荷電粒子ビームを導く改良された方法であり、１つまたは複数の偏向器信号を変化させることによって、荷電粒子がシステムを通過するのに要する時間を補償する方法。本発明の一実施形態によれば、ＴＯＦエラーが原因で起こることがあるオーバシュート効果を低減させ、または排除するために、デジタル−アナログ（Ｄ／Ａ）変換の前に、走査パターンをデジタル・フィルタにかける。他の実施形態では、ＴＯＦエラーを補償するのに、アナログ・フィルタ、またはより低い帯域幅を有する信号増幅器の使用を使用することもできる。走査パターンを変化させることによって、オーバシュート効果をかなり低減させ、または排除することができる。
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【課題】本発明の課題は、微小試料片およびまたはその周辺領域を汚染することなく、確実で安定的な微小試料片の分離、摘出、格納を行う装置および方法を提供することにある
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【解決手段】試料基板から観察すべき領域を含む試料片をイオンビームスパッタ法により分離し、試料を押し込んで保持し、引き抜いて分離するための、根元に比較して先端が細く、該先端部が割れている形状で、該形状により得られる試料片を保持する部位の弾性変形による力で試料片を保持する棒状部材からなるはり部材を用いて、前記試料片を試料基板から摘出し、試料片を載置するための載置台上へ移動させた後、前記はり部材と前記試料片を分離することで該試料片の格納を行う。 （もっと読む）

【課題】液体金属イオン・ビームのミリングに対するビーム品質を向上させる。
【解決手段】イオン源からのイオンの非対称エネルギー分布によって、処理時間をあまり短縮することなく、低エネルギー・ビーム・テール中のイオンをフィルタによって除去することによって色収差を低減させることが可能になる。一実施形態は、イオン・ビーム・カラム内に、低エネルギー・イオンをビームから除去するフィルタを含む。 （もっと読む）

【課題】試料交換を行った際に、集束イオンビーム照射軸と電子ビーム照射軸と分析装置の２次粒子取り込み口の軸および試料表面の最適な位置関係を、簡便に精度良く再現することのできる集束イオンビームを用いる微細部位解析装置を提供する。
【解決手段】集束イオンビームを用いる微細部位解析装置において、試料表面法線方向に配置した分析装置５の窓板８を通り、かつ分析装置５の２次粒子取り込み口５ａを通ってレーザー光９ａを試料３の表面３ａに照射する。その反射レーザー光９ｂの強度と位置が最適になるように受光器７を設置し基準位置とする。試料交換を行った際は、受光器７の応答を観察しながら基準位置を再現するように試料３等の姿勢を補正する。 （もっと読む）

【課題】複数の荷電粒子ビームカラムを備えたシステム、及びそのシステムを容易に制御する方法を提供する
【解決手段】電子ビームを生成し、電子ビームを試料に向けて集束させるための電子カラムであって、試料表面において少なくとも０．０２５テスラの強さを有する磁場を形成する磁気対物レンズを含む電子カラムを設け、磁場が存在する中で集束イオンビームを試料表面に指向させる際に、イオンビームの磁場による変位量を補償し、且つ補償によってイオンビームのスポットサイズの増加分が５０％未満となるように、イオンビームを指向させる。 （もっと読む）

【課題】試料台の回転中心位置を特定する回転中心探索方法及び回転中心探索システムを提供する。
【解決手段】観察対象の試料７を固定する平面部４２を有する試料台４１の平面部４２に予め定めた観察点１０を設ける。試料台４１を平面部４２に沿う方向に回転しつつ、観察点１０の各角度における座標を記憶する。記憶された座標に基づいて図形１１を描画する。描画された図形１１の内部の点を試料台４１の平面部４２における回転中心を特定する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＦＩＢ加工面を高分解能、且つ低ダメージでＳＥＭ観察することに関する。
【解決手段】本発明は、イオンビームにより加工された試料断面や端面を電子ビームにより観察できる複合荷電粒子線装置において、試料断面や端面に照射される電子ビームによって誘起された、弾性散乱電子を含む低エネルギー損失後方散乱電子を検出することができる検出器を備えることに関する。該検出器は、電子ビームカラムの外の空間に設置されていることが望ましい。本発明により、ＦＩＢ加工断面や端面の材料や組成の表面情報を、高分解能、且つ低ダメージでＳＥＭ観察できる。選択するエネルギーバンドを変えることにより、試料表面に対して異なる深さの情報を得ることもできる。 （もっと読む）

