【課題】ＦＩＢ動作用のイオン・モードまたはＳＥＭ動作用の電子モードで動作するユーザが選択可能な構成を有する単一カラム誘導結合プラズマ源を提供すること。
【解決手段】Ｘ線検出器が装着されていれば、エネルギー分散型のＸ線分光分析が可能である。ユーザは、イオン・モードまたはＦＩＢモードで試料を調製するようにＩＣＰを選択的に構成し、次いで電子モードまたはＳＥＭモードを選択するスイッチを実際に動かし、ＥＤＳまたは他のタイプの分析を使用して試料を分析することができる。 （もっと読む）

【課題】ガス電界電離イオン源を用いて試料へのダメージが小さく、かつ、効率よく微細加工を行うこと。
【解決手段】イオンビーム１を放出するエミッタ４１と、エミッタ４１を収容するイオン源室４０と、イオン源室４０に窒素を供給するガス供給部４６と、窒素をイオン化し、窒素イオンを引き出す電圧を印加するための引出電極４９と、エミッタ４１を冷却する温度制御部３４と、を有するガス電界電離イオン源を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ビームを形成する目的に対して望ましい小さなエネルギー幅を得るために、荷電粒子ビーム・システム内でのプラズマとの容量結合を低減させる。
【解決手段】集束荷電粒子ビーム・システム用の誘導結合プラズマ源２００は、プラズマとの容量結合を低減させるため、プラズマ室１０２内に導電性シールド２０２を含む。この内部導電性シールドは、バイアス電極１０６またはプラズマ１０４によってプラズマ源と実質的に同じ電位に維持される。この内部シールドは、プラズマ室の外側においてより幅広いさまざまな冷却方法を使用することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】従来のガスイオン化室では、グロー放電を避けるためにはガス圧を下げるしかなく、ガス導入圧を高めることでイオン電流を増やすことができないという課題があった。本発明は、ガス導入圧を高めることでイオン電流を増やすとともに、イオン化ガスによるビーム散乱を防ぐことを目的とする。
【解決手段】ＧＮＤ電位の構造体からガスを供給することで、ガス圧力のより高いイオン化ガスの導入口近傍に高電圧が印加されないようにする。また、加速・集束レンズを構成するレンズ電極のレンズ開口部から差動排気することでイオンビームが通過する領域に存在するイオン化ガスを優先的に減らす。 （もっと読む）

【課題】頂点部分の再生処理を繰り返し行っても引出電圧の変動が微小なイオン源エミッタを提供する。
【解決手段】本発明に係るエミッタでは、先端を単原子を頂点とする三角錐形状として、かつ先端を頂点側から見た形状を略六角形とした。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームシステムで使用するための大開口のウィーンＥ×Ｂ質量フィルタを提供する。
【解決手段】Ｅ×Ｂウィーン質量フィルタが、質量分離するために必要な電気双極子の電場と組み合わされた独立して調整可能な電場を提供する。独立して調整可能な電場は、より大きな光学的アパーチャを提供でき、非点収差を補正し、かつ磁場に平行及び／又は垂直な方向にビームを偏向するように使用可能である。 （もっと読む）

【課題】複数のイオン源から所望のイオン種を色収差なく選別する集束イオンビーム装置用の質量フィルタを提供する。
【解決手段】イオン源１１４により生成された複数のイオン１１０は、上部レンズ１０６により略平行なビーム３１０となり質量フィルタ３０４に入射する。質量フィルタ３０４は、互いの中心軸がオフセットされた上部ＥＸＢフィルタ３０６Ｕおよび下部ＥＸＢフィルタ３０６Lより構成され、ビーム３１０を質量毎に分離偏向した後、光軸３８０に平行な軌道として出射する。この際、上部ＥＸＢフィルタ３０６Ｕにより生じる色収差は下部ＥＸＢフィルタ３０６Ｌにより打ち消される。その後、質量分離アパーチャ３４２により所望のイオン３３２のみを通過させ下部レンズ１０８により基板１１２上に集束する。 （もっと読む）

【課題】ダメージ層以外の試料の消失を抑制してダメージ層を全て除去することができるイオンビーム照射装置およびイオンビーム照射方法を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射装置は、試料１を支持するための試料ステージ２と、試料ステージ２に支持された試料１に電子線ＥＢを照射するための電子線照射機構３と、電子線照射機構３で照射された電子線ＥＢにより試料１で励起されたカソードルミネセンス光の波長を検出するための光検出機構４と、試料ステージ２で支持された試料１のダメージ層に不活性ガスイオンビームを照射するための不活性ガスイオンビーム照射機構５と、光検出機構４で検出されたカソードルミネセンス光の波長に基づいて不活性ガスイオンビーム照射機構５で照射される不活性ガスイオンビームＩＢの照射量を制御するための制御部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】同一のイオン源から引き出した複数のイオンビームを用いて、試料の加工と観察を可能にするイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２つ備え、各々のガス系統においてガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源を用いて、質量数の異なる少なくとも２種類のガスイオンを生成して、試料の加工時と観察時でガスイオンビーム種の切り替えを可能とする。 （もっと読む）

【課題】アパーチャの寿命を長くでき、カラムバルブを閉じた際にも、コンタミの増加を防止し、また、再起動も短時間で行える集束イオンビーム装置を提供することにある。
【解決手段】高圧電源制御器１８１は、カラムバルブ１４の閉動作時に、引出電極１７に印加する引出電圧を下げ、または、制御電極１６に印加する制御電圧を下げて、エミッションを０μＡにする。また、カラムバルブ１４の開動作時に、引出電極１７に印加する引出電圧を元に戻し、または、制御電極１６に印加する制御電圧を元の電圧に戻す。 （もっと読む）

