【課題】電気光学装置１０における可撓性基板９０と複数個の外部回路接続端子との間の抵抗を均一にする。
【解決手段】 電気光学装置１０は、電気光学物質を間に挟んで対向した素子基板１１および対向基板１２を有する。素子基板１１には電気光学物質を駆動する回路が形成されている。素子基板１１は、各層間に絶縁層を挟んだ複数層の配線層ＷＲ_Ｌ２およびＷＲ_Ｌ１を有する。また、記素子基板１１は、同じ高さに位置する複数のＩＴＯパッド３−ｉを有する。複数のＩＴＯパッド３−ｉの各々の下部には、絶縁層を挟んで配線層ＷＲ_Ｌ２およびＷＲ_Ｌ１をのうちのいずれかの層の配線層が配置されるとともに、絶縁層を貫通して当該ＩＴＯパッドを当該配線層ＷＲ_Ｌ２またはＷＲ_Ｌ１に電気的に接続する複数のコンタクトホールＣＨ_Ｌ２またはＣＨ_Ｌ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性劣化を抑制しつつクロス容量を低下することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にゲート電極１２および第１配線層２１を形成したのち、全面にゲート絶縁膜１３を形成する。次に、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１４Ａを形成したのち、半導体層１４Ａ上に第１保護膜１５を形成する。第１配線層に対向する領域の半導体層１４および第１保護膜１５の除去およびその他の領域をエッチングにより加工する。次いで、全面に第２保護膜２３を形成および加工したのち、ソース・ドレイン電極１７および第２配線層２４を形成する。これにより、チャネル層１４表面の損傷が防止されると共に、配線部２０のクロス容量が低減される。 （もっと読む）

【課題】狭い領域内に高い容量値をもった蓄積容量を構成することができる電気光学装置、該電気光学装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００においては、複数層の層間絶縁膜４１〜４５のうち、層間絶縁膜４２に溝状凹部４２ｅが設けられ、かかる溝状凹部４２ｅの底壁４２ｅ1および側壁４２ｅ2に沿って形成された第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａにより蓄積容量５５が構成されている。また、層間絶縁膜４２には層間絶縁膜４３が積層され、層間絶縁膜４３において溝状凹部４２ｅが反映されてなる凹部４３ｅの内部で、第１電極層５ａ、誘電体層４０、および第２電極層７ａが蓄積容量５５を構成している。 （もっと読む）

【課題】発光効率の低下を補償するには、従来は複雑な回路を必要とした。
【解決手段】本発明のイメージディスプレイは、基板と、基板上に形成されたアドレス可能な光放射器であって、光放射層と、基板上に堆積された、光放射層の両側の電極層とを含む光放射器のアレイと、イメージパターンで光を放射させるために光放射器を駆動するための駆動回路と、光放射器により放射された光を検出し、該光に応答するフィードバック信号を発生するために、アレイ内の光放射器の光放射層と光学的に直接結合されたフォトセンサ層と、基板上に堆積された、フォトセンサ層の両側の電極層とを含む、基板に形成された、一つまたは複数のフォトセンサと、駆動回路を制御するためにフィードバック信号に応答するフィードバック制御回路と、を備え、光放射器のアレイ及び一つまたは複数のフォトセンサは、基板上で互いに隣接するように配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電極間が低い接続抵抗で確実にかつ安定して接続されたアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板の一方の主面に形成された薄膜トランジスタと、第２基板と、第２基板の一方の主面に形成された表示素子とを有し、第１基板と第２基板とは、第１基板の主面と、第２基板の主面とが対向して貼り合わされており、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の内の一方の第１電極と、表示素子のアノード電極及びカソード電極の一方の下部電極とを接続しかつ第１基板と第２基板との間に間隔を保持するコンタクトスペーサーを第１基板と第２基板の一方が有し、他方がコンタクトスペーサーに対向するコンタクトホールを有し、コンタクトスペーサーの先端部がコンタクトホール内で固定される。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が困難な酸化物半導体を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の第１の領域、一対の第２の領域及び第３の領域を有する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して設けられる一対の電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介し、一対の電極の間に設けられたゲート電極と、を有し、一対の第１の領域は一対の電極と重畳し、第３の領域はゲート電極と重畳し、一対の第２の領域は一対の第１の領域及び第３の領域の間に形成され、一対の第２の領域及び第３の領域には窒素、リン、または砒素のいずれかの元素が含まれており、該元素の濃度は、第３の領域より一対の第２の領域のほうが高い構成とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性及び色再現性の高い電子装置を提供する。
【解決手段】 単結晶半導体基板１１上にスイッチング用ＦＥＴ２０１及び電流制御用ＦＥＴ２０２を形成し、電流制御用ＦＥＴ２０２にＥＬ素子２０３が電気的に接続された画素構造とする。電流制御用ＦＥＴ２０２は画素間での特性ばらつきが極めて小さく、色再現性の高い画像を得ることができる。電流制御用ＦＥＴ２０２にホットキャリア対策を施すことで信頼性の高い電子装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】充電容量の増大したキャパシタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 （もっと読む）