【課題】加工対象試料上に散在する加工箇所の加工順序を適正化するＦＩＢ加工装置の提供。
【解決手段】複数の行程を必要とするＦＩＢ加工において、加工順序を適切なものに並び替えて実行することにより、ステージ移動距離の短縮、ステージ回転回数の削減及び加工の種類選択のための機構切換え回数削減を実現し、トータル加工時間の短縮と加工精度の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は複合装置におけるビーム照射位置の補正装置に関し、導電体が挿入されても試料観察位置がずれてしまうことのないビーム照射位置の補正装置を提供することを目的としている。
【解決手段】コレクタ電極７へ印加する電圧をオフにした状態で、導電体が試料室１に挿入された時にＳＥＭ鏡筒２からの電子ビームと、ＦＩＢ鏡筒３からのイオンビームの照射位置のずれを補正するためのイメージシフト量を記憶する補正テーブル２１と、ＳＥＭ像又はＦＩＢ装置像を表示する表示手段２２とを具備し、前記ＳＥＭ鏡筒２とＦＩＢ鏡筒３に所定の加速電圧が印加された状態における、前記補正テーブル２１に記憶されているイメージシフト補正量を読み出してＳＥＭ鏡筒２からのイメージシフト信号及びＦＩＢ鏡筒３からのイメージシフト信号に重畳し、この状態で得られた２次電子像を前記表示手段２２に表示するように構成される。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームを使用して微細構造を製造する電子ビーム・システムを提供すること。
【解決手段】吸着物質の枯渇を制御することによって、前駆体ガスとの電子ビーム誘起化学反応を制御する。吸着物質の枯渇は、ビーム電流を、好ましくはビームを高速ブランキングすることによって制御すること、および基板を冷却することによって制御することができる。相互作用体積を小さくするため、ビームは低いエネルギーを有することが好ましい。枯渇および相互作用体積を制御することによって、ユーザは、精密な形状を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＭ像から、コンタミネーション等の外乱に影響されずにエミッタの結晶構造を正確に把握することができるうえ、原子の再配列を行わせたとしても、エミッタの結晶構造が正確に元の状態に戻ったか否かを判断すること。
【解決手段】エミッタ１０と、ガスＧ２を供給するガス源１１と、エミッタを冷却させる冷却部１２と、エミッタの先端を加熱する加熱部１３と、引出電圧を印加してエミッタの先端でガスをガスイオンにして引き出させる引出電源部１５と、ガスイオンを集束イオンビーム（ＦＩＢ）にした後に試料Ｓに照射させるビーム光学系１６と、エミッタ先端のＦＩＭ像を取得する画像取得機構１７と、表示部及び記憶部７ｂを有する制御部７と、を備え、記憶部には、エミッタ先端の理想的な結晶構造を表示するガイドが予め記憶され、制御部が取得したＦＩＭ像にガイドを重ねた状態で表示部に表示可能とされている集束イオンビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は電子顕微鏡の試料コーティング方法に関し、絶縁試料の導電性処理を簡易な構成で行なうことができる電子顕微鏡の試料コーティング方法を提供することを目的としている。
【解決手段】走査型電子顕微鏡１０と集束イオンビーム装置１１との光学系を備え、これら二つの光学系の光軸が試料位置の一点で交わる構造のマルチビーム装置において、マルチビーム装置のチャンバ１にその先端部のプローブ１３の位置が移動可能なマニピュレータ１２を設置し、該設置されたマニピュレータ１２のプローブ先端に蒸着材料保持機構を設け、イオンビームによって加工された絶縁試料の加工断面近傍に前記蒸着材料保持機構を近づけ、該蒸着材料保持機構内の蒸着材料に前記集束イオンビーム装置１１からイオンビームを照射してスパッタリングを行ない絶縁試料の加工断面に該蒸着材料をコーティングさせるように構成する。 （もっと読む）

