をエッチングし、想定したイオン注入角度に対応する前後のトレンチ構造パターン底部および側壁部を観察することでイオン注入角度の評価を視覚的に行う。 （もっと読む）

【解決手段】 イオン注入装置において、イオン電流測定器は、ターゲット基板がプラテン上に位置していると仮定して当該ターゲット基板の表面と同一平面になるように、マスクの後方に、配置されている。イオン電流測定器は、イオンビームを横切るように並進させられる。マスクの複数の開口を通過するように方向付けられているイオンビームの電流は、イオン電流測定器を用いて測定される。このようにして、イオン電流測定器によって測定されたイオン電流プロフィールに基づき、イオンビームに対するマスクの位置およびマスクの状態を決定するとしてよい。 （もっと読む）

【課題】ウエハの設置状態にかかわらず、ドレイン領域およびソース領域をゲート電極に対して対称に形成することにより、単一セルにおける電流の対称性を確保する。
【解決手段】
半導体基板上にゲート酸化膜を形成する。ゲート酸化膜上にゲート電極を形成する。半導体基板の表面のゲート電極を挟む位置にドレイン領域およびソース領域を形成する。ドレイン領域およびソース領域を形成する工程は、半導体基板をイオン注入装置の搭載ステージ上に載置して、ゲート電極をマスクとして半導体基板の表面に不純物イオンを注入する第１のイオン注入工程と、搭載ステージの載置面内において、半導体基板を搭載ステージに対して１８０°回転させた向きに搭載ステージ上に再載置して、ゲート電極をマスクとして半導体基板の表面に不純物イオンを注入する第２のイオン注入工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来装置よりも発散度合いの小さいイオンビームを基板に照射することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】本発明のイオン注入装置１は、イオン源１から生成されかつ質量分析系（４，５）で質量分析されたイオンビーム２０を入口部分から取り込んで収束させる静電レンズ６と、イオンビームの軌道上で四重極レンズ６と隣り合う位置に設けられ、四重極レンズ６を通過したイオンビームを取り込んで出口部分から出射させる静電偏向部７と、静電偏向部７の出口部分から出射されたイオンビームに含まれるイオンの注入対象となる基板１１を収容する注入室１０とを備えるもので、四重極レンズ６は、四重極レンズ６の入口部分におけるイオンビームのビーム径よりも、静電偏向部７の出口部分におけるイオンビームのビーム径が大きくなるように、イオンビームを収束させる。 （もっと読む）

イオンビームの角度構成および放射測定システムを提供する。上記システムは、細長いスリットを有する金属板であって、上記細長いスリットは、金属板の回転中心設置されており、ビームの第一の一部が上記細長いスリット内部を通過するような構成である金属板と、上記金属板の下流側に設置されており、ビームの第一の一部からのビームの第二の一部を通過させるように構成されているスリットを内部に備えており、ビームの第一の一部に関連した第一のビーム電流を測定するように構成されているビーム電流検出器と、上記ビーム電流検出器の下流側に設置されており、ビームの第二の一部に関連した第二のビーム電流を検出するように構成されたビーム角度検出器とを備えており、上記金属板、上記ビーム電流検出器、および上記ビーム角度検出器は、上記金属板の上記回転中心について集合的に回転するように構成されている。
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イオン注入システムと走査システムが提供され、それにおいて、焦点調整用構成要素が、イオンビームに対するスキャナーのゼロフィールド効果を減少させるために、上記イオンビームの焦点特性を調整するために提供される。上記焦点特性は、ワークピースを横切って走査された上記イオンビームのプロファイルが一定になるために、又は、ワークピースを横切るイオン注入が一定になるために調整され得る。方法は、ワークピースに走査されたイオンビームを提供するために開示されており、走査されたイオンビームを生成するために上記イオンビームを走査する工程と、上記イオンビームに対するスキャナーのゼロフィールド効果に関連してイオンビームの焦点特性を調整する工程と、上記イオンビームを上記ワークピースへ向き付ける工程とを含んでいることを特徴とする。
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【課題】イオンビームの加減速、特に減速を行った場合においても、偏向中心位置が大きく変化しないようにして、ターゲットに入射するイオンビームの入射角度を所望の角度に保ったまま、ターゲットに入射するイオンビームの中心位置を所望の位置にすることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオンビームＩＢを加減速し偏向させてターゲットＴに入射させる静電加速管３を具備したイオン注入装置において、前記静電加速管３の一部を構成する偏向電極５が、前記イオンビームＩＢを挟んで設けられ、互いに異なる電位が設定される第１偏向電極５１と第２偏向電極５２とを備えたものであって、前記第２偏向電極５２は、イオンビームＩＢが偏向される側に設けられるものであり、上流側に設けられる上流側電極５２１と、これから離間して設けられる下流側電極５２２とを具備し、前記上流側電極及び下流側電極はそれぞれ独立に電位を設定可能に構成した。 （もっと読む）