【課題】光センサの感度を効率よく向上させる。
【解決手段】光センサは、受光した光を電流に変換する光検出素子Ｄ１と、光検出素子Ｄ１との間に寄生容量を発生させる導電膜ＬＳと、リセット信号および読み出し信号とを、光検出素子Ｄ１を介して蓄積ノードＩＮＴへ供給する制御信号配線ＲＷＳＴと、蓄積ノードＩＮＴおよび出力配線ＯＵＴに接続され、読み出し信号にしたがって、蓄積ノードＩＮＴの電位に応じた出力信号を出力配線ＯＵＴへ出力するスイッチング素子Ｍ２とを備える。 （もっと読む）

【課題】発光素子の発光に影響する寄生容量の発生を抑制する。
【解決手段】基板１０の面上には駆動トランジスタＴdrと容量素子Ｃ1とが形成される。駆動トランジスタＴdrは、発光素子Ｅに供給される電流量を制御する。容量素子Ｃ1は、駆動トランジスタＴdrのゲート電極に電気的に接続されてゲート電位Ｖgを設定・保持する。駆動トランジスタＴdrと容量素子Ｃ1とを覆う第１絶縁層Ｌ1の面上には、コンタクトホールＨa3を介して駆動トランジスタＴdrに導通する素子導通部７１が形成される。素子導通部７１には発光素子Ｅの第１電極２１が接続される。基板１０に垂直な方向からみると、素子導通部７１は駆動トランジスタＴdrを挟んで容量素子Ｃ1とは反対側の領域に配置される。 （もっと読む）

【課題】配線層を低抵抗に保ち、かつ薄膜トランジスタにおける膜剥がれを防止した表示装置および電子機器を提供する。
【解決手段】基板１１上に薄膜トランジスタ１０および配線層２０を備える。薄膜トランジスタ１０は、基板１１側からゲート電極１２，ゲート絶縁膜１３および半導体層１４を有し、配線層２０は、配線層２０ａおよび配線層２０ｂにより構成されている。配線層２０ｂとゲート電極１２とは同一の膜厚および構成材料からなる。配線層２０とゲート電極１２との厚みは異なっている。具体的には、ゲート電極１２の厚みは配線層２０の厚みよりも薄く、ゲート電極１２の膜内応力が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高いＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】第１のチャネル形成領域と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第１のゲート電極とを備えた第１のＴＦＴと、第２のチャネル形成領域と、第２のソース領域及び第２のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第２のゲート電極とを備えた第２のＴＦＴと、第１のＴＦＴ及び第２のＴＦＴ上に設けられた第１の絶縁膜と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の一方と接続されたソース配線と、第１のソース領域及び第１のドレイン領域の他方と接続し、且つ第２のゲート電極に接続された第１のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の一方に接続された第２のドレイン配線と、第１の絶縁膜上に設けられ、第２のソース領域及び第２のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノホーンを含んで構成された有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】十分な容量の保持容量を確保することができなくても、フィールドスルーやオフリークの影響を受けにくいようにする。
【解決手段】画素回路１１０は、走査線１１２ａとデータ線１１４との各交差に対応して設けられている。反転走査線１１２ｂには、走査線１１２ａに供給された走査信号と論理反転の関係にある反転走査信号が供給される。画素回路１１０は、走査線１１２ａに供給された信号にしたがって導通状態または非導通状態に制御されるトランジスター１３０ａと、一端がトランジスター１３０ａのソース電極に接続された保持容量１３５と、保持容量１３５の一端と反転走査線１１２ｂとの間に電気的に介挿された容量素子１３１と、保持容量１３５による保持電位に応じた輝度で発光する発光素子１５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのしきい値電圧の変動を抑制し、表示パネルに実装するドライバＩ
Ｃの接点数を削減し、表示装置の低消費電力化を達成し、表示装置の大型化又は高精細化
を達成することを目的とする。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極を、第１のスイッチングトランジス
タを介して高電位が供給される配線、及び第２のスイッチングトランジスタを介して低電
位が供給される配線に接続し、第１のスイッチングトランジスタのゲート電極にクロック
信号を入力し、第２のスイッチングトランジスタのゲート電極に反転クロック信号を入力
することで、劣化しやすいトランジスタのゲート電極に高電位、又は低電位を交互に供給
する。 （もっと読む）

