【課題】正確なドーズ量制御を実現できるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１７へのイオン注入中に、イオンビーム電流を計測するとともに、真空ビームライン室２０または真空処理室３０内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化を求め、さらに上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計２１で計測される１個所ないし複数個所の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと１個所ないし複数個所の真空度とを用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。 （もっと読む）

【課題】新たなイオンビーム計測を提供する。
【解決手段】イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４の経路に向けて測定ビーム１２を放射するための測定ビーム源２０と、イオンビーム１４によって反射された測定ビーム１２、またはイオンビーム１４を透過した測定ビーム１２を検出するための測定ビーム検出器２２と、を備える。イオンビーム計測装置１０は、例えばイオン注入装置に適用することができる。イオンビーム計測装置１０は、イオンビーム１４に関連する出力をイオン注入装置の制御システムに提供してもよい。 （もっと読む）

【課題】イオン注入剥離法を用いた貼り合わせウェーハを製造するにあたり、ウェーハ品質の悪化を防止するため、イオン注入機の基板保持具の劣化状況を容易に判定することができる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】イオン注入機の基板保持具の劣化を判定する方法であって、作製された貼り合わせウェーハ又は一部が剥離されたボンドウェーハの品質を測定し、該測定された品質から、前記ボンドウェーハを保持したイオン注入機の基板保持具の劣化を判定するイオン注入機の基板保持具の劣化判定方法。 （もっと読む）

【課題】真空引きに要する時間を短縮し得るイオン注入装置を提供する。
【解決手段】イオン注入装置２は、モータ９２によってチャンバ１０をＹ軸方向に往復移動させるとともに、モータ２９によってウエハ２０を回転させることによって、ウエハ２０に対するイオン放出チューブ１００の位置を調整する。チャンバ１０の表蓋１２にはチャンバ貫通穴１４が形成されており、イオン放出チューブ１００はチャンバ貫通穴１４の内壁（チャンバ１０の外壁）に干渉しない。本実施例のイオン注入装置２では、従来のイオン注入装置のようにチャンバがウエハの移動に応じて変形する必要がなく、チャンバを大きく形成する必要もない。そのため、チャンバ１０を従来のイオン注入装置に比べて小さくすることができる。その結果、チャンバ１０内の真空引きに要する時間を、従来のイオン注入装置に比べて短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。かかる半導体装置の製造方法は、引き出し工程、減速工程、注入工程および設定工程を含む。引き出し工程では、イオン源からイオンビームを引き出す電極に第１の電圧を印加してイオン源からイオンビームを引き出す。減速工程では、イオンビームが通過する減速器へ第２の電圧を印加することによってイオンビームの加速エネルギーを減少させる。注入工程では、減速器を通過したイオンビームを基板へ照射することによって、イオンビームに含まれるイオンに基づく第１の不純物プロファイルに加え、イオンビームに含まれる中性粒子に基づく第２の不純物プロファイルを基板に形成する。設定工程では、第２の不純物プロファイルに応じて第１の電圧および第２の電圧を設定する。 （もっと読む）

【課題】複数本のリボン状イオンビームを少なくとも部分的に重ね合わせてガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入方法において、各リボン状イオンビームのビーム電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】複数のイオンビーム供給装置のビーム立上げ操作を開始させた後、各装置のビーム立上げ操作の完了を個別に検出することで、もっともビーム立上げ操作の完了が遅いとされるイオンビーム供給装置を特定する。その後、各イオンビーム供給装置より供給されるリボン状イオンビームによってガラス基板上に形成されるイオン注入量分布を重ね合わせた際、この重ね合わせによる注入量分布が予め決められた所定の分布となるように、特定されたイオンビーム供給装置より供給されるリボン状イオンビームのビーム電流密度分布の調整を行う。 （もっと読む）

