【課題】
真空装置内でプローブを操作するマニピュレータにおいて、小型で広範囲に移動でき精度が高く、かつマニピュレータの駆動手段（アクチュエータ）の長寿命化が期待できる試料観察装置，集束イオンビーム装置を提供すること。
【解決手段】
試料を載置する真空室と、該真空室内で移動可能なプローブと、該プローブを移動させるプローブ駆動手段と、該プローブ駆動手段の負荷を軽減する負荷軽減手段と、を備え、かつ該負荷軽減手段の軽減力を前記プローブの位置の情報に基づいて変化させる制御手段を備えた試料観察装置。 （もっと読む）

【課題】 試料上でのエッチング加工エリアの重複部分を自動的に最適に設定することにより、効率の良いエッチング加工を行うことのできる試料加工方法を提供する。
【解決手段】 イオンビーム装置の試料室内に配置された試料６の所定領域内での複数の走査エリア３１，３３に対して、当該イオンビーム装置の制御部による制御に基づいて当該走査エリアごとに照射電流の異なるイオンビームの走査を実行してエッチング加工を順次行い、これにより当該所定領域全体のエッチング加工を行う試料加工方法において、直前にエッチング加工された走査エリア３１の端部に形成された加工底面３１ｂからの傾斜部分３１ａの立ち上がり部３１ｃを起点として、次にエッチング加工が施される走査エリア３３が当該制御部により設定される。これにより、必要最小部分のみが走査エリアの重複部分として制御部により設定され、当該重複部分の最適化を自動的に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 透明試料以外でも試料表面に特徴のある形状がない場合でも、荷電粒子ビーム装置における加工位置決めを高精度かつ容易に行えるようにする。
【解決手段】 赤外顕微鏡による観察を行いながら荷電粒子ビーム装置における加工・観察対象箇所１が視野内にくるように移動し、加工・観察対象箇所１周辺に光学観察系と同軸に配置されたレーザー光学系７によって、荷電粒子ビーム装置における二次荷電粒子像の目印となるレーザーマーク２をつける。次に、赤外透過像とCADデータとの重畳により、CADデータ上に加工・観察対象箇所とレーザーマークを登録する。そして、荷電粒子ビーム装置から読み出した登録データと二次荷電粒子像との関連付けによって、高精度かつ容易に加工位置を決定することができる。 （もっと読む）

【課題】本願の目的は、ウェーハをプロセスに問題となるＧａのような元素で汚染することなく、ウェーハから解析用サンプルを分離方法および装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は、真空容器４１を有しており、真空容器内には、デュオプラズマトロン８１、イオンビームレンズ８２、対物絞り８３、などから構成されており、酸素イオンビーム照射とシリコンプローブ３により基板からマイクロサンプル６を摘出する。
【効果】本願によると、半導体デバイス等の歩留向上のために、途中の検査がウェーハを割ることなく実施でき、さらにウェーハをプロセスに問題となるような元素で汚染することなく、解析用サンプルを分離する試料作製方法およびイオンビーム加工装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 本発明はイオンビーム加工装置に関し、ＴＥＭに用いて好適な試料を遮蔽板を使用せずに作製することができるイオンビーム加工装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 イオンビームを用いて試料を加工する装置において、イオン源１と試料４の間にウィーンフィルタ２を配置し、イオン源１からのイオンビームを前記ウィーンフィルタ２を通すことで、ビームの形状を試料の加工に適した形に整形するように構成する。このように構成すれば、ＴＥＭに用いて好適な試料を遮蔽板を使用せずに作製することができる。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ面内の反りの影響を排除して特定の位置に精度良く移動する傾斜荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】基準点として予めステージ平面と同じ水平と高さを決めた視野合せ調整用マーク４７を形成した部位４６をウェーハホールダ上に設けた。試料上の観察点の高さをマーク４７の高さに調整し、その時の傾斜カラムと垂直カラムの視野の既知のオフセットを用いることにより、傾斜カラムと垂直カラムの視野を一致させる。 （もっと読む）