【課題】 リボン状のイオンビームのＸ方向およびＹ方向における発散角を簡単な方法で測定する測定方法を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム測定方法は、イオンビーム２の一部を通過させる小孔６２を有するマスク板６０と、その下流側に設けられていて、前記小孔を通過したイオンビームを受けてそのビーム電流をそれぞれ検出する複数のビーム検出器１２をＸ方向に有していて、Ｙ方向に可動のビームモニタ１０とを用いる。そして当該ビームモニタ１０をＹ方向に移動させることによって、小孔６２を通過したイオンビームのＸ方向およびＹ方向における中心位置ｘ₃ 、ｙ₃ をそれぞれ測定し、その中心位置ｘ₃ 、ｙ₃ とそれに対応する小孔６２間のＸ方向およびＹ方向における距離Ｌ₄ 、Ｌ₅ ならびにマスク板６０とビームモニタ１０間のＺ方向における距離Ｌ₃ に基づいて、小孔６２を通過したイオンビームのＸ方向およびＹ方向における発散角α_X 、α_Y をそれぞれ測定する。 （もっと読む）

イオンビーム角測定装置（４４０）は、可動なプロファイラアセンブリ（４５０）に固定して取り付けられているリニアドライブアセンブリ（４６０）を備える。上記プロファイラアセンブリは、プロファイラトッププレート（４５５）の内部に形成されたプロファイラ孔（４５４）有するプロファイラと、プロファイラセンサアセンブリと、マスク孔（４４８）を有す可動角マスクを備えた可動角マスクアセンブリ（４４６）とを備える。上記角マスクアセンブリは、上記プロファイラアセンブリに固定されずに取り付けられている。上記マスク孔は、上記プロファイラアセンブリに固定して取り付けられているマスクリニアドライブ（４６４）にエネルギーが与えられることによって、上記プロファイラ孔に対して移動できる。そして、上記プロファイラ孔は延びた上記イオンビーム（４５６）よりも長い距離に亘って移動できる。
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イオン注入システムは、ビーム経路に沿ってイオンビームを生成するイオンソースと、上記イオンビームに対して質量分析および角度補正を行う、上記イオンソースの下流に設けられた質量分析部材と、上記質量分析部材の下流および上記ビーム経路に沿って設けられ、選択された質量分解能およびビームエンベロープに基づく大きさおよび形状をもつリゾルビングアパーチャ電極と、上記リゾルビングアパーチャ電極の下流に設けられた偏向部材であって、上記偏向部材を出る上記イオンビームの角度を変更する偏向部材と、上記偏向部材の下流に設けられ、電荷中和を行い上記イオンビームを減速させる減速電極と、荷電イオンが注入されるワークピースの保持および位置決めを行う、エンドステーション内部の支持プラットフォームと、を有する。上記エンドステーションは、偏向された上記イオンビームがワークピースに対して垂直になるように約８°反時計回りの向きに傾けられて設けられている。
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【課題】イオン注入に関し、イオンビームの平行度および注入角度を調整するための方法と装置を提供する。
【解決手段】スキャナー２０で走査されたイオンビームを角度補正器２４で平行化し、半導体ウエハ３４に注入するイオン注入装置において、先ず、測定システム８０でビーム平行度を測定し、その結果に基づいて角度補正器２４を制御して所望のビーム平行度になるよう調節する。次いで、ビームの向きを測定システム８０で測定し、その結果に基づいて所望の注入角度になるように傾斜機構８４を制御してプラテン３６を傾斜させ、注入を実行する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入により、イオン注入箇所の著しい磁気特性の低下を図る。
【解決手段】磁性膜へのイオン注入方法として、基板表面に、少なくとも磁性膜、当該磁性膜を保護する保護膜をその順に積層して成る磁気ディスクの製造工程において、磁性膜の一部にイオンを注入してその垂直磁化を低減する磁性膜へのイオン注入方法であって、磁性膜の面に立てた法線から４５度以上６０度以下の範囲内にある角度でイオンを注入する方法を採用する。 （もっと読む）

