【課題】ＦＩＢ加工装置による加工で生じた試料のダメージ層の除去の精度は作業者の技量に依存する。
【解決手段】イオンビームにより発生したダメージ層の除去加工中に、電子ビーム光学システムで形成された電子ビームを試料に照射することにより発生する透過電子を二次元検出器で検出し、当該二次元検出器で得られたディフラクションパターンのぼけ量に基づいてダメージ層の除去加工を終了するタイミングを判定する。 （もっと読む）

【課題】減厚による歪緩和の影響を補正して、バルクの結晶中の歪を測定する。
【手段】結晶基材を含む被測定試料に集束イオンビームを照射して減厚し、被測定試料薄片とする減厚工程と、減厚工程途中の複数時点で、被測定試料薄片に集束電子線を照射して高角度散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３を測定する工程と、前記複数時点で、結晶基材の格子定数を電子線回折法により測定し、被測定試料薄片の歪Ｅ１〜Ｅ３を算出する工程と、散乱電子の電子線強度Ｉ１〜Ｉ３及び歪Ｅ１〜Ｅ３に基づき、散乱電子の電子線強度Ｉを変数とする歪の近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）を作成する工程と、減厚に伴い歪緩和が始まる臨界厚さに等しい厚さの結晶基材に、集束電子線を照射したとき測定される高角度散乱電子の臨界電子線強度Ｉｏを予測する工程と、臨界電子線強度Ｉｏを近似式Ｅ＝Ｅ（Ｉ）に代入して、被測定試料の歪Ｅｏを算出する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を試料表面に対して、所望の領域に広範囲の角度で照射可能な荷電粒子線装置を実現する。
【解決手段】イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線に沿う方向の位置、直交する方向の位置）や傾斜角度（イオンビームカラム２０１ａの中心軸の延長線と直交する面に対する傾斜角度）を調整可能な電極を有する電極部２０４を、試料室２０３内に配置し、電極等により、曲げられたイオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面に照射するように構成する。イオンビーム２０１ｂを試料２０２の表面の所望の領域に、試料表面に対して広範囲の角度で照射可能となる。 （もっと読む）

【課題】 試料片を保持している試料支持体からの反射電子や散乱電子が試料片に当たり難くする試料保持方法を提供する。
【解決手段】 試料素材１に集束イオンビーム２を照射して試料片４を切り出す工程と、切り出された試料片４をマニピュレータの先端部に取付けられたプローブ５の先端部に付着させ、ピックアップする工程と、試料素材１に換えて電子顕微鏡用試料ホルダーにセットされる試料支持部材７を集束イオンビーム装置の試料載置台にセットする工程と、プローブ５の先端部に付着された試料片４が試料支持部材７から離れた空間部に位置して、プローブ５の一部が試料支持部材７に接触する様にプローブ５を移動させる工程と、その接触部でプローブ５の一部を試料支持部材７に付着させる工程と、及び、その接触部よりプローブ５の根元側の部分を切断する工程から成る。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、特別な検出手段を要せず顕微鏡観察しながらマニピュレータを操作するだけで微小な試料へプローブが確実に且つソフトに接触するようにアプローチ出来る手法を提示すると共に、それを実行する装置を提供することにある。
【解決手段】プローブ１をチルトさせてその先端部を試料５の目標位置に接近させながら、プローブ１先端部と前記目標位置の距離を荷電粒子ビーム顕微鏡で観察しつつ、観察画面上で前記目標位置にてプローブ１とプローブ１の影との先端部が一致する方向へ、プローブ１を移動させる。 （もっと読む）

【課題】試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および微小試料加工観察方法を実現する。
【解決手段】同一真空装置に集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１を備え、ウェーハ２１の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブ７２を備えた。 （もっと読む）