本発明は、ＦＩＢ加工エンドポインティングオペレーションを向上させるシステムおよび方法に関する。この方法は、加工されているエリアのリアルタイム画像と、ピクセル強度のリアルタイム図形プロットとを生成することを含み、既存のＦＩＢシステムによって生成された画像およびプロットに対して検出感度を向上させるものである。画像およびプロットは既存のＦＩＢシステムから得られた生の信号データを用いて生成される。より具体的には、生の信号データは、画像を生成するための特別なアルゴリズムに従って処理される。このアルゴリズムは、画像と、対応する強度グラフを生成するためのものであり、これら画像およびグラフは信頼性の高い正確なエンドポイント検出に使用される。
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【課題】本願の目的は，イオンビームによる断面形成時間を短縮する加工方法，およびウェーハから微小試料を分離する加工時間を短縮する加工方法，およびイオンビーム加工装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は，真空容器４１を有しており，真空容器内には，デュオプラズマトロン５１，非軸対称イオンビームレンズ５２，ステンシルマスク５７，などから構成されており，断面に垂直方向に急峻なビームプロファイルを持つアルゴンイオンビームにより試料１１から微小試料１３９を摘出する。
【効果】本願によると，デバイス製造ウェーハ検査・不良解析のための断面観察結果が短時間で得られる。さらに試料を取り出したおよびウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新たな検査・解析方法，および高歩留まりの電子部品製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】試料のイオンビーム照射による高精度の薄膜加工と電子ビーム照射による高分解能のＳＴＥＭ観察の両者を、ほぼ試料を動かすことなく、高スループットで実施する。
【解決手段】ＦＩＢ照射系１６の照射軸とＳＴＥＭ観察用電子ビーム照射系５の照射軸をほぼ直交させ、その交差位置に試料７を配置して、試料のＦＩＢ断面加工面をＳＴＥＭ観察用試料の薄膜面にとる。透過・散乱ビーム検出手段９ａ，９ｂは、電子ビーム照射軸上で電子ビーム照射方向からみて試料の後方に配置する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は探針による試料電位分布像の取得方法及び装置に関し、試料の微小電圧変動を捉えることが可能な探針による試料電位分布像の取得方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料１４のパターン面に接触させる第１の探針と第２の探針とからなる２本の探針１１，１２と、試料１４上を電子ビーム又はイオンビームで走査する走査手段と、試料１４上の任意の位置の電位を前記２本の探針を用いて検出する電位検出手段１８と、該電位検出手段１８の出力と電子ビーム又はイオンビームとを同期させて試料電位分布像を取得する取得手段２１とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】 試料の断面構造を観察・解析する場合、試料の温度を調整した状態で断面を加工する。
【解決手段】 試料室内で試料の断面を評価する装置であって、該試料を載置する試料ステージと、該試料の温度を調整するための温度調整手段と、該試料の断面加工、及び観察を行うため該試料に対してイオンビームを照射するイオンビーム発生手段と、前記イオンビームの試料観察の照射に応じて前記試料から放出される放出信号を検出する検出手段とを備えている。前記温度調整手段により前記試料を予め設定された温度に調整した状態で、前記イオンビーム発生手段によるイオンビームの照射、及び前記検出手段による放出信号の検出を行う。 （もっと読む）

【課題】
表面に液体金属を塗布したイオンビーム光学系用絞りにおいて、絞りベースのスパッタ，再付着によるイオン源の不安定化を防止する。
【解決手段】
液体金属イオン源を使用する集束イオンビーム装置において、イオンビーム径を制限する絞りが、前記イオンビームが通過する絞り孔を表面最下点に持つ凹部を備えた容器に、前記液体金属イオン源に用いられる液体金属を載せたものである集束イオンビーム装置。絞りベース材料が露出する絞り孔内面の面積をイオンビームが通過する下流側にテーパ面を設けることにより最小化しても良い。 （もっと読む）

【課題】 分子素子に用いる分子の性質を評価するために、サブナノメートルのギャップを持った電極を作製することを課題とする。
【解決手段】 試料表面の二点に接触する２本のプローバ２３と、プローバ２３が接触している二点間に一定の電圧を印加する電圧源２４と、前記二点間に流れる電流を測定する電流計２５とを有する集束イオンビーム装置であって、偏向電極１５とガス銃１８を動作させ前記２点間に導電膜をそのギャップが狭くなるように形成すると共に前記２点間に流れる電流をモニタし、前記電流が所定値になったらブランキング電極１３にて試料表面に照射される集束荷電粒子ビームをオフにする。 （もっと読む）

【課題】イオン・ビーム光軸上に磁場が存在し、更に磁場が変動する場合でもイオン・ビームが試料上で同位体分離を生じることが無く、磁場が無い場合のビーム・スポット位置へ集束する集束イオン・ビーム装置を提供する。
【解決手段】補正磁場発生部10からイオン・ビーム３の光軸上に補正磁場を発生させ、外部磁場によるイオン・ビームの偏向を相殺する。 （もっと読む）

イオン衝突を利用した顕微鏡検査または表面研究用の試料のミリング処理装置を開示する。この装置は高低両エネルギー・イオン源を使用することによって試料表面をそれぞれ粗及び微修正することができる。イオン源から発生する衝突ビーム内の試料位置を正確に制御することによって、ビームに対して試料を傾倒及び回転させることができる。この位置制御によって、プログラム制御下に且つ定常な真空条件下に、試料を異なるイオン源の間で移動させることができる。また、装置への試料の導入及び装置からの試料取出しの際に真空度を低下させず、しかも試料を周囲温度に戻すことを可能にするロード・ロック機構を設ける。ミリング処理のすべての動作段階において試料を観察及び撮像することができる。
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