本発明は、従来達成できなかった角度の精度による大傾斜角注入のための方法を具える。幅および高さ次元を有するイオンビームは、複数の個々のビームレットから形成される。これらビームレットは、典型的に、これら２つの次元の一方において高い平行度を見せる。それ故に、角度誤差を最小化するため、ワークピースは、高い平行度を有する次元に実質的に垂直な軸について傾斜される。ワークピースは、その後、大きな傾斜角で注入され、ワークピースの表面に直交するラインの周りに回転される。このプロセスは、大きな傾斜注入が要求される全ての領域において行われるまで繰り返されることができる。
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【課題】イオン注入発散角を抑制することによる半導体基板への注入角度ばらつきの低減を図る。
【解決手段】半導体基板１が保持された保持部材上で、イオンビーム２０４を一次元走査する走査手段２０１と、一次元走査の走査方向と直角な方向に、イオンビーム２０４が保持部材に対して相対的に移動するように、保持部材を移動させる移動手段３０３と、イオンビーム２０４の保持部材に対する相対的な移動に対して、イオンビームの、半導体基板１を超えた保持部材上でのスキャン範囲が等しくなるように、走査手段２０１を制御する制御手段３０２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体の品質に悪影響を与えることなく、簡単な構造で、効率よくかつ高い精度でイオンビーム照射角度の調整を行うことができるイオン注入装置およびこれを備える半導体製造装置を提供することである。
【解決手段】 イオン注入装置は、イオンビーム照射部と、遮断板と、イオン量測定部と、照射角度変更部とを含んで構成される。イオンビーム照射部は、イオンビームを形成し、基板を保持する基板保持部に向けて前記イオンビームを照射する。遮断板は、基板保持部に保持される基板の位置よりも前記イオンビームのイオンの流れ方向上流側の予め定める位置に設置可能である。遮断板には、貫通孔が形成される。貫通孔は、遮断板が前記予め定める位置に設置された状態において、予め定める方向の軸線を有する。遮断板は、前記イオンビームの少なくとも一部を遮断する。 （もっと読む）

【課題】イオンビームの発散角やビームの傾きが変化しても、イオン注入量を高精度で制御するイオン注入装置、イオン注入方法、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】イオン源部と、加減速部と、イオンビーム遮断部と、イオンビームの発散角とビームの傾きの少なくともいずれかを測定する測定部と、基板を保持する基板保持部と、制御部と、を備え、制御部は、測定部により測定された発散角とビームの傾きの少なくともいずれかの測定値に基づいて、基板へのイオン注入量が所定の範囲内に管理されるように、イオン注入の処理条件を補正して、イオン源部、加減速部、イオンビーム遮断部及び基板保持部のうちの少なくとも１つの動作を制御することを特徴とするイオン注入装置、イオン注入方法、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

エネルギー粒子ビーム（４２）で基板（４４）を処理するための方法及び装置である。基板（４４）上の特徴（６６）は、エネルギー粒子ビーム（４２）に対して配向され、基板（４４）はエネルギー粒子ビーム（４２）を通して走査される。ビーム（４２）の長寸法（４９）に対して特徴（６６）を再配向するために、基板（４４）は、エネルギー粒子ビーム（４２）への露光から遮蔽される間に、対称な方位軸（４５）の周りで周期的に割り出される。
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