【課題】本発明の目的は、微細試料の確実・容易なピックアップ法に関する。
【解決手段】本発明は、デポジション用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射して形成されるビームアシスト堆積膜により微細試料とマニピュレータを保持し、エッチング用ガスを供給しながら荷電粒子ビームを照射してビームアシスト堆積膜を除去することにより微細試料とマニピュレータを分離することに関する。例えば、マニピュレータプローブと微細試料との接続を炭素を主な成分とするビームアシストデポジション膜で接続し、キャリアへの固定後にプローブと微細試料を分離する際、水を主成分とするアシストガスを用いたビームアシストエッチングにより、前記アシストデポジション膜を選択的にエッチングする、荷電粒子ビーム装置における微細試料のピックアップ方法である。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置が備えるプローブが試料ホルダの構造物や試料の凹凸の干渉を受けずに試料表面に接触可能かどうか直感的に確認できるようにする。
【解決手段】プローブ１０１の接触が不可能な領域１０４を計算し、荷電粒子線を用いて取得した観察像にオーバーレイ表示させる。 （もっと読む）

【課題】電子ビームで検出した欠陥を正確に取り出して解析する技術を提供する。
【解決手段】電子ビーム１２の照射により検出したウェーハ３１の欠陥部にデポガス５２を供給しながら電子ビーム１２を照射することでデポジション膜によるマークを形成し、そのマークを基準に、ガスイオン源２１で発生させたプロジェクションイオンビーム２２により、試料片に加工して取り出す。 （もっと読む）

【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）

イオン源、システム及び方法を開示するものである。
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イオン源、システム及び方法を開示するものである。
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【課題】短時間で試料から微小片試料を切り出すことができる装置及び方法を提供する。
【解決手段】本発明によると、Ｖ溝の所望の深さから、実験式を用いて、加工時間が最小となるようにＶ溝の深さの設定値とＶ溝の幅の設定値を計算する。こうして求めた設定値によって、集束イオンビームによってＶ溝加工を行う。Ｖ溝加工のみから、試料表面より微小片を切り出す。試料表面に対して傾斜したイオンビームを用いる。 （もっと読む）

【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】高精度の透過型電子顕微鏡観察ならびに電子線エネルギー損失分光法等の分析を高精度に行うことを目的とし、集束イオンビームによる種々の試料ダメージ層を除去した特定箇所の電子顕微鏡用試料を作製する方法及び装置を提供する。
【解決手段】均一構造物上に不均一なパターンが形成され、その両者が含まれる箇所を断面電子顕微鏡用試料に作製する方法であって、シリコン基板４などの均一構造物上にデバイスパターン５などの不均一なパターンが形成され、均一構造物側からイオンビーム１を照射することにより試料を薄片化する電子顕微鏡試料作製方法を提供する。更に、この試料作製方法を実施するための集束イオンビーム装置および試料支持台などの作製装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】試料へのダメージを最小化し高精度の加工位置決めを行うことができる集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビーム装置は、検出器からの二次粒子信号によって生成された原画像を画素補間により拡大し表示する。ズーム率が大きい場合には、ビーム偏向分解能の範囲内で一度画像の再取得を実施し、それを原画像として画素補間を行い、高いズーム率の画像を得る。 （もっと読む）

【課題】高精度の試料ステージ機構を用いることなく、メモリーセルをカウントし、特定のセルの位置を検出する。
【解決手段】本発明の荷電粒子ビーム装置では、試料が繰り返しセルを有するとき、セルに対応したスケールパターンを生成し、それを試料の繰り返しセルの画像に重畳させることにより、目的セルを特定する。更に、試料の繰り返しセルの少なくとも３つの端の位置に基づいてセルの配列を求め、このセルの配列から目的セルの位置を特定する。ビーム偏向機能によるズームとソフトウエアによるズームを組み合わせてズーム画像を生成し、試料ステージを移動させることなく、ソフトウエアによって画像シフトを行う。 （もっと読む）

