【課題】描画加工に費やす時間が短縮でき、試料の加工や観測の精度が高い半導体の加工観察装置を提供すること。
【解決手段】Ｇａイオンビームが含まれる描画加工用イオンビームを照射する加工装置と、電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置と、Ａｒイオンビームが含まれる除粉用イオンビームを照射する除粉装置と、これらの三つの装置をまとめて収める真空容器と、この真空容器に置かれ、かつ試料を載置する載置テーブルとを有し、三つの装置の照射する各ビームが試料に集合するように配置され、電子ビームの照射で試料から発生する二次電子を検知する検知器を有し、かつ電子ビームを照射する走査形電子顕微鏡装置の加速電圧を０．６ｋｅＶ〜３ｋｅＶ程度にしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】試料を汚染することなく加工しつつ観察することができる複合荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】本発明の複合荷電粒子ビーム装置は、ガスフィールドイオン源を備えたイオンビーム照射系２０と、その照射軸がイオンビーム照射系２０の照射軸に対し９０度又は９０度よりも狭い角度に配置された電子ビーム照射系５０と、前記イオンビーム照射系２０から射出されるイオンビーム２０Ａと前記電子ビーム照射系５０から射出される電子ビーム５０Ａとの交差位置で試料を支持する試料台１４と、前記試料上のビーム照射位置にデポジション用又はエッチング用の機能ガスを供給するガス銃１１と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、荷電粒子線による試料の加工と、その加工断面のモニターと、を高スループットで実現することに関する。
【解決手段】
ＦＩＢ加工途中の断面構造の観察を、断面を削っているイオンビームにより試料から発生する二次粒子像を用いて観察し、少なくとも二つ以上の断面を作製し、加工と加工断面のモニターを行いながら試料の加工を進めれば、所望領域の場所と大きさが未知であっても、所望の領域を失うことなく正確な試料加工が可能である。 （もっと読む）

【課題】フリップステージなしにＦＩＢ−ＳＴＥＭシステムで使用されることができるＳＴＥＭサンプル作製および解析のための方法を提供する。
【解決手段】方法は、約６０度の最大傾斜を有する典型的な傾斜ステージを有するデュアル・ビームＦＩＢ／ＳＴＥＭシステムが、基板からＳＴＥＭサンプルを抜き出し、ＴＥＭサンプル・ホルダ上にサンプルを搭載し、ＦＩＢミリングを使用してサンプルを薄化し、かつサンプル面がＳＴＥＭ撮像のために垂直電子カラムに垂直であるように、サンプルを回転するために使用されることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハーのＦＩＢ加工処理おいて、真断面径となる加工断面を自動的に判定する。
【解決手段】ＦＩＢ加工における仕上げ加工中に、ＦＩＢ加工された加工断面を逐次撮像するステップと、撮像された画像に基づいて加工断面上のパターン寸法を求めるステップと、パターン寸法と撮像時刻とに基づいて、パターン寸法の時間関数を求めるステップと、関数演算手段によって求められた時間関数に基づいて、ＦＩＢ加工の停止位置を制御するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】加工穴の穴埋めにかかる時間を短縮しつつ穴埋め跡の高い平坦度を確保することができる荷電粒子線加工装置を提供する。
【解決手段】異種の荷電粒子線原料ガスをそれぞれ充填したガスボンベ２２Ａ，２２Ｂと、イオンビーム２を試料１３に集束し照射する荷電粒子線光学系を含むイオンビームカラム３と、試料１３を保持するホルダ４と、ガス銃１１とを有する荷電粒子線加工装置において、マイクロサンプル８１の摘出加工を行うイオンビーム２とマイクロサンプル８１を摘出した後の穴埋め加工を含む膜堆積に使用するイオンビーム２の発生源の種類を変える。 （もっと読む）

【課題】ライトギャップの測定精度を向上させる薄膜磁気ヘッドのライトギャップ測定方法を得る。
【解決手段】薄膜磁気ヘッドの媒体対向面となる位置にイオンビームを照射してウエハを一部切断し、該切断面を測定対象面とする。次に、測定対象面にカーボンガスを供給しつつイオンビームを照射することにより、測定対象面にカーボンを付着させ、グレインの見えないＳＩＭ像を得る。このグレインの見えないＳＩＭ像を用いて所定の演算を行い、薄膜磁気ヘッドのライトギャップを算出する。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】ライン加工においてある程度の深さまで加工すると、更に加工時間を掛けても進まないことに鑑み、ライン状の溝加工で、適切に溝の深さが制御でき、かつ、高速で行うことができる加工装置を提供する。
【解決手段】ラインの必要な深さの加工を加工時間が最小となるように、ライン幅とライン深さを計算して求め加工の設定値として加工する。また、実際にビームが照射される領域を集束イオンビーム走査像と重畳して画面上に表示して加工する。試料表面に対して傾斜したイオンビームの場合にもビームに対する試料の傾斜を考慮して、実際にビームが照射される領域を表示して加工する。 （もっと読む）

【課題】
試料の微細化に伴い、特に電子線照射に弱い材料に対して高い位置精度で薄膜加工し、観察する手法の確立が望まれている。これには、ＦＩＢ加工の加工終点をどのように判断し、観察部位が薄膜の中心に残るよう制御するかが技術的な課題となっている。
【解決手段】
試料断面の傾き部分に短冊状の加工領域を設定し、その加工モニタを短辺方向に拡大表示することで、断面構造の表示を可能とする。断面の構造が電子線の併用無しに確認できる。加工断面の確認を電子線を用いずに実施できるため、加工断面に電子線による損傷や変形が発生しない。また、薄膜化後に高加速電子線により観察することで、試料損傷を抑えた観察が可能で、電子線による試料像を観察しながら更に薄い薄膜にＦＩＢで加工することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】試料ステージを傾斜することなく、半導体ウェーハやデバイスなどの電子部品等の試料から所望の特定領域を含む微小試料を、分離または分離準備して、微小領域分析や観察、計測用の試料作製方法およびその試料作製装置を提供すること。
【解決手段】集束イオンビームを試料表面に対して大きくとも９０度未満の照射角度で試料に照射し、目的とする微小試料周辺を取り除き、次に試料ステージを、試料表面に対する垂直線分を回転軸として回転させ、試料表面に対する集束イオンビームの照射角度は固定して試料に照射し、微小試料を分離または分離準備することを特徴とする試料作製方法。 （もっと読む）