【課題】配線で可動範囲が制限されたりすることなく試料又はマスクの位置をより柔軟に調整することができる荷電粒子線装置、試料移動装置、マスク位置調整機構、試料位置調整方法及びマスク位置調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の試料ステージ００８に対する試料の位置を調整する試料移動装置０４０であって、ＳＥＭ制御ユニット０１５からの指令に応じて出力指示信号を生成する赤外線ランプ制御ユニット０１４と、赤外線ランプ制御ユニット０１４からの出力指示信号に応じて赤外線信号を照射する赤外線ランプ０１０と、試料ステージ００８上に固定された試料台ホルダー００７と、試料台ホルダー００７に対し変位可能に取り付けた試料台１０２と、赤外線ランプ０１０からの赤外線信号を受光する赤外線センサー１０８と、赤外線センサー１０８で受光した赤外線信号に応じて試料台１０２を駆動するモーター１１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｍ（ｍは２以上の整数）本のリボン状イオンビームによるガラス基板上での照射領域を少なくとも部分的に重ね合わせて、ガラス基板上に所定の注入量分布を実現するイオン注入装置において、各リボン状イオンビームのビームの電流密度分布を効率的に調整する。
【解決手段】各リボン状イオンビームに対してビーム電流密度分布の調整目標とする目標分布を設定し、予め決められた順番従って、１本目からｍ−１本目までのリボン状イオンビームに対して、ビーム電流密度分布が目標分布に対して第１の許容範囲内に入るように調整する。その後、各リボン状イオンビームに対する調整結果を合算した分布とｍ本のイオンビームに対して設定された目標分布を合算した分布との差に応じて、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する為の新たな目標分布を設定し、この新たな目標分布に対して第２の許容範囲内に入るように、ｍ本目のビーム電流密度分布を調整する。 （もっと読む）

【課題】ダミーウエハを必要とせず、製造コストを低減して、ウエハ装着部を照射イオンビームから保護しかつウエハディスクの処理回転中に発生するウエハの割れ等の問題を回避すること。
【解決手段】ウエハ装着用の複数のディスクパッド22を有するウエハディスク20を備え、このディスク20を円周方向に回転させながら、イオンビームを照射してウエハにイオンを注入するバッチ式イオン注入装置１において、前記ディスク20の円周上に配置されかつウエハを保持するディスクパッド22が、ディスク20に対して反転可能に取り付けられており、ディスクパッド22は、ディスク20の径方向に対して垂直方向に回転軸27を有し、かつディスクパッド22の重心Ｇが、ディスク20の中心方向に偏位した位置にあることを特徴とする。これにより、ウエハが載置されていないディスクパッドを反転させて、照射イオンビームからディスクパッド22を保護し、かつディスク20の偏心による振動の発生をなくす。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板に対してもその全面に均一性良くイオンビーム照射を行うことができ、しかもイオンビーム寸法を基板寸法よりも小さくしてイオンビーム供給装置の大型化、処理室の大型化等を抑えることができるようにする。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された処理室１０ａ、１０ｂと、１枚以上の基板２を搬送する基板搬送装置と、各処理室１０ａ、１０ｂにＺ方向に長いリボン状のイオンビーム５４ａ、５４ｂをそれぞれ供給して、基板搬送と協働して、基板２上に二つのビーム照射領域を、互いにＺ方向の一部分を重ね合わせて形成するイオンビーム供給装置５０ａ、５０ｂとを備えている。更に、イオンビーム５４ａ、５４ｂの一端付近のビーム電流密度分布をそれぞれ調整するビーム電流密度分布調整機構７０ａ、７０ｂを備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板上の分割帯を利用する装置であって、基板駆動に大掛かりな装置を必要とせず、しかもスループットを向上させることができるイオンビーム照射装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、互いに直列に接続された処理室１０ａ、１０ｂと、１枚以上の基板２をその分割帯８２に平行なｘ方向に沿って搬送する基板搬送装置と、各処理室１０ａ、１０ｂに、ｙ方向に長いリボン状のイオンビーム５４ａ、５４ｂをそれぞれ供給してそれらを各基板２のｙ方向の端部から分割帯８２にかけての領域に照射するイオンビーム供給装置５０ａ、５０ｂとを備えている。更に、イオンビーム５４ａの、分割帯８２に位置する端部を整形するビーム整形機構７０ａと、イオンビーム５４ｂの、分割帯８２に位置する端部を整形するビーム整形機構７０ｂとを備えている。 （もっと読む）

ビームラインに沿って圧力の増加を被るイオンビームの注入の均一性を向上させるための方法および装置が提供される。本方法は、実質的に一定の速さにてワークピースを横切るイオンビームを動かす、メインのスキャン波形を生成する工程を含む。一定の高さおよび波形を有している補正波形（例えば、二次波形）もまた生成されて、メインのスキャン波形と混合され（例えば、可変のミキサーによって）、ビームのスキャン波形を形成する。混合比は、瞬時の減圧信号によって調整され得る。当該調整は、スキャン波形を連続的に修正するのに比べ、非常に速い速度にて、非常に容易に実施され得る。混合は、ビームがワークピースを横切って動く際のイオンビームの速さを変える不定の傾きを有するビームのスキャン波形を供給する。従って、不定の傾きを有する、得られるビームのスキャン波形は、高速スキャンの方向に沿うドーズにおける不均一性を補償する。
（もっと読む）