【課題】 多層構造を有する被加工体において、ＦＩＢ像として認識不可能な位置、さらには光学像としても認識不可能な位置に対しても、精度よく位置合わせを行うことができ、短時間で加工を行うことができるＦＩＢ加工の位置合わせ方法及びＦＩＢ装置を提供する。
【解決手段】 被加工体の加工目的位置の近傍の上層膜をＦＩＢ加工によって除去し、ＦＩＢ像において識別可能なレイアウトパターンを露出させる。当該露出パターンの形状を認識した後、被加工体のレイアウトデータ上で露出パターンを特定する。このようにして特定されたレイアウトデータ上における露出パターンの座標、及び予め指示されているレイアウトデータ上における目的位置の座標から、現実の被加工体上の目的位置を加工位置に位置させるために必要な移動量が演算される。そして、当該移動量に基づいて、現実の被加工体の位置合わせを行う。 （もっと読む）

【課題】 薄片化試料の配置状況に応じて、正確かつ簡単に気体イオンビームの照射角度を制御することが可能な荷電粒子ビーム装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 試料を加工して薄片化試料２を作成するとともに薄片化試料２を観察する集束イオンビーム装置３、及び薄片化試料２を観察する走査型電子顕微鏡４と、薄片化試料２の表面に気体イオンビーム１２を照射して仕上げ加工をする気体イオンビーム照射装置５と、薄片化試料２が固定され且つ少なくとも1以上の回転軸を有する試料ステージ６と、試料ステージ６に対する薄片化試料２の位置関係を認識する試料姿勢認識手段７と、薄片化試料２の表面または裏面に対する気体イオンビーム１２の入射角度を所望の値にするために、姿勢認識手段７により認識した試料姿勢と気体イオンビーム照射装置５の取り付け角度に基づき試料ステージ６を制御する試料ステージ制御手段８を具備する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置のオペレーションに際して、光学顕微鏡などで確認された試料の外観を常時確認識別しながら、荷電粒子線による観察・加工を可能とすること。
【解決手段】荷電粒子線装置の制御用コンピュータの表示装置に試料の外観を含む試料画像を表示し、この試料画像に荷電粒子線の照射位置、及び観察・加工操作の軌跡を重畳して表示する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上記状況に鑑み、試料を迅速に冷却することができ、熱ドリフトを軽減して加工精度を向上させることが可能な集束荷電粒子ビームを用いた加工装置の提供。
【解決手段】 集束荷電粒子ビームにより観察・加工される試料を微小化し、微小試料のみを局所的に冷却する。あるいは、熱ドリフトを緩和可能な構造を有する試料載置部を使用する。 （もっと読む）

【課題】 大口径ウェハ用の探針移動機構ならびにサイドエントリ型試料ステージを試料作製装置、不良検査装置に適用することで、小型で従来と同等の操作性を有する試料作製装置、評価装置を提供する。
【解決手段】 探針ならびにサイドエントリ型試料ステージを、上記イオンビーム照射光学軸とウェハ面の交点を通る傾斜角を持って真空容器を大気開放することなく真空容器に出し入れ可能とする真空導入手段を配した探針移動機構およびサイドエントリ型試料ステージ微動機構用い、さらにサイドエントリ型試料ステージの試料ホルダの試料片設置部分をウェハ面と平行とする回転自由度を有したサイドエントリ型試料ステージを用いる。
【効果】
真空容器の容積が必要最小限の設置面積の小さい小型で使い勝手の優れた、大口径ウェハ用の試料作製装置、評価装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】
半導体ウエハの高速で高分解能な外観検査と、異物や欠陥の存在部位からＴＥＭ観察や各種分析のための試料を高い位置精度で一貫して作製することのできる検査装置を提供すること。
【解決手段】
同一検査装置内に、ウエハ検査用の走査型電子顕微鏡部（ＳＥＭ部）１と試料作製加工用のイオンビーム部１０１とを併設し、ＳＥＭ部１によるウエハ７の外観検査と、この検査結果に基づいての、ウエハ７上の欠陥（異物やパターン欠陥）の存在部位からのＴＥＭ観察や各種分析のための試料の摘出加工作業とを、同一ステージ８上で一貫して行なえるようにした。 （もっと読む）

【課題】加工歩留まりを低下させることなく、回路修正個所におけるスパッタ加工を意図した加工形状にて行うことのできるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】回路修正を行う範囲に対応して設定されるメイン加工エリア２２の近傍位置にサブ加工エリア２３を設定し、メイン加工エリア２２に先立ってサブ加工エリア２３を事前にスパッタする。 （もっと読む）