【課題】試料の種類に関係なく、ステージを作動させる前に予め試料との干渉を予測して該干渉を未然に防ぐことができ、オペレータにかかる負担を極力軽減すること。
【解決手段】試料２に対して荷電粒子ビーム（ＦＩＢ／ＥＢ）を照射する照射機構と、荷電粒子ビームの照射によって発生した二次荷電粒子を検出する検出機構と、照射機構及び検出機構の三次元データをそれぞれステージ座標系Ｗに関連付けた状態で予め記憶する記憶部と、試料の三次元データをステージ座標系に変換する変換部と、試料の特定位置を測定ポイントに位置させる際に、変換部によって変換されたデータと記憶部に記憶されたデータとに基づいて、試料と照射機構と検出機構との位置関係をシミュレーションして、予め試料が干渉するか否かを判断すると共に判断結果を報知する判断部とを備えている荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】試料を自動で平面に加工することができる荷電粒子ビーム装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビームを試料に照射する荷電粒子ビーム照射手段と、荷電粒子ビームを照射された試料から発生する二次荷電粒子を検出する検出手段と、前記検出手段によって検出された二次荷電粒子に基づいて荷電粒子像を形成する画像表示手段と、前記荷電粒子像において所望の加工領域を選択し、前記加工領域において、荷電粒子ビームを照射する各単位照射領域における輝度を取得し、前記輝度に応じて各単位照射領域に照射する荷電粒子ビームの照射時間を決定し、各単位照射領域に対する照射時間を規定した加工データを設定する画像表示及び加工設定手段と、前記加工データにしたがって前記荷電粒子ビーム照射手段を制御し、荷電粒子ビームを前記試料に照射させるビーム走査制御手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドリフトの影響を受けずに、連続的に取得した複数枚の断面像を重ね合わせて、正確で鮮明な試料の三次元画像を構築すること。
【解決手段】試料２の表面にデポジション膜ＤＰを形成する工程と、一方向に向かってライン状に延びる補正用マークＭをデポジション膜に形成する工程と、補正用マークを横切るようにエッチング加工して、デポジション膜及び試料の断面を露出させる工程と、露出したデポジション膜及び試料の断面像を取得する工程と、これら各工程を繰り返し行って、断面像を連続的に複数枚取得する工程と、補正用マークを基準にして複数枚の断面像を取得した順番に重ね合わせて基礎三次元画像を構築する工程と、を行う三次元画像構築方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の断面を観察するための技術において、同一のイオン源から引き出したイオンビームを用いて、試料を加工し、試料の被加工部分の観察を可能にするイオンビーム加工・観察技術を提供する。
【解決手段】試料を加工するガスイオンビーム種と試料を観察するときのガスイオンビーム種を切り替えることが可能である装置とする。試料加工時のガスイオンビーム種と試料観察時のガスイオンビーム種との切り替えを実現するためのイオン源として、ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２系統備え、各々のガス系統において各々のガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を各々設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、集束イオンビーム加工法などにより加工した試料をさらに他の前処理法で薄膜加工し、そのまま電子顕微鏡により観察および分析することにある。
【解決手段】
上記目的は、ＦＩＢ加工装置試料ホールダ用試料台においてＦＩＢ加工後の試料を材料の特性に合わせた方法で追加工し、ＦＩＢ加工によって生じた汚染や損傷の不具合を完全に除去し、材料の本質を保存した試料を観察目的に最適な形状、厚さに加工することが可能な試料台を備えることで達成される。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能でかつコストの低減が可能なビーム加工装置を提供すること。
【解決手段】ビーム加工装置は、ワーク２の加工を行うためのビームを出射するビーム出射源と、ワーク２に向けてビームを出射する出射部２５ａを有しビーム出射源からワーク２に向かうビームが通過するビーム通過部材２５と、ワーク２が固定される固定面６ａを有し所定方向へ移動可能な固定部材６と、３次元方向に変形可能にかつ中空状に形成され、ビーム通過部材２５が内部に配置される中空部材２３とを備えている。中空部材２３は、少なくとも、互いに接続される第１の中空部２６と第２の中空部２７とから構成されている。また、中空部材２３の一端には開口部３７が形成され、中空部材２３の一端は固定面に当接するとともに、中空部材２３の内部は真空状態とされる。 （もっと読む）

【課題】大断面を、断面位置精度を確保しつつ効率良く加工して観察することが可能な試料加工・観察装置及び断面加工・観察方法を提供する。
【解決手段】試料加工・観察装置１は、試料Ｓを載置する試料台２と、所定の照射範囲３ａ全体に亘って同時に第一のイオンビームＩ１を照射可能な第一のイオンビーム鏡筒３と、試料台２と第一のイオンビーム鏡筒３との間に配置可能であり、第一のイオンビームＩ１の一部を遮蔽するマスク６と、マスク６を移動させることが可能なマスク移動手段７と、第一のイオンビームＩ１の前記照射範囲３ａ内で、集束させた荷電粒子ビームＥを走査させることが可能な荷電粒子ビーム鏡筒４と、二次発生物を検出可能な検出手段１２とを備える。 （もっと読む）