【課題】酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタの電気特性のしきい値電圧をプラスにすることができ、所謂ノーマリーオフのスイッチング素子を実現するトランジスタ構造およびその作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】第１の酸化物半導体層上に、電子親和力が第１の酸化物半導体層の電子親和力よりも大きく、またはエネルギーギャップが第１の酸化物半導体層のエネルギーギャップよりも小さい第２の酸化物半導体層を形成し、さらに第２の酸化物半導体層を包むように第２の酸化物半導体層の側面及び上面を覆う第３の酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス基板の特性の向上、及び、白黒表示間のコントラストが向上した液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 マトリクス状に配置された画素電極と、行方向に隣接する２つの画素電極の両方と重畳して配置された列方向に伸びるソース配線と、ソース配線と交差して配置された行方向に伸びる保持容量配線とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記画素電極、ソース配線及び保持容量配線は、絶縁膜を介してそれぞれ異なる層に形成されており、上記ソース配線は、行方向に隣接する２つの画素電極下にそれぞれ屈曲点を有し、かつ、行方向に隣接する２つの画素電極の間隙を横切る横断部を有し、上記保持容量配線は、行方向に隣接する２つの画素電極の間隙と重畳して配置された列方向に伸びる延伸部を有し、上記ソース配線は、実質的に保持容量配線との交差点でのみ保持容量配線と重畳しているアクティブマトリクス基板。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタ及びその作製方法を提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、該チャネル形成領域を挟むように設けられ、チャネル形成領域よりも低抵抗な領域であるソース領域及びドレイン領域と、を含み、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域はそれぞれ結晶性領域を含む酸化物半導体層を有する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐久性、応答性、大型化を含めた生産性に優れたエレクトロクロミック装置を提供する。
【解決手段】電極層１１ａと、該電極層１１ａに対向配置される対向電極層１２ａと、電極層１１ａと対向電極層１２ａの間であって電極層１１ａに接して設けられるエレクトロクロミック層１３と、を有するエレクトロクロミック装置において、エレクトロクロミック層１３は、酸化ニッケルを主成分とした化合物からなる酸化ニッケル化合物層１３ｂと、酸化ニッケル化合物層１３ｂと電極層１１ａとの間に設けられ、半導体微粒子１３ａ１が充填されてなる半導体微粒子充填層１３ａと、を有する。 （もっと読む）

【課題】電気光学パネルの機種（特性）に合わせて適正に駆動させることが可能な電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】フレキシブル配線基板２００の第１辺に近い側から第１ＦＰＣ接続端子部４５と、第１ＦＰＣ接続端子部４５と端子配列の異なる第２ＦＰＣ接続端子部４６との順に配置されており、液晶パネル１００のパネル接続端子部４１は、液晶パネル１００の機種に応じて第１ＦＰＣ接続端子部４５又は第２ＦＰＣ接続端子部４６と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】保護回路を設けて表示装置の信頼性を高める。
【解決手段】画素部が有するトランジスタは、チャネル形成領域を有する第１酸化物半導体層を有し、走査線と電気的に接続する第１ゲート電極を有し、信号線と電気的に接続する第１配線層を有し、画素電極と電気的に接続する第２配線層を有し、画素部の外側領域に、保護回路を有し、保護回路が有する非線形素子３０、３１は、走査線１３又は信号線と電気的に接続される第２ゲート電極を有し、第２ゲート電極を被覆するゲート絶縁層を有し、ゲート絶縁層上に第２酸化物半導体層を有し、第２ゲート電極の電位が、非線形素子の第３配線層又は第４配線層へ印加されるように、第２ゲート電極と第３配線層又は第４配線層とは第５配線層によって電気的に接続されている。第５の配線層は、画素電極と同じ材料を有することができる。 （もっと読む）

【課題】ブラックマトリックス層の幅を設計値以上に拡張しなくても、位置合わせずれによる光漏れが生じることを抑制する。
【解決手段】ボトムゲート電極１２ａと第１のブラックマトリックス層１７ａで第１の半導体層１４を挟むシングルゲート型の薄膜トランジスタを有する半導体装置であって、前記第１の半導体層と前記第１のブラックマトリックス層は重畳している半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】画素部と同じ絶縁基板上において、大きな電流供給能力が得られるトランジスタで構成される電源線駆動回路を備えたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、複数の走査線、及び複数の電源線を有するアクティブマトリクス型表示装置において、前記絶縁基板上に電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上、好ましくは１２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上を有する酸化物半導体のトランジスタを有し、トランジスタを１つの構成要素とする電源線駆動回路を有するＥＬ表示装置である。 （もっと読む）