【課題】液晶容量の変化の検出感度を向上させることができる容量変化検出回路を提供する。
【解決手段】静電容量の変化を検出する容量変化検出回路であって、一方の電極が電圧供給線に接続された第１の可変容量と、前記第１の可変容量の他方の電極に直列に接続された第２の可変容量と、前記第２の可変容量の前記第１の可変容量とは他方の電極に接続され、前記第１の可変容量、及び前記第２の可変容量の容量値に応じた電気信号を出力するスイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの作製に用いるフォトリソグラフィ工程を従来よりも少なくし、且つ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の基板上に酸化物半導体層を有するトランジスタを含む回路と、当該第１の基板とシール材で固定された第２の基板とを有し、当該シール材、当該第１の基板、及び当該第２の基板で囲まれる閉空間は、減圧状態、或いは乾燥空気を充填する半導体装置に関する。当該シール材は、少なくとも前記トランジスタを囲み、閉じられたパターン形状を有する。また当該回路は、酸化物半導体層を有するトランジスタを含む駆動回路である。 （もっと読む）

【課題】ダイナミックレンジが広く、かつ温度依存性が低減された光センサおよび、この光センサを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】光センサは、蓄積ノードと、リセット信号配線と、読み出し信号配線と、光検出用素子と、遮光層を有する参照用素子と、リセット信号が供給されてから読み出し信号が供給されるまでのセンシング期間に、光検出素子を流れる光量に応じた電流および参照用素子に流れる電流に応じて変化した蓄積ノードの電位を、読み出し信号にしたがって読み出し出力する、第１のスイッチング素子と、蓄積ノードと参照用素子との間に設けられ、読み出し信号供給時に蓄積ノードの電位が参照用素子の蓄積ノードとは反対側の電位より高くなった場合に、蓄積ノードと参照用素子との間を非導通状態にする第２のスイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜を精度良く検査するシリコン膜検査方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、シリコン膜の形成された領域を第１膜厚の第１領域と前記第１膜厚と異なる第２膜厚の第２領域とに仮想的に分割する分割工程と、互いに異なる波長の第１波長と第２波長とを含む照射光を前記シリコン膜に照射する照射工程と、前記照射光が照射された前記第１領域からの前記第１波長の第１反射光を用いて第１反射率の測定を行う第１測定工程と、前記第１反射率から前記シリコン膜の第１結晶化率を導出する第１導出工程と、前記照射光が照射された前記第２領域からの前記第２波長の第２反射光を用いて第２反射率の測定を行う第２測定工程と、前記第２反射率から前記シリコン膜の第２結晶化率を導出する第２導出工程と、を含む有機ＥＬ表示装置用シリコン膜検査方法を提供する。 （もっと読む）