【課題】従来のシリコンの水素化物やハロゲン化物を原料ガスとして用いたデポジションに比べ、高速な半導体膜デポジションが可能な荷電粒子ビーム装置を提供すること。
【解決手段】荷電粒子源１と、集束レンズ電極２と、ブランキング電極３と、走査電極４と、試料９を載置するための試料台１０と、荷電粒子ビーム照射により試料９から発生する二次荷電粒子７を検出する二次荷電粒子検出器８と、シクロペンタシランを原料ガスとして収容するリザーバ１４と、原料ガスを試料９に供給するガス銃１１と、を備える荷電粒子ビーム装置を用いる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工の基準となる基準マークを自動的に正確に検出できる荷電粒子ビーム応用装置、および荷電粒子ビーム応用装置における基準マークの検出方法を提供する。
【解決手段】ＳＥＭカラムの光軸とＦＩＢカラムの光軸の間を分割した複数の角度に試料を傾斜させたときの基準マークのＳＥＭ画像からテンプレートを作成登録し、位置の補正量を試料の傾斜角度毎に算出し、ＦＩＢ加工中には試料の角度を固定したまま傾斜した基準マークのＳＥＭ画像を取得し、登録されたテンプレートを用いて基準マークを検出する。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ加工により生じた試料片のダメージ層を不足なくかつ最小限に除去することができる技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置は、試料から試料片を形成する第１のＦＩＢ加工を行う第１の元素イオンビーム光学系装置と、試料片の表面に形成されたダメージ層を除去する第２のＦＩＢ加工を行う第２の元素イオンビーム光学系装置と、ダメージ層に存在する第１の元素を検出するための第１の元素検出器と、を有する。ダメージ層に存在する第１の元素の量が所定の閾値より小さくなったとき、第２のＦＩＢ加工の終了を決定する。 （もっと読む）

【課題】物体を広い領域にわたり所望の形状に加工する。
【解決手段】粒子ビームを物体の表面にわたって走査して物体から出射する電子を検出するステップと、検出した電子に基づき物体表面の高さを求め求め、予め決定された物体表面の高さとの間の高低差を求めるステップと、物体の表面における複数の場所それぞれの加工強度を、求めた高低差に基づき決定するステップと、物体の複数の場所から材料を除去するか又は物体の複数の場所に材料を堆積するために、決定した加工強度に基づき、粒子ビームを複数の場所に指向させるステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビーム加工装置用のマニピュレータのプローブ装置について、シンプルな構造で低コスト、汎用性のある装置構成で、広い特定領域からの抽出を実現する。
【解決手段】集束イオンビーム加工装置内において、ｎ本（ｎ≧２）に分岐した櫛形状の先端部１３を有し、その分岐間隔が２０〜２００μｍと幅広く、広い領域の特定部位を自在に抽出することができる集束イオンビーム加工装置用プローブとその簡便なプローブ製造方法を提供する。櫛形状プローブの先端部１３がプローブ支持部１２と角度を有し、先端部１３が試料６に平行に操作され、精度よく広い領域の特定部位を抽出することができる。その製造方法は、３０μｍ厚み以下の金属薄板１５から櫛形状部位１６を集束イオンビーム加工技術により切り出し、真空装置内でマニピュレート操作できる機構のプローブ支持部１２に、ガスデポジション機能を用いて取り付けて一体化する。 （もっと読む）

【課題】試料の所望の領域の所望の層を短時間で一括加工し、荷電粒子線による検査、解析、微細加工等を実現する荷電粒子線装置を提供する。数百ミクロン以上の所望領域を高速に一括加工可能な機能が従来の荷電粒子線装置には無かった。
【解決手段】荷電粒子線装置内にプラズマのガス供給源とプラズマ電源に繋がった電極を所望領域近傍に設置できる構成とし、局所的なプラズマ加工と荷電粒子線による検査、解析、微細加工等の複合機能を実現する。 （もっと読む）