【課題】透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）、走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）、集束イオン・ビーム（ＦＩＢ）システムなどの集束粒子ビーム・システム用の荷電粒子源を提供すること。
【解決手段】この源は、荷電粒子システムの軸を中心とすることができる小さな領域内にある独立してアドレス指定可能な多数の放出器を使用する。１つのチップから放出させ、または２つ以上のチップから同時に放出させることを可能にするため、これらの放出器は全て、個別に制御することができる。１つの放出器だけが活動化されるモードは高輝度に対応し、複数の放出器が同時に活動化されるモードは、高い角強度およびより低い輝度を提供する。単一の放出器を逐次的に使用することによって源の寿命を延ばすことができる。全ての放出器に対する機械／電気組合せアラインメント手順が記載される。 （もっと読む）

【課題】大きな放出イオン電流が得られる電界電離型ガスイオン源のエミッタを提供する。
【解決手段】電界電離型ガスイオン源のエミッタ１は、円柱状または円錐台状の基部１ａと、基部１ａの軸方向における一端に位置する先細り形状の先端部１ｂとを備え、先端部１ｂは、基部１ａの軸方向に沿って外側に向けて突出して位置する微小突起部１ｃを含む。基部１ａと先端部１ｂとの境界面１ｄの直径をｒとし、上記軸方向に沿った境界面１ｄと微小突起部１ｃの先端との間の距離をｄとした場合に、これらｒおよびｄが、ｄ／ｒ≦１／１０の条件を充足する。 （もっと読む）

【課題】試料に照射するイオンビーム電流量を増大させ、試料加工のスループットが高い集束イオンビーム装置を提供すること。
【解決手段】エミッター１にガスを供給し、エミッター１先端に電界を形成し、供給したガスを電界電離させイオンビーム７を放出する電界電離型イオン源のエミッターにおいて、エミッター１先端は、原子レベルの突起部１ｃと、突起部を有する球状部と、球状部に続く傾斜角を有する円柱部と、からなり、球状部の曲率半径が１１０ｎｍ以上であり、かつ、傾斜角が、１５°以下である電界電離型イオン源のエミッターを有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオン源のイオン種切り替えを容易に行い、用途に合わせて適切なイオン種を用いること。
【解決手段】ガス種毎に、チップの設定温度と、イオン源ガスのガス圧力と、引出電極に印加する引出電圧と、コントラストの設定値と、ブライトネスの設定値と、を記憶する記憶部３０２と、ガス種を選択し入力する入力部１０６と、入力したガス種に対応する設定温度と、ガス圧力と、引出電圧と、コントラストの設定値と、ブライトネスの設定値と、を記憶部３０２から読み出し、それぞれヒーター１ｂと、ガス制御部１０４と、電圧制御部２７と、観察像の調整部３０３を設定する制御部３０１と、を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ１にガスを供給するガス供給部と、イオンビーム１１を引き出す引出電極４と、イオンビーム１１の照射方向を調整するガンアライメント電極９とを有する集束イオンビーム装置であり、チップ１の先端の一つの原子から放出されたイオンビームを通過させる開口部１０ａを有するアパーチャ１０と、開口部１０ａを通過したイオンビーム１１の電流量を測定する電流測定部と、を有する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】チップを装置から取り出すことなくチップ先端のピラミッド構造の再生を図ること。
【解決手段】針状のチップ１と、チップ１にガスを供給するガス供給部と、チップ表面に吸着したガスをイオン化してイオンビームを引き出す引出電極４と、チップ１と引出電極４の間に電圧を印加する電圧供給部２７と、チップ表面と同じ金属をイオンビームが照射される面に備えたチップ再生電極と、を有する荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ１にガスを供給し、引出電極４に電圧を印加し、チップ１からイオンビーム１１を放出する集束イオンビーム装置において、電圧を変化させ、イオンビーム１１の電流量を測定する電流測定部１１１と、電流測定部１１１で測定した測定データと標準データとを比較処理する処理部１１４とを備え、チップ先端構造を検査する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】誘導結合プラズマイオン源が高ｄｃ電圧にバイアスされた集束イオンビームシステムにおいて、イオン源内のプラズマに点火する方法を提供する。
【解決手段】バイアス電源９３０からの高ｄｃ電圧は、集束イオンビームカラムの近くでプラズマ点火装置９５０からの振動波形が結合（重畳）されて、プラズマ室９５４の一部を構成する源バイアス電極９０６に印加される。プラズマ点火装置９５０は論理回路９２４によって制御されるプラズマ点火装置電源９２５によって駆動される。電位の低いプラズマ点火装置９５０からの振動波形は、絶縁変圧器またはキャパシタ等を通して高ｄｃ電圧に結合（重畳）される。集束イオンビームカラムの近くにプラズマ点火装置９５０を取り付けることによって、高ｄｃ電圧を供給するケーブルの静電容量の影響が最小化される。 （もっと読む）

【課題】ＥＵＶマスクの反射層の反射率を大幅に低下させることなく欠陥修正を行うこと。
【解決手段】水素イオンビームを発生する電界電離型イオン源と、水素イオンビームをＥＵＶマスク上に集束させ、走査照射するイオン光学系と、ＥＵＶマスクを載置する試料台と、ＥＵＶマスクから発生する二次荷電粒子を検出する検出器と、検出器の出力信号に基づいてＥＵＶマスクの観察像を形成する像形成部と、を有する装置を提供する。 （もっと読む）