【課題】微小な特定箇所を劈開して断面を得ることができるミクロ断面加工方法の提供を提供する。
【解決手段】試料表面２ａに、観察対象３が含まれる線状の断面予想位置３Ｌを決定する工程と、断面予想位置に対して、集束イオンビーム２０Ａを垂直または傾斜角を持って照射させ、断面予想位置の前方の位置で断面１０を形成する工程と、断面の両端部に集束イオンビームを照射させ、断面予想位置より後方の位置まで延びる側面切込み１２、１２を形成する工程と、断面予想位置より後方の位置まで延びる底部切込み１４を形成する工程と、側面切込みから断面予想位置に沿って集束イオンビームを照射させ、底部切込みに接続する楔１６，１６を形成する工程と、試料の断面予想位置より前方の部位２ｘに衝撃を加え、楔で挟まれた断面予想位置の近傍を劈開させ、劈開面Ｓを形成する工程とを有するミクロ断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビーム装置による加工の際、マニピュレータとして微小ピンセットとその回転機構とを用いることで、傾斜機構を必要とせずに試料の向きを変えて試料ホルダへ固定可能な集束イオンビーム装置を提供する。
【解決手段】試料２０を固定するための固定面６２ｓを有する試料ホルダ６２と、試料ホルダが設置されている試料台６１と、集束イオンビームを試料に照射する集束イオンビーム照射機構１２０と、試料を挟持し、その軸方向Ｌが試料台の表面と所定の角度θをなす微小ピンセット５０と、微小ピンセットを開閉させる開閉機構５３と、微小ピンセットを軸方向の周りに回転させる回転機構５４と、微小ピンセットの位置を移動させる移動機構５５とを備えた集束イオンビーム装置１００である。 （もっと読む）

【課題】ＦＩＢ装置に組み込んだ微小マニピュレータ部をその場でエッチング加工することで、従来困難であった１μｍ以下の微小物のハンドリングの確実性を高めるとともに、マニピュレータの再利用により作業効率やメンテナンス性を向上する。
【解決手段】微小マニピュレータ部を位置および向きを変えることのできる移動機構で保持することにより、マニピュレーション作業前にマニピュレータ先端部をＦＩＢ加工するとともに、作業中のマニピュレータ先端の汚染や破損があった場合でも、加工により再度使用可能な形状に再生する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、試料の意図しない損傷を回避し、プローブや試料ステージなどの成分である重金属のスパッタ粒子の試料への飛散や付着を極力低減して、プローブを加工することに関する。
【解決手段】本発明は、イオンビームを照射できるイオンビーム装置と、真空試料室内に配置されたプローブを駆動するプローブ制御装置と、を備えたプローブ装置において、プローブをイオンビームで加工するための領域を試料室内に設け、プローブのスパッタ粒子やプローブ近傍を通過したイオンビームを当該領域に捕捉させることに関する。本発明により、プローブへのイオンビーム照射により発生したスパッタ粒子，プローブの破片，プローブの近傍を通過したイオンビームなどによる試料などへの悪影響を低減できる。このため、プローブ形状を試料室内で再生し、長期間プローブを継続使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】サンプリング動作中にステージを移動させることなく試料から試料片を短時間に取り出すことができるイオンビーム加工装置及び試料加工方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ３１を保持する試料ステージ３３と、イオン源１１で発生したイオンビーム１２をマスク１５によってプロジェクションビームに成形するプロジェクション光学系を有し、イオンビーム１２を試料面に斜めに照射可能な第１イオンビームカラム１０と、第１イオンビームカラム１０よりもイオンビーム２２を細く絞ることが可能なイオンビーム光学系を有し、第１イオンビームカラム１０と同時にイオンビーム２２を試料面に垂直に照射可能な第２イオンビームカラム２０と、イオンビーム１２，２２の照射により加工した試料片５０をウェーハ３１から摘出するマニピュレータ４２と、摘出した試料片５０を保持するカートリッジ５１とを備える。 （もっと読む）

【課題】表面に有機物が形成されている試料の断面を精度よく得ることができる断面加工方法及び断面観察試料の製造方法を提供する。
【解決手段】有機物の層又は構造８を表面に有する試料２に、集束イオンビーム装置１００を用いて集束イオンビームを照射し、試料の断面加工位置Ｌに断面加工を行う方法であって、保護膜となる原料ガスの存在下、断面加工位置を含む試料の表面に集束イオンビームを照射し、有機物の層又は構造の表面に保護膜７ａを形成する保護膜形成工程と、保護膜が形成された断面加工位置に、保護膜形成工程における加速電圧より高い電圧で集束イオンビームを照射し、断面加工を行う断面加工工程とを有する試料の断面加工方法である。 （もっと読む）

【課題】本発明が解決しようとする課題は、ＦＩＢ鏡筒とＳＥＭ鏡筒を備えたシステムにおいて、ＦＩＢ加工を実行している過程をリアルタイムでＳＥＭ観察する際に、ＦＩＢ照射によって放出される二次電子がＳＥＭ検出信号のノイズとならないようなシステムを提供することにある。
【解決手段】本発明はＦＩＢ鏡筒と、ＳＥＭ鏡筒を備えた複合装置において、ＦＩＢ用のアパーチャに加工形状のスリットを備えることにより、集束したイオンビームの走査ではなく試料面にパターンを転写することによりイオンビーム加工するようにした。 （もっと読む）