【課題】非破壊で且つ高精度にイオンビームの照射位置の位置決めが可能なイオンビーム照射位置決め装置を提供する。
【解決手段】イオンビーム照射位置決め装置は、試料台１０と観察装置２０とイオンビーム装置３０とマッピング処理部４０と位置決め部５０とマニピュレータ６０とからなる。観察装置２０は、試料の顕微鏡像を出力するものである。イオンビーム装置３０は、試料にイオンビームを照射するものである。マッピング処理部４０は、観察装置により得られる顕微鏡像を用いて試料を座標にマッピングする。位置決め部５０では、マッピング処理部によるマッピング座標を用いて、イオンビームの照射位置座標を決定する。そして、イオンビーム装置によるイオンビームの照射前に、マニピュレータ６０により、位置決め部により決定される照射位置座標に対して、観察装置の視軸とイオンビーム装置の視軸とが同軸となるように試料台を移動させる。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームでＴＥＭ観察用の薄片化試料を作製し、低加速電圧の気体イオンビームで試料表面のダメージ層を除去する装置において、電子顕微鏡と試料とを最適な距離に配置すること。
【解決手段】集束イオンビーム鏡筒１と、走査電子顕微鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３とを備えた複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム鏡筒１のビーム照射軸と、走査電子顕微鏡筒２のビーム照射軸と、気体イオンビーム鏡筒３のビーム照射軸とは１点で交わり、かつ、集束イオンビーム鏡筒１のビーム照射軸は、走査電子顕微鏡筒２のビーム照射軸と略直交するように配置し、気体イオンビーム鏡筒３のビーム照射軸は走査電子顕微鏡筒２のビーム照射軸と９０度より小さい角度で交わるように配置する複合荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】加工エリアに凹凸が存在する場合においても、位置認識用マークの判定用に取得する画像のコントラスト又は明るさの調整を適切に行う。
【解決手段】ＦＩＢ加工装置１００は、加工対象の試料１に形成された位置認識用マーク２を含む画像を取得する画像取得部３と、画像取得部３により取得された画像のコントラストと輝度とのうちの少なくとも何れか一方を調整する調整部（コントラスト／輝度調整部４）とを有する。ＦＩＢ加工装置１００は、更に、調整後の画像に基づき位置認識用マーク２の位置を判定するマーク位置判定部５と、判定された位置認識用マーク２の位置に応じて照射位置を補正しながら、試料１に集束イオンビーム１７を照射して、試料１を加工する照射部７を有する。画像取得部３は、試料１において、その表面の凹凸が所定の基準未満の範囲、の画像を取得する。 （もっと読む）

【課題】チップを装置から取り出すことなくチップ先端のピラミッド構造の再生を図ること。
【解決手段】針状のチップ１と、チップ１にガスを供給するガス供給部と、チップ表面に吸着したガスをイオン化してイオンビームを引き出す引出電極４と、チップ１と引出電極４の間に電圧を印加する電圧供給部２７と、チップ表面と同じ金属をイオンビームが照射される面に備えたチップ再生電極と、を有する荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 試料を大気中に取り出すことなく試料の断面加工と断面観察が行える荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 イオン加工時、試料ホルダ２２の第２の被取付部３４がホルダ取付部１６に取付けられる。そして、遮蔽材４０のエッジ部４２から突出した試料部分４１がイオンビームによってエッチングされる。その後、試料ステージが電子光学系の光軸上に配置されて、イオンエッチングで現れた試料断面５０がＳＥＭ観察される。一方、試料表面４５をＳＥＭ観察する場合には、試料ホルダの第１の被取付部３１がホルダ取付部１６に取付けられる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像取得のためのシステムを導入することなく、エミッターの先端構造の確認を図ること。
【解決手段】チップ１にガスを供給し、引出電極４に電圧を印加し、チップ１からイオンビーム１１を放出する集束イオンビーム装置において、電圧を変化させ、イオンビーム１１の電流量を測定する電流測定部１１１と、電流測定部１１１で測定した測定データと標準データとを比較処理する処理部１１４とを備え、チップ先端構造を検査する集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】イオン源のイオン種切り替えを容易に行い、用途に合わせて適切なイオン種を用いること。
【解決手段】ガス種毎に、チップの設定温度と、イオン源ガスのガス圧力と、引出電極に印加する引出電圧と、コントラストの設定値と、ブライトネスの設定値と、を記憶する記憶部３０２と、ガス種を選択し入力する入力部１０６と、入力したガス種に対応する設定温度と、ガス圧力と、引出電圧と、コントラストの設定値と、ブライトネスの設定値と、を記憶部３０２から読み出し、それぞれヒーター１ｂと、ガス制御部１０４と、電圧制御部２７と、観察像の調整部３０３を設定する制御部３０１と、を備えている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】気体イオンビーム装置とＦＩＢとＳＥＭを用いて、効率よくTEM試料作製ができる複合荷電粒子ビーム装置としての構成方法を提供する。
【解決手段】ＦＩＢ鏡筒１と、ＳＥＭ鏡筒２と、気体イオンビーム鏡筒３と、ユーセントリックチルト機構とユーセントリックチルト軸８と直交する回転軸１０とを持つ回転試料ステージ９と、を含む複合荷電粒子ビーム装置であり、集束イオンビーム４と電子ビーム５と気体イオンビーム６とは、１点で交わり、かつＦＩＢ鏡筒１の軸とＳＥＭ鏡筒２の軸はそれぞれユーセントリックチルト軸８と直交し、かつＦＩＢ鏡筒１の軸と気体イオンビーム鏡筒３の軸とユーセントリックチルト軸８とは一つの平面内にあるように配置する。 （もっと読む）