【課題】表示パネルにおいて、配線のインピーダンスを低減する。
【解決手段】液晶パネル２０は、スイッチ装置４８と、ピクセル電極５０と、対向電極５２と、を含んで構成される複数の絵素４２を備える。液晶パネル２０は、ガラス基板４０Ａと、ガラス基板４０Ａと対向するガラス基板４０Ｂと、ガラス基板４０Ａにピクセル電極５０が形成されるとともに、ガラス基板４０Ｂに対向電極５２が形成される第１絵素４２Ａと、ガラス基板４０Ｂにピクセル電極５０が形成されるとともに、ガラス基板４０Ａに対向電極５２が形成される第２絵素４２Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、抵抗値が低く、電流の均一性に優れ、かつ長期保存での導電性の劣化がなく、安定性の高い透明導電性基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板２上に、金属を含有する細線電極３と導電性ポリマー含有層４とが形成され、該細線電極３が金属粒子及び溶剤を含有する導電性インクにより形成され、該導電性インクを基板２上に付与した後、該導電性インクの焼成温度Ｔ_０（℃）より低く、かつ該導電性インク成分の揮発温度Ｓ_Ｔ（℃）よりも高い温度Ｔ_１（℃）でＳ_１（分）加熱された後に、焼成温度Ｔ_０（℃）でＳ_２（分）加熱され、かつ該焼成温度Ｔ_０（℃）と該溶剤の揮発温度よりも高い温度Ｔ_１（℃）との差が、２００℃＞Ｔ_０−Ｔ_１＞５０℃の関係を満たす透明導電性基板１を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体を有するトランジスタを有し、酸化物半導体の下に設けられた絶縁膜と、酸化物半導体の上に設けられた絶縁膜とを有する。平坦性を持たせるため、有機材料を含む絶縁膜をさらに設ける。シール材は、有機材料を含む絶縁膜と重なることはなく、絶縁膜と接している。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を設けた状態で４５０℃以下の熱処理を行うことで形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電気的な特性のバラツキを低減し、鮮明な多階調カラー表示を可能
にすることを目的とする。
【解決手段】半導体素子に用いられる半導体層の一部を抵抗体として利用する。具体的に
は、半導体素子と、前記半導体素子の有する半導体層と電気的に接続された発光素子と、
を有する表示装置であり、前記半導体層には、前記半導体素子と前記発光素子との間に設
けられた抵抗体とみなせる領域が含まれる。抵抗体とみなせる領域が存在することによっ
て半導体素子の電気的な特性のバラツキの影響を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】押圧検出が可能なタッチセンサ機能付き液晶パネルを提供する。
【解決手段】対向する一対の基板３１，３２間に、一方の基板の変位によって信号を出力する複数の変位検出部３０が設けられている。変位ポイント検出部３は、複数の変位検出部からの出力信号に基づいて、複数の変位検出部のそれぞれの位置での一方の基板の変位の有無を二値的に検出し、座標検出部４は、複数の変位検出部のうち、変位ポイント検出部によって一方の基板の変位有りと検出された変位検出部の座標を検出して押圧の位置情報を導出し、変位ポイント数カウント部５は、複数の変位検出部のうち変位ポイント検出部によって変位有りと検出された変位検出部の数を数え、押圧導出部６は、変位ポイント数カウント部が数えた変位検出部の数に基づいて押圧の強さ情報を導出する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をより少ない工程で作製する。
【解決手段】トランジスタと、画素電極とを有し、トランジスタは、第１のゲート電極と、第１のゲート電極上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層上の第２の絶縁層と、第２の絶縁層上の第２のゲート電極とを有し、第１のゲート電極は、第１の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、第２のゲート電極は、第２の絶縁層を介して、半導体層と重なる領域を有し、画素電極は、第２の絶縁層上に設けられ、第１の領域は、第２のゲート電極の少なくとも一部が、半導体層の少なくとも一部と重なる領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第２の領域は、画素電極が設けられた領域のうちの、少なくとも一部の領域であり、第１の領域における第２の絶縁層は、第２の領域における第２の絶縁層よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に透明導電物を含む画素電極と、画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極；画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層；第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極；ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層；第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層；半導体層を覆う第２絶縁層；第２絶縁層上に形成され、かつ第２絶縁層を貫通して半導体層に連結され、少なくとも一つは画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極；及びソース及びドレイン電極を覆って画素電極を露出させる第３絶縁層；を含む平板表示装置用バックプレーン。 （もっと読む）