イオン注入装置において、イオン源の洗浄中に発生されるイオンビームをファラデーカップで検出する。検出されるイオンビームは、イオン源の洗浄プロセスがいつ完了するかを示す関連質量スペクトルを有する。質量スペクトルは洗浄剤とイオン源を構成する材料とからなる信号を生じる。この信号はイオン源チャネルが洗浄されるにつれて時間とともに上昇し、イオン源チャンバから堆積物がエッチ除去されてしまうと水平に一定になり、よってイオン源洗浄の終点を決定するために既存の注入ツールを利用することが可能になる。
（もっと読む）

【課題】注入対象を保持することに伴ってパーティクルが発生するのを抑制する。
【解決手段】ウエハ２４を保持するウエハホルダ２０をウエハホルダベース３６、ウエハ固定部３８、ホルダピン４０、４２、ベアリング、ハウジング、コイルばねで構成し、ウエハ固定部３８をウエハホルダベース３６の外周側に固定し、ホルダピン４０、４２をウエハ固定部３８に相対向して配置し、ホルダピン４０をベアリングで回転自在に支持するとともにハウジング、コイルばねによってホルダピン４０、４２をウエハホルダベース３６の径方向に沿って移動自在に支持し、ウエハ２４の側面をホルダピン４０、４２によって保持する過程で、ウエハ２４からの力がホルダピン４０、４２に作用したときにＺ軸を中心としてホルダピン４０、４２を回転させて、ホルダピン４０とウエハ２４との間に作用する摩擦力を軽減する。 （もっと読む）

【課題】 イオン注入分布発生方法及びシミュレータに関し、１ｋｅＶ程度の低エネルギー領域から数ＭｅＶの高エネルギー領域に渡って、実際のイオン注入分布を精度良く再現する。
【解決手段】 注入イオンの軌跡をモンテカルロ法によって計算してイオン注入分布を発生させる際に、前記注入イオンに対する電子阻止能Ｓ_ｅを、リントハルトモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＬと、ベーテモデルの電子阻止能Ｓ_ｅＢを修正した修正電子阻止能Ｓ_ｅ-ｍＢとの組合せにより表す。 （もっと読む）

分子イオンのイオンインプランテーション注入の技術を開示する。一実施形態において、本技術は、分子イオンがイオン源内でその場生成され、所定温度で分子イオンをターゲット材ターゲット材料にインプラント注入し、ターゲット材ターゲット材料の歪みおよびアモルファス化のうち少なくとも一方を改善するイオンインプランター注入機を備えるイオンインプランテーション注入装置として実現することができる。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーイオン注入システムにおいて、粒子性汚染物質を減少する方法及びシステムを提供する。
【解決手段】ワークピース（２２８）へのイオン注入の際にイオンビーム（２１０）を磁気的にフィルタリングする為のシステム（２００）及び方法が提供される。ここで、イオンはイオンソース（２１２）から放出され、イオンビームを形成するように、当該イオンソースから離れる当該イオンが加速される。イオンは選択され、当該イオンビームは、質量分析器（２１４）によって質量が分析される。そして、当該イオンビームの質量が分析された後で、当該イオンビームは、減速器（２４２）によって減速され、当該減速の下流側において、更に磁気的にフィルタリングされる。当該磁気的なフィルタリングは、４重極磁気エネルギーフィルター（２５０）によって供給される。ここで、磁場（２６４）が、減速器から出て行く当該イオンビーム中の当該イオンを妨害する為に形成され、望まれないイオン及び高速の中性体を選択的にフィルタリングする。
（もっと読む）

イオン注入システムは、ビーム経路に沿ったイオンビームを生成するように構成されたイオンソースと、上記イオンビームの質量分析を実行するように構成され、上記イオンソースの下流側に配置された質量分析器と、上記ビーム経路に沿い、かつ、上記質量分析器の下流側に配置されたビーム相補スリットとを含み、上記ビーム相補スリットは、上記イオンビームの断面のビームエンベロープに対応するサイズおよび形状を有している。
（もっと読む）

【課題】 イオン注入分布発生方法に関し、２次の拡張ＬＳＳ理論における摂動計算のモデル式を近似して簡便なＲ_ｐ、ΔＲ_ｐ及びΔＲ_ｐｔを求める。
【解決手段】 ２次の拡張ＬＳＳ理論における摂動計算のモデル式を求める際に、全阻止能（Ｓ_ｎ＋Ｓ_ｅ）に対する核阻止能Ｓ_ｎの比ｒ＝Ｓ_ｎ／（Ｓ_ｎ＋Ｓ_ｅ）を複数のエネルギー領域で区分し、前記区分した各エネルギー領域で前記ｒを定数ｒ_ｓとして扱う。 